电力电子复习(有答案)
第一章
填空题：
1.电力电子器件一般工作在_开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为_通态损耗_，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为_开关损耗。
3.电力电子器件组成的系统，一般由_主电路_、_驱动电路_、_控制电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路_。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为单极型器件、双极型器件、复合型器件三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为单向导通。
6.电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。
7.肖特基二极管的开关损耗__小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为正向有触发则导通、反向截止。（SCR晶闸管）
9.对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L_大于I H。（I L=2~4I H）
10.晶闸管断态不重复电压U DRM与转折电压U bo数值大小上应为，U DRM_小于_Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__阴极和门极在器件内并联_结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。（GTO门极可关断晶闸管）
13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为_二次击穿_ 。
14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的_放大区_、前者的非饱和区对应后者的_饱和区_。
15.电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数。（MOSFET场效应晶体管、GTR电力晶体管、IGBT绝缘栅双极型
16.IGBT 的开启电压U GE（th）随温度升高而_略有下降_，开关速度_低于_电力MOSFET 。晶体管）
17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是智能功率集成电路。
18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为电压驱动和电流驱动两类。
19.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是负脉冲_。
20.GTR的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是使基极驱动电流不进入放大区和饱和区。
21.抑制过电压的方法之一是用储能元件吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。在过电流保护中，快速熔断器的全保护适用于小功率装置的保护。
22.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用快恢复型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
23.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是_静态均压_措施，给每只管子并联RC支路是动态均流措施，当需同时串联和并联晶闸管时，应采用_先串后并_的方法。
24.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有负温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有正温度系数。
25.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管_，属于半控型器件的是_晶闸管_，属于全控型器件的是GTO（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管）、电力MOSFET（电力场效应管）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）；属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET（电力场效应管），属于双极型器件的有晶闸管（SCR）、GTO（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管）、电力二极管，属于复合型电力电子器件得有IGBT（绝缘栅双极型晶体管）；在可控的器件中，容量最大的是GTO（门极可关断晶闸管），工作频率最高的是IGBT（绝缘栅双极型晶体管），属于电压驱动的是电力MOSFET（电力场效应管）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管），属于电流驱动的是晶闸管（SCR）、GTO（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管）、电力二极管。1.应用电力电子器件的系统组成如题图1-27所示，试说明其中各个电路的作用？（单复合型电压型，双型为电流型）
主电路：实现系统的系统功能。
保护电路：防止电路的电压或电流的过冲对系统的破坏。
驱动电路：将信息电子电路传递过来的信号按照控制目标的
要求转换成使电力电子器件开通或关断的信号，此信号加在器件
的控制端和公共端之间，对半控型器件只需要提供开通信号。
检测电路：检测主电路和应用现场的信号，再根据这些信号
2.GTR 的安全工作区是如何定义的？如题图1-33所示，GTR 带电感性负载时，如果不接二极管VD 会产生什么问题？有了二极管VD 是否还要加缓冲电路呢？
3.流经晶闸管的电流波形如题图1－41所示。试计算电流波形的平均值、有效值。若取安全裕量为2，
问额定电流为100A 的晶闸管，其允许通过的电流平均值和最大值为多少？
4.题图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im ，试计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。
GTR 工作时不仅不能超过最大电压U cem ，集电极
最大电流I cm 和最大耗散功率P cm ，也不能超过二次击穿临界线。GTR 的安全工作区就是在这些限制条件规定下的区域。
不加VD ，关断时会在L 上产生很高的自感电势，使VT 过压，已损坏。有了二极管VD 还要加缓冲电路，
第二章
填空题：
1.电阻负载的特点是电压与电流成正比，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是180o。
2.阻感负载的特点是流过电感的电流不能发生突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是180o，其承受的最大正反向电压均为√2U2，续流二极管承受的最大反向电压为√2U2（设U2为相电压有效值）。
α角移相范围为0o~180o，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为√2/2 U2和√2U2 ；带阻感负载时，α角移相范围为0o~90o，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为√2U2和√2U2；
4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ =π-α-δ; 当控制角α小于不导电角 δ 时，晶闸管的导通角 θ =0o。
5.从输入输出上看，单相桥式全控整流电路的波形与单相全波可控整流电路的波形基本相同，只是后者适用于低输出电压的场合。
8.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是最大（正的最多）的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是最小（负的最多）的相电压；这种电路 α 角的移相范围是0o~120o，u d波形连续得条件是a≤60o。
9.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值下降。
12.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当 α 从0°～90°变化时，整流输出的电压u d的谐波幅值随 α 的增大而增大，当 α 从90°～180°变化时，整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而减小。
13.三相桥式全控整流电路带阻感负载时，设交流侧电抗为零，直流电感L为足够大。当 α ＝30°时，三相电流有效值与直流电流的关系为I＝√2／3 Id ，交流侧电流中所含次谐波次数为6k±1，其整流输出电压中所含的谐波次数为___6k_。
16.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为有源逆变，欲实现有源逆变，只能采用全控电路，当控制角0< α < π /2 时，电路工作在整流状态； π /2< α < π 时，电路工作在逆变状态。
17.在整流电路中，能够实现有源逆变的有单相全控、三相桥式全控整流电路等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是要有直流电动势，其极性需与晶闸管的导通方向一致，其值应大于变流器直流侧的平均电压和要求晶闸管的控制角a>π /2,使u d为负值。
18.晶闸管直流电动机系统工作于整流状态，当电流连续时，电动机的机械特性为一组平行的直线，当电流断续时，电动机的理想空载转速将抬高，随 α 的增加，进入断续区的电流变化很小也可引起很大的转速变化。
19.直流可逆电力拖动系统中电动机可以实现四象限运行，当其处于第一象限时，电动机作电动运行，电动机正转，正组桥工作在整流状态；当其处于第四象限时，电动机做发电运行，电动机反转，正组桥工作在逆变状态。简答题：
1.单相桥式全控整流电路、三相桥式全控整流电路中，当负载分别为电阻负载或电感负载时，要求的晶闸管移相范围分别是多少？
单相桥式全控整流电路中，当负载为电阻负载时，要求的晶闸管移相范围为0o~180o
当负载为电感负载时，要求的晶闸管移相范围为0o~90o
三相桥式全控整流电路中，当负载为电阻负载时，要求的晶闸管移相范围为0o~120o
当负载为电感负载时，要求的晶闸管移相范围为0o~90o
2.变压器漏感对整流电路有何影响？
①出现换向重叠角γ，整流输出电压平均值u d降低；
②整流电路的工作状态增多；
③晶闸管的di/dt减小，有利于晶闸管的安全开通；
④换向时晶闸管电压出现缺口，产生正的du/dt，可能使晶闸管误导通，必须加吸收电路；
⑤换向使电网电压出现缺口，成为干扰源；
度与安全裕量)?
4.单相桥式全控整流电路带电阻负载工作，设交流电压有效值U2＝220V，控制角 α ＝π/3 rad,负载电阻R d＝5W,试求：（1）输出电压的平均值U d；（2）输出电流有效值I。
5.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作，设交流电压有效值U2＝400V，负载电阻R d＝10W, 控制角 α＝ π/2 rad, 试求：（1）输出电压平均值U d；（2）输出电流平均值I d。
填空题：
1.直流斩波电路完成得是直流到直流的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是降压斩波电路和升压斩波电路。
3.斩波电路有三种控制方式：脉冲宽度调制、频率调制和混合型。
4.升压斩波电路的典型应用有直流电机传动和单相功率因素校正电路等。
5.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第 I 象限，升压斩波电路能使电动机工作于第 II 象限，电流可逆斩波 电路能使电动机工作于第1和第2象限。
6.桥式可逆斩波电路用于拖动直流电动机时，可使电动机工作于第1，2，3，4象限。
简答题：
1.画出降压斩波电路原理图并简述其工作原理。（电流连续工作方式）
2.画出升压斩波电路原理图并简述其基本工作原理。
（电流连续工作方式）
3.在题图3-18所示的降压斩波电路中，已知E=200V ，R=10Ω，L 值极大，E M =30V ，T=50μs,t on =20μs,计算输出电压平均值U o ，输出电流平均值I o 。
降压斩波电路的工作原理：在一个
控制周期中，让V 导通一段时间t on ，由电源E 向L 、R 、M 供电，在此期间，u 0=E ；然后使V 关断一段时间t off ，此时电感L 通过二极管VD 向R 和M 供电，u 0=0；一个周期内的平均电压u 0=t on /（t on +t off ）*E ，输出电压小于电源电压，起到降压的作用。
假设电路中电感L 值很大，电容C 值也很大，当V 处于
通态时，电源E 向电感L 充电，充电电流基本恒定为I 1，同时电容C 上的电压向负载R 供电，因C 值很大，基本保持输出电压为恒值u 0。设V 处于通态的时间为t on ，在此阶段电感L 上积蓄的能量为EI 1t on 。当V 处于断态时E 和L 共同向电容C 充电并向负载R 提供能量。设V 处于断态的时间为t off ，则在此期间电感L 上释放的能量为（u 0-E ）I 1t off 。当电路工作于稳态时，一个周期T 中电感L 上积蓄的能量和释放的能量相等，即 EI 1t on =（u 0-E ）I 1t off
化简得 u 0=(t on +t off )/t off *E=T/t off *E 式中T/t off ≥1，输出电压高于电源电压，故称该电路为升压斩波电路。
4.在题图3-20所示的升压斩波电路中，已知E=50V，L值和C值极大，R=20Ω，采用脉宽调制控制方式，当T=40μs，t on=25μs时，计算输出电压平均值U o，输出电流平均值I o。
第4章
填空题：
1.改变频率的电路称为变频电路，变频电路有交交变频电路和交直交变频电路两种形式，前者又称为直接变频电路，后者也称为间接变频电路。
2.单相调压电路带电阻负载，其导通控制角a的移相范围为0o~180o，随 a 的增大，U o逐渐减小，功率因数λ逐渐降低。
3.单相交流调压电路带阻感负载，当控制角a＜?(?=arctan(ωL/R) )时,VT1的导通角为π,VT2的导通角为π。
4.把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为交交变频电路。
简答题：
1.交流调压电路和交流调功电路有什么区别？二者各运用于什么样的负载？为什么？
2.简述交流电力电子开关与交流调功电路的区别。
3.调光台灯由单相交流调压电路供电，设该台灯可看作电阻负载，在α=0°时输出功率为最大值，试求功率为最大输出功率的80%，50%时的开通角α。
4.一单相交流调压器，电源为工频220V，阻感串联作为负载，其中R=0.5Ω，L=2mH。试求：①开通角α的变化范围；②负载电流的最大有效值；③最大输出功率及此时电源侧的功率因数。
5.采用两晶闸管反并联相控的交流调压电路，输入电压U i＝220V，负载电阻R＝5W。如α1＝α2＝π/3,求：
(1)输出电压及电流有效值,
(2)输出功率，
(3)晶闸管的平均电流
第5章
填空题：
1.把直流电变成交流电的电路称为逆变，当交流侧有电源时称为有源逆变，当交流侧无电源时称为无源逆变。
2.电流从一个支路向另一个支路转移的过程称为换流，从大的方面，换流可以分为两类，即外部换流和自换流，进一步划分，前者又包括电网换流和负载换流两种换流方式，后者包括器件换流和强迫换流两种换流方式。
3.适用于全控型器件的换流方式是器件换流，由换流电路内电容直接提供换流电压的换流方式称为直接耦合式强迫换流。
4.逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类，当直流侧是电压源时，称此电路为电压型逆变电路，当直流侧为电流源时，称此电路为电流型逆变电路。
简答题：
1.画出逆变电路的基本原理图并阐述其原理。
图中S1~S4是桥式电路的四个臂，它们由电力电子器件及其辅助电路组成。当开关S1、S4闭合，S2、S3断开时，负载两端电压u0为正；当开关S1、S4断开，S2、S3闭合时，u0为负。这样就把直流电变成了交流电，改变两组开关的切换频率，即可改变输出交流电的频率，这就是逆变电路的工作原理
2.无源逆变电路和有源逆变电路有何不同？
有源逆变电路的交流侧接有电源，无源逆变电路的交流侧直接和负载相连。
3.换流方式各有那几种？各有什么特点？
器件换流：采用全控型器件的自关断能力进行换流；
电网换流：由电网提供换流电压，不需要器件具有门极可关断能力；
负载换流：由负载提供换流电压；
强迫换流：设置附加的换流电路，给欲关断的晶闸管强迫施加反向电压或反向电流的换流方式
4.什么是电压型逆变电路？什么是电流型逆变电路？二者各有什么特点。
第6章
填空题：
1.PWM控制就是对脉冲的宽度进行调制的技术；直流斩波电路得到的PWM波是等幅的，SPWM波得到的是
有两种，即计算法和调制法，实际中主要采用调制法。
3.PWM波形只在单个极性范围内变化的控制方式称单极性PWM控制方式，三相桥式PWM型逆变电路采用双极性控制方式。
4.根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况，PWM调制方式可分为同步调制和异步调制。一般为综合两种方法的优点，在低频输出时采用异步调制方法，在高频输出时采用同步调制方法。
5.在正弦波和三角波的自然交点时刻控制开关器件的通断，这种生成SPWM波形的方法称自然采样法，实际应用中，采用规则采样法来代替上述方法，在计算量大大减小的情况下得到的效果接近真值。
简答题：
1.试说明PWM控制的基本原理。
2.单极性和双极性PWM调制有什么区别？三相桥式PWM型逆变电路中，输出相电压(输出端相对于直流电源中点的电压)和线电压SPWM波形各有几种电平？
3.什么是异步调制？什么是同步调制？两者各有何特点？分段同步调制有什么优点？
载波信号和
第7章
填空题：
1.间接交流变流电路主要可分为两类，一类是输出电压和频率均可变的交直交变频电路，主要用作变频电路；另一类是输出交流电压大小和频率均不变的恒压恒频变流电路，主要用作不间断电源。
2.间接交流变流电路由整流电路、中间直流电路和逆变电路构成，目前中小容量的逆变器基本采用PWM控制。
3.对于笼型异步电机的定子频率控制方式，有恒压频比控制、转差频率控制、矢量控制、直接转矩控制等。
变压器中的电流为正负对称的交流电流。
6.单端电路有正激和反激两种电路。
7.反激电路中的变压器起储能的作用，反激电路不应工作于负载开路状态。
8.从输入输出关系来看，开关电源是一种交流-直流变流装置，由于开关电源采用了工作频率较高的交流环节，使其变压器和滤波器都大大减小。
简答题：
1.什么是组合变流电路？
2.试阐明如题图8-12所示间接交流变流电路的工作原理，并说明该电路有何局限性。
3.试分析如题图8-13所示间接交流变流电路的工作原理，并说明其局限性。
4.试说明如题图8-14间接交流变流电路是如何实现负载能量回馈的。
5.何为UPS？试说明如题图8-18所示UPS系统的工作原理。
6.试画出间接直流变流电路的结构并简述采用这种结构的原因。
选择题
（A）一次击穿（B）二次击穿（C）临界饱和（D）反向截止
2．逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成(B)。
（A）大功率三极管（B）逆阻型晶闸管（C）双向晶闸管（D）可关断晶闸管
3．在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是(C)。
（A）干扰信号（B）触发电压信号（C）触发电流信号（D）干扰信号和触发信号4．当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在(B)。（A）导通状态（B）关断状态（C）饱和状态（D）不定
5．单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是(D)。
（A）90°（B）120°（C）150°（D）180°
6．单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为(B)。
（A）U2（B）U2（C）2U2（D）U2
7．单相全控桥电阻性负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为(C)。
（A）U2（B）2U2（C）U2（D）U2
8．电力二极管的工作特性可概括为(A)。
（A）单向导通（B）单相运行（C）全控器件（D）单相逆变
9．快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是(D)。
（A）功率晶体管（B）IGBT （C）功率MOSFET （D）晶闸管10．三相半波可控整流电路的自然换相点是(B)。
（A）交流相电压的过零点
（B）本相相电压与相邻相电压正半周的交点处
（C）比三相不控整流电路的自然换相点超前30°
（D）比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°
11．单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是(A)。
（A）0°～90°（B）0°～180°（C）90°～180°（D）180°～360°12．对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关(A)。
（C）α和U2（D）α、U2以及变压器漏抗X C
13．若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是(C)。
（A）增大三角波幅度（B）增大三角波频率
（C）增大正弦调制波频率（D）增大正弦调制波幅度
14．可在第一和第四象限工作的变流电路是(A)。
（A）三相半波可控变电流电路（B）单相半控桥
（C）接有续流二极管的三相半控桥（D）接有续流二极管的单相半波可控变流电路
15．三相半波可控整流电路的自然换相点是(B)。
（A）交流相电压的过零点
（B）本相相电压与相邻相电压正半周的交点处
（C）比三相不控整流电路的自然换相点超前30°
（D）比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°
16．单相全控桥电阻性负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为(C)。
（A）U2（B）2U2（C.）U2（D）U2
17．功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为(B)。
（A）一次击穿（B）二次击穿（C）临界饱和（D）反向截止18．在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是(C)。
（A）干扰信号（B）触发电压信号（C）触发电流信号（D）干扰信号和触发信号19．电力二极管的工作特性可概括为(A)。
（A）单向导通（B）单相运行（C）全控器件（D）单相逆变
20．当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在(B)。（A）导通状态（B）关断状态（C）饱和状态（D）不定
21.已经导通了的晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流（①）
①减小至维持电流I H以下②减小至擎住电流I L以下
③减小至门极触发电流I G以下④减小至5A以下
22. 三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，输出电压平均值Ud的表达式是（①）
①U d=- 2.34U2cosβ②U d=1.17U2cosβ
③U d= 2.34U2cosβ④U d=-0.9U2cosβ
23. 若减小SPWM逆变器输出电压基波幅值，可采用的控制方法是（③）
③减小输入正弦控制电压幅值④减小输入正弦控制电压频率
24. 当晶闸管串联时，为实现动态均压，可在各个晶闸管两端并联(D)
A. R
B. L
C. C
D. RC
25.在大电感负载三相全控桥中，当α=90°时，整流电路的输出是(B)
A.U2
B.0 C .1.414U2 D.1.732U2
当a≤60o时输出波形为正；当60 26. 降压斩波电路中，已知电源电压U d=16V,负载电压U0=12V,斩波周期T=4ms，则开通时间T ab=（③） ①1ms ②2ms ③3ms ④4ms U0=(t on/T)*E→t on= (U0/ E)*T 27、晶闸管内部有（C）PN结。 A 一个， B 二个， C 三个， D 四个 单节晶体管内部只有一个PN结 28、纯电阻负载时单相半波可控整流电路输出直流电压的平均值等于整流前交流电压的（C）倍。 A 1， B 0.5， C 0.45， D 0.9. 单相桥式可控整流电路→0.9倍 29、晶闸管可整流电路中直流端的蓄电池或直流电动机应该属于（C）负载。 A 电阻性， B 电感性， C 反电动势 D 交流。 30、晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（C）。 A 分流， B 降压， C 过电压保护， D 过电流保护。 31、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来（C）。 A 分流， B 降压， C 过电压保护， D 过电流保护。 32、变压器一次侧接入压敏电阻的目的是为了防止（C）对晶闸管的损坏。 A 关断过电压， B 交流侧操作过电压， C 交流侧浪涌电压 D 操作过电流。 33、普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（C）来表示的。 A 有效值 B 最大值 C 平均值 D瞬时值 34、三相全控桥整流装置中一共用了（B）晶闸管。 A 三只， B 六只， C 九只 D 四只。 普通的单相半控桥式整流装置只用了一个晶闸管 35、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（C）电极。 A 一个， B 两个， C 三个， D 四个。 36、双向晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（A）来表示的。 A 有效值 B 最大值 C 平均值 D 瞬时值 37、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（C）电极。 A 一个， B 两个， C 三个， D 四个。 38、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（C）、最慢的是（A）。 A、GTO B、GTR C、MOSFET D SCR 39、变流器必须工作在α（A）区域，才能进行逆变。 A ＞90°， B ＞0°， C ＜90°， D ＝0°。 40、α为 (C)度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。 A，0度， B，60度， C，30度， D，120度， 41、α为 (B) 度时，三相桥式全控整流电路，带电阻性负载，输出电压波形处于连续和断续的临界状态。 A、0度。 B、60度。 C、30度。 D、120度。 42、晶闸管触发电路中，若使控制电压UC=0，改变（C）的大小，使触发角α=90o，可使直流电机负载电压Ud=0。达到调整移相控制范围，实现整流、逆变的控制要求。 A、同步电压， B、控制电压， C、偏移调节电压 D、交流电压。 43、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（A） A、90° B、120° C、150° D、180° 判断题 1、普通晶闸管内部有两个PN结。（×） 晶闸管内部是PNPN四层半导体结构，分别命名为P1、N1、P2、N2四个区。P1区引出阳极A，N2区引出阴极K，P2区引出门极G。四个区形成J1、J2、J3三个PN结。 2、普通晶闸管外部有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。（×） 阳极A，阴极K和门极G 3、只要让加在晶闸管两端的电压减小为零，晶闸管就会关断。（×） 若要使晶闸管关断，必须去掉阳极所加的正向电压，或者给阳极施加反压，或者设法使流过晶闸管的电流降低到接近于零的某一数值以下，晶闸管才能关断。 4、只要给门极加上触发电压，晶闸管就导通。（×） 当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流情况下晶闸管才导通；当承受反向电压，不论门极是否有，不导通。 5、增大晶闸管整流装置的控制角α，输出直流电压的平均值会增大。（×） 6、在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安全。（√） 7、晶闸管串联使用须采取“均压措施”。（√） 8、快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。（√） 9、晶闸管并联使用须采取“均压措施”。（×） 10、双向晶闸管的额定电流是用有效值来表示的。（√） 11、普通单向晶闸管不能进行交流调压。（×） 12、双向触发二极管中电流也只能单方向流动。（×） 13、使用大功率晶体管时，必须要注意“二次击穿”问题。（√） 14、电力晶体管的外部电极也是：集电极、基极和发射极。（√） 15、电力场效应晶体管属于电流型控制元件。（×） 电力场效应晶体管属于电压型控制元件，单极型电力电子器件。 16、绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。（√） 17、把交流电变成直流电的过程称为逆变。（×） 整流 18、应急电源中将直流电变为交流电供灯照明，其电路中发生的“逆变”称有源逆变。（×） 19、晶闸管变流装置会对电网电压波形产生畸变。（√） 20、只要控制角α＞90°，变流器就可以实现逆变。（×） 21、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。（×） 22、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。（×） 23、逆变角太大会造成逆变失败。（×） 逆变失败的原因：①触发电路工作不可靠。如个别相失去脉冲或移相角过范围；②晶闸管本身性能不好。如不能正常导通或阻断；③交流电源故障。如突然断电，缺相或电压过低等；④换相的裕量角过小。主要对换相重叠角估计不足，使换相时间小于晶闸管关断时间。 24、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。（×） 当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流情况下晶闸管才导通。 25、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。（×） 26、U2为变压器二次侧交流电压有效值，则在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定电压应取U2。（×） 27、在三相半波可控整流电路中，电路输出电压波形的脉动频率为300Hz。（×） 单相半波可控整流电路→输出脉动频率为50HZ，单相全波可控整流电路→输出脉动频率为100HZ，三相半波可控整流电路→输出脉动频率为150HZ，三相全控桥式整流电路→输出脉动频率为300HZ。 实现提高直流有效输出电压 30、无源逆变指的是把直流电能转变成交流电能回送给电网。（×） 31、U2为变压器二次侧交流电压有效值，则在三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反压为2倍相电压 U2。（×）晶闸管承受阳极和阴极最大电压2线电压，最大反向电压为变压器二次线电压峰值√2 X √3 U2 32、三相全控桥整流电路中，输出电压的脉动频率为150Hz。（×）300Hz 33.晶闸管属于电压控制型器件（×）晶闸管是双极型器件，属于电流控制型器件 34.三相半波可控整流电路不存在变压器直流磁化问题（×）只有全波才不存在 35.电力电子器件一般工作在放大状态（×）一般工作在开关状态 36.换相裕量角不足容易引起逆变失败（√） 37.欲实现有源逆变，只能采用全控电路，半控桥式有蓄流二极管的电路不能实现有源逆变（√） 38.在整流电路中，晶闸管的换流属于器件换流（×）晶闸管是半控器件，器件换流需要全控型器件 39.为防止逆变失败最小逆变角为30o-35o（√） 40.三相全控桥带电阻性负载电流连续的条件为α≦60o（√） 41.三相全控桥有源逆变电路，由于换相压降的影响，将使得输出电压升高（√） 42.三相全控桥式整流电路带纯电阻负载时的移相范围是120o（√） 43.晶闸管是一种四层三端器件（√） 44.单相半波可控整流电路属单脉波整流电路（√） 45.对于三相半波可控整流电路由于换相重迭角的影响，使得输出电压平均值比理想情况升高（×）应该是降低 46.单相调压电路带电阻负载，随着α的增大，功率因数降低（√） 47.晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U Bo数值大小应为U DSM＞U Bo（×）应该是U DSM 48.器件开关频率较高时，通态损耗是功率损耗的主要因素（×）开关损耗是主要因素 计算题还要看课后计算题（老师布置过的，没有布置的不用看） 南通大学电气工程学院电力电子技术 题 库 第二章电力电子器件 一、填空题 1、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为100A。若该晶闸管阳、阴间电压为60sinwtV，则其额定电压应为60V。（不考虑晶闸管的电流、电压安全裕量。） 2、功率开关管的损耗包括两方面，一方面是导通损耗；另一方是开关损耗。 3、在电力电子电路中，常设置缓冲电路，其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。 4、缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。 5、电力开关管由于承受过电流，过电压的能力太差。所以其控制电路必须设有过流和过压保护电路。 二、判断题 1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。（√） 2、某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是700V。（×） 3、晶闸管导通后，流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。（×） 4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。（√） 5、在晶闸管的电流上升至其维护电流后，去掉门极触发信号，晶闸管级能维护导通。（×） 6、在GTR 的驱动电路设计中，为了使GTR 快速导通，应尽可能使其基极极驱动电流大些。（×） 7、达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管；而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管则属电压驱动型开关管。（√） 8、IGBT 相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。（×） 9、整流二级管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。（×） 10、导致开关管损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障等。（√） 三、选择题 1、下列元器件中，（ BH ）属于不控型，（ DEFIJKLM）属于全控型,（ ACG ）属于半控型。 A、普通晶闸管 B、整流二极管 C、逆导晶闸管 D、大功率晶体管 E、绝缘栅场效应晶体管 F、达林顿复合管 G、双向晶闸管 H、肖特基二极管 I、可关断晶闸管 J、绝缘栅极双极型晶体管 K、MOS 控制晶闸管 L、静电感应晶闸管 M、静电感应晶体管 2、下列器件中，（ c ）最适合用在小功率，高开关频率的变换器中。 A、GTR B、IGBT C、MOSFET D、GTO 3、开关管的驱动电路采用的隔离技术有（ ad ） A、磁隔离 B、电容隔离 C、电感隔离 D、光耦隔离 四、问答题 1、使晶闸管导通的条件是什么？ 答：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流或脉冲（uak＞0且ugk＞0）。 第2章 可控整流器与有源逆变器习题解答 2-1 具有续流二极管的单相半波可控整流电路，电感性负载，电阻为5Ω,电感为0.2H ，电源电压2U 为220V ，直流平均电流为10A ，试计算晶闸管和续流二极管的电流有效值，并指出其电压定额。 解：由直流输出电压平均值d U 的关系式： 2 cos 145.02α+=U U d 已知直流平均电流d I 为10A ，故得： A R I U d d 50510=?== 可以求得控制角α为： 01220 45.0502145.02cos 2≈-??=-=U U d α 则α=90°。 所以，晶闸管的电流有效值求得， ()A I I I t d I I d d d d VT 52 1222212==-=-==?ππππαπωππα 续流二极管的电流有效值为：A I I d VD R 66.82=+=π απ 晶闸管承受的最大正、反向电压均为电源电压的峰值22U U M =，考虑2~3倍安全裕量，晶闸管的额定电压为 ()()V U U M TN 933~6223113~23~2=?== 续流二极管承受的最大反向电压为电源电压的峰值22U U M =，考虑2~3倍安全裕量，续流二极管的额定电压为 ()()V U U M TN 933~6223113~23~2=?== 2-2 具有变压器中心抽头的单相双半波可控整流电路如图2-44所示，问该变压器是否存在直流磁化问题。试说明晶闸管承受的最大反向电压是多少？当负载是电阻或者电感时，其输出电压和电流的波形与单相全控桥时是否相同。 解：因为单相双半波可控整流电路变压器二次测绕组中，正负半周内上下绕组内电流的方向相反，波形对称，其一个周期内的平均电流为零，故不会有直流磁化的问题。 分析晶闸管承受最大反向电压及输出电压和电流波形的情况： （1） 以晶闸管 2VT 为例。当1VT 导通时，晶闸管2VT 通过1VT 与2个变 压器二次绕组并联，所以2VT 承受的最大电压为222U 。 （2）当单相全波整流电路与单相全控桥式整流电路的触发角α相同时， 对于电阻负载： （α~0）期间无晶闸管导通，输出电压为0；（πα~）期间，单相全波电路中VT1导通，单相全控桥电路中1VT 、4VT 导通，输出电压均与 电源电压2u 相等；(παπ+~)期间，均无晶闸管导通，输出电压为0； (παπ2~+)期间，单相全波电路中2VT 导通，单相全控桥电路中2VT 、 3VT 导通，输出电压等于2u -。 对于电感负载： （απα+~）期间，单相全波电路中VT1导通，单相全控桥电路中1VT 、4VT 导通，输出电压均与电源电压2u 相等；（απαπ++2~）期间，单 《电力电子技术》 绪论 1 电力电子技术定义：是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术，是应用于电力领域的电子技术，主要用于电力变换。 2 电力变换的种类 （1）交流变直流AC-DC：整流 （2）直流变交流DC-AC：逆变 （3）直流变直流DC-DC：一般通过直流斩波电路实现，也叫斩波电路 （4）交流变交流AC-AC：可以是电压或电力的变换，一般称作交流电力控制 3 电力电子技术分类：分为电力电子器件制造技术和变流技术。 4、相控方式;对晶闸管的电路的控制方式主要是相控方式 5、斩方式：与晶闸管电路的相位控制方式对应，采用全空性器件的电路的主要控制方式为脉冲宽度调制方式。相对于相控方式可称之为斩空方式。 第1章电力电子器件 一、电力电子器件概述 1 电力电子器件与主电路的关系 （1）主电路：电力电子系统中指能够直接承担电能变换或控制任务的电路。 （2）电力电子器件：指应用于主电路中，能够实现电能变换或控制的电子器件。广义可分为电真空器件和半导体器件。 2 电力电子器件一般特征：1、处理的电功率小至毫瓦级大至兆瓦级。2、都工作于开关状态，以减小本身损耗。3、由电力电子电路来控制。4、安有散热器 3 电力电子系统基本组成与工作原理 （1）一般由主电路、控制电路、检测电路、驱动电路、保护电路等组成。 （2）检测主电路中的信号并送入控制电路，根据这些信号并按照系统工作要求形成电力电子器件的工作信号。 （3）控制信号通过驱动电路去控制主电路中电力电子器件的导通或关断。 （4）同时，在主电路和控制电路中附加一些保护电路，以保证系统正常可靠运行。 4 电力电子器件的分类 根据控制信号所控制的程度分类 （1）半控型器件：通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。如SCR晶闸管。 （2）全控型器件：通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断的电力电子器件。如GTO、GTR、MOSFET和IGBT。（3）不可控器件：不能用控制信号来控制其通断的电力电子器件。如电力二极管。 根据驱动信号的性质分类 （1）电流驱动型器件：通过从控制端注入或抽出电流的方式来实现导通或关断的电力电子器件。如SCR、GTO、GTR。（2）电压驱动型器件：通过在控制端和公共端之间施加一定电压信号的方式来实现导通或关断的电力电子器件。如MOSFET、IGBT。 根据器件内部载流子参与导电的情况分类 （1）单极型器件：内部由一种载流子参与导电的器件。如MOSFET。 （2）双极型器件：由电子和空穴两种载流子参数导电的器件。如SCR、GTO、GTR。 （3）复合型器件：有单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件。如IGBT。 二、不可控器件-电力二极管 电气符号 工作原理：单向导电性-正向导通，反向截止，反向击穿 一、填空（每空1分） 1、请在正确的空格内标出下面元件的简称： 电力晶体管GTR；图形符号为； 可关断晶闸管GTO；图形符号为； 功率场效应晶体管MOSFET；图形符号为； 绝缘栅双极型晶体管IGBT ；图形符号为；IGBT是MOSFET 和GTR的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。 3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。 4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。 6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。 9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。（写出四种即可） 12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫（脉冲）换流。 13、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分 为有源逆变器与无源逆变器两大类。 16、一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为220V，流过晶闸管的大电 流有效值为15A，则这个电路中晶闸管的额定电压可选为V 5.1( ；晶闸管 )2 220 2 的额定电流可选为A 57 .115)35.1(倍 是 阳极A ， 阴极K 和 门极G 晶闸管的导通条件是 阳极加正电压， 阴极接负电压，门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通 ；关断条件是 当晶闸管阳极电流小于维持电流I H 时，导通的晶闸管关断 。 18、单相交流调压在电阻性负载电路的移相范围在 0o—180o 变化，在阻感性负载时移相范围在 φ—180o 变化。 20、晶闸管的换相重叠角与电路的 触发角α 、 变压器漏抗 X B 、 平均电流I d 、 电源相电压U 2 等到参数有关。 21、要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种，一是用 大于60o小于120o的宽脉冲 触发；二是用 脉冲前沿相差60o的双窄脉冲 触发。 27、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 √2U2 。三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 √6 U2 。（电源电压为U2） 28、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为 控制角，用 α 表示。 29、正弦波触发电路的理想移相范围可达 180o、 度，实际移相范围只有 150o 。 30、一般操作过电压都是瞬时引起的尖峰电压，经常使用的保护方法是 阻容保护 而对于能量较大的过电压，还需要设置非线性电阻保护，目前常用的方法有压敏电阻和 硒堆 。 电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成， 由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系， 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属 于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为___，续流二极管承受的最大反向电压为___（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O _， 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角=_π-2_。 第二章电力电子器件 填空题： 1.电力电子器件一般工作在_开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为_通态损耗_，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为_开关损耗。 3.电力电子器件组成的系统，一般由_主电路_、_驱动电路_、_控制电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路_。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为单极型器件、双极型器件、复合型器件三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为单向导通。 6.电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。 7.肖特基二极管的开关损耗__小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为正向有触发则导通、反向截止。（SCR晶闸管） 9.对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L_大于I H。（I L=2~4I H） 10.晶闸管断态不重复电压U DRM与转折电压U bo数值大小上应为，U DRM_小于_Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 12.GTO的__阴极和门极在器件内并联_结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。（GTO门极可关断晶闸管） 13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为_二次击穿_ 。 14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的_放大区_、前者的非饱和区对应后者的_饱和区_。 15.电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数。（MOSFET场效应晶体管、GTR电力晶体管、IGBT绝缘栅双极型 16.IGBT 的开启电压U GE（th）随温度升高而_略有下降_，开关速度_低于_电力MOSFET 。晶体管） 17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是智能功率集成电路。 18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为电压驱动和电流驱动两类。 19.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是负脉冲_。 20.GTR的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是使基极驱动电流不进入放大区和饱和区。 21.抑制过电压的方法之一是用储能元件吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。在过电流保护中，快速熔断器的全保护适用于小功率装置的保护。 22.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用快恢复型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。 23.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是_静态均压_措施，给每只管子并联RC支路是动态均流措施，当需同时串联和并联晶闸管时，应采用_先串后并_的方法。 24.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有负温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有正温度系数。 25.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管_，属于半控型器件的是_晶闸管_，属于全控型器件的是GTO（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管）、电力MOSFET（电力场效应管）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）；属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET（电力场效应管），属于双极型器件的有晶闸管（SCR）、GTO（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管）、电力二极管，属于复合型电力电子器件得有IGBT（绝缘栅双极型晶体管）；在可控的器件中，容量最大的是GTO（门极可关断晶闸管），工作频率最高的是IGBT（绝缘栅双极型晶体管），属于电压驱动的是电力MOSFET（电力场效应管）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管），属于电流驱动的是晶闸管（SCR）、GTO（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管）、电力二极管。1.应用电力电子器件的系统组成如题图1-27所示，试说明其中各个电路的作用？（单复合型电压型，双型为电流型） 主电路：实现系统的系统功能。 保护电路：防止电路的电压或电流的过冲对系统的破坏。 驱动电路：将信息电子电路传递过来的信号按照控制目标的 要求转换成使电力电子器件开通或关断的信号，此信号加在器件 的控制端和公共端之间，对半控型器件只需要提供开通信号。 检测电路：检测主电路和应用现场的信号，再根据这些信号 按照系统的工作要求形成控制信号。 考试试卷( 1 )卷 一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分） 1、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为____电压型____和 _____电流型___两类。 2、电子技术包括__信息电子技术___和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就 属于前者。 2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在____开关_____状态。当器件的工作频率较高时， __开关_______损耗会成为主要的损耗。 3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为______载波比_______，当它为常数时的调制方式 称为_____同步____调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。 4、面积等效原理指的是，_____冲量____相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果 基本相同。 5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是___MOSFET______，单管输出功率最大 的是____GTO_________，应用最为广泛的是___IGBT________。 ，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大6、设三相电源的相电压为U 2 反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。 7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。 8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。 (1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______； (3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______； (5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______； 电力电子技术试题 0-1.什么是电力电子技术? 电力电子技术是应用于电力技术领域中的电子技术；它是以利用大功率电子器件对能量进行变换和控制为主要内容的技术。国际电气和电子工程师协会（IEEE）的电力电子学会对电力电子技术的定义为：“有效地使用电力半导体器件、应用电路和设计理论以及分析开发工具，实现对电能的高效能变换和控制的一门技术，它包括电压、电流、频率和波形等方面的变换。” 0-2.电力电子技术的基础与核心分别是什么? 电力电子器件是基础。电能变换技术是核心. 0-3.请列举电力电子技术的 3 个主要应用领域。 电源装置;电源电网净化设备;电机调速系统;电能传输和电力控制;清洁能源开发和新蓄能系统;照明及其它。 0-4.电能变换电路有哪几种形式?其常用基本控制方式有哪三种类型? AD-DC整流电;DC-AC逆变电路;AC-AC交流变换电路;DC-DC直流变换电路。 常用基本控制方式主要有三类：相控方式、频控方式、斩控方式。 0-5.从发展过程看，电力电子器件可分为哪几个阶段? 简述各阶段的主要标志。可分为：集成电晶闸管及其应用；自关断器件及其应用；功率集成电路和智能功率器件及其应用三个发展阶段。集成电晶闸管及其应用：大功率整流器。自关断器件及其应用：各类节能的全控型器件问世。功率集成电路和智能功率器件及其应用：功率集成电路（PIC），智能功率模块（IPM）器件发展。 0-6.传统电力电子技术与现代电力电子技术各自特征是什么? 传统电力电子技术的特征：电力电子器件以半控型晶闸管为主，变流电路一般 为相控型，控制技术多采用模拟控制方式。 现代电力电子技术特征：电力电子器件以全控型器件为主，变流电路采用脉宽 调制型，控制技术采用PWM数字控制技术。 0-7.电力电子技术的发展方向是什么? 新器件：器件性能优化，新型半导体材料。高频化与高效率。集成化与模块化。数字化。绿色化。 1-1.按可控性分类，电力电子器件分哪几类? 按可控性分类，电力电子器件分为不可控器件、半控器件和全控器件。 1-2.电力二极管有哪些类型?各类型电力二极管的反向恢复时间大约为多少? 电力二极管类型以及反向恢复时间如下： 1）普通二极管，反向恢复时间在5us以上。 2）快恢复二极管，反向恢复时间在5us以下。快恢复极管从性能上可分为快速恢复和超快速恢复二极管。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者在100ns 以下，甚至达到20~30ns，多用于高频整流和逆变电路中。 3）肖特基二极管，反向恢复时间为10～40ns。 1-3.在哪些情况下，晶闸管可以从断态转变为通态? 维持晶闸管导通的条件是什么? 1、正向的阳极电压； 2、正向的门极电流。两者缺一不可。阳极电流大于维持电流。 电力电子必胜 绪论 填空题： 1.电力电子技术是使用________器件对电能进行________的技术。 2.电能变换的含义是在输入与输出之间，将________、________、________、________、________中的一项以上加以改变。 3.电力变换的四大类型是：________、________、________、________。 4. 在功率变换电路中，为了尽量提高电能变换的效率，所以器件只能工作在________状态，这样才能降低________。 5. 电力电子器件按照其控制通断的能力可分为三类，即: ________、________、________。 6. 电力电子技术的研究内容包括两大分支：________________ 技术和________技术。 7.半导体变流技术包括用电力电子器件构成_____________电路和对其进行控制的技术，以及构成________装置和________系统的技术。 8.电力电子技术是应用在________领域的电子技术。 9.电力电子技术是一门由________、________、________三个学科交叉形成的新的边缘技术学科。 简答题 1. 什么是电力电子技术？ 2. 电能变换电路的有什么特点？机械式开关为什么不适于做电能变换电路中的开关？ 3. 电力变换电路包括哪几大类？ 电力电子器件 填空题： 1.电力电子器件一般工作在________状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为________，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为________。 3.电力电子器件组成的系统，一般由________、________、________三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加________。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为________、________、________三类。 5.按照器件能够被控制的程度，电力电子器件可分为以下三类：、 和。 6.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为________和________两类。。 7. 电力二极管的主要类型有、、。 8. 普通二极管又称整流二极管多用于开关频率不高,一般为Hz以下的 电力电子技术选择题 Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】 1、三相全控桥整流电路的同一相上下两个桥臂晶闸管的触发脉冲依次应 相差180度 2、α为30度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形， 处于连续和断续的临界状态。 3、可实现有源逆变的电路为（三相半波可控整流电路，）。 4、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理 （30o-35o）。 5、快速熔断器熔体额定电流的选择是电流的（有效值）。 6、三相桥式半控整流电路，大电感负载时的移相范围为（0o～ 180o）。 7、三相半波整流电路，电阻性负载时的移相范围为（0o～ 150o）。 8、三相桥式全控整流电路，大电感负载时的移相范围为（0o～90o）。 9、单相半控桥电感性负载电路，在负载两端并联一个二极管的作用是 （防止失控）。 10、具有锁定效应的电力电子器件是（绝缘栅双极型晶体管）。 10、单相半控桥电感性负载电路，在负载两端并联一个二极管的作用是 （防止失控） 20、某型号为KP100-10的普通晶闸管工作在单相半波可控整流电路中，晶闸管能通过的电流有效值为（ 157A ）。 21、图中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，两个波形的电流最大值均相同， 则波形的电流有效值I 1、I 2的关系为：（I 2 = 2 I 1 ）。 22、下列关于Power MOSFET 的描述，哪一项是错误的也称为绝缘栅极双 极型晶管(这是IGBT) 23、三相半波整流电路输出波形如图所示，则以下判断正确的是 :控制角为0°，电阻性负载， 24、下面哪种功能不属于变流的功能（变压器降压 ） 25、 三相半波可控整流电路的自然换相点是（本相相电压与邻相电压正半 周的交点处。 ）。 26、三相电压型逆变器采用的导电方式为 1 8 0o 度导电方式。 27、三相电流型逆变器采用的导电方式为 120 度导电方式。 28、可实现有源逆变的电路为 三相半波可控整流电路， 29、三相半波可控整流电路在换相时，换相重叠角γ的大小与哪几个参数有 关αI d 、 X L 、U 2 30、α=60度时，三相全控桥式整流电路带电阻负载电路， 31、某电流分解为)5sin 513sin 31(sin 4 2 +++= ωωωπt t I i d ，其中基波的有效值d I π22 32、逆变角的大小等于（απ- ） A απ+ B απ- C απ-2 D απ+2 33、升压斩波电路的电压输入输出关系是（ U0=(T/Toff)E ） 34、下图中阴影部分为晶闸管处于一个周期内的电流波形，平均电流是 M I )4 221(1+π (无图) 一、简答题 2.1 晶闸管串入如图所示的电路，试分析开关闭合和关断时电压表的读数。 题2.1图 在晶闸管有触发脉冲的情况下，S开关闭合，电压表读数接近输入直流电压；当S开关断开时，由于电压表内阻很大，即使晶闸管有出发脉冲，但是流过晶闸管电流低于擎住电流，晶闸管关断，电压表读数近似为0（管子漏电流形成的电阻与电压表内阻的分压值）。 2.2 试说明电力电子器件和信息系统中的电子器件相比，有何不同。 电力电子系统中的电子器件具有较大的耗散功率；通常工作在开关状态；需要专门的驱动电路来控制；需要缓冲和保护电路。 2.3 试比较电流驱动型和电压驱动型器件实现器件通断的原理。 电流驱动型器件通过从控制极注入和抽出电流来实现器件的通断；电压驱动型器件通过在控制极上施加正向控制电压实现器件导通，通过撤除控制电压或施加反向控制电压使器件关断。 2.4 普通二极管从零偏置转为正向偏置时，会出现电压过冲，请解释原因。 导致电压过冲的原因有两个：阻性机制和感性机制。阻性机制是指少数载流子注入的电导调制作用。电导调制使得有效电阻随正向电流的上升而下降，管压降随之降低，因此正向电压在到达峰值电压U FP 后转为下降，最后稳定在U F。感性机制是指电流随时间上升在器件内部电感上产生压降，d i/d t 越大，峰值电压U FP 越高。 2.5 试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降随电流的大小变化很小。 若流过 PN 结的电流较小，二极管的电阻主要是低掺杂 N-区的欧姆电阻，阻值较高且为常数，因而其管压降随正向电流的上升而增加；当流过 PN 结的电流较大时，注入并积累在低掺杂 N-区的少子空穴浓度将增大，为了维持半导体电中性条件，其多子浓度也相应大幅度增加，导致其电阻率明显下降，即电导率大大增加，该现象称为电导调制效应。 2.6 比较肖特基二极管和普通二极管的反向恢复时间和通流能力。从减小反向过冲电压的角度出发，应选择恢复特性软的二极管还是恢复特性硬的二极管？ 肖特基二极管反向恢复时间比普通二极管短，通流能力比普通二极管小。从减少反向过冲电压的角度出发，应选择恢复特性软的二极管。 电力电子技术复习题1 第1章电力电子器件 J电力电子器件一般工作在开关状态。 乙在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为—通态损耗—，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。 3. 电力电子器件组成的系统，一般由—控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三 部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。 4. 按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型 器件、双极型器件、复合型器件三类。 L电力二极管的工作特性可概括为承受正向电压导通，承受反相电压截止。 6.电力二极管的主要类型有—普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。乙肖特基二极管的开关损耗小于快恢复二极管的开关损耗。 匕晶闸管的基本工作特性可概括为正向电压门极有触发则导通、反向电压则 截止。 乞对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL大于IH 。 10. 晶闸管断态不重复电压UDSMt转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM大于 _UbQ 11. 逆导晶闸管是将二极管与晶闸管反并联(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 12(TO的_多元集成_结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13. MOSFET勺漏极伏安特性中的三个区域与GTRft发射极接法时的输出特性中的 三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区一、前者的饱和区对应后者的_放大区_、前者的非饱和区对应后者的_饱和区_ 。 14. 电力MOSFE的通态电阻具有正温度系数。 15JGBT的开启电压UGE(th )随温度升高而_略有下降一,开关速度—小于— 电力MOSFET 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子 器件分为电压驱动型和电流驱动型两类。 IZIGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负—温度系数，在1/2或 1/3额定电流以上区段具有__正—温度系数。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR、门极可关断晶闸管 《电力电子技术》习题及解答 第1章思考题与习题 1.1晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定? 答：晶闸管的导通条件是：晶闸管阳极和阳极间施加正向电压，并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流(或脉冲）。 导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定，负载上电压由输入阳极电压UＡ决定。 1．2晶闸管的关断条件是什么?如何实现?晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定? 答：晶闸管的关断条件是：要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态，可采用阳极电压反向使阳极电流ＩＡ减小，ＩA下降到维持电流I H以下时,晶闸管内部建立的正反馈无法进行。进而实现晶闸管的关断,其两端电压大小由电源电压U A决定。 1.3温度升高时，晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压如何变化? 答:温度升高时,晶闸管的触发电流随温度升高而减小，正反向漏电流随温度升高而增大，维持电流IＨ会减小，正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而减小。 １.4晶闸管的非正常导通方式有哪几种? 答：非正常导通方式有:（1) I g=0,阳极电压升高至相当高的数值;(1) 阳极电压上升率ｄu/dt过高；(3) 结温过高。 1.5请简述晶闸管的关断时间定义。 答:晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时 间。即gr rr q t t t +=。 1.６试说明晶闸管有哪些派生器件? 答:快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。 １.7请简述光控晶闸管的有关特征。 答：光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管,在光的照射下,光电二极管电流增加，此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。主要用于高压大功率场合。 1.8型号为KP1０0-3，维持电流I H =４ｍＡ的晶闸管，使用在图题1．8所示电路中是否合理,为什么?（暂不考虑电压电流裕量） 图题１.8 答:(a ）因为H A I mA K V I <=Ω =250100,所以不合理。 (b) 因为A V I A 2010200=Ω =, ＫP100的电流额定值为１00A ，裕量达5倍,太大了。 (c)因为A V I A 1501150=Ω= ，大于额定值，所以不合理。 1．９ 图题1.９中实线部分表示流过晶闸管的电流波形，其最大值均为I m ,试计算各图的电流平均值．电流有效值和波形系数。 解：图(ａ): I Ｔ（A Ｖ)=π 21?πωω0)(sin t td I m =πm I ＩT ＝?πωωπ02)()sin (21t d t I m =2 m I 电力电子复习回顾 第二章电力电子器件 一、电力电子器件概论 1、按器件的可控性分类，普通晶闸管属于（ B ） A 全控型器件 B 半控型器件 C 不控型器件 D 电压型器件 2、具有自关断能力的电力半导体器件称为( A ) A.全控型器件 B.半控型器件 C.不控型器件 D.触发型器件 3、下面给出的四个电力半导体器件中，哪个是全控型电力半导体器件( C ) A 二极管 B 晶闸管 C 电力晶体管 D 逆导晶闸管 二、功率二极管 1、功率二极管的封装形式有螺栓型和平板型，平板型的散热效果好。 2、ZP400表示功率二级管的额定电流为400 A。 3、常用的功率二极管有三种类型：普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。 三、晶闸管（SCR） 1、处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极承受正向电压，且_门极承受正压时，才能使其开通。 2、在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是( A )。 A.干扰信号 B.触发电压信号 C.触发电流信号 D.干扰信号和触发信号 3、为防止晶闸管误触发，应使干扰信号不超过( B ) A. 安全区 B. 不触发区 C. 可靠触发区 D. 可触发区 4、造成在不加门极触发控制信号即使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非正常转折有二种因素，一是阳极的电压上升率du/dt太快，二是( C ) A.阳极电流上升太快 B.阳极电流过大 C.阳极电压过高 D.电阻过大 4、由门极控制导通的晶闸管导通后，门极信号( A )。 A.失去作用 B.需维持原值 C.需降低 D.需提高 5、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( B )电力电子技术汇总题库
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第 1 章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力 MOSFET）、绝缘 栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力 MOSFET 、 IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力 MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力 MOSFET，属于电压驱动的是电力 MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、
GTO 、GTR _。2、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是
绝缘栅双极晶体管的图形符号是
；电力晶体管的图形符号是
；
第 2 章 整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是__0-180O
_ ，其承受的最大正反向电压均为_ 2U2 __，续流二极管承受的最大反向电压为__ 2U2 _（设 U2 为相电压有效值）。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α 角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 2 和_ 2U2 ；
带阻感负载时，α 角移相范围为_0-90O _，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 2U2 _和__ 2U2 _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电
流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压 UFm 等于__ 2U2 _，晶闸管控制角 α 的最大移相范围是_0-150o_，使负载电流连
续的条件为__ 30o __(U2 为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时， 的移相范围为__0-90o _。 7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是_最高__的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_
的相电压；这种电路
角的移相范围是_0-120o _，ud 波形连续的条件是_ 60o _。
8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。
11.实际工作中，整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数，当
从 0°～90°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而 _增大_，
当
从 90°～180°变化时，整流输出的电压 ud 的谐波幅值随
的增大而_减小_。
12. 逆 变 电 路 中 ， 当 交 流 侧 和 电 网 连 结 时 ， 这 种 电 路 称 为 _ 有 源 逆 变 _ ， 欲 实 现 有 源 逆 变 ， 只 能 采 用 __ 全 控 _ 电 路 ； 对 于 单 相 全 波 电 路 ， 当 控制 角
0<
<
时，电路工作在__整流_状态；
时，电路工作在__逆变_状态。
13.在整流电路中，能够实现有源逆变的有_单相全波_、_三相桥式整流电路_等（可控整流电路均可），其工作在有源逆变状态的条件是_有直流电动势，
其极性和晶闸管导通方向一致，其值大于变流器直流侧平均电压_和__晶闸管的控制角 a > 90O，使输出平均电压 Ud 为负值_。 第 3 章 直流斩波电路
1.直流斩波电路完成得是直流到_直流_的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是_降压斩波电路 和_升压斩波电路_。
3.斩波电路有三种控制方式：_脉冲宽度调制（PWM）_、_频率调制_和_（ton 和 T 都可调，改变占空比）混合型。
6.CuK 斩波电路电压的输入输出关系相同的有__升压斩波电路___、__Sepic 斩波电路_和__Zeta 斩波电路__。
7.Sepic 斩波电路和 Zeta 斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic 斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta 斩波电路_的输入、输
出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的 。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能
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