半导体产业链的状况分析

半导体产业链的分析

集成电路（IC）是由电晶体、二极管、电阻器、电容器等电路元件聚集在硅晶片上，形成完整的逻辑电路，用来计算、控制、判断或记忆资料等，是当今信息时代的核心技术产品。集成电路产业包括四个环节：IC设计、芯片制造、芯片封装、测试。

国际大厂多以上下游垂直整合的方式经营，而我国和台湾都是将资源集中于单一专业经营，再整合成完整的产业结构。

下面将从芯片制造（晶圆加工）、芯片封装两方面介绍目前国内外的发展情况。

一、全球IC（集成电路）产业的情况分析

1、晶圆加工

晶圆的制造是整个电子信息产业中最上游的部份,其发展的优劣,直接影响半导体工业。主要是通过涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，在硅晶片上制作电路及电子元件，如晶体管、电容、逻辑开关等。

2006年底，全球代工厂共产出8英寸硅片2270万片，产能利用率为88.7％,个别领先厂商可能达到95%-98%。

据gartnar 的统计，全球前10大晶圆代工厂的市场占有率达91%，具体见下。而前4大晶圆代工厂的市场占有率就达80%，显示整体晶圆代工市场集中度仍高。其中，中国的中芯SMIC及华虹NEC分别列于第4位、第9位。

2006年全球前10大晶圆代工厂

晶圆代工厂可以划分为三个阵营：

（1）、第一阵营只有台积电（TSMC），台积电拥有全球第一的产能，也拥有全球公认的最佳品质，因此，IC设计大厂都以台积电为代工厂首选。

（2）、第二阵营是联电（UMC）、中芯国际（SMIC）、特许（CHARTERED）和IBM，这四家晶圆代工厂通常是IC 设计大厂的第二选择，中型设计公司的第一选择。这四家公司都有自己稳定的大客户，如下：

（3）、第三阵营的厂家都有自己特别专长的领域，同时依托该地区的产业链发挥地区优势。

2、IC封装业

(1) 封装厂的介绍

封装业分两种：一种是国际大厂集成部件制造商的封装测试厂；二是委托外厂封装测试。

目前，随着封装技术的发展越来越复杂，封装的类型越来越多，国际集成部件制造商IDM （integrated device manufacturing）对封装的掌控能力越来越无法满足市场的要求，委托外厂封装成为潮流。

根据ETP的数字，封装代工厂占的份额及封装总数如下：

2005年全球10大封装代公司公司排名

前10大封测厂家台湾占6席，不仅是收入，盈利表现也相当好。不过在IC载板领域，日本厂家的技术实力还是最优秀的。

（2）封装技术

芯片封装分为：

?IC封装基板

20世纪90年代中期一种以BGA、CSP为代表的新型封装形式问世，随之产生了一种半导体芯片封装的必要新载体，这就是IC封装基板，有三种形式： BGA、CSP、FC。

由于IC封装基板在应用领域得到迅速扩大，目前成为一个国家、一个地区在发展微电子行业的重要“武器”之一，是发展先进半导体封装的“必争之地”。2005年，世界排名前10位的PCB公司，就有6家生产封装基板，分别如下，封装基板2000年占PCB产业的8.6%，而2005年上升到12.2%；

IC载板的类型：

IC载板的发展情况：

2006年全球的IC载板的分布情况（来源：工研院IEK-IT IS计划）：

二、中国半导体的情况分析

截至2006年底，中国半导体行业的情况如下：

1、晶圆代加工

2006年，中国晶圆厂在全球的占有率为12.6%，而中芯、华虹NEC、和舰等合计市场占有率共达11%；预计2009年，大陆的晶圆厂份额可以占到20%。

中国的晶圆厂分为四大类：

主要的晶圆厂介绍：

备注：

1、** 2006年华润微电子与新加坡星科金朋有限公司（星科金朋为一家领先的半导体封装设计、组装、测试及分发解决方案供货商。其客户为美国、欧洲及亚洲的其中最大的晶圆代工厂、集成电路制造商及无生产线芯片设计公司）签署合作协议。

2、封装业

封装产量2004年为31.25亿元，约占全球总数的22.9%，其中，独资、合资封装产量已占全国总数的80%。

中国的封装厂同样分为四类：

备注：

（1）国内的封装、晶圆生产最主要的集中地在长三角，而珠三角、北京、天津也有部分。

（2）国内封装企业的封装能力来看，年封装能力过亿块的企业有8家，其中长电科技、深圳赛意法和南通富士通的年封装能力超过了10亿块。

（3）在技术水平上，国内封装企业仍以DIP、QFP、SOP等传统封装形式为主，代

表国际先进水平的BGA/PGA封装目前仍仅有飞思卡尔、深圳赛意法、南通富

士通、飞索半导体等少数几家企业掌握。

（4）*** 2006年威讯已被台湾日月光收购。

（5）江苏长电具备WLCSP封装技术，它是以BGA技术为基础经过改进和提高的CSP技术，并且是把封装和芯片制造融为一体的技术。WLCSP产品目前主要应

用于DRAM、SRAM、闪存和ASIC集成电路，广泛配套于数字化，便携化、

高频化及多功能化的产品中，如：笔记本电脑、手机、数码相机、摄录机、数

字视听设备等。

（6）2005年，南通富士通完成了信息产业部电子信息产业发展基金两个项目-“Flash Memory封装技术改造项目”和第二个国债专项基金技术改造项目，即“LSI新型封装测试技术改造项目”。

（7）纯外资企业，如下，均为国际IDM企业在华设立的制造厂，其产品全部返销母公司，因而与国内市场基本脱节。

INTEL(上海、成都)、SAMSUNG(苏州) 、Fairchild (仙童半导体公司，苏州) 、TOSHIBA(无锡)、AMD (超威半导体，苏州)、

RENESAS (由日本日立公司和三菱公司合资成立的半导体，北京、苏州)、SPANSION (由AMD和富士通公司的闪存部门合并而成，目前是全球最大的闪存公司，苏州)、

ST (意法半导体，是第一大手机相机模块供应商和第二大分立器件供应商，第三大NOR 闪存供应商，在汽车电子、工业用产品和无线应用领域，是全球第一大的机顶盒和电源管理芯片，深圳)、

Infineon (芯片卡应用开发中心、逻辑集成电路和存储晶片后端生产，上海、北京、无锡和苏州)等等，

（8）目前全球前20大半导体厂商中已经有14家在国内建立了封装测试企业。外资企业已经成为国内封测行业的主要组成部分。

3、国内IC载板的主要厂家

三、发展封装载板的重要性

从以上分析可以看出：

（1）已具备广阔的市场需求。目前，中国已具备了广大的消费市场，其中PC（含笔记

本电脑）、手机、数码相机、彩电、DVD等等，都已居全球50％－70％以上的生产量。据2006年统计，中国已跃居头号IC消费大国，消耗了大约所有制成芯片的25%，但中国制造的只有不到10%用于满足国内需求。

（2）在半导体产业链上，晶圆加工、高端的芯片封装已形成一定的规模，拥有一批本土企业。

（3）晶圆加工厂对BGA、CSP、FC高端封装和载板的需求与日俱增，但此两方面却严重不足，特别是IC载板方面。2006年来随着中芯国际、和舰科技、华虹NEC、宏力半导体等大幅扩产，大陆BGA、FLIP Chip、凸点技术、CSP等高端封测产能严重不足，而用于CSP、BGA、FC封装用的载板更是缺少。

（4）国家的发展需要载板等高端技术。2006年国家科技发展纲要与印制电路产业提出了：在一定时限内完成的重大战略产品、技术和工程,是科技发展的重中之重，确定了核心电子器件、高端通用芯片及基础软件,极大规模集成电路制造技术及成套工艺等16个重大专项。同时明确了：高端通用芯片、极大规模集成电路是科技发展的重中之重,而芯片的封装离不开载板(基板),尤其是新一代的BGA、CSP、FC、SiP 等芯片封装都要配备高密度的IC载板。IC载板是PCB产品的一个分支,必将成为重大专项得到发展。

（5）目前，BGA、CSP载板属于成熟型的产品，CSP还具有一定的成长空间；且台湾等IC载板还未正式在大陆建厂，IC载板市场还不存在激烈的市场竞争。可以利用此时机，结合本土封装厂大力发展BGA、CSP等载板，以加强我国在半导体产业链中最薄弱的一个环节。

综上所述，中国已具有广阔的市场需求，在晶圆加工、芯片封装已具备一定的规模，且上游晶圆加工对高端CSP、BGA、FC载板的需求与日俱增，同时，IC载板市场正起步发展，未存在激烈的市场竞争，CSP、BGA、FC高端载板的发展已具备成熟的发展机会，可以结合本土封装厂大力发展！

半导体制造行业产业链研究报告

半导体制造行业产业链研 究报告 The document was prepared on January 2, 2021

半导体制造行业研究报告2017 1 对半导体制造设备行业的整体研究 通过对参加这次展会厂商的总体范围的了解，对半导体制造产业链的总体情况有了基本的认识，半导体制造涉及以下几个相关的细分行业。 晶圆加工设备 在半导体制造中专为晶圆加工的工序提供设备及相关服务的供应商，包括光刻设备、测量与检测设备、沉积设备、刻蚀设备、化学机械抛光(CMP)、清洗设备、热处理设备、离子注入设备等。 厂房设备 包括工厂自动化、工厂设施、电子气体和化学品输送系统、大宗气体输送系统等。晶圆加工材料 在半导体制造中提供原材料和相关服务的供应商，包括多晶硅、硅晶片、光掩膜、电子气体及化学、光阻材料和附属材料、CMP 料浆、低 K 材料等。 测试封装设备 在半导体测试和封装过程中提供设备及其他相关服务的供应商。主要涉及晶圆制程的后道工序，就是将制成的薄片“成品”加工为独立完整的集成电路。包括切割工具及材料、自动测试设备、探针卡、封装材料、引线键合、倒装片封装、烧焊测试、晶圆封装材料等。 测试封装材料 在半导体测试和封装过程中提供材料和相关服务的供应商，包括悍线、层压基板、引线框架、塑封料、贴片胶、上料板等。 子系统、零部件和间接耗材 为设备和系统制造提供子系统、零部件、间接材料及相关服务的厂商，包括质量流量控制、分流系统、石英、石墨和炭化硅等。 2 对电子气体和化学品输送系统行业的详细研究

电子气体和化学品输送系统涉及上游的电子气体产品提供商，半导体行业用阀门管件提供商，常规阀门管件提供商，气体供应设备提供商，气体输送系统设计、施工单位以及下游的后处理设备厂商。 电子气体 电子气体在半导体器件的生产过程中起着非常重要的作用，几乎每一步、每一个生产环节都离不开电子气体，并且电子气体的质量在很大程度上决定了半导体器件性能的好坏。 电子气体的纯度是一个非常重要的指标，其纯度每提高一个数量级,都会极大地推动半导体器件质的飞跃。同时，电子气体纯度也是区分气体厂商技术水平和生产能力的一个重要考量指标。 目前主要的气体产品公司多为欧美公司在中国的分公司，主要有法国液化空气公司，美国普莱克斯，德国林德公司，美国空气产品公司等。国内的品牌有苏州金宏气体，广东华特气体等。 半导体阀门管件 半导体阀门管件是气体输送系统和设备中重要的原材料，阀门管件的性能和质量水平也直接影响着气体输送系统的送气能力和运行稳定性，也会影响半导体产品的质量和性能。严重的情况下，一个阀门出现质量问题可能造成严重的生产事故。 半导体阀门管件的重要性也体现在其成本上，目前阀门管件等原材料的成本占据了气体输送系统和设备的大部分成本，但是，目前绝大部分供应要依赖进口品牌，并且是供不应求（货期较长），这造成了目前系统和设备厂商的运营成本居高不下。 此领域知名的厂商有APTECH,TESCOM,PARKER,SWAGELOK,KITZ，Valex等，但都为进口品牌，价格贵，交货期长（目前一般要2个月以上）。国产品牌目前主要的问题是半导体阀门管件产品种类少，并且产品并不成熟。通过和杰瑞，赛洛克等厂商的交流，了解到目前这些国内厂家公司规模多在一百人左右，新产品的研发能力和研发投入都十分有限，很难在短期内保质保量的供应市场上需求的半导体阀门管件。这也预示着电子气体输送系统和设备厂商在很长一段时间内还是要依赖进口品牌提供相应的材料，这种现状就要求系统和设备厂商有更好的成本和交货周期的管控能力，甚至在承接项目时做好提高其成本预算和延长交货期的准备。

半导体材料硅的基本性质

半导体材料硅的基本性质 一．半导体材料 1.1 固体材料按其导电性能可分为三类：绝缘体、半导体及导体，它们典型的电阻率如下： 图1 典型绝缘体、半导体及导体的电导率范围 1.2 半导体又可以分为元素半导体和化合物半导体，它们的定义如下： 元素半导体：由一种材料形成的半导体物质，如硅和锗。 化合物半导体：由两种或两种以上元素形成的物质。 1)二元化合物 GaAs —砷化镓 SiC —碳化硅 2)三元化合物 As —砷化镓铝 AlGa 11 AlIn As —砷化铟铝 11 1.3 半导体根据其是否掺杂又可以分为本征半导体和非本征半导体，它们的定义分别为： 本征半导体：当半导体中无杂质掺入时，此种半导体称为本征半导体。 非本征半导体：当半导体被掺入杂质时，本征半导体就成为非本征半导体。 1.4 掺入本征半导体中的杂质，按释放载流子的类型分为施主与受主，它们的定义分别为： 施主：当杂质掺入半导体中时，若能释放一个电子，这种杂质被称为施主。如磷、砷就是硅的施主。 受主：当杂质掺入半导体中时，若能接受一个电子，就会相应地产生一个空穴，这种杂质称为受主。如硼、铝就是硅的受主。

图1.1 （a）带有施主（砷）的n型硅 (b)带有受主（硼）的型硅 1.5 掺入施主的半导体称为N型半导体，如掺磷的硅。 由于施主释放电子，因此在这样的半导体中电子为多数导电载流子（简称多子），而空穴为少数导电载流子（简称少子）。如图1.1所示。 掺入受主的半导体称为P型半导体，如掺硼的硅。 由于受主接受电子，因此在这样的半导体中空穴为多数导电载流子（简称多子），而电子为少数导电载流子（简称少子）。如图1.1所示。 二．硅的基本性质 1.1 硅的基本物理化学性质 硅是最重要的元素半导体，是电子工业的基础材料，其物理化学性质（300K）如表1所示。

半导体行业(细分领域芯片、设备材料)深度报告

半导体行业（细分领域芯片、设备材料）深度报告 一、半导体行业概况 国内半导体行业市场规模快速增长，但需求供给严重不平衡，高度依赖进口，国产核心芯片自给率不足10%。 2000年和2020年中国集成电路市场占全球份额 5G和AI技术

科创板提供了硬科技企业投资退出渠道，资本市场积极布局包括半导体在内的科创板热点赛道 科创板行业分布 二、半导体行业产业链结构 半导体行业产业链 三、AI芯片行业

AI芯片主要包括GPU、FPGA、ASIC三种技术路线，分为云端训练芯片、云端推理芯片和边缘推理芯片 AI芯片下游应用 AI芯片在边缘侧主要包括物联网、移动互联网、智能安防、自动驾驶四大应用场景

AI芯片下游应用 四、5G芯片 手机射频前端芯片市场规模受单机射频芯片价值增长的驱动 ? 在移动终端设备稳定出货的背景下，随着通信网络向5G升级，射频器件的数量和价值量都在增加，射频前端芯片行业的市场规模将持续快速增长，从2010年至2018年全球射频前端市场规模以每年约13.10%的速度增长，到2020年接近190亿美元 ? 射频前端各组件增速不同。滤波器作为射频前端最大的细分市场，市场空间将从2018年的80亿美元增长到2023年的225亿美元，年增长率19%，这一增长主要来自高质量BAW滤波器的渗透;PA的市场空间将会从50亿美金增长到70亿美金，年增长率7%，主要是高端和超高频段PA市场的增长，将弥补2G/3G市场的萎缩 全球射频前端芯片市场竞争格局

? 目前，射频前端市场集中度高，国外厂商占据了绝大部分的市场份额，贸易战带来的国产化需求是国内射频厂商最大的机会 ? 射频前端的集成化使得未来收购、并购成为资本重要的退出手段，收购、并购也是芯片企业做大做强的途径之一 五、物联网芯片 物联网高速发展，具有通用性以及与物联网连接相关的上游产业最先受益? 随着相关的通信标准的落地、通信和云计算技术的发展，物联网已从最初的导入期进入现在的成长期 ? 从产业链传导的角度看，物联网将从“快速联网”到“规模联网+应用服务”，具有通用性以及与物联网连接相关的上游产业链环节将最先受益，包括通信芯片、传感器、无线模组等

半导体产业链的状况分析

半导体产业链的分析 集成电路（IC）是由电晶体、二极管、电阻器、电容器等电路元件聚集在硅晶片上，形成完整的逻辑电路，用来计算、控制、判断或记忆资料等，是当今信息时代的核心技术产品。集成电路产业包括四个环节：IC设计、芯片制造、芯片封装、测试。 国际大厂多以上下游垂直整合的方式经营，而我国和台湾都是将资源集中于单一专业经营，再整合成完整的产业结构。 下面将从芯片制造（晶圆加工）、芯片封装两方面介绍目前国内外的发展情况。 一、全球IC（集成电路）产业的情况分析 1、晶圆加工 晶圆的制造是整个电子信息产业中最上游的部份,其发展的优劣,直接影响半导体工业。主要是通过涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，在硅晶片上制作电路及电子元件，如晶体管、电容、逻辑开关等。 2006年底，全球代工厂共产出8英寸硅片2270万片，产能利用率为88.7％, 个别领先厂商可能达到95%-98%。 据gartnar 的统计，全球前10大晶圆代工厂的市场占有率达91%，具体见下。而前4大晶圆代工厂的市场占有率就达80%，显示整体晶圆代工市场集中度仍高。其中，中国的中芯SMIC及华虹NEC分别列于第4位、第9位。 2006年全球前10大晶圆代工厂

晶圆代工厂可以划分为三个阵营： （1）、第一阵营只有台积电（TSMC），台积电拥有全球第一的产能，也拥有全球公认的最佳品质，因此，IC设计大厂都以台积电为代工厂首选。 （2）、第二阵营是联电（UMC）、中芯国际（SMIC）、特许（CHARTERED）

和IBM，这四家晶圆代工厂通常是IC 设计大厂的第二选择，中型设计公司的第一选择。这四家公司都有自己稳定的大客户，如下： （3）、第三阵营的厂家都有自己特别专长的领域，同时依托该地区的产业链发挥地区优势。 2、IC封装业

半导体材料的特性参数和要求

半导体材料的特性参数和要求有哪些? 半导体材料-特性参数 LED灯泡半导体材料虽然种类繁多但有一些固有的特性，称为半导体材料的特性参数。这些特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别，而且更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下特性上的量的差别。 常用的半导体材料的特性参数有：禁带宽度、电阻率、载流子迁移率(载流子即半导体中参加导电的电子和空穴)、非平衡载流子寿命、位错密度。 禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定，反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。 电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力。 非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部的载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。 位错是晶体中最常见的一类晶体缺陷。 位错密度可以用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度。当然，对于非晶态半导体是没有这一反映晶格完整性的特性参数的。 半导体材料-特性要求 LED灯泡半导体材料的特性参数对于材料应用甚为重要。因为不同的特性决定不同的用途。 晶体管对材料特性的要求：根据晶体管的工作原理，要求材料有较大的非平衡载流子寿命和载流子迁移率。用载流子迁移率大的材料制成的晶体管可以工作于更高的频率（有较好的频率响应）。晶体缺陷会影响晶体管的特性甚至使其失效。晶体管的工作温度高温限决定于禁带宽度的大小。禁带宽度越大，晶体管正常工作的高温限也越高。 光电器件对材料特性的要求：利用半导体的光电导（光照后增加的电导）性能的辐射探测器所适用的辐射频率范围与材料的禁带宽度有关。材料的非平衡载流子寿命越大，则探测器的灵敏度越高，而从光作用于探测器到产生响应所需的时间(即探测器的弛豫时间)也越长。因此，高的灵敏度和短的弛豫时间二者难于兼顾。对于太阳电池来说，为了得到高的转

半导体纳米材料的光学性能及研究进展

?综合评述? 半导体纳米材料的光学性能及研究进展Ξ 关柏鸥　张桂兰　汤国庆 (南开大学现代光学研究所,天津300071) 韩关云 (天津大学电子工程系,300072) 摘要　本文综述了近年来半导体纳米材料光学性能方面的研究进展情况,着重介绍了半导体纳米材料的光吸收、光致发光和三阶非线性光学特性。 关键词　半导体纳米材料;光学性能 The Optica l Properties and Progress of Nanosize Sem iconductor M a ter i a ls Guan B ai ou　Zhang Gu ilan　T ang Guoqing　H an Guanyun (Institute of M odern Op tics,N ankaiU niversity,T ianjin300071) Abstract　T he study of nano size sem iconducto r particles has advanced a new step in the understanding of m atter.T h is paper summ arizes the p rogress of recent study on op tical p roperties of nano size sem icon2 ducto r m aterials,especially emphasizes on the op tical2abso rp ti on,pho to lum inescence,nonlinear op tical p roperties of nano size sem iconducto r m aterials. Key words　nano size sem iconducto r m aterials;op tical p roperties 1　引言 随着大规模集成的微电子和光电子技术的发展,功能元器件越来越微细,人们有必要考察物质的维度下降会带来什么新的现象,这些新的现象能提供哪些新的应用。八十年代起,低维材料已成为倍受人们重视的研究领域。 低维材料一般分为以下三种:(1)二维材料,包括薄膜、量子阱和超晶格等,在某一维度上的尺寸为纳米量级;(2)一维材料,或称量子线,线的粗细为纳米量级;(3)零维材料,或称量子点,是尺寸为纳米量级的超细微粒,又称纳米微粒。随着维数的减小,半导体材料的电子能态发生变化,其光、电、声、磁等方面性能与常规体材料相比有着显著不同。低维材料开辟了材料科学研究的新领域。本文仅就半导体纳米微粒和由纳米微粒构成的纳米固体的光学性能及其研究进展情况做概括介绍。2　半导体纳米微粒中电子的能量状态 当半导体材料从体块减小到一定临界尺寸以后,其载流子(电子、空穴)的运动将受限,导致动能的增加,原来连续的能带结构变成准分立的类分子能级,并且由于动能的增加使得能隙增大,光吸收带边向短波方向移动(即吸收蓝移),尺寸越小,移动越大。 关于半导体纳米微粒中电子能态的理论工作最早是由AL.L.Efro s和A.L.Efro s开展的[1]。他们采用有效质量近似方法(E M A),根据微粒尺寸R与体材料激子玻尔半径a B之比分为弱受限(Rμa B,a B=a e+ a h,a e,a h分别为电子和空穴的玻尔半径)、中等受限(a h

半导体材料行业全景分析(1)--市场空间

半导体材料投资地图 光刻胶湿制程化学品 硅片靶材CMP抛光材料电子特气光掩膜113.8亿美元13.7亿美元20.1亿美元17.3亿美元16.1亿美元42.7亿美元40.4亿美元

沪硅产业硅片沪硅产业是中国大陆规模最大的半导体硅片企业之一，在中国大陆率先实现300mm半导体硅片规模化销售。主要产品为提供的产品类型涵盖300mm抛光片及外延片、200mm及以下抛光片、外延片及SOI硅片，在特殊硅基材料SOI硅片领域具有较强的竞争力。客户包括台积电、中芯国际、华虹宏力、华力微电子、长江存储、武汉新芯、华润微等。 半导体材料投资地图 CMP抛光材料鼎龙股份是国产CMP抛光垫领域的龙头企业，主要产品包括用于半导体晶圆的打磨和抛光过程的化学机械CMP抛光垫、清洗液和用于柔性面板显示产业的基材PI浆料，以及打印复印通用耗材，产品销往欧美、日韩、东南亚市场，拥有包括众多世界五百强在内的国内外知名大企业。公司2019年CMP材料客户拓展顺利，未来有望带来业绩增量。 鼎龙股份 安集科技CMP抛光材料安集科技主营产品为抛光液和光刻胶去除剂，客户包括中国大陆的中芯国际、长江存储、华虹宏力、华润微电子和中国台湾的台积电等。公司光刻胶去除剂具有国内领先技术水平；机械抛光液已在130-28nm技术节点实现规模化销售，14nm技术节点产品已进入客户认证阶段，10-7nm技术节点产品正在研发中。 靶材有研新材是国内规模最大、材料种类最齐全的高端电子信息用材料研发制造商，其核心业务为高纯金属材料/靶材业务和稀土业务，产品广泛应用于半导体、平板显示、太阳能等领域。公司技术实力雄厚，在高纯金属材料领域，已实现从高纯金属材料到靶材生产的一体化模式，靶材客户覆盖中芯国际、大连Intel、TSMC、UMC、北方华创等多家高端客户。 有研新材 江丰电子靶材主要产品为各种高纯溅射靶材，包括铝靶、钛靶、钽靶、钨钛靶等，产品广泛应用于半导体、平板显示、太阳能等领域。目前，公司的超高纯金属溅射靶材产品在全球先端7nm FinFET(FF+)技术超大规模集成电路制造领域批量应用，成功参与电子材料领域的国际市场竞争。 公司主要从事掩膜版的研发、设计、生产和销售业务，产品根据基板材质的不同主要可分为石英掩膜版、

半导体制造行业产业链研究报告

半导体制造行业产业链 研究报告 Standardization of sany group #QS8QHH-HHGX8Q8-GNHHJ8-HHMHGN#

半导体制造行业研究报告2017 1 对半导体制造设备行业的整体研究 通过对参加这次展会厂商的总体范围的了解，对半导体制造产业链的总体情况有了基本的认识，半导体制造涉及以下几个相关的细分行业。 晶圆加工设备 在半导体制造中专为晶圆加工的工序提供设备及相关服务的供应商，包括光刻设备、测量与检测设备、沉积设备、刻蚀设备、化学机械抛光(CMP)、清洗设备、热处理设备、离子注入设备等。 厂房设备 包括工厂自动化、工厂设施、电子气体和化学品输送系统、大宗气体输送系统等。晶圆加工材料 在半导体制造中提供原材料和相关服务的供应商，包括多晶硅、硅晶片、光掩膜、电子气体及化学、光阻材料和附属材料、CMP 料浆、低 K 材料等。 测试封装设备 在半导体测试和封装过程中提供设备及其他相关服务的供应商。主要涉及晶圆制程的后道工序，就是将制成的薄片“成品”加工为独立完整的集成电路。包括切割工具及材料、自动测试设备、探针卡、封装材料、引线键合、倒装片封装、烧焊测试、晶圆封装材料等。 测试封装材料 在半导体测试和封装过程中提供材料和相关服务的供应商，包括悍线、层压基板、引线框架、塑封料、贴片胶、上料板等。 子系统、零部件和间接耗材 为设备和系统制造提供子系统、零部件、间接材料及相关服务的厂商，包括质量流量控制、分流系统、石英、石墨和炭化硅等。 2 对电子气体和化学品输送系统行业的详细研究

电子气体和化学品输送系统涉及上游的电子气体产品提供商，半导体行业用阀门管件提供商，常规阀门管件提供商，气体供应设备提供商，气体输送系统设计、施工单位以及下游的后处理设备厂商。 电子气体 电子气体在半导体器件的生产过程中起着非常重要的作用，几乎每一步、每一个生产环节都离不开电子气体，并且电子气体的质量在很大程度上决定了半导体器件性能的好坏。 电子气体的纯度是一个非常重要的指标，其纯度每提高一个数量级,都会极大地推动半导体器件质的飞跃。同时，电子气体纯度也是区分气体厂商技术水平和生产能力的一个重要考量指标。 目前主要的气体产品公司多为欧美公司在中国的分公司，主要有法国液化空气公司，美国普莱克斯，德国林德公司，美国空气产品公司等。国内的品牌有苏州金宏气体，广东华特气体等。 半导体阀门管件 半导体阀门管件是气体输送系统和设备中重要的原材料，阀门管件的性能和质量水平也直接影响着气体输送系统的送气能力和运行稳定性，也会影响半导体产品的质量和性能。严重的情况下，一个阀门出现质量问题可能造成严重的生产事故。 半导体阀门管件的重要性也体现在其成本上，目前阀门管件等原材料的成本占据了气体输送系统和设备的大部分成本，但是，目前绝大部分供应要依赖进口品牌，并且是供不应求（货期较长），这造成了目前系统和设备厂商的运营成本居高不下。 此领域知名的厂商有APTECH,TESCOM,PARKER,SWAGELOK,KITZ，Valex等，但都为进口品牌，价格贵，交货期长（目前一般要2个月以上）。国产品牌目前主要的问题是半导体阀门管件产品种类少，并且产品并不成熟。通过和杰瑞，赛洛克等厂商的交流，了解到目前这些国内厂家公司规模多在一百人左右，新产品的研发能力和研发投入都十分有限，很难在短期内保质保量的供应市场上需求的半导体阀门管件。这也预示着电子气体输送系统和设备厂商在很长一段时间内还是要依赖进口品牌提供相应的材料，这种现状就要求系统和设备厂商有更好的成本和交货周期的管控能力，甚至在承接项目时做好提高其成本预算和延长交货期的准备。

半导体材料能带测试及计算

半导体材料能带测试及计算 对于半导体，是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，其具有一定的带隙(E g)。通常对半导体材料而言，采用合适的光激发能够激发价带(VB)的电子激发到导带(CB)，产生电子与空穴对。 图1. 半导体的带隙结构示意图。 在研究中，结构决定性能，对半导体的能带结构测试十分关键。通过对半导体的结构进行表征，可以通过其电子能带结构对其光电性能进行解析。对于半导体的能带结构进行测试及分析，通常应用的方法有以下几种(如图2)： 1.紫外可见漫反射测试及计算带隙E g； 2.VB XPS测得价带位置(E v)； 3.SRPES测得E f、E v以及缺陷态位置； 4.通过测试Mott-Schottky曲线得到平带电势； 5.通过电负性计算得到能带位置. 图2. 半导体的带隙结构常见测试方式。 1.紫外可见漫反射测试及计算带隙 紫外可见漫反射测试 2.制样：

背景测试制样：往图3左图所示的样品槽中加入适量的BaSO4粉末（由于BaSO4粉末几乎对光没有吸收，可做背景测试），然后用盖玻片将BaSO4粉末压实，使得BaSO4粉末填充整个样品槽，并压成一个平面，不能有凸出和凹陷，否者会影响测试结果。 样品测试制样：若样品较多足以填充样品槽，可以直接将样品填充样品槽并用盖玻片压平；若样品测试不够填充样品槽，可与BaSO4粉末混合，制成一系列等质量分数的样品，填充样品槽并用盖玻片压平。 图3. 紫外可见漫反射测试中的制样过程图。 1.测试： 用积分球进行测试紫外可见漫反射（UV-Vis DRS），采用背景测试样（BaSO4粉末）测试背景基线（选择R%模式），以其为background测试基线，然后将样品放入到样品卡槽中进行测试，得到紫外可见漫反射光谱。测试完一个样品后，重新制样，继续进行测试。 ?测试数据处理 数据的处理主要有两种方法：截线法和Tauc plot法。截线法的基本原理是认为半导体的带边波长（λg）决定于禁带宽度E g。两者之间存在E g(eV)=hc/λg=1240/λg(nm)的数量关系，可以通过求取λg来得到E g。由于目前很少用到这种方法，故不做详细介绍，以下主要来介绍Tauc plot法。 具体操作： 1、一般通过UV-Vis DRS测试可以得到样品在不同波长下的吸收，如图4所示; 图4. 紫外可见漫反射图。

2020年半导体材料深度报告

2020年半导体材料行业深度报告 一、为什么看好半导体材料投资机会 目前，新冠肺炎疫情正在全球蔓延。欧美、日本以及韩国等国家正经受疫情爆发的考验，而我们国内由于得到国家的强力控制，目前疫情已初步得到控制。国外疫情的爆发，将对半导体行业的格局造成一定影响，特别是日本及欧美疫情的加剧，将影响半导体材料供给。而国内疫情由于得到良好的控制，并且在一些半导体材料的细分领域，国内的公司已实现部分国产替代，在供给方面我们先发优势，解晶圆代工厂燃眉之急。 据中证报消息，国家大基金二期三月底可以开始实质投资。国家大基金是半导体行业风向标，国家大基金二期将更加注重对半导体材料及设备的投资。大基金二期以半导体产业链最上游的材料及设备为着力点，推动整个半导体行业的发展，加速国产替代的进程，国内半导体材料公司将迎来黄金发展期。 （一）欧美及日本疫情加剧半导体材料供给或将受限 截至 3 月 14 日 14：30 分，海外新冠肺炎确诊病例累计确诊 64617 例，较上日增加 10393 例，累计死亡2236 例。海外疫情正处于爆发期，特别

是意大利、日本、美国、德国、法国及韩国等国家，新冠疫情正愈演愈烈。 1、在全球半导体材料领域，日本占据绝对主导地位。去年日韩贸易战中，日本限制含氟聚酰亚胺、光刻胶，以及高纯度氟化氢这三种材料的对韩出口，引起了整个半导体领域的震动。在2019 年前 5 个月，日本生产的半导体材料占全球产量的52%。同期，韩国从日本进口的光刻胶价值就达到 1.1 亿美元。据韩国贸易协会报告显示，韩国半导体和显示器行业在氟聚酰亚胺、光刻胶及高纯度氟化氢对日本依赖度分别为 91.9%、43.9%及 93.7%。 在半导体制造过程包含的19 种核心材料中，日本市占率超过 50%份额的材料就占到了 14 种，在全球半导体材料领域处于绝对领先地位。 2、欧美及日本疫情的加剧，将影响全球半导体材料的供给。目前虽然没有欧美及日本半导体公司受疫情影响的官方报道，但我们认为疫情必将影响这些地区半导体公司的经营情况。在疫情影响下，韩国的三星、SK 海力士等半导体公司多次停产隔离，国内的众多公司也延迟复工。因此，这些处于疫情爆发期国家的公司也必将受疫情影响。当地时间13 日下午 3 点30 分，美国总统特朗普已宣布进入“国家紧急状态”以应对新冠肺炎疫情。

(完整版)半导体材料及特性

地球的矿藏多半是化合物，所以最早得到利用的半导体材料都是化合物,例如方铅矿(PbS)很早就用于无线电检波，氧化亚铜(Cu2O)用作固体整流器，闪锌矿(ZnS)是熟知的固体发光材料，碳化硅(SiC)的整流检波作用也较早被利用。硒(Se)是最早发现并被利用的元素半导体，曾是固体整流器和光电池的重要材料。元素半导体锗（Ge）放大作用的发现开辟了半导体历史新的一页，从此电子设备开始实现晶体管化。中国的半导体研究和生产是从1957年首次制备出高纯度(99.999999％～99.9999999％) 的锗开始的。采用元素半导体硅（Si）以后，不仅使晶体管的类型和品种增加、性能提高，而且迎来了大规模和超大规模集成电路的时代。以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ－Ⅴ族化合物的发现促进了微波器件和光电器件的迅速发展。 半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。 元素半导体：在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布着11种具有半导性的元素，下表的黑框中即这11种元素半导体,其中C表示金刚石。C、P、Se具有绝缘体与半导体两种形态;B、Si、Ge、Te具有半导性；Sn、As、Sb具有半导体与金属两种形态。P的熔点与沸点太低,Ⅰ的蒸汽压太高、容易分解，所以它们的实用价值不大。As、Sb、Sn的稳定态是金属，半导体是不稳定的形态。B、C、Te也因制备工艺上的困难和性能方面的局限性而尚未被利用。因此这11种元素半导体中只有Ge、Si、Se 3种元素已得到利用。Ge、Si仍是所有半导体材料中应用最广的两种材料。 无机化合物半导体： 四元系等。二元系包括：①Ⅳ-Ⅳ族:SiC 和Ge-Si合金都具有闪锌矿的结构。②Ⅲ -Ⅴ族:由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In 和V族元素P、As、Sb组成，典型的代表 为GaAs。它们都具有闪锌矿结构,它们在 应用方面仅次于Ge、Si,有很大的发展前 途。③Ⅱ-Ⅵ族:Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和 Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物，是一 些重要的光电材料。ZnS、CdTe、HgTe具 有闪锌矿结构。④Ⅰ－Ⅶ族：Ⅰ族元素C u、Ag、Au和Ⅶ族元素Cl、Br、I形成的 化合物，其中CuBr、CuI具有闪锌矿结构。 半导体材料 ⑤Ⅴ-Ⅵ族：Ⅴ族元素As、Sb、Bi和Ⅵ族

中国半导体材料行业市场调研报告

2011-2015年中国半导体材料行业市场调 研及投资前景预测报告 半导体材料是指电阻率在10-3~108Ωcm，介于金属和绝缘体之间的材料。半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要基础材料，支撑着通信、计算机、信息家电与网络技术等电子信息产业的发展。电子信息产业规模最大的是美国。近几年来，中国电子信息产品以举世瞩目的速度发展，半导体材料及应用已成为衡量一个国家经济发展、科技进步和国防实力的重要标志。 中国报告网发布的《2011-2015年中国半导体材料行业市场调研及投资前景预测报告》共十六章。首先介绍了半导体材料相关概述、中国半导体材料市场运行环境等，接着分析了中国半导体材料市场发展的现状，然后介绍了中国半导体材料重点区域市场运行形势。随后，报告对中国半导体材料重点企业经营状况分析，最后分析了中国半导体材料行业发展趋势与投资预测。您若想对半导体材料产业有个系统的了解或者想投资半导体材料行业，本报告是您不可或缺的重要工具。 本研究报告数据主要采用国家统计数据，海关总署，问卷调查数据，商务部采集数据等数据库。其中宏观经济数据主要来自国家统计局，部分行业统计数据主要来自国家统计局及市场调研数据，企业数据主要来自于国统计局规模企业统计数据库及证券交易所等，价格数据主要来自于各类市场监测数据库。 第一章半导体材料行业发展概述 第一节半导体材料的概述 一、半导体材料的定义 二、半导体材料的分类 三、半导体材料的特点 四、化合物半导体材料介绍 第二节半导体材料特性和制备 一、半导体材料特性和参数 二、半导体材料制备

第三节产业链结构及发展阶段分析 一、半导体材料行业的产业链结构 二、半导体材料行业发展阶段分析 三、行业所处周期分析 第二章全球半导体材料行业发展分析 第一节世界总体市场概况 一、全球半导体材料的进展分析 二、全球半导体材料市场发展现状 三、第二代半导体材料砷化镓发展概况 四、第三代半导体材料GaN发展概况 第二节世界半导体材料行业发展分析 一、2010年世界半导体材料行业发展分析 二、2011年世界半导体材料行业发展分析 三、2011年半导体材料行业国外市场竞争分析 第三节主要国家或地区半导体材料行业发展分析 一、美国半导体材料行业分析 二、日本半导体材料行业分析 三、德国半导体材料行业分析 四、法国半导体材料行业分析 五、韩国半导体材料行业分析 六、台湾半导体材料行业分析 第三章我国半导体材料行业发展分析 第一节2010年中国半导体材料行业发展状况 一、2010年半导体材料行业发展状况分析 二、2010年中国半导体材料行业发展动态 三、2010年半导体材料行业经营业绩分析 四、2010年我国半导体材料行业发展热点 第二节2011年半导体材料行业发展机遇和挑战分析一、2011年半导体材料行业发展机遇分析

2017年半导体芯片产业链深度研究报告

２０１７年半导体芯片产业链深度研究报告

报告摘要： ●电子行业二季度营收和净利润表现优异，盈利能力持续提升 截至9月4日，根据申万一级行业分类和wind数据，电子行业2017Q2实现总营收2253.35亿元，同比增长45.76%，环比增长22.95%；毛利率为23.00%，净利率为8.33%，均处于近六个季度以来的高位；归属于母公司股东的净利润合计达到186.53亿元，同比增长67.22%，连续4季度保持同比增速超过50%，环比增长43.94%。 ●个股17Q2业绩高增长占比大，三季度业绩指引表明电子行业景气度高 1、2017Q2业绩高速增长企业比例高。截至9月4日，在已披露中报的电子行业 197家上市公司中，2017年二季度归属于母公司股东净利润实现同比增长的公司占比高达69.04%，其中，归母净利润增速超过50%的公司占比35.53%，增速超过100%的公司占比为21.32%。 2、前三季度业绩预增企业数量占比接近半数。截至9月19日，电子行业共有91 家上市公司披露2017年前三季度业绩预告。其中，业绩预增的公司有44家，业绩略增的公司有23家，扭亏公司2家，业绩续盈9家，只有6家业绩亏损。前三季度预告归母净利润同比增长上限达到50%及以上的公司共有49家。 ●行业先行指标向好，半导体产业链迎来新一轮向上周期 1、根据中国半导体行业协会统计，2017年1~6月中国集成电路产业销售额为 2201.3亿元，同比增长19.1%。其中，设计业同比增长21.1%，销售额为830.1亿元；制造业同比增速达到25.6%，销售额为571.2亿元；封装测试业销售额800.1亿元，同比增长13.2%。 2、设备、硅片、行业指数等领先指标均显示全球半导体行业景气度在持续提升， 英特尔、三星、台积电、中芯国际等企业二季度财报表现靓丽。从资本开支看，Gartner预计今年全球半导体资本支出将达到777.9亿美元，同比增长10.2%；从硅片出货看，据SEMI的数据，2017年二季度全球硅片出货总面积达到2978百万平方英寸，环比增长4.2%，同比增长10.1%，创下历史单季最高出货记录；从制造设备出货看，据SEMI的数据，2017年1~6月北美半导体设备制造商出货金额同比增长50%；近期，华为发布全球首款移动端AI芯片，苹果在最新发布的iPhone 8/8plus、iPhone X中采用A11处理器，将引领AI芯片加速进入智能手机领域。 3、我们认为，智能手机仍是当前半导体产业的重要驱动力之一，智能手机均价提 升及苹果新一代iPhone将提升智能手机的芯片价值量。汽车、工业、物联网、AI 等新兴领域的快速发展将引领半导体行业进入新一轮景气周期。 ●投资建议 重点推荐：半导体领域，兆易创新、上海新阳、晶方科技、耐威科技、太极实业、中颖电子、扬杰科技、上海贝岭、江丰电子；PCB产业链，景旺电子、华正新材、胜宏科技。 ●风险提示 1、行业景气下滑； 2、技术创新不及预期； 3、行业竞争加剧。

半导体材料有哪些

半导体材料有哪些 半导体材料（semiconductor material）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。 自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。半导体的电阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围（上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的；因角标不可用，暂用当前描述）。在一般情况下，半导体电导率随温度的升高而升高，这与金属导体恰好相反。 凡具有上述两种特征的材料都可归入半导体材料的范围。反映半导体半导体材料内在基本性质的却是各种外界因素如光、热、磁、电等作用于半导体而引起的物理效应和现象，这些可统称为半导体材料的半导体性质。构成固态电子器件的基体材料绝大多数是半导体，正是这些半导体材料的各种半导体性质赋予各种不同类型半导体器件以不同的功能和特性。 什么是半导体材料_常见半导体材料有哪些 半导体的基本化学特征在于原子间存在饱和的共价键。作为共价键特征的典型是在晶格结构上表现为四面体结构，所以典型的半导体材料具有金刚石或闪锌矿（ZnS）的结构。由于地球的矿藏多半是化合物，所以最早得到利用的半导体材料都是化合物，例如方铅矿（PbS）很早就用于无线电检波，氧化亚铜（Cu2O）用作固体整流器，闪锌矿（ZnS）是熟知的固体发光材料，碳化硅（SiC）的整流检波作用也较早被利用。 硒（Se）是最早发现并被利用的元素半导体，曾是固体整流器和光电池的重要材料。元素半导体锗（Ge）放大作用的发现开辟了半导体历史新的一页，从此电子设备开始实现晶体管化。中国的半导体研究和生产是从1957年首次制备出高纯度（99.999999%～ 99.9999999%）的锗开始的。采用元素半导体硅（Si）以后，不仅使晶体管的类型和品种

型半导体材料的设计与性能分析

景德镇陶瓷学院 半导体课程设计报告 设计题目 n型半导体材料的设计与性能分析专业班级 姓名 学号 指导教师 完成时间

一﹑杂质半导体的应用背景 半导体中的杂质对电离率的影响非常大，本征半导体经过掺杂就形成杂质半导体，半导体中掺杂微量杂质时，杂质原子的附近的周期势场的干扰并形成附加的束缚状态，在禁带只能够产生的杂质能级。能提供电子载流子的杂质称为施主杂质，相应能级称为施主能级，位于禁带上方靠近导带底附近。 一、N型半导体在本征半导提硅（或锗）中掺入微量的5价元素，例如磷，则磷原子就取代了硅晶体中少量的硅原子，占据晶格上的某些位置。 磷原子最外层有5个价电子，其中4个价电子分别与邻近4个硅原子形成共价键结构，多余的1个价电子在共价键之外，只受到磷原子对它微弱的束缚，因此在室温下，即可获得挣脱束缚所需要的能量而成为自由电子，游离于晶格之间。失去电子的磷原子则成为不能移动的正离子。磷原子由于可以释放1个电子而被称为施主原子，又称施主杂质。 在本征半导体中每掺入1个磷原子就可产生1个自由电子，而本征激发产生的空穴的数目不变。这样，在掺入磷的半导体中，自由电子的数目就远远超过了空穴数目，成为多数载流子（简称多子），空穴则为少数载流子（简称少子）。显然，参与导电的主要是电子，故这种半导体称为电子型半导体，简称N型半导体。二、P型半导体在本征半导体硅（或锗）中，若掺入微量的3价元素，如硼，这时硼原子就取代了晶体中的少量硅原子，占 据晶格上的某些位置。硼原子的3个价电子分别与其邻近的3个硅原子中的3 个价电子组成完整的共价键，而与其相邻的另1个硅原子的共价键中则缺少1 个电子，出现了1个空穴。这个空穴被附近硅原子中的价电子来填充后，使3 价的硼原子获得了1个电子而变成负离子。同时，邻近共价键上出现1个空穴。由于硼原子起着接受电子的作用，故称为受主原子，又称受主杂质。 在本征半导体中每掺入1个硼原子就可以提供1个空穴，当掺入一定数量的硼原子时，就可以使半导体中空穴的数目远大于本征激发电子的数目，成为多数载流子，而电子则成为少数载流子。显然，参与导电的主要是空穴，故这种半导体称为空穴型半导体，简称P型半导体。

半导体材料行业国产化发展分析

半导体材料行业国产化发展分析半导体材料迎进口替代良机

核心观点： ●半导体材料是半导体行业的发展基石。半导体材料按应用环节划分为前道 晶圆制造材料和后道封装材料，晶圆制造材料包括硅晶圆、光刻胶、掩膜版、电子特气、靶材、高纯湿电子化学品、CMP 抛光材料等。根 据SEMI 数据显示，2019 年全球半导体材料销售额约为521.1 亿美元，其中晶圆制造材料约为328 亿美元，封装材料约为192 亿美元。 ●乘半导体产业转移之东风，把握材料国产替代良机。通过对全球前两次 半导体产业转移历程的分析，我们认为“政策引导+资金到位”是产业 转移关键因素，并进一步总结了中国具备承接第三次半导体产业转移的三 大条件。此外，叠加下游晶圆厂大规模资本开支带来的旺盛需求以及政府 产业政策和产业基金支持，半导体材料迎来国产替代良机。 ●硅晶圆：12 英寸晶圆国产供货实现突破。根据SEMI 数据显示，硅晶 圆占半导体材料市场比重约为38%，2019 年全球市场规模123.7 亿美 元。晶圆市场被境外巨头占据，根据沪硅产业招股说明书数据，CR4 合计占比80%以上，目前国内包括沪硅产业、中环股份等少数几家企业具 备12 英寸晶圆供货能力。 ●光刻胶：技术壁垒高，进口替代空间最大材料之一。光刻胶的发展是摩 尔定律运行的核心动力，由于光刻胶技术壁垒极高，国内企业主要在面 板光刻胶、PCB 光刻胶等低端领域实现进口替代，高端半导体光刻胶 供货的企业屈指可数，建议关注企业研发进展及客户认证情况。 ●电子特气：提升纯度为关键。电子特气高技术壁垒导致市场准入条件较 高，根据华特气体招股说明书数据，美日法等境外巨头公司占据全球 90%的市场份额，国内80%以上电子特气也被境外企业垄断。国内电子 特气纯度仍有待提升，建议关注企业研发进展。 ●CMP 抛光材料：高技术壁垒，高毛利，长认证时间。根据卡博特统计， 2018 年全球抛光材料市场20.1 亿美元，其中抛光垫12.7 亿美元，抛 光液7.4 亿美元，国内龙头公司为安集科技和鼎龙股份。 ●高纯试剂：电子器件加工过程中的重要工艺化学品。国内主要企业包括晶 瑞股份、江化微、上海新阳、浙江凯圣和江阴润玛。其中，晶瑞股份、江化 微等少数企业产品技术等级可达到SEMI 标准G4、G5 级。 ●靶材：部分企业已进入国内主流晶圆厂供应链。溅射靶材朝大尺寸，高 纯度化方向发展，认证时间长达2-3 年，根据SEMI 数据，2018 年国 内半导体靶材市场达19.48 亿元。跨国公司竞争优势明显，国内企业规 模相对较小，部分企业已进入国内主流半导体晶圆制造商供应链。 ●风险提示。电子化学品需求下滑；市场竞争恶化；国产化替代不及预期。

中国半导体材料业的状况分析

中国半导体材料业的状况分析 发表时间：2018-11-13T16:16:12.383Z 来源：《电力设备》2018年第18期作者：陈海洋[导读] 摘要：近年来，在国内集成电路产业持续快速发展的带动下，国内半导体材料业呈现出高增长的势头，并在航空航天、国防安全、新能源开发利用等高精尖领域有了良好的发展空间。 (天津环鑫科技发展有限公司 300384) 摘要：近年来，在国内集成电路产业持续快速发展的带动下，国内半导体材料业呈现出高增长的势头，并在航空航天、国防安全、新能源开发利用等高精尖领域有了良好的发展空间。作为我国相对完整、综合技术相对较高的重要材料产业，半导体材料业理应实现更大规模、更具创新性和更具引领作用的突破性发展。 关键词：半导体材料业；现状；发展前言 随着信息产业的快速发展，针对硬件基础提出了较高的要求，尤其以半导体材料为突出。纵观当前的半导体材料业发展，相关技术仍不够成熟。要想抢占半导体材料业的发展战略制高点，需要以国家牵头，集合优势资源，举全国之力发挥各方优势，在基础材料层面实现革命性突破，促进产业发展，并形成合力，从根源解决信息化社会对半导体材料的巨大需求，进而推进我国半导体事业的长足发展。 1我国半导体材料业的状况分析 2017年全球半导体设备总市场规模约为559亿美元，同比增长37.5%，总体保持稳定增长。2017年中国半导体设备总规模为75.9亿美元，同比增长17%，中国大陆将是全球增速最快的市场。中国设备投资额高速增长主要由于以下原因：1）行业产能逐步向中国转移，外资在中国兴建晶圆厂；2）2014年《国家集成电路产业发展推进纲要》正式发布实施，其中的亮点之一就是“国家集成电路产业投资基金”的设立。 可以看出，我国的集成电路晶圆制造材料市场不断扩大。尤其是以硅片和硅基材料所占市场比重最大，在2016年以前，大部分的8英寸硅单晶抛光片和全部的12英寸的硅单晶抛光片全部依赖进口。随着上海和北京相关公司研发出12英寸国产单晶抛光片，逐步打破半导体强国对中国的封锁和垄断。随着国家对相关半导体科技产业的扶持鼓励，各大公司纷纷升级、扩线，环节了供应紧张的局面，让国内的半导体材料产业迎来前所未有的发展春天。 在市场的拉动下，我国通过短短几年时间，国产多晶硅产业由弱势转变为数万吨产能的产业群，让我国跻身为世界光伏产业大国，并逐步成为光伏产业强国。 目前，有许多半导体材料企业已经跻身全球市场，例如巴斯夫、住友化学、信越集团、陶氏化学等。中国发展优秀的企业主要有浙江金瑞泓科技股份有限公司、南京国盛电子科技有限公司、宁波江丰电子材料股份有限公司、有研亿金新材料有限公司等。 2第三代半导体材料产业现状第三代半导体材料是提升新一代信息技术核心竞争力的重要支撑，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，因具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能，是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，在半导体照明、新一代移动通信、能源互联网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景。近日，科技部高新司在北京组织专家组对“十二五”国家863计划新材料技术领域“高质量第三代半导体材料关键技术”主题项目进行了验收。 该项目突破了高质量6英寸4H-SiC单晶衬底、高质量4英寸GaN自支撑衬底、6-8英寸Si衬底上GaN基电子材料与器件、绿光发光器件用高In组分氮化物外延生长、深紫外发光器件用高Al组分氮化物外延生长等核心关键技术，完成了2英寸GaN自支撑衬底的规模化生产，实现了高Al组分AlGaN基深紫外光泵浦激射，开发了基于钙钛矿氧化物材料的紫外光电探测器件原型。项目为我国第三代半导体产业的发展奠定了坚实的基础，对支撑我国新一代信息技术、节能环保等产业发展以及国防建设具有重大意义。 相比较国际的先进水平，针对第三代半导体材料技术水平，我国在衬底、外延材料、器件方面相对落后。第三代半导体材料也在光电子领域，中国发展了产业化的半导体照明，其已与国际领先水平相当平；微电子领域，我国仅发展了小规模的应用，例如光伏逆变器、雷达等方面。在加快该项产业发展的号召下，我国政府的多方部门通过努力制定重要规划纲领，利用重点专项研发手段和投资途径，目前已在国家电网、华为等大型企业中或其他科研院所内有所部署，展望2018年，中国第三代半导体业将实现快速提升。 3半导体材料业发展 3.1创新发展产业链和战略联盟 纵观世界各半导体材料业强国纷纷建立联盟来攫取全球半导体市场份额，我国要发展第三代半导体材料，也需要依靠产业链来实现创新。才能抢占国际发展的制高点。在国家科技部、工业和信息化部、北京科学技术委员会支持下，第三代半导体产业创新战略联盟也成立了。囊括中科院半导体研究所、北京大学、南京大学、西安电子科技大学、等多所知名学府及三安光电、国网只能电网研究院、中兴通讯、苏州能讯等多家国内尖端半导体公司为代表的企业机构组件联盟。通过近3年的发展，逐步建成统一高效的联盟，并形成完整的产业链，后续加入许多检验检测机构、技术认真机构等产业下游上游应用企业。逐步打破了西方发达国家对我国半导体技术的围堵。 3.2建立区域（领域）战略和业务，推动相关市场增长 为解决生产与消费间产生的严重缺口现象，我国在投资基金方面已建立许多，旨在有力推进本地制造。为了提高我国集成电路和新材料的技术水平，《中国制造2025》推出了相关政策，其具体战略有技术方面的研发、质量方面的提升及助力本土企业占据全球供应链的一席之地。基于此，由中国建设的晶圆厂在2017年开创数量的历史新高，这一形势估计也将继续保持并延续。并且，已建晶圆厂也尝试着尽可能提高制造能力，兼顾尖端和主流技术运用，以满足生产需求。2018年3月15日，Entegris在关于2018年的中国战略中提到，将引进领先的制造商高端材料技术到中国市场。同时表示，公平竞争于已有的厂商，至关重要的是，将先进的解决方案应用在晶圆厂的发展及全过程管理过程中。 Entegris自身拥有专业优势，例如发展了50多年的材料与污染控制技术，能够利于晶圆厂通过较高的效率和利用较低的费用建构完成，而且能够对生产线进行优化从而促使尽快投入生产。其公司在我国的团队正在日益完善和壮大，具有专业工程人员、技术师和科学团队的队伍，将持续为客户实现技术目标而不断探讨，提高产业发展速度和能力，从而实现共同开发。 3.3进一步加强产业发展环境建设