极坐标二维位敏光电探测器的设计

《半导体光电》２００７年１０月第２８卷第５期张卓勋；极坐标二雏住敏光电探测器的设计

极坐标二维位敏光电探测器的设计

张卓勋，钟正兰，郭林红，刘小芹

（重庆光电技术研究所．重庆４０００６０）

摘要：设计了一种极坐标二维位敏光电探测器，它采用一雏住敏光电探测器测量原理测量光点的二维参数，经处理后得到先点的二维极坐标。该器件采用一种特殊的平面曲线形式的光敏面结构，可以广泛地应用于军事及民用领域中。?

关键词：位敏光电探测器；极坐标；二维

中图分类号：ＴＮ３６４．２文献标识码：Ａ文章编号：１００１—５８６８（２００７）０５一０６４５一０２

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１引言

二维位敏光电探测器是一种应用广泛的光敏器件。在国防和工业应用中，如在激光雷达、激光引信、主动引信制导、激光制导等中心跟踪系统中，偏移量测量系统和光学天线系统的焦平面器件、光斑成像器件，对极坐标二维位敏光电搽测器有着广泛的需求。本文设计了一种独特的极坐标二维位敏光电探测器，它采用一维位敏光电探测器测量原理测量光点的二维参数，经处理后得到光点的二维极坐标。

２器件的工作原理

该器件的工作原理与一维位敏光电探测器的原理类似，它利用了光生伏特效应和横向光电效应膝理，由器件输出的光电流可以方便地得到光斑的二维极坐标位置，随之得到跟踪光点目标的控制信号。收稿日期：２００７—０４—１３

硅位敏光电探测器的工作原理是：光电二极管工作在反向偏置电压下，入射光子在耗尽层及离耗尽层一个扩散长度的区域内被吸收后，产生电子一空穴对。产生的电子、空穴被电场分开，达到器件上层、下层后横向传输到两个电极，在外部形成电流。

３结构设计

３．１’纵向结构设计

器件纵向结构设计为普通的带有保护环的ｐＩｎ结构，如图１所示。

图ｌ极坐标二维位敏光电撵测器纵向结构示意图

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极坐标二维位敏光电探测器的设计

作者：张卓勋， 钟正兰， 郭林红， 刘小芹， ZHANG Zhuo-xun， ZHONG Zheng-lan， GUO Lin-hong， LIU Xiao-qin

作者单位：重庆光电技术研究所,重庆,400060

刊名：

半导体光电

英文刊名：SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS

年，卷(期)：2007,28(5)

本文链接：https://www.wendangku.net/doc/859992038.html,/Periodical_bdtgd200705011.aspx