模拟电子技术练习题(专升本)

《模拟电子技术》练习题

一、填空题

1． 在N 型半导体中， 是多数载流子， 是少数载流子。

2． 电路如图1-1所示，设二极管的导通电压U D ＝0.7V ，则图1-1（a ）中U O ＝ V ，图1-1（b ）中U O ＝ V 。

（a ）

（b ）

图1-1

3．图1-2中二极管为理想器件，则VD 1工作在 状态；VD 2工作在 状态；电流 O I mA 。

4．PN 结具有 特性；稳压二极管的稳压区在其伏安特性曲线的 区内。

5．在晶体管放大电路中，测得一晶体管三个管脚1、2和3对地的直流电位分别为U 1 = -5 V ，U 2 = -8 V ，U 3 = -5.2 V ，则与

该晶体管对应的电极是：管脚1为 极，2为 极，3为 极，晶体管为 型（PNP 或NPN ），所用材料为 （硅或锗）。

6. 电压放大电路要求是要有较 的输入电阻和较 的输出电阻。

7． 在由NPN 管构成的基本共射放大电路中，若静态工作点设置得过高，则将产生 失真；乙类功率放大电路的缺点是存在 失真；直接耦合放大电路的最大问题是存在 现象。

8．共射放大电路的输出电压与输入电压的相位 （填“相同”或“相反” ）；共集放大电路的输出电压与输入电压的相位 。

9．射极输出器具有输入电阻 和输出电阻 的特点。。

10．为稳定输出电压，应引入 负反馈；为提高输入电阻，应引入 负反馈；当信号源的内阻较大时，为增强负反馈的效果，应引入 负反馈；由集成运放构成线性放大电路时，应引入 反馈（填“正反馈”或“负反馈” ）。

I O

11．集成运放有两个工作区，即线性区和非线性区，则图1-3（a ）所示的集成运放工作于 区，图（b ）所示的集成运放工作于 区。

图1-3

二、单项选择题（每小题3分，共15分）

1．如图2-1所示电路，二极管D 1和D 2的工作状态为（ ）。 A ．D 1截止，D 2导通 B ．D 1导通，D 2截止 C ．D 1和D 2均导通

D ．D 1和D 2均截止

2．在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9V ，2.5V ，3.2V ，则这三个极分别为（ ）。

A ．C ，

B ，E B ．

C ，E ，B C ．E ，C ，B

D ．B ，

E ，C

3．在图2-2中，V CC =12V ，R C =3kΩ，β=50，U BEQ 可忽略不计，若使U CEQ =6V ，则R B 应为（ ）。

A ．360 k Ω

B ．300 kΩ

C ．300 Ω

D ．400 kΩ

4．工作在放大区的某晶体管当i B 从20μA 增大到30μA 时，i C 从2mA 增大到4mA ，那么它的 值约为（ ）。 A. 50 B. 200 C. 20

D ．100

5．射极输出器（ ）。

A ．有电流放大作用，没有电压放大作用

B ．有电压放大作用，没有电流放大作用

C ．既有电流放大作用，也有电压放大作用

6．某测量放大电路，要求输入电阻高，输出电流稳定，应引入（ ）。 A ．串联电流负反馈 B ．串联电压负反馈 C

．并联电流负反馈

D ．并联电压负反馈

图2-1

4V

0V +V CC

图2-2

R B

7．图2-3中的R F 引入的是（ ）。 A ．并联电流负反馈 B ．串联电压负反馈 C ．并联电压负反馈

D ．串联电流负反馈

8．在带有电容滤波器的单相半波整流电

路中，若电源变压器二次侧电压的有效值为U ，则整流二极管所承受的最高反向电压为（ ）。

A ．U

B ．U 2

C ．U 22

9．在如图2-4所示的稳压电路中，已知V 10I =U ，

V 5O =U ，m A 10Z =I ，Ω=500L R ，则限流电阻R 应为（ ）。

A ．1000Ω

B ．500Ω

C ．250 Ω

D ．200Ω

10．在图2-5所示的变压器二次绕组有中心抽头的单相全波整流电路中，

V sin 220t u ω=，整流电压平均值O U 为（ ）。

A. 9V

B.18V

C. 20V

D.20V 2

11．在如图2-6所示的稳压电路中，已知U Z =6V ，则U O 为（ ）。 A ．6V B ．15V C ．21

-

O

图2-4

图

2-5

O

u 图

2-3

图2-6

三、电路如图3所示，已知V CC ＝12V ，R B ＝300kΩ，R C ＝4kΩ，晶体管β＝40。 （1）画出直流通路，并估算静态工作点；

（2）画出微变等效电路，并估算输入电阻R i 、输出电阻R o 和电压放大倍数u A 。

u I

图3

V CC

四、电路如图4所示，若V CC =12V ，R B1= 20kΩ，R B2=10kΩ，R C =R E =R L =2kΩ，晶体管的电流放大系数β＝50，be r =1kΩ，静态时的U BEQ 可忽略不计。

（1）试画出静态电路图，并求电路的静态Q 点； （2）画出交流微变等效电路图；

（3）求电压放大倍数u

A &、输入电阻R i 和输出电阻R o ； （4）若将电容C E 除去，画出交流微变等效电路图，并求电压放大倍数u

A &。

五、如图5所示运算放大电路中，已知u I1 = 10 mV ，u I2 = 30 mV 。 （1）指出以集成运放A 1、A 2和A 3为核心各构成何种运算电路；

图 4

R B1

R B2

R C

R E

C E

VT

+V CC

u

（2）求u O1、u O2和u O 各为多少？

图5

u I1

u I2

图6

六、电路如图6所示，已知R 1=R 4=30kΩ，R 3=R 7=60kΩ，R 5=R 6=40kΩ。 （1）指出以集成运放A 1，A 2为核心各构成何种运算电路； （2）写出u O 与u I1和u I2的关系式。

七、由理想集成运放构成的电路如图7所示，已知R 1=R 2=R 3= 30k Ω，R 4 =10k Ω，R 5=R F =60k Ω。

（1）试分别指出由集成运放A 1、A 2和A 3为核心所构成电路的名称；

（2）试分别写出u O1、u O2、u O与u1的关系式；

（3）求平衡电阻R。

O

图7

八、电路如图8所示。

R合理地连接于电路中而成为负（1）为提高电路的带负载能力和输入电阻，请将

F

反馈放大电路，并指出所引入反馈的组态；

（2）求反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数f

u A &的表达式。 VT 1

VT 2

R F

九、电路如图9所示，设满足深度

负反馈条件，电容C 1、C 2对交流信号相当于短路。

（1）试分别说明由T 1管和T 2管所构成电路的名称（共射电路、共集电路或共基电路）；

（2）试判断级间反馈的组态；

（3）估算其闭环电压放大倍数sf

u A 。

十、在如图10所示电路中，已知V CC ＝12V ，R 1=R 2=10kΩ，R L ＝10Ω，R F ＝20kΩ，VT 1和VT 2管的饱和管压降│U CES │＝2V ，输入电压足够大。理想集成运放最大输出电压幅值为±6V 。

图8

R u s +

-u o

图9

（1）VT 1和VT 2构成哪种接法的放大电路（共射、共基或共集）；

（2）负载最大不失真输出电压的有效值U oM 和最大输出功率P om 各为多少？

（3）若闭环电压放大倍数10f

＝u A ，则R F 需多大？

CC

CC

十一、在如图11所示电路中，已知V CC ＝12V ，R L ＝5Ω，功放管的饱和管压降CES ||U ＝2V 。

（1）负载最大输出电压的有效值oM U 、可能获得的最大输出功率P om 和效率η各为多少？

（2）设电压放大倍数为1，若输入电压的有效值约为6V ，则负载实际获得的功率为多少？

十二、在如图12所示整流电路中，已知变压器副边电压有效值U =30V ，负载电阻R L =100Ω。

图11

VD 1

VD 2

VT 1

VT 2

图10

（1）负载电阻R L 上的电压平均值和电流平均值各为多少？

（2）若电网电压波动范围是%10±，则二极管承受的最大反向电压和流过的最大电流平均值各为多少？

图

12

+-u O

图13

十三、在如图12所示整流电路中，已知变压器副边电压有效值U =50V ，负载电阻R L =450Ω，试问：

（1）负载电阻R L 上的电压平均值和电流平均值U O 和I O 各为多少？

（2）电网电压波动范围是%10±，二极管承受的最大反向电压和流过的最大电流平均值各为多少？

十四、直流稳压电源如图14所示。

（1）说明电路的整流电路、滤波电路、调整管、基准电压电路、比较放大电路、采样电路等部分各由哪些元件组成；

（2）试在图中标出集成运放的同相输入端和反相输入端；

（3）设稳压管D z的稳定电压为U z，则试求输出电压的可调范围。

图14

模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。解：在20℃时的反向电流约为：3 2 10 1.25A A μμ-?=在80℃时的反向电流约为：321080A A μμ?=

习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？ 答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。

100B i A μ=80A μ60A μ40A μ20A μ0A μ0.993 3.22 安全工作区

习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ， β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A βμ=+=50℃时，8C BO I A μ≈() () ()0 5020 011%3011%301301%39 t t ββ--=+=?+≈?+?=()13200.32CEO CBO I I A mA βμ=+==

模拟电子技术教案

授课计划 授课时数： 2 授课教师：赵启学授课时间： 课题：半导体二极管 教学目的： 1、理解PN结及其单向导电性 2、了解半导体二极管的构成与类型 教学重点：1、PN结及其单向导电性2、二极管结的构成 教学难点：PN结及其单向导电性 教学类型：理论课 教学方法：讲授法、启发式教学 教学过程： 引入新课： 模拟电子技术基础是一门入门性质的技术基础课，没有哪一门课程像电子技术的发展可以用飞速发展，日新月异。从1947年，贝尔实验室制成第一只晶体管；1958年，集成电路；1969年，大规模集成电路；1975年，超大规模集成电路，一开始集成电路有4只晶体管，1997年，一片集成电路有40亿个晶体管。不管怎么变化，但是万变不离其宗，这门课我们所讲的就是这个“宗”。（10分钟） 讲授新课： 一：PN结（30分钟） 1、什么是半导体，什么是本证半导体？（10分钟） 半导体：导电性介于导体和绝缘体之间的物质 本征半导体：纯净（无杂质）的晶体结构（稳定结构）的半导体，所有半导体器件的基本材料。常见的四价元素硅和锗。

2、杂质半导体（20分钟） N型半导体：在本征半导体中参入微量5价元素，使自由电子浓度增大，成为多数载流子（多子），空穴成为少数载流子（少子）。如图（a） P型半导体：在本证半导体中参入微量3价元素，使空穴浓度增大，成为多子，电子成为少子，以空穴导电为主的杂志半导体称为P型半导体。如图（b） 3、PN结 P型与N型半导体之间交界面形成的薄层为PN结。 二：PN结的单项导电性（20分钟） PN结加正向电压时，可以有较大的正向扩散电流，即呈现低电阻，我们称PN 结导通；PN结加反向电压时，只有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，我们称PN 结截止。这就是PN结的单向导电性。 1、正偏 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。 外电场削弱内电场→耗尽层变窄→扩散运动>>漂移运动→多子扩散形成正向电流（与外电场方向一致）I F

模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第三章

第3章 多级放大电路 自测题 一、现有基本放大电路： A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。 (1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000 ，第一级应采用( A )，第二级应采用( A )。 (2)要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300 ，第一级应采用( D )，第二级应采用( A )。 (3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ，电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B )，第二级应采用( A )。 (4)要求电压放大倍数的数值大于10 ，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用( D )，第二级应采用( B )。 (5)设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000o ui i U A I =>，输出电阻R o ＜100 ，第一级应采用采用( C )，第二级应( B )。 二、选择合适答案填入空内。 (1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。 A ．电阻阻值有误差 B ．晶体管参数的分散性 C ．晶体管参数受温度影响 D ．电源电压不稳 (2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。 A ．便于设计 B ．放大交流信号 C ．不易制作大容量电容 (3)选用差动放大电路的原因是( A )。 A ．克服温漂 B ．提高输入电阻 C ．稳定放大倍数 (4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A )，共模信号是两个输入端信号的( C )。 A.差 B.和 C.平均值 (5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的( B )。 A ．差模放大倍数数值增大 B ．抑制共模信号能力增强 C ．差模输入电阻增大 (6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。 A.放大倍数的数值大 B.最大不失真输出电压大 C.带负载能力强 三、电路如图T3·3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，'200bb r =Ω，静态时 0.7BEQ U V ≈。试求： (1)静态时T l 管和T 2管的发射极电流。 (2)若静态时0O u >，则应如何调节R c2的值才能使0O u =？ 若静态0O u =V ，则R c2=？，电压放大倍数为多少？

模拟电子技术练习题(专升本)

《模拟电子技术》练习题 一、填空题 1． 在N 型半导体中， 是多数载流子， 是少数载流子。 2． 电路如图1-1所示，设二极管的导通电压U D ＝，则图1-1（a ）中U O ＝ V ，图1-1（b ）中U O ＝ V 。 （a ） （b ） 图1-1 3．图1-2中二极管为理想器件，则VD 1工作在 状态；VD 2工作在 状态；电流 O I mA 。 4．PN 结具有 特性；稳压二极管的稳压区在其伏安特性曲线的 区内。 5．在晶体管放大电路中，测得一晶体管三个管脚1、2和3 对地的直流电位分别为U 1 = -5 V ，U 2 = -8 V ，U 3 = V ，则与该晶体管对应的电极是：管脚1为 极，2为 极，3为 极，晶体管为 型（PNP 或NPN ），所用材料为 （硅或锗）。 6. 电压放大电路要求是要有较 的输入电阻和较 的输出电阻。 7． 在由NPN 管构成的基本共射放大电路中，若静态工作点设置得过高，则将产生 失真；乙类功率放大电路的缺点是存在 失真；直接耦合放大电路的最大问题是存在 现象。 8．共射放大电路的输出电压与输入电压的相位 （填“相同”或“相反” ）；共集放大电路的输出电压与输入电压的相位 。 9．射极输出器具有输入电阻 和输出电阻 的特点。。 10．为稳定输出电压，应引入 负反馈；为提高输入电阻，应引入 负反馈；当信号源的内阻较大时，为增强负反馈的效果，应引入 负反馈；由集成运 I O

放构成线性放大电路时，应引入 反馈（填“正反馈”或“负反馈” ）。 11．集成运放有两个工作区，即线性区和非线性区，则图1-3（a ）所示的集成运放工作于 区，图（b ）所示的集成运放工作于 区。 图1-3 二、单项选择题（每小题3分，共15分） 1．如图2-1所示电路，二极管D 1和D 2的工作状态为（ ）。 A ．D 1截止，D 2导通 B ．D 1导通，D 2截止 C ．D 1和D 2均导通 D ．D 1和D 2均截止 2．在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9V ，，，则这三个极分别为（ ）。 A ．C ， B ，E B ． C ，E ，B C ．E ，C ，B D ．B ， E ，C 3．在图2-2中，V CC =12V ，R C =3kΩ，β=50，U BEQ 可忽略不计，若使U CEQ =6V ，则R B 应为（ ）。 A ．360 kΩ B ．300 kΩ C ．300 Ω D ．400 kΩ 4．工作在放大区的某晶体管当i B 从20μA 增大到30μA 时，i C 从2mA 增大到4mA ，那么它的 值约为（ ）。 A. 50 B. 200 C. 20 D ．100 5．射极输出器（ ）。 A ．有电流放大作用，没有电压放大作用 B ．有电压放大作用，没有电流放大作用 图2-1 4V 0V +V CC 图2-2 R B

数字电子技术实验教案

湖南工学院教案用纸 实验1基本门电路逻辑功能测试（验证性实验） 一、实验目的 1?熟悉基本门电路图形符号与功能； 2?掌握门电路的使用与功能测试方法； 3?熟悉实验室数字电路实验设备的结构、功能与使用。 二、实验设备与器材 双列直插集成电路插座，逻辑电平开关，LED发光显示器，74LS00, 74LS20 , 74LS86，导 线 三、实验电路与说明 门电路是最简单、最基本的数字集成电路，也是构成任何复杂组合电路和时序电路的基本单 元。常见基本集门电路包括与门、或门、与非门、非门、异或门、同或门等，它们相应的图形符号与逻辑功能参见教材P.176, Fig.6.1。根据器件工艺，基本门电路有TTL门电路和CMOS门电路之分。TTL门电路工作速度快，不易损坏，CMOS门电路输出幅度大，集成 度高，抗干扰能力强。 1.74LS00 —四2输入与非门功能与引脚： 2. 74LS20 —双4输入与非门功能与引脚： 3. 74LS86 —四2输入异或门功能与引脚： 四、实验内容与步骤 1.74LS00功能测试： ①74LS00插入IC插座；②输入接逻辑电平开关；③输出接LED显示器；④接电源；⑤拔

动开关进行测试，结果记入自拟表格。 湖南工学院教案用纸

2. 74LS20功能测试: 实验过程与74LS00功能测试类似。 3. 74LS86功能测试： 实验过程与74LS00功能测试类似。 4. 用74LS00构成半加器并测试其功能： ①根据半加器功能：S A B , C AB，用74LS00设计一个半加器电路； ②根据所设计电路进行实验接线； ③电路输入接逻辑电平开关，输出接LED显示器； ④通电源测试半加器功能，结果记入自拟表格。 5. 用74LS86和74LS00构成半加器并测试其功能： 实验过程与以上半加器功能测试类似。 五、实验报告要求 1. 内容必须包括实验名称、目的要求、实验电路及设计步骤、实验结果记录与分析、实验总结与体会等。2?在报告中回答以下思考题： ①如何判断逻辑门电路功能是否正常？ ②如何处理与非门的多余输入端？ 实验2组合逻辑电路的设计与调试（设计性综合实验） 一、实验目的 1?熟悉编码器、译码器、数据选择器等MSI的功能与使用； 2?进一步掌握组合电路的设计与测试方法； 3?学会用MSI实现简单逻辑函数。 二、实验设备与器材

(完整版)模拟电子技术基础-知识点总结

模拟电子技术复习资料总结 第一章半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 *转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V 阳 >V 阴 ( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V 阳

数字电子技术基础教案

数字电子技术基础教案 太原工业学院 第1章逻辑代数基础

目的与要求： 熟练掌握基本逻辑运算和几种常用复合导出逻辑运算；熟练运用真值表、逻辑式、逻辑图来表示逻辑函数。 重点与难点： 重点：三种基本逻辑运算和几种导出逻辑运算；真值表、逻辑式、逻辑图之间的相互转换。难点：将真值表转换为逻辑式。 所谓数字电路，就是用0和1数字编码来表示和传输信息的系统，即信息数字化（时代）。 数字电路与传统的模拟电路比较，其突出的优点是：（如数字通 信系统）抗干扰能力强、保密性好、计算机自动控制、（数字测量 仪表）精度高、智能化、（集成电路）可靠性高、体积小等。 数字电子技术基础，是电子信息类各专业的主要技术基础课。 1、1概述 一、模拟量（时间、温度、压力、速度、流量）：时间上和幅值上 连续变化的物理量； 模拟信号（正弦交流信号）：表示模拟量的信号。 数字量：时间上和幅值上都不连续变化的物理量（工厂中生产的产品个数）； 数字信号、数字电路。 数字电路中的数字信号 采用0、1两种数值（便于实现）（位bit 、拍） 0、1表示方法：电位型：电位高低（不归零型数字信号） 脉冲型：有无脉冲（归零型数字信号） 二、数制及其转换 由0、1数值引入二进制及其相关问题。 常用数制：举例：十进制、二进制（双）、七进制（星期）、 十二进制（打）等。 特点：基数：数制中所用数码的个数； 位权。 1． 十进制数 基数：10 位权：n 10 表达式：10)(N =（P2 式1-1）=i n m i i a 101 ?∑--= （1-1） 推广到任意进制R ： 基数：R 位权：n R

表达式：R N )(=（P2 式1-2）=i n m i i R a ?∑--=1 （1-2） 2． 二进制数 表达式：2)(N =（P3 式1-3）=i n m i i a 21 ?∑--= （1-3） 位权：以K 为单位；按二进制思维（如1000个苹果问题）； 例如：（1101.01）2= 0-16对应的二进制数 特点：信息密度低，引入八、十六进制。 3． 八进制、十六进制 八进制： 基数：8（0-7） 位权：n 8 表达式：8)(N == i n m i i a 81?∑--= （ 1-4） 十六进制： 基数：16（0-9，A ，B ，C ，D ，E ，F ） 位权：n 16 表达式：16)(N ==i n m i i a 161?∑--= 特点：和二进制有简单对应关系；信息密度高，便于书写。 4． 不同进制数的转换 ⑴ R →十：按位权展开，再按十进制运算规则运算。 例1-1、1-2、1-3（P4） ⑵ 十→R ：分两步 整数部分：除R 取余，注意结束及结果； 小数部分：乘R 取整，注意精度及结果； 结果合并： ⑶ R=2k 进制之间的转换 二?八：3位?1位， 二?十六：4位?1位， 八?十六：以二进制为过度， 5． 进制的另一种表示方法： B （inary ）----二； H(exadecimal)----十六； D(ecimal)----十； O----八 三、二—十进制代码（BCD 代码）

模拟电子技术基础全套教案

《模拟电子技术基础》教案 1、本课程教学目的： 本课程是电气信息类专业的主要技术基础课。其目的与任务是使学生掌握常用半导体器件和典型集成运放的特性与参数，掌握基本放大、负反馈放大、集成运放应用等低频电子线路的组成、工作原理、性能特点、基本分析方法和工程计算方法；使学生具有一定的实践技能和应用能力；培养学生分析问题和解决问题的能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。 2、本课程教学要求： 1．掌握半导体器件的工作原理、外部特性、主要参数、等效电路、分析方法及应用原理。 2．掌握共射、共集、共基、差分、电流源、互补输出级六种基本电路的组成、工作原理、特点及分析，熟悉改进放大电路，理解多级放大电路的耦合方式及分析方法，理解场效应管放大电路的工作原理及分析方法，理解放大电路的频率特性概念及分析。 3．掌握反馈的基本概念和反馈类型的判断方法，理解负反馈对放大电路性能的影响，熟练掌握深度负反馈条件下闭环增益的近似估算，了解负反馈放大电路产生自激振荡的条件及其消除原则。 4．了解集成运算放大器的组成和典型电路，理解理想运放的概念，熟练掌握集成运放的线性和非线性应用原理及典型电路；掌握一般直流电源的组成，理解整流、滤波、稳压的工作原理，了解电路主要指标的估算。 3、使用的教材： 杨栓科编，《模拟电子技术基础》，高教出版社 主要参考书目： 康华光编，《电子技术基础》（模拟部分）第四版，高教出版社 童诗白编，《模拟电子技术基础》，高等教育出版社， 张凤言编，《电子电路基础》第二版，高教出版社， 谢嘉奎编，《电子线路》（线性部分）第四版，高教出版社，

陈大钦编，《模拟电子技术基础问答、例题、试题》，华中理工大学出版社，唐竞新编，《模拟电子技术基础解题指南》，清华大学出版社， 孙肖子编，《电子线路辅导》，西安电子科技大学出版社， 谢自美编，《电子线路设计、实验、测试》（二），华中理工大学出版社， 绪论 本章的教学目标和要求： 要求学生了解放大电路的基本知识；要求了解放大电路的分类及主要性能指标。 本章总体教学内容和学时安排：（采用多媒体教学） §1－1 电子系统与信号0.5 §1－2 放大电路的基本知识0.5 本章重点： 放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 本章教学方式：课堂讲授 本章课时安排： 1 本章的具体内容： 1节 介绍本课程目的，教学参考书，本课程的特点以及在学习中应该注意的事项和学习方法； 介绍放大电路的基本认识；放大电路的分类及主要性能指标。 重点: 放大电路的分类及主要性能指标。

专升本《模拟电子技术》考试答案

[ 试题分类 ]: 专升本《模拟电子技术》 _08001250 [ 题型 ]: 单选 [ 分数 ]:2 1. 理想的功率放大电路应工作于 ( ) 状态。 A. 丙类互补 B. 甲类互补 C. 乙类互补 D. 甲乙类互补 答案 :D 2. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 ( ) 。 A. 不易制作大阻值的电阻 B. 不易制作大容量电容 C. 放大交流信号 D .便于设计 答案 :B 3. 当有用信号的频率介于 1500Hz 与 2000Hz 之间时，应采用的最佳滤波电路是 ( ) A. 高通 B. 低通 C. 带阻 D. 带通 答案 :D B. P 区自由电子向 C. P 区自由电子向 D. N 区自由电子向 答案 :D 5. 用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的 ( ) A. 差模输入电阻增大 B .差模放大倍数数值增大 4.半导体中PN 结的形成主要是由于( )生产的 A. N 区自由电子向 P 区的漂移运动 N 区的漂移运动 N 区的扩散运动 P 区的扩散运动

C.差模输岀电阻增大 D .抑制共模信号能力增强 答案:D 6. NPN共射电路的Q点设置在接近于()处将产生顶部失真。 A. 放大区 B. 截止区 C. 击穿区 D. 饱和区 答案:B 7. 如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置, 则此管的工作状态为( ) 。 A. 饱和状态 B. 截止状态 C .微导通状态 D. 放大状态 答案:A 8. 差动放大电路的特点是抑制( ) 信号，放大( ) 信号。 A. 差模差模 B. 共模共模 C. 差模共模 D. 共模差模 答案:D 9. 稳压二极管的有效工作区是( ) 。 A. 反向截止区 B. 正向导通区 C. 反向击穿区 D. 死区 答案:C 10. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( ) 。 A. 晶体管参数受温度影响 B .晶体管参数的分散性 C.电阻阻值有误差

模拟电子技术教案课程

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模拟电子技术教案 电子与信息工程学院 目录 第一章常用半导体器件 第一讲半导体基础知识 第二讲半导体二极管 第三讲双极型晶体管三极管 第四讲场效应管 第二章基本放大电路 第五讲放大电路的主要性能指标及基本共射放大电路组成原理 第六讲放大电路的基本分析方法 第七讲放大电路静态工作点的稳定 第八讲共集放大电路和共基放大电路 第九讲场效应管放大电路 第十讲多级放大电路 第十一讲习题课 第三章放大电路的频率响应 第十二讲频率响应概念、RC电路频率响应及晶体管的高频等效模型

第十三讲共射放大电路的频率响应以及增益带宽积 第四章功率放大电路 第十四讲功率放大电路概述和互补功率放大电路 第十五讲改进型OCL电路 第五章模拟集成电路基础 第十六讲集成电路概述、电流源电路和有源负载放大电路第十七讲差动放大电路 第十八讲集成运算放大电路 第六章放大电路的反馈 第十九讲反馈的基本概念和判断方法及负反馈放大电路的方框图第二十讲深度负反馈放大电路放大倍数的估算 第二十一讲负反馈对放大电路的影响 第七章信号的运算和处理电路 第二十二讲运算电路概述和基本运算电路 第二十三讲模拟乘法器及其应用 第二十四讲有源滤波电路 第八章波形发生与信号转换电路 第二十五讲振荡电路概述和正弦波振荡电路 第二十六讲电压比较器

第二十七讲非正弦波发生电路 第二十八讲利用集成运放实现信号的转换 第九章直流电源 第二十九讲直流电源的概述及单相整流电路 第三十讲滤波电路和稳压管稳压电路 第三十一讲串联型稳压电路 第三十二讲总复习 第一章半导体基础知识 本章主要内容 本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义，工作状态或工作区的分析。 首先介绍构成PN结的半导体材料、PN结的形成及其特点。其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及应用举例。然后介绍两种三极管（BJT和FET）的结构原理、伏安特性、主要参数以及工作区的判断分析方法。 本章学时分配 本章分为4讲，每讲2学时。 第一讲常用半导体器件 本讲重点

模拟电子技术基础pdf

模拟电子技术基础模拟电子技术基础https://www.wendangku.net/doc/a413379704.html,简介1.电子技术的发展2.模拟信号和模拟电路3.电子信息系统的组成4.模拟电子技术的基础课程的特点5.如何学习本课程6.课程目的7.测试方法HCH atsin https://www.wendangku.net/doc/a413379704.html, 1，电子技术的发展，电子技术的发展，促进计算机技术的发展，使其“无处不在”，广泛用过的！广播和通信：发射机，接收机，公共地址，录音，程控交换机，电话，移动电话；网络：路由器，ATM交换机，收发器，调制解调器；行业：钢铁，石化，机械加工，数控机床；运输：飞机，火车，轮船，汽车；军事：雷达，电子导航；航空航天：卫星定位，监测医疗：伽马刀，CT，B超检查，微创手术；消费类电子产品：家用电器（空调，冰箱，电视，音响，摄像机，照相机，电子手表），电子玩具，各种警报器，安全系统HCH a https://www.wendangku.net/doc/a413379704.html,电子技术的发展在很大程度上反映了在组件开发中。1904年，1947年和1958年，从电子管到半导体管再到集成电路，集成电子管应运而生，晶体管得到了成功的开发。HCH atsin与电子管，晶体管和集成电路的比较https://www.wendangku.net/doc/a413379704.html,半导体组件的发展，贝尔实验室在1947年制造了第一个晶体管，在1958年制造了集成电路，在1969年制造了LSI，在1975年制造了第一

个集成电路四个晶体管，而1997年单个集成电路中有40亿个晶体管。一些科学家预测，集成度将提高10倍/ 6年，到2015或2020年达到饱和。学习电子技术课程应始终注意发展电子技术！hch a tsin https://www.wendangku.net/doc/a413379704.html,要记住的一些科学家！第一个晶体管的发明者（由贝尔实验室的John Bardeen，William schockley和Walter bradain发明）在1947年11月底发明了该晶体管，并于12月16日正式宣布了“晶体管”的诞生。他获得了诺贝尔物理学奖。1956年。1972年，他因超导研究而获得诺贝尔物理学奖。1958年9月12日，第一个集成电路及其发明者Ti的Jack Kilby在德州仪器公司的实验室中实现了将电子设备集成到半导体材料中的想法。42年后，他获得2000年诺贝尔物理学奖。“奠定了现代信息技术的基础”。

专升本《模拟电子技术》

一、单选（共20题,每题2分,共40分） 1.当半导体的温度升高后由于,以致其导电性能大幅度增强。() A.空穴数量增多 B.自由电子与空穴数量不变 C.自由电子与空穴同时增多，且数量相同 D.自由电子数量增多 2.如图所示，设二极管是理想二极管，该电路。() A.U AO＝-6V，D1反偏截止D2正偏导通 B.U AO＝-6V，D1正偏导通D2反偏截止 C.U AO＝-12V，D1正偏导通D2反偏截止 D.U AO＝-12V，D1反偏截止D2正偏导通 3.当稳压型二极管工作在其伏安特性的时,其用途与普通二极管相当。（） A.反向区 B.死区 C.正向导通区 D.反向击穿区 4.如图所示的电路，以下结论正确的是。（） A.电路能实现复合管的作用，且=1+2。 B.电路能实现复合管的作用，且=12 C.电路不能实现复合管的作用 D.电路能实现复合管的作用，且1=2 5.下列电路中有可能正常放大的是：。() A. B.

C. D. 6.图示的电路中，稳压管Dz1和Dz2的反向击穿电压分别为6V 和7V ，正向导通电压均为0.6V ，则输出电压为：。（） A.7V B.6.6V C.5.4V D.6V 7.硅锗晶体二极管至少要高于约的电压才能正常工作。() A.0.4V B.0.1V C.0.7V D.0.3V 8.共集电极放大电路的输出电压与输入电压的相位是:。() A.反相 B.不确定，需要通过实际计算才得到 C.同相 D.相差90 9.场效应管电流完全由组成，而晶体管的电流由组成。因此，场效应管电流受温度的影响比晶体管。（） A.多子--多子--差不多 B.多子--少子--大 C.少子--多子--小 D.多子--两种载流子--小 10.如图所示的静态工作点及其放大电路，当输入的正弦信号逐渐增加时，放大电路的工作情况是：。 （）

“模拟电子技术基础”课程教学大纲

“模拟电子技术基础”课程教学大纲 课程名称：模拟电子技术基础 教材信息：《模拟电子电路及技术基础（第三版）》，孙肖子主编 主讲教师：孙肖子（西安电子科技大学电子工程学院副教授） 学时：64学时 一、课程的教学目标与任务 通过本课程教学使学生在已具备线性电路分析的基础上，进一步学习包含有源器件的线性电路和线性分析、计算方法。使学生掌握晶体二极管、稳压管、晶体三极管、场效应管和集成运放等非线性有源器件的工作原理、特性、主要参数及其基本应用电路，掌握各种放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术，获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术其他相关领域中的内容，以及为电子技术在实际中的应用打下基础。 二、课程具体内容及基本要求 （一）、电子技术的发展与模电课的学习MAP图（2学时） 介绍模拟信号特点和模拟电路用途，电子技术发展简史，本课程主要教学内容，四种放大器模型的结构、特点、用途及增益、输入电阻、输出电阻等主要性能指标，频率特性和反馈的基本概念。 1.基本要求 （1）了解电子技术的发展，本课程主要教学内容，模拟信号特点和模拟电路用途。 （2）熟悉放大器模型和主要性能指标。

（3）了解反馈基本概念和反馈分类。 （二）、集成运算放大器的线性应用基础（8学时） 主要介绍各种理想集成运算应用电路的分析、计算，包括同/反相比例放大、同/反相相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路和有源滤波等电路的分析、计算，简单介绍集成运放的实际非理想特性对应用电路的影响及实践应用中器件选择的依据和方法。 1.基本要求 （1）了解集成运算放大器的符号、模型、理想运放条件和电压传输特性。 （2）熟悉在理想集成运放条件下，对电路引入深反馈对电路性能的影响，掌握“虚短”、“虚断”和“虚地”概念。 （3）掌握比例放大、相加、相减、积/微分、V-I和I-V变换电路的分析、计算。 （4）了解二阶有源RC低通、高通、带通、带阻和全通滤波器的传递函数、幅频特性及零极点分布，能正确判断电路的滤波特性。 （5）熟悉集成运算放大器的主要技术指标的含义，了解实际集成运放电路的非理想特性对实际应用的限制。 2.重点、难点 重点：各种集成运放应用电路的分析、计算和设计。 难点：有源滤波器的分析、计算和集成运放非理想特性对实际应用的影响，。 （三）、电压比较器、弛张振荡器及模拟开关（4学时） 主要介绍简单比较器、迟滞比较器和弛张振荡器的电路构成、特点、用途、传输特性及主要参数的分析、计算，简单介绍单片集成电压比较器和模拟开关的特点、主要参数和基本应用。

专升本《模拟电子技术》-试卷复习资料

专升本《模拟电子技术》 一、（共61题,共150分） 1. 当PN给外加正向电压时，扩散电流漂移电流。此时耗尽层 ( )。（2分） A.大于变宽。 B.小于变窄。 C.等于不变。 D.大于变窄。 .标准答案：D 2. 场效应管电流完全由组成，而晶体管的电流由组成。因此，场效应管电流受温度的影响比晶体管（）。（2分） A.多子少子大。 B.多子两种载流子小。 C.少子多子小。 D.多子多子差不多。 .标准答案：B 3. 图示的共射极放大电路不能对交流信号放大的根本原因是:（）。 （2分） A.交流信号不能输入。 B.没有交流信号输出。 C.没有合适的静态工作点。 D.发射结和集电结的偏置不正确。 .标准答案：B 4. 当某电路要求输出信号的频率不高于420Hz，可采用（）的方式实现。（2分） A.高通滤波器 B.带阻滤波器 C.带通滤波器 D.低通滤波器 .标准答案：D 5. NPN型和PNP型晶体管的区别是 ( )。（2分） A.由两种不同材料的硅和锗制成。 B.掺入的杂质元素不同。 C.P区和N区的位置不同。 D.载流子的浓度不同。 .标准答案：C 6. 某NPN 型硅管，当其工作在放大状态时，电路中的三个电极电位应为下列哪组数据？（）（2分） A.U 1=3.5V，U 2 =2.8V， U 3 =12V。 B.U 1 =3V，U 2 =2.8V， U 3 =12V。 C.U 1 =6V，U 2 =11.3V，U 3 =12V。 D.U 1 =6V，U 2 =11.8V，U 3 =12V。 .标准答案：A 7. 图示的电路中，稳压管的反向击穿电压分别为6V和7V，正向导通电压均为 0.6V，则输出电压为：（）。（2分） A.6V B.7V C.6.6V D.5.4V .标准答案：D 8. 如图所示的静态工作点及其放大电路，当输入的正弦信号逐渐增加时，放大电路的工作情 况是：（）。（2分） A.先出现截止失真，为避免上述现象的发生，应减小偏置电阻R b 。 B.先出现截止失真，为避免上述现象的发生，应增大偏置电阻R b 。 C.先出现饱和失真，为避免上述现象的发生，应减小偏置电阻R b 。 D.先出现饱和失真，为避免上述现象的发生，应增大偏置电阻R b 。 .标准答案：A 9. 下列电路中能正常放大的是：( )。（2分） A. B.

数字电路课程教案

课时授课计划 - 1 课号：1 (共8学时理论6学时实验0学时习题2学时) 课题：第1章绪论 1.1 概述 1.2 数制和码制 目的与要求： 了解本门课程的基本内容； 了解数字电路的特点及应用、分类及学习方法； 掌握二、八、十、十六进制的表示方法及相互转换； 知道8421BCD码、余三码、格雷码的意义及表示方法。 重点与难点： 重点：数制与码制的表示方法； 难点：二、八、十六进制的转换。 教具： 课堂讨论： 离散信号； 二、十、八、十六进制的特点及表示方法； 码的作用； 8421BCD码的特点及应用。 现代教学方法与手段： 数字电路网络课程 PowerPoint 复习（提问）： 什么是模拟信号模拟电路； 什么是二进制代码。 授课班次： 课时分配：

提纲 第1章绪论 1.1 概述 1 . 1 . 1 数字信号和数字电路 1、数字信号与模似信号 2、模拟电路与数字电路 1 . 1 . 2 数字电路的分类 1、按电路类型分类 2、按集成度分类 3、按半导体的导电类型分类 1 . 1 . 3 数字电路的优点 1、易集成化 2、抗干扰能力强，可靠性高 3、便于长期存贮 4、通用性强，成本低，系列多 5、保密性好 1 .1 .4 脉冲波形的主要参数 1．脉冲幅度Um 2．脉冲上升时间 3．脉冲下降时间 4．脉冲宽度 5．脉冲周期 6．脉冲频率 7．占空比q 1.2 数制和码制 1 . 2 . 1 数制 一、十进制 二、二进制 三、八进制和十六进制 1 . 2 .2 不同数制间的转换 一、各种数制转换成十进制 二、十进制转换为二进制 三、二进制与八进制、十六进制间相互转换 1 . 2 . 3 二进制代码 一、二-十进制代码 8421码、5421码和余3码 二、可靠性代码 1．格雷码 2．奇偶校验码 作业：

专升本电子技术基础试卷A教程文件

专升本电子技术基础 试卷A

电子技术基础 注意事项： 1. 请考生按要求在试卷装订线内填写姓名、准考证号、身份证号和报考专业。 2. 请仔细阅读各种题目的回答要求，在规定的位置填写答案。 3. 不要在试卷上乱写乱画，不要在装订线内填写无关的内容。 4. 满分150分，考试时间为150分钟。 一、选择题（共44分，每小题2分）请选择正确答案填 入相应的横线空白处。选错、不选均无分。 1. 本征半导体是指________的半导体。 A. 化学成分纯净 B. 化学成分参杂三价元素 C. 化学成分参杂五价元素 D. 以上都是 2. N型半导体中是多数载流子，是少数载流子，但半导体呈中性。 A．少数空穴； B.电子 C. 空穴 D.多数电子 3．场效应晶体管是用______控制漏极电流的。 A．栅极电流 B. 栅漏电压 C. 漏源电压 D. 栅源电压 4．对于一个理想二极管，当施加正向电压时，其内部PN结的耗尽层变。 A．变宽 B. 变窄 C.不变 D. 消失 5．三极管处于放大状态的条件是。

A. 发射极反偏,集电极正偏 B. 发射区杂质浓度小 C. 基区宽，杂质浓度低。 D. 发射极正偏,集电极反偏 6．场效应管是。 A. 栅控器件 B. 电流控制器件 C. 电压控制器件 D.源控器件 7. 电流源电路的特点是。 A. 直流电阻大，交流电阻小 B. 直流电阻小，交流电阻大 C. 直流电阻小，交流电阻小 D. 直流电阻大，交流电阻大 8. 处于平衡态的PN结内的载流子。 A 不运动 B 匀速运动 C 无规则运动 D 加速运动 9. 以下哪一种耦合方式经常用在集成运算放大电路中。 A阻容耦合 B直接耦合 C 变压器耦合 D 混合耦合 10. 集成运算放大电路输入级一般采用。 A、差分放大电路 B、共射电路 C、互补对称电路 D、共基极电路 11. 差模信号是指在两个输入端加上的信号。 A. 幅度相等，极性相反 B. 幅度相等，极性相同 C. 幅度不等，极性相反 D. 幅度不等，极性相同 12. 对于增强型MOS管当中的N型管，其特点是。 A.VGS＞0 VDS＞0开启电压VT＜0 B. VGS＞0 VDS＜0开启电压VT＞0

《模拟电子技术基础》教学大纲

《模拟电子技术基础》教学大纲 二、课程内容 （一）课程教学目标 本课程是电类各专业在电子技术方面入门性质的技术基础课，是一门实践性极强的课程。 本课程以分立元件的基本放大电路为基础，以集成电路为主体，通过课堂讲授使学生理解各种基本电路的组成、基本工作原理和基本分析方法及应用；通过课程实验、课程设计等实践环节使学生加深对基本概念的理解，掌握基本电路的设计与调试方法，便学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能，培养学生分析和解决问题的能力。（二）基本教学内容 第一章、绪论 教学目的与要求： 了解课程性质、特点、学习方法。了解电子技术的发展及应用。掌握放大电路的模型和 主要性能指标。 教学重点：

放大电路的模型，放大电路的主要性能指标及应用考虑。 教学难点： 放大电路的主要性能指标及应用考虑。 教学内容： 简单介绍本课程的性质、课程特点、课程学习方法等。对电子技术的发展状况作简要介绍，引发学生对本课程学习的积极性。 对放大电路的模型、性能指标及应用做概要介绍。 对教材中第一章内容可不作详细讲解，待讲到相关内容时再作简要讲解。 第二章、集成电路运算放大器 教学目的与要求： 了解集成运放的主要结构，掌握理想运放的模型、特点及利用“虚短”和“虚断”分析理想放大器构成的应用电路。熟练掌握集成运放构成的典型应用电路，包括同相放大、反相放大、加法、减法、微分、积分运算电路和仪用放大器。通过自学和上机环节掌握模拟电路计算机仿真软件－PSPICE。 教学重点： 理想运算放大器的模型、特性。运算放大器构成的典型应用电路。 教学难点： 对理想放大器的理解，“虚短”和“虚断”的理解和正确运用。 教学内容： (1)集成电路运算放大器 了解集成动算放大器的内部构成、集成运算放大器的传输特性。 (2)理想运算放大器 正确理解理想放大器条件下，放大器的电路参数及其物理意义。

专升本《模拟电子技术》_试卷_答案

专升本《模拟电子技术》 一、（共48题,共150分） 1.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是()。（2分） A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.晶体管结电容不确定性 标准答案：C 2.稳压二极管的有效工作区是()。（2分） A.正向导通区 B.反向击穿区 C.反向截止区 D.死区 标准答案：B 3.如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为()。（2分） A.放大状态 B.微导通状 态 C.截止状态 D.饱和状态 标准答案：D 4.集成放大电路采用直接耦合方式的原因 是()。（2分）A.便于设计 B.放大交流信号 C.不易制作大容量电容 D.不易制作大阻值的电阻 标准答案：C 5.用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻，将使单端电路的()。（2分） A.抑制共模信号能力增强 B.差模放大倍数数值增大 C.差模输入电阻增 大 D.差模输出电阻增大 标准答案：A 6.半导体中PN结的形成主要是由于（）生产 的。（2分） A.N区自由电子向P区的扩散运 动 B.N区自由电子向P区的漂移运 动 C.P区自由电子向N区的扩散运 动 D.P区自由电子向N区的漂移运 动 标准答案：A 7.理想的功率放大电路应工作于()状态。（2分） A.甲类互补 B.乙类互补 C.甲乙类互补 D.丙类互补 标准答案：C 8.NPN共射电路的Q点设置在接近于()处将产生顶部失真。（2分） A.截止区 B.饱和区 C.击穿区 D.放大区 标准答案：A 9.当有用信号的频率介于1500Hz与2000Hz之间时，应采用的最佳滤波电路是()。（2分） A.低通 B.高通 C.带通 D.带阻 标准答案：C 10.差动放大电路的特点是抑制()信号，放大()信号。（2分） A.共模共模 B.共模差模 C.差模差模 D.差模共模 标准答案：B 11 . 利用两只NPN型管构成的复合管只能等效 为NPN型管。（2分）() 标准答案：正确 12 . 未加外部电压 时，PN结中电流从P区流向N区。（2分）() 标准答案：错误 13 . 集成运放在开环情况下一定工作在非线性 区。（2分）( ) 标准答案：正确 14 . 只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振 荡。（2分）( ) 标准答案：错误 15 . 直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电 路。（2分）( ) 标准答案：正确 16 . 电路如图(a)所示，图(b)是晶体管的输出特性，静态时。利用图解法分别求出和 时的静态工作点和最大不失真输出电 压（有效值）。 (a)(b)（20分） 标准答案：空载时: ； 最大不失真输出电压峰值约 为 5.3V，有效值约为 3.75 V 。 带载时: ； 最大不失真输出电压峰值约 为 2.3V，有效值约为 1.63 V 。如图所 示。 17.稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在_______状态。（2分） A.正偏 B.反偏 C.大于 D.小于 标准答案：B 18.用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别______。（2分） A.（B、C、E） B.（C、B、E） 专业资料整理

电子教案-《模拟电子技术》(冯泽虎)教学课件知识点5：分压偏置共射极放大电路-电子教案 电子课件

《电工电子技术》课程电子教案 教师：宋静序号：05

知识引导 图7-22 温度对静态点的影响 2.基极分压式偏置电路 具有稳定工作点功能的典型分压式偏置电路如图 7-23所示。 a)电路原理图 b)直流通路图 图7-23压式偏置放大电路 1）稳定静态工作点的原理 温度的变化会导致三极管的性能发生变化，致使放 大器的工作点发生变化，影响放大器的正常工作。如图 7-23 所示电路中是通过增加下偏置电阻和射极电阻来 改善直流工作点的稳定性的，其工作原理如下： （1）利用R B1和R B2的分压作用固定基极电压U B。 由图 7-23可知，当R B1、R B2选择适当，满足I2远 大于I B时，则有 PPT、动画演 示、图片

知识引导 中R B1、R B2和U CC都是固定的，不随温度变化，所以基极电位基本上为一定值。 （2）通过I E的负反馈作用，限制I C的改变，使工作点保持稳定。具体稳定过程如下： 从上述稳定过程可以看出,R E愈大,则在R E上产生的压降愈大,对I C变化的抑制能力愈强,电路稳定性愈好。 2）动态分析 首先画出7-23所示的射极偏置电路的微变等效电路如图7-24 a)交流通路图 b) )微变等效电路 图7-24分压式偏置电路交流通路图及微变等效电路 CC B B B B U R R R U 2 1 2 + = E BEQ B E CQ R U U I I - = ≈ ) ( E C C CC CEQ R R I U U+ - =β/ CQ BQ I I=

1. 求电压放大倍数Au 与单偏置共射极放大电路的公式一样. 2.求输入电阻 3.求输出 教学步骤教学内容学生活动时间分配操作训练 仿真练习分压式偏置共射放大电路的静态值及电压 放大倍数 仿真验证：运行Multisim9.0软件制作仿真电路，如图 7-25所示，启动仿真，所得静态值为：I BQ＝ 10.223uA,I CQ=1.398mA,U EQ=2.535V。由测量值可算出 三极管的放大倍数约为140。从示波器上可得输入与 输出电压波形，如图所示。输入电压的幅值约为l0mv， 输出电压的幅值约为 2.15V，并且两者相位相反，电 压放大倍数约为215 Multisim9.0 仿真软件的 使用 5 be ' L i o r R U U A u β - = =& & & be b2 b1 i r R R R∥ ∥ = c o R R=