模拟电子技术模拟电子技术第5版-胡宴如 第5版-胡宴如 ch20 引言

《模拟电子技术》胡宴如主编 耿苏燕版 (第四版)习题解答 第2章

第2章 2.1放大电路中某三极管三个管脚○1○2○3测得对地电位-8V ，-3V,- 3.2V 和3V 、12V 、3.7V ， 试判别此管的三个电极，并说明它是NPN 管还是PNP 管，是硅管还是锗管？ 解：放大电路中的发射结必定正偏导通，其压降对硅管为0.7V ，对锗管则为0.2V 。 （1）三极管工作在放大区时，U B 值必介于U C 和U E 之间，故-3.2V 对应的管脚○ 3为基极，U B =-3.2V ，○2脚电位与○3脚基极电位差为-0.2V ，所以○2脚为发射极，则○ 1脚为集电极，该管为PNP 锗管。 （2）由于○ 3脚电位为3.7V 介于3V 和12V 之间，故○3脚为基极，○1脚电位低于○3脚0.7V ，故○ 1脚为发射极，则○2脚为集电极，该管为NPN 硅管。 2.2对图P2.2所示各三极管，试判别其三个电极，并说明它是NPN 管还是PNP 管，估算其β值。 解：（a ）因为i B

解：（a ）mA k V V I B 1.0517.06≈Ω -= 设三极管工作在放大状态，则 I C =βI B =100×0.1=10mA U CE =16V －10mA ×1k Ω=6V 由于U CE =6V>U CE =0.3V ，三极管处于放大状态，故假设成立。因此三极管工作在放大状态，I B =0.1mA ，I C =10 mA ，U CE =6V 。 （b ）mA k V I B 077.056)7.05(=Ω -= 设三极管工作在放大状态，则得 I C =βI B =100×0.077=7.7mA 则 U CE =-(5V －7.7mA ×3k Ω)=-(5V －23.1V) ＞0 说明假设不成立，三极管已工作在饱和区，故集电极电流为 mA k V R U V I I C CES CC CS C 57.13V 3.0-5=Ω =-== 因此三极管的I B =0.077mA ，I C =1.57mA ，U CE =U CES ≈0.3V （c ）发射结零偏置，故三极管截止，I B =0，I C =0，U CE =5V 。 2.4图P2.4（a ）所示电路中，三极管的输出伏安特性曲线如图P2.4（b ）所示，设U BEQ =0，当R B 分别为300k Ω、150k Ω时，试用图解法求I C 、U CE 。

模拟电子技术教案

授课计划 授课时数： 2 授课教师：赵启学授课时间： 课题：半导体二极管 教学目的： 1、理解PN结及其单向导电性 2、了解半导体二极管的构成与类型 教学重点：1、PN结及其单向导电性2、二极管结的构成 教学难点：PN结及其单向导电性 教学类型：理论课 教学方法：讲授法、启发式教学 教学过程： 引入新课： 模拟电子技术基础是一门入门性质的技术基础课，没有哪一门课程像电子技术的发展可以用飞速发展，日新月异。从1947年，贝尔实验室制成第一只晶体管；1958年，集成电路；1969年，大规模集成电路；1975年，超大规模集成电路，一开始集成电路有4只晶体管，1997年，一片集成电路有40亿个晶体管。不管怎么变化，但是万变不离其宗，这门课我们所讲的就是这个“宗”。（10分钟） 讲授新课： 一：PN结（30分钟） 1、什么是半导体，什么是本证半导体？（10分钟） 半导体：导电性介于导体和绝缘体之间的物质 本征半导体：纯净（无杂质）的晶体结构（稳定结构）的半导体，所有半导体器件的基本材料。常见的四价元素硅和锗。

2、杂质半导体（20分钟） N型半导体：在本征半导体中参入微量5价元素，使自由电子浓度增大，成为多数载流子（多子），空穴成为少数载流子（少子）。如图（a） P型半导体：在本证半导体中参入微量3价元素，使空穴浓度增大，成为多子，电子成为少子，以空穴导电为主的杂志半导体称为P型半导体。如图（b） 3、PN结 P型与N型半导体之间交界面形成的薄层为PN结。 二：PN结的单项导电性（20分钟） PN结加正向电压时，可以有较大的正向扩散电流，即呈现低电阻，我们称PN 结导通；PN结加反向电压时，只有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，我们称PN 结截止。这就是PN结的单向导电性。 1、正偏 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。 外电场削弱内电场→耗尽层变窄→扩散运动>>漂移运动→多子扩散形成正向电流（与外电场方向一致）I F

模拟电子技术基础[李国丽]第一章习题答案解析

1半导体二极管 自我检测题 一．选择和填空 1．纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体，掺入杂质后称 杂质半导体。若掺入五价杂质，其多数载流子是 电子 。 2．在本征半导体中，空穴浓度 C 电子浓度；在N 型半导体中，空穴浓度 B 电子浓度；在P 型半导体中，空穴浓度 A 电子浓度。 （A ．大于，B ．小于，C ．等于） 3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 C ，而少数载流子的浓度与 A 关系十分密切。 （A ．温度，B ．掺杂工艺，C ．杂质浓度） 4. 当PN 结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当PN 结外加反向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D 。 （A ．大于，B ．小于，C ．等于，D ．变宽，E ．变窄，F 不变 ） 5．二极管实际就是一个PN 结，PN 结具有 单向导电性 ，即处于正向偏置时，处于 导通 状态；反向偏置时，处于 截止 状态。 6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ，反向电流一般_C_；普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。 （A ．0.1～0.3V ，B ．0.6～0.8V ，C ．小于A μ1，D ．大于A μ1） 7. 已知某二极管在温度为25℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示，在温度为 T 1 时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时，该二极管的死区电压为 0.5 伏，反向击穿电

压为 160 伏，反向电流为 10-6 安培。温度T 1 小于 25℃。（大于、小于、等于） 图选择题7 8．PN 结的特性方程是)1(-=T V v S e I i 。普通二极管工作在特性曲线的 正向区 ；稳 压管工作在特性曲线的 反向击穿区 。 二．判断题（正确的在括号画√，错误的画×） 1．N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 （ × ） 2．在P 型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N 型半导体。 （ √ ） 3．P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。 （ × ） 4．PN 结的漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。 （ √ ） 5．由于PN 结交界面两边存在电位差，所以当把PN 结两端短路时就有电流流过。（ × ） 6．PN 结方程既描写了PN 结的正向特性和反向特性，又描写了PN 结的反向击穿特 性 。 （ × ） 7．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（√ ），它不允许工作在正向导通状态（×）。

模拟电子技术基础知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6.杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

2) 等效电路法 直流等效电路法 *总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路); 若V阳

模拟电子技术基础第一章答案

1.3电路如图所示，已知i 5sin (V)u t ω=，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出u i 与u o 的波形，并标出幅值。 解：当i 3.7u ≥V 时，D 1导通，将u o 钳位在3.7V ； 当i 3.7u

Imax Z L Zmax Z (/)(6/0.525)1643V U U R I R U =++=+?+= 故23V 稳压管将因功耗过大而损坏。 1.7电路如图所示，发光二极管导通电压UD=1.5V ，正向电流在5~15mA 时才能正常工作。试问： （1）开关S 在什么位置时发光二极管才能发光？ （2）R 的取值范围是多少？ 解：（1）S 闭合时发光二极管才有正向电流，也才有可能发光。 （2）发光二极管的正向电流过小将不发光，过大将可能损坏。R 是限流电阻，其取值应保证发光二极管既发光又不至于损坏。因此，R 的范围为 min D Dmax ()/233R V U I =-≈Ω max D Dmin ()/700R V U I =-=Ω 即233700R Ω< <Ω 1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。

模拟电子技术基础 胡宴如 自测题答案

模拟电子技术 胡宴如（第3版）自测题 第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由(D )构成。 A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B )。 A．减小B．基本不变C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大B．基本不变C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作(D )。、 A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。(√) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。(×) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。(×) 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。(×) 1．4 分析计算题 1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。

模拟电子技术基础-课程作业

教材 模拟电子技术基础（第四版） 清华大学 模拟电子技术课程作业 第1章 半导体器件 1将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将( A )。 (a)变宽 (b)变窄 (c)不变 2半导体二极管的主要特点是具有( B )。 (a)电流放大作用 (b)单向导电性 (c)电压放大作用 3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( A )。 (a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压 4电路如图1所示，设D 1，D 2均为理想元件，已知输入电压u i =150sin ωt V 如图2所示，试画出电压u O 的波形。 D 2 D 1 u O + - 图1 图2 5电路如图1所示，设输入信号u I1,u I2的波形如图2所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压u O 的波形，并说明t 1,t 2时间内二极管D 1，D 2的工作状态。

u I2 D 1 图1 图2 u I1 u 第2章基本放大电路 1下列电路中能实现交流放大的是图()。 U o CC U CC U (c)(d) - o u o 2图示电路，已知晶体管 β=60，U BE .V =07 ，R C k =2 Ω，忽略U BE ，如要将集电极电流 I C调整到1.5mA，R B应取()。 (a)480kΩ(b)120kΩ(c)240kΩ(d)360kΩ

V 3固定偏置放大电路中，晶体管的β＝50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC 将( )。 (a)增加 (b)减少 (c)基本不变 4分压式偏置放大电路如图所示，晶体T 的β=40，U BE .V =0 7，试求当RB1，RB2分别开路时各电极的电位（U B ，U C ，U E ）。并说明上述两种情况下晶体管各处于何种工作状态。 u o U CC 12V + - 5放大电路如图所示,已知晶体管的输入电阻r be k =1Ω，电流放大系数β=50，要求: (1)画出放大器的微变等效电路； (2)计算放大电路输入电阻r i 及电压放大倍数A u 。 u o 12V + －

《模拟电子技术》胡宴如主编(第四版)习题解答-第3章

第3章 3.1放大电路如图P3.1所示，电流电压均为正弦波，已知R S =600Ω，U S =30mV ，U i =20mV ，R L =1k Ω，U o =1.2V 。求该电路的电压、电流、功率放大倍数及其分贝数和输入电阻R i ；当R L 开路时，测得U o =1.8V ，求输出电阻R o 。 解：（1）求放大倍数 电压放大倍数为 dB A d B A U U A u u i o u 6.3560lg 20lg 20)(60 20 102.13 ====?== 电流放大倍数为 dB A d B A mV k V R U U R U I I A i i S i S L o i o i 1.3772lg 20lg 20)(72600/)2030(1/2.1/)(/===-=Ω-Ω-=--== 功率放大倍数为 dB A d B A I U I U Pi P A p p i i O O O P 4.364320lg 10lg 10)(4320 7260====?=== （2）求输入和输出电阻 Ω=Ω?-=-=Ω=Ω-== k k R U U R mV mV I U R L o t o o i i i 5.01)12 .18 .1()1( 1200600/)2030(20 3．2在图P3.2所示放大电路中，已知三极管β=80，r bb’=200Ω，U BEQ =0.7V ，试：（1）求I CQ 、I BQ 、U CEQ ；（2）画出H 参数小信号等效电路，求A u 、R i 、R o 、 图P3.1

A us ；（3）若β=60时，说明I CQ 、A u 、R i 、R o 的变化。 解：（1）求I CQ 、I BQ 、U CEQ V V V R R I V U mA mA I I mA mA R U U I V V V R R R U E C CQ CC CEQ CQ BQ E BEQ BQ CQ CC B B B BQ 5.11)2.23.4(92.124)(024.080 92.192.12 .27 .092.492.416622416212=+?-=+-=== = =-= -==+?=+=β （2）画H 参数等效电路，求Au 、R i 、R o 、A us 图P3.2的H 参数等效电路如图解P3.2所示，由已求I CQ 可得 Ω=Ω+Ω=β++=k ..I U ) (r r EQ T 'bb be 3192 126 812001 故 962 .16.0) 144(2.13.42.1)3.1//16//62(////144 3 .1)1.5//3.4(8021' -=+-?=+== Ω==Ω=Ω==-=?-=-==u i s i s o us C o be B B i be L i o u A R R R u u A k R R k k r R R R r R u u A β （3）当β=60，说明I CQ 、A u 、R i 、R o 的变化。 图P3.2 图解P3.2

模拟电子技术基础教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。

3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社， 陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5

模拟电子技术第五章

题5.1 某差动放大电路如图5-16所示，设对管的β=50，r bb ′=300Ω,U BE =0.7V ，R W 的影响可以忽略不计，试估算： 1．T 1，T 2的静态工作点。 2.差模电压放大倍数A ud = 12 11o ΔΔΔU U U - V EE (-12V) 解：1.静态工作点计算，令120i i u u == 1210.92(1)EE BE B B b e U U I I A R R μβ-== =++ 120.54C C B I I I mA β=== 12()(2)7.7CE CE CC EE C c e U U U U I R R v ==+-+≈ 2. 26(1) 2.75be bb E mv r r k I mA β'=++≈Ω 1222o c ud i i b be U R A U U R r β?= =-≈-?-?+ 题5.2 在图5-17所示的差动放大电路中，已知两个对称晶体管的β=50，r be =1.2k Ω。 1．画出共模、差模半边电路的交流通路。 2．求差模电压放大倍数i2 i1o ud ΔU U U A ??-= 。 3．求单端输出和双端输出时的共模抑制比K CMR

V EE 解： 1.在共模交流通路中，电阻R 开路，故其半边电路的射极仅接有电阻Re;在差模交流通路中，电阻R 的中点电压不变，相当于地，故其半边电路的发射极电阻为Re 和R/2的并联。 2. 12 3.5(1)(//)2 od C ud i i be e U R A R U U r R ββ= =-=--++ 3.双端输出条件下： 3.5,0,ud uc CMR A A K =-==∞ 单端输出条件下： 1.75,0.4(1)OC C ud uc IC be e U R A A U r R ββ=-= =-=-++ 4.2ud CMR uc A K A = = 题5.3 在图5-18的电路中，T 1，T 2的特性相同，且β很大，求I C2和I CE2的值，设U BE =0.6V 。 EE 图5-18

16年春模拟电子技术第一次作业答案

- 《模拟电子技术》第一次答案 你的得分： 95.0 完成日期：2016年05月21日 14点34分 说明：每道小题选项旁的标识是标准答案。 一、单项选择题。本大题共10个小题，每小题 5.0 分，共50.0分。在每小题给出的选项中，只有一项是符合题目要求的。 1.某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2 kΩ负载后输出电 压降为4V，这表明该放大电路的输出电阻为（） A.10 kΩ B. 2 kΩ C. 1 kΩ D.0.5 kΩ 2. A.D1导通，D2导通 B.D1导通，D2截止 C.D1截止，D2导通 D.D1截止，D2截止 3.稳压二极管通常工作在( )才能够稳定电压。 A.反向击穿区 B.截止区 C.死区 D.导通区 4.用万用表判别处于放大状态的某个BJT的类型（NPN管或PNP管）与三 个电极时，最方便的方法是测出（） A.各级间电阻 B.各级对地电位

C.各级电流 D.各级间电压 5. A.共射组态 B.共基组态 C.共集组态 D.多级放大电路 6.静态发射极电流IE约为（） A.3mA B.30 mA C.30μA 7.电压放大倍数AV（）A、 B C D、 A. 6.7 B.-6.7 C.-9.8 D.9.8 8.输出电阻Ro为（） A. 1.5KΩ B. 1.2KΩ C.2KΩ D. 2.5KΩ

9. A.R e1 B. C.R e1 D.R f 10. A.微分运算电路 B.积分运算电路 C.对数运算电路 D.比例运算电路 二、多项选择题。本大题共6个小题，每小题 5.0 分，共30.0分。在每小题给出的选项中，有一项或多项是符合题目要求的。

模拟电子技术胡宴如主编耿苏燕版习题解答第2章

第2章 放大电路中某三极管三个管脚○1○2○3测得对地电位-8V ，-3V,和3V 、12V 、，试判别此 管的三个电极，并说明它是NPN 管还是PNP 管，是硅管还是锗管 解：放大电路中的发射结必定正偏导通，其压降对硅管为，对锗管则为。 （1）三极管工作在放大区时，U B 值必介于U C 和U E 之间，故对应的管脚○ 3为基极，U B =，○ 2脚电位与○3脚基极电位差为，所以○2脚为发射极，则○1脚为集电极，该管为PNP 锗管。 （2）由于○ 3脚电位为介于3V 和12V 之间，故○3脚为基极，○1脚电位低于○3脚，故○1脚为发射极，则○ 2脚为集电极，该管为NPN 硅管。 对图所示各三极管，试判别其三个电极，并说明它是NPN 管还 是PNP 管，估算其β值。 解：（a ）因为i B

图 I B 、I C 、U CE 。 解：（a ）mA k V V I B 1.0517.06≈Ω -= 设三极管工作在放大状态，则 I C =βI B =100×=10mA U CE =16V －10mA ×1k Ω=6V 由于U CE =6V>U CE =，三极管处于放大状态，故假设成立。因此三极管工作在放大状态，I B =，I C =10 mA ，U CE =6V 。 （b ）mA k V I B 077.056)7.05(=Ω -= 设三极管工作在放大状态，则得 I C =βI B =100×= 则 U CE =-(5V －×3k Ω)=-(5V － ＞0 说明假设不成立，三极管已工作在饱和区，故集电极电流为 mA k V R U V I I C CES CC CS C 57.13V 3.0-5=Ω =-= =

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模拟电子技术教案 电子与信息工程学院 目录 第一章常用半导体器件 第一讲半导体基础知识 第二讲半导体二极管 第三讲双极型晶体管三极管 第四讲场效应管 第二章基本放大电路 第五讲放大电路的主要性能指标及基本共射放大电路组成原理 第六讲放大电路的基本分析方法 第七讲放大电路静态工作点的稳定 第八讲共集放大电路和共基放大电路 第九讲场效应管放大电路 第十讲多级放大电路 第十一讲习题课 第三章放大电路的频率响应 第十二讲频率响应概念、RC电路频率响应及晶体管的高频等效模型

第十三讲共射放大电路的频率响应以及增益带宽积 第四章功率放大电路 第十四讲功率放大电路概述和互补功率放大电路 第十五讲改进型OCL电路 第五章模拟集成电路基础 第十六讲集成电路概述、电流源电路和有源负载放大电路第十七讲差动放大电路 第十八讲集成运算放大电路 第六章放大电路的反馈 第十九讲反馈的基本概念和判断方法及负反馈放大电路的方框图第二十讲深度负反馈放大电路放大倍数的估算 第二十一讲负反馈对放大电路的影响 第七章信号的运算和处理电路 第二十二讲运算电路概述和基本运算电路 第二十三讲模拟乘法器及其应用 第二十四讲有源滤波电路 第八章波形发生与信号转换电路 第二十五讲振荡电路概述和正弦波振荡电路 第二十六讲电压比较器

第二十七讲非正弦波发生电路 第二十八讲利用集成运放实现信号的转换 第九章直流电源 第二十九讲直流电源的概述及单相整流电路 第三十讲滤波电路和稳压管稳压电路 第三十一讲串联型稳压电路 第三十二讲总复习 第一章半导体基础知识 本章主要内容 本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义，工作状态或工作区的分析。 首先介绍构成PN结的半导体材料、PN结的形成及其特点。其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及应用举例。然后介绍两种三极管（BJT和FET）的结构原理、伏安特性、主要参数以及工作区的判断分析方法。 本章学时分配 本章分为4讲，每讲2学时。 第一讲常用半导体器件 本讲重点

模拟电子技术基础王淑娟第五章答案

【5-1】填空 1. 为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采用 耦 合方式。 2. 为了使放大电路的信号与负载间有良好的匹配，以使输出功率尽可能加大，放大电路应采用 耦合方式。 3. 若两个放大电路的空载放大倍数分别为20和30，则将它们级连成两级放大电路，则其放大倍数为 （a. 600，b. 大于600，c. 小于600） 4. 在三级放大电路中，已知|A u1|=50，|A u2|=80，|A u3|=25，则其总电压放大倍数|A u |= ，折合为 dB 。 5. 在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 ；而前级的输出电阻则也可视为后级的 。 6．功率放大电路的主要作用是 。 7．甲类、乙类、甲乙类放大电路的是依据晶体管的 大小来区分的，其中甲类放大 ；乙类放大 ；甲乙类放大 。 8．乙类推挽功率放大电路的 较高，这种电路会产生特有的失真现象称 ；为消除之，常采用 。 9．一个输出功率为10W 的扩音机电路，若用乙类推挽功率放大，则应选至少为 W 的功率管 个。 10．理想集成运算放大器的放大倍数A u ＝ ，输入电阻R i ＝ ，输出电阻R o ＝ 。 11．通用型集成运算放大器的输入级大多采用 电路，输出级大多采用 电路。 1. 直接 2. 变压器 3. c 小于600 4. 105，100 5. 负载，后级的信号源，信号源内阻 6. 向负载提供足够大的功率； 7. 导通角，导通角为360°，导通角为180°，大于180°而小于360°； 8. 效率，交越失真，甲乙类工作状态； 9. 2，2。 10. ∞，∞，0 11. 差分放大，互补功率输出 【5-2】电路如图5.12.1所示 1．写出i o u U U A =及R i ，R o 的表达式，设β1、β2、r be1、r be2及电路中各电阻均为已知。 2．设输入一正弦信号时，输出电压波形出现了顶部失真。若原因是第一级的Q 点不合适，问第一级产生了什么失真？如何消除？若原因是第二级Q 点不合适，问第二级产生了什么失真？又如何消除？ 解： 1． o 1c1b2be22e2L 2e2L u i be11e1be22e2L ////[(1)(//)](1)(//)(1)(1)(//)U R R r R R R R A U r R r R R βββββ-?+++= =?++++ i b11b12be11e1////[(1)]r R R r R β=++ be2 c1b2 o e22 ////1r R R r R β+=+ 2．输出电压波形出现了顶部失真。若原因是第一级的Q 点不合适，第一级产生了截止

模拟电子技术——第1章习题及答案

思考与习题1 1.1填空题 1.Si或 载流子；另一类是在Si或Ge 是多数载流子， ___单向导电性___ 3.二极管的PN型二极管适用于高频、小电流的场合，面触 4.稳压二极管主要工作在_反向击穿_______ 限流。 5.，其反向 ，正常工作电流为 6. 7.两种载流子，在本征半导体中掺入三价元素，可形成P型半导体。 8. 11. 12. 13.普通二极管工作时要避免工作于反向击穿状态，而稳压管通常工作于 16.W7805的输出电压为 5 V 17. 1.1 选择题 1.在N型半导体中，多数载流子为电子，则N型半导体（C） A．带正电 B.带负电 C.不带电 D.不能确定 2.在半导体中掺入五价磷原子后形成的半导体称为。（C） A．本征半导体 B.P型半导体 C.N型半导体 D.半导体 3.PN结加正向电压时，其正向电流是由的。（A） A．多数载流子扩散形成 B．多数载流子漂移形成

C ．少数载流子扩散形成 D ．少数载流子漂移形成 4.当PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层 。（ C ） A ．大于 变宽 B. 小于 变窄 C. 大于 变窄 D. 小于 变宽 5.从二极管的伏安特性可以看出，二极管两端压降大于（ B ）时，处于正向导通状态。 A ．0V 电压 B ．死区电压 C ．反向击穿电压 D ．正向压降 6.二极管的反向电阻（ B ）。 A ．小 B ．大 C ．中等 D ．为零 7.稳压管的稳压区是其工作在 。（ C ） A. 正向导通区 B.反向截止区 C.反向击穿区 8.在单相桥式整流电路中，变压器次级电压有效值为10V ，则每只整流二极管承受的最大反向电压为（ .B ） A.10V B.210 V C. V D.20V 9.桥式整流加电容滤波电路，设整流输入电压为20V ，此时，输出的电压约为( A ) A.24V B.18V C.9V D.28.2V 10.两个硅稳压管，U z1 = 6V ，U z2=9V, 下面那个不是两者串联时可能得到的稳压值（.D ）。 A. 15 V B. 6.7 V C. 9.7 V D. 3 V 1.3简答题、 1.当温度升高时，二极管的反向电流怎样变化？为什么？而其正向电压降又怎样变化？答：二极管的反向电流增加，因为温度升高时，漂移运动加强，其中电流增大。正向电压减少。 2.有这样一只整流二极管，用万用表测量其正反向特性都很好，但是安装到电路中作整流使用却不能正常使用，试问是什么原因？.答：该二极管内部出现软故障，在电路外因为没有工作电流，只有测量电流，其温度低，不会出现击穿，测量结果属于正常，但是接到电路时，由于通过电流较大，工作温度高，其就会出现击穿现象了。 3.题图1-1给出了一些元器件的电路符号，请合理连线，构成一个5V 的直流稳压电源。 210题图1-1

东大18年6月考试《模拟电子技术基础》考核作业

www.vu8o.com ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 东 北 大 学 继 续 教 育 学 院 模拟电子技术基础 试 卷（作业考核 线下） B 卷（共 6 页） 注：请您单面打印，使用黑色或蓝色笔，手写完成作业。杜绝打印，抄袭作业。 一、(10分) 单项选择题。（选一个正确答案填入括号里，每题1分） 1．P 型半导体是在本征半导体中加入下面物质后形成的。 A 、电子 B 、空穴 C 、三价元素 D 、五价元素 答（ ） 2．当PN 结加反向电压时，其空间电荷区 A 、变宽 B 、变窄 C 、基本不变 答（ ） 3．放大器中三极管的发射结正向偏置、集电结反向偏置，则三极管处于 A 、饱和状态 B 、截止状态 C 、放大状态 答（ ） 4．对于单级阻容耦合放大器来说，影响低频特性的因素为 A 、耦合电容 B 、PN 结电容 C 、寄生电容 答（ ） 5．功率放大器的输出波形在信号过零点附近产生的失真为 A 、截止失真 B 、饱和失真 C 、交越失真 答（ ） 6．其它条件不变，若放大器输入端电阻减小应引入 答（ ） A 、电压负反馈 B 、电流负反馈 C 、串联负反馈 D 、并联负反馈 7． 放大器引入负反馈之后，其通频带将 A.、变窄 B 、变宽 C 、不变 答（ ） 8．在放大电路中测得一只三极管三个电极的电位分别为 2.8V 、3.5V 、 5V ，则这只三极管属于 A 、硅PNP 型 B 、硅NPN 型 C 、锗PNP 型 D 、锗NPN 型 答（ ） 9．场效应管与双极型晶体管相比，具有 答（ ） A 、更大的输入电阻 B 、更小的输入电阻 C 、相同的输入电阻 10．二极管电路如图1所示，设二极管均为理想的，则电压U o 为 答（ ） A 、-10V B 、-5V C 、0V D 、+5V 二、(共10分) 填空题（每空2分） 1．图2所示反馈电路的反馈是属于（2．功率放大电路如图3所示，V CC =6V ，R L =3.5Ω（ ），此时的效率为（ ）。 图3 3．已知稳压电路如图4示，求U O1=( )，U O2=( ) o

《模拟电子技术》胡宴如主编 耿苏燕版 (第四版)习题解答 第2章

第2章 2.1 放大电路中某三极管三个管脚○1○2○3测得对地电位-8V ，-3V,- 3.2V 和3V 、12V 、3.7V ， 试判别此管的三个电极，并说明它是NPN 管还是PNP 管，是硅管还是锗管？ 解：放大电路中的发射结必定正偏导通，其压降对硅管为0.7V ，对锗管则为0.2V 。 （1）三极管工作在放大区时，U B 值必介于U C 和U E 之间，故-3.2V 对应的管脚○3为基极，U B =-3.2V ，○2脚电位与○3脚基极电位差为-0.2V ，所以○2脚为发射极，则○1脚为集电极，该管 为PNP 锗管。 （2）由于○3脚电位为3.7V 介于3V 和12V 之间，故○3脚为基极，○1脚电位低于○3脚0.7V ，故○ 1脚为发射极，则○2脚为集电极，该管为NPN 硅管。 2.2 对图P2.2所示各三极管，试判别其三个电极，并说明它是NPN 管还是PNP 管，估算其β值。 解：（a ）因为i B

图 P2.3 2.3 图P2.3所示电路中，三极管均为硅管，β=100，试判断各三极管的工作状态，并求各管的I B 、I C 、U CE 。 解：（a ）mA k V V I B 1.0517.06≈Ω -= 设三极管工作在放大状态，则 I C =βI B =100×0.1=10mA U CE =16V －10mA ×1k Ω=6V 由于U CE =6V>U CE =0.3V ，三极管处于放大状态，故假设成立。因此三极管工作在放大状态，I B =0.1mA ，I C =10 mA ，U CE =6V 。 （b ）mA k V I B 077.056)7.05(=Ω -= 设三极管工作在放大状态，则得 I C =βI B =100×0.077=7.7mA 则 U CE =-(5V －7.7mA ×3k Ω)=-(5V －23.1V) ＞0 说明假设不成立，三极管已工作在饱和区，故集电极电流为

模拟电子技术教程 第5章习题答案.

第5章习题答案 1.概念题: (1反馈有时将输出的全部都馈送到输入端,其典型的例子是射极跟随器放大器和源极跟随器放大器。 (2电压反馈时,反馈网路输出一定是电压吗?(不一定并联反馈时,反馈网路的输出一定是电流吗?(是 (3“负反馈有用,正反馈没用”这种说法对吗?(不对按照输入端的信号耦合方式和输出端的信号取样方式负反馈共有 4 种组合形式。 (4当希望稳定输出电压并且希望提高输入阻抗时,应引入电压串联负反馈;当负载需要恒定电流并且信号源也为电流型时,应引入电流并联负反馈;当希望稳定输出电压并且信号源为电流型时,应引入电压并联负反馈;当输入为电压信号并且输出为电流信号时,应引入电流串联负反馈。 (5为了稳定电路的静态工作点,应引入直流负反馈;为了改善电路的动态特性,应引入交流负反馈。 (6方框图法是分析负反馈放大器的最基本的方法,在求解A和F 时保持F网路的空载效应是非常重要的。 (7有人说:“不使用反馈技术,要设计具有精密增益、高稳定度的放大器简直难于上青天”,你觉得对吗?(对 (8设计电压电流转换电路可直接选用电流串联负反馈电路;设计电流电压转换电路可直接选用电压并联负反馈电路。 (9如果开环放大器由3级以上的单管放大器组成,则组成的负反馈电路有可能出现自激的现象,这是因晶体管结电容形成的移相造成的。

(10共基放大器比共射放大器频率响应好,这是因为在共基接法下,集基电容不产生加倍的米勒效应。 (11分析放大器时,按低频段、中频段及高频段分开讨论,不但计算简单,而且意义明确。 (12当信号频率较高时,有些负反馈放大器是不稳定的,此时可采用滞后补偿法、超前补偿法等方法进行补偿。 (13开环放大器A和反馈网路F可能有量纲,例如欧姆或西门子,但环路增益是没有量纲的。 2.电路图如图5-58所示。 (1判断各电路中是否引入了反馈,对于引入反馈者试判断电路引入了什么性质的反馈,这些性质包括直流反馈、交流反馈、交直流反馈、局部反馈、全局反馈、电压反馈、电流反馈、串联反馈、并联反馈、正反馈、负反馈,设图中所有电容对交流信号均可视为短路; (2就整体反馈而言,你认为哪些电路引入了深度负反馈,请写出其反馈系数表达式 和闭环增益表达式。