多晶硅级别

多晶硅级别

太阳能级别的多晶硅polycrystalline silicon

性质：灰色金属光泽。块壮的.密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃. P 型的达到6N 以上.是高纯度的,可达到99.99999% 。进口的每吨160万元.

中国太阳能级多晶硅等级标准

项目（一）太阳能级多晶硅等级指标（一）

1级品2级品3级品

基磷电阻率，Ωcm ≥100 ≥40 ≥20

基硼电阻率，Ωcm ≥500 ≥200 ≥100

少数载流子寿命，μs ≥100 ≥50 ≥30

氧浓度，atoms/cm3 ≤1.0×1017 ≤1.0×1017 ≤1.5×1017

碳浓度，atoms/cm3 ≤2.5×1016 ≤4.0×1016 ≤4.5×1016

项目（二）太阳能级多晶硅等级指标（二）

1级品2级品3级品

施主杂质浓度ppba ≤1.5 ≤5.4 ≤50.4 受主杂质浓度ppba ≤0.5 ≤2.7 ≤27

基体金属杂质，ppmw Fe、Cr、Ni、Cu、Zn

TMI(Total metal impurities)总金属杂质含量：≤0.05 Fe、Cr、Ni、Cu、Zn

TMI(Total metal impurities)总金属杂质含量：≤0.1 Fe、Cr、Ni、Cu、Zn

TMI(Total metal impurities)总金属杂质含量：≤0.2

注：

1，基体金属杂质检测可采用二次离子质谱、等离子体质谱和中子活化分析，由供需双方协商解决。

2，每个等级的产品应该同时满足本等级的要求，若某项超出指标，则降为下一级。

3, 3级品主要应用于多晶硅锭的生产

单晶硅与多晶硅的应用和区别

1单晶硅与多晶硅的应用和区别 多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。 在太阳能利用上，单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。虽然从目前来讲，要使太阳能发电具有较大的市场，被广大的消费者接受，就必须提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本。从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。 从工业化发展来看，重心已由单晶向多晶方向发展，主要原因为；[1]可供应太阳电池的头尾料愈来愈少；[2] 对太阳电池来讲，方形基片更合算，通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料；[3]多晶硅的生产工艺不断取得进展，全自动浇铸炉每生产周期（50小时）可生产200公斤以上的硅锭，晶粒的尺寸达到厘米级；[4]由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快，其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产，例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极，采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米，高度达到15微米以上，快速热退火技术用于多晶硅的生产可大大缩短工艺时间，单片热工序时间可在一分钟之内完成，采用该工艺在100平方厘米的多晶硅片上作出的电池转换效率超过14％。据报道，目前在50～60微米多晶硅衬底上制作的电池效率超过16％。利用机械刻槽、丝网印刷技术在100平方厘米多晶上效率超过17％，无机械刻槽在同样面积上效率达到16％，采用埋栅结构，机械刻槽在130平方厘米的多晶上电池效率达到15.8％。 多晶硅与单晶硅的差别 请问多晶硅与单晶硅的差别是什么?国内有那些厂家在生产这两种产品? 多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。 一、国际多晶硅产业概况 当前，晶体硅材料是最主要的光伏材料，其市场占有率在90％以上,而且在今后相当长的一段时期也依然是太阳能电池的主流材料。

(完整版)@国内外光伏发电发展现状及前景

国内外光伏发电发展现状及前景 《邓州市鑫园光伏电力开发有限公司》与国内知名专家对世界光伏产业现状及发展趋势的调查： 自1839年发现“光生伏打效应”和1954年第一块实用的光伏电池问世以来，太阳能光伏发电取得了长足的进步，但是它的发展仍然比计算机和光纤通讯要慢得多。1973年的石油危机和20世纪90年代的环境污染问题大大促进了太阳能光伏发电的发展。随着人们对能源和环境问题认识的不断提高，光伏发电越来越受到各国政府的重视，科研投入不断加大，鼓励和支持光伏产业发展的政策也不断出台。以1997年美国总统克林顿的“百万太阳能光伏屋顶计划”为标志，日本还有欧洲的德国、丹麦、意大利、英国、西班牙等国也纷纷开始制定本国的可再生能源法案，刺激了光伏产业的高速发展。 2000年以来，全球光伏产业连续6年以30%~~60%以上的速度增长，2002年全球光伏电池产量为560MW/a，到2003年已高达750MW/a,增长了34%。2004年开始，德国对可再生能源法进行了修订，新的补贴法案促成了德国光伏市场随后的爆发，随之而来的是发达国家间新一轮的政策热潮和全球光伏市场的更高速膨胀。2004年世界光伏电池年产量达到1256MW，年增长率高达68%，2005年产量达1818MW，增长率仍有45%（图1-2），2006年，美国加州州长施瓦辛格提出了要在加州实施“百万个太阳能屋顶计划”，在未来10

年内建设3000MW光伏发电系统的提案，这象征着美国光伏政策的新纪元的到来。正是由于欧洲、日本和美国强有力的政策推动，全球太阳能光伏发电系统市场才呈现出今天欣欣向荣的景象，太阳能光伏发电的前景无限光明（图1--3~~图1--7）。

2020年高纯多晶硅企业发展战略规划

2020年高纯多晶硅企业发展战略规划 2020年9月

目录 一、战略规划目标 (3) 二、采取的措施及实施效果 (3) 1、持续进行研发投入，掌握产品核心技术 (3) 2、持续扩充产能，提升公司市场份额 (4) 3、坚持产品质量为本，不断提升服务水平 (5) 4、完善内部管理结构，提高管理水平 (5) 三、未来实施规划 (5) 1、产品技术规划 (5) 2、人力资源规划 (6) 3、供应链实施计划 (6) 4、市场发展规划 (7) 5、业务发展与资金筹措规划 (7)

一、战略规划目标 公司将持续聚焦于太阳能光伏多晶硅产业，巩固现有的技术和成本优势，继续在产品质量上保持领先，扩大生产规模，为全球光伏产业提供高质量多晶硅，推动光伏平价上网，将太阳能光伏打造成可持续、最清洁和最经济的能源之一，为解决全球能源和环境问题贡献大全智慧和大全方案。在此基础上，公司将凭借行业领先的多晶硅研发和技术优势，全力实现在半导体高纯多晶硅领域内的突破，强化核心竞争力，开拓新的业务增长点，提升盈利能力，为中国半导体行业多晶硅原材料的自主可控做出贡献。 二、采取的措施及实施效果 近几年，公司为实现战略目标已采取的措施包括持续加大技术研发投入、持续扩充产能、提升质量管控、完善内部管理结构，有效地提高了公司核心竞争力和市场地位。 1、持续进行研发投入，掌握产品核心技术 公司不断加大研发投入，研发支出呈快速增长趋势。公司在加强自身研发实力的同时，重视与技术咨询机构、高校及科研院所的合作，积极借助外部研发机构的力量，努力提升公司整体的技术水平。 通过持续的自主研发并辅以外部引进并吸收升级的技术，公司已经掌握了一系列具有竞争力的核心技术，包括精馏耦合技术、四氯化

多晶硅项目申报材料

多晶硅项目 申报材料 规划设计/投资分析/产业运营

摘要说明— 晶硅作为光伏产业链上游环节，不同于硅片、电池、组件环节的物理性工艺，多晶硅生产为化工提纯工艺。从技术来看，多晶硅为产业链四大主环节中技术难度最高的环节。 该多晶硅项目计划总投资12432.00万元，其中：固定资产投资10343.02万元，占项目总投资的83.20%；流动资金2088.98万元，占项目总投资的16.80%。 达产年营业收入20235.00万元，总成本费用15629.71万元，税金及附加242.12万元，利润总额4605.29万元，利税总额5482.62万元，税后净利润3453.97万元，达产年纳税总额2028.65万元；达产年投资利润率37.04%，投资利税率44.10%，投资回报率27.78%，全部投资回收期5.10年，提供就业职位331个。 报告内容：项目概况、项目背景及必要性、项目市场分析、建设规划方案、项目建设地研究、土建方案说明、工艺原则、项目环境保护分析、项目安全卫生、项目风险性分析、节能、实施进度计划、投资计划方案、项目经济效益、总结及建议等。 规划设计/投资分析/产业运营

多晶硅项目申报材料目录 第一章项目概况 第二章项目背景及必要性第三章建设规划方案 第四章项目建设地研究 第五章土建方案说明 第六章工艺原则 第七章项目环境保护分析第八章项目安全卫生 第九章项目风险性分析 第十章节能 第十一章实施进度计划 第十二章投资计划方案 第十三章项目经济效益 第十四章招标方案 第十五章总结及建议

第一章项目概况 一、项目承办单位基本情况 （一）公司名称 xxx实业发展公司 （二）公司简介 公司在发展中始终坚持以创新为源动力，不断投入巨资引入先进研发设备，更新思想观念，依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势，不断加大新产品的研发力度，以实现公司的永续经营和品牌发展。 公司生产的项目产品系列产品，各项技术指标已经达到国内同类产品的领先水平，可广泛应用于国民经济相关的各个领域，产品受到了广大用户的一致好评；公司设备先进，技术实力雄厚，拥有一批多年从事项目产品研制、开发、制造、管理、销售的人才团队，企业管理人员经验丰富，其知识、年龄结构合理，具备配合高端制造研发新品的能力，保障了企业的可持续发展；在原料供应链及产品销售渠道方面，已经与主要原材料供应商及主要目标客户达成战略合作意向，在工艺设计和生产布局以及设备选型方面采用了系统优化设计，充分考虑了自动化生产、智能化节电、节水和互联网技术的应用，产品远销全国二十余个省、市、自治区，并部分出口东南亚、欧洲各国，深受广大客户的欢迎。公司致力于创新求发展，近年来不断加大研发投入，建立企业技术研发中心，并与国内多所大专院

国内外太阳能技术现状及其发展

国内外太阳能技术现状与发展情况 摘要：简析太阳能技术原理，太阳能发电技术分类及发展状况。展现太阳能技术在当今世界发挥的巨大作用及其地位，通过对各种相关技术的介绍分析了解不同发电技术的应用情况及优缺点。 关键词：太阳能太阳能发电技术热发电光伏发电热存储 1.太阳能技术 1.1太阳能简介 太阳能（Solar Energy），一般是指太阳光的辐射能量，在现代一般用作发电。自地球形成生物就主要以太阳提供的热和光生存，而自古人类也懂得以阳光晒干物件，并作为保存食物的方法，如制盐和晒咸鱼等。但在化石燃料减少下，才有意把太阳能进一步发展。太阳能的利用有被动式利用（光热转换）和光电转换两种方式。太阳能发电一种新兴的可再生能源。广义上的太阳能是地球上许多能量的来源，如风能，化学能，水的势能等等。 1.2太阳能发电技术分类 目前。应用的主要太阳能发电技术分类如表1所示。其中，非聚光类太阳能热发电技术有太阳池热发电、太阳能热气流发电等；聚光类太阳能热发电技术有塔式太阳能热发电、槽式太阳能热发电、碟式太一12一阳能热发电。较为成熟的太阳能发电技术是太阳能光伏发电和太阳能热发电。太阳能热发电技术通过聚光产生高温进而发电。效率较高，更具应用前景。尽管世界各国研究太阳能热发电技术已有多年。但目前只有槽式太阳能热发电站实现了商业化示范运行。而塔式、碟式发电系统仍处于示范阶段。 2.国内外太阳能技术现状

2.1太阳能热发电 太阳热发电是一种很有发展前景的太阳能利用技术。它是将太阳能集光、集热产生高温驱动热机发电的系统。目前世界上已建成9 座大型太阳热电站, 总装机容全30 兆瓦, 主要在美国。收集太阳光提供热能的方法主要有中央接收器、抛物面反射器和抛物面聚焦收集器三种。中央接收器是将地面反射镜聚集到的阳光聚焦到中央接收器上。这种方法在七十年代被人们认为是最有发展前途的。但由于存在中央接收器必须在高温下操作, 体积过大等间题, 使它的前途一度变得暗淡。但专家们认为这种系统容易适应高温热贮存, 它比蓄电池或其他非热贮存有更大的经济潜力, 并且指出, 带有热贮存的中央接收器太阳热发电系统可与化石燃料系统相竞争。抛物面反射器和中央接收器一样, 是用一台反射镜将太阳光聚焦在一台集热器上, 不同之处是每一反射镜加热它自身的集热器。大多数抛物面反射系统都是利用流体传热, 同样也存在接收器的间题。为了解决这些间题, 人们正在恢复外樵机, 其中以“斯特林循环”发电系统效率最佳。这种系统保留了光伏电池的许多优点, 易于安装, 无污染。无论大小型装置效率都很高, 是一种有发展前途的系统。抛物面引聚焦收集器是呈抛物面状的聚焦槽, 它是将太阳光聚焦在槽中央沿槽长方向卧置的管子上, 流体通过管子时被加热, 变成蒸汽或热液体, 从管子另一端出来、可用来驱动涡轮机或其他机械。这种槽设计简单, 只须增减槽的数量, 便能产生较大或较小的电量, 在较低温度下也能顺利运行。专家们预测, 这种技术在今后50 年内将在太阳能市场上占主导地位。此外，我国还与美国合作设计并试制成功功率为5kW的碟式太阳能发电装置样机。并在2005年与以色列合作。在江苏省南京市建成了第一座功率为75kw的太阳能塔式热发电示范电站。并成功运行发电。太阳能热发电具有巨大的潜力，因此对于太阳能热发电未来的发展。应着眼于市场应用的开发。使太阳能热发电真正溶人到我们的生活当中。 2.2太阳能光伏发电 2.2.1太阳能光伏发电系统的组成太阳能光伏发电系统由太阳能光伏电池组、太阳能控制器、蓄电池(组)组成。如输出电源为交流220V或llov，还需要配置逆变器。太阳能光伏电池板是太阳能光伏发电系统中的棱心部分。也是太阳能光伏发电系统中价值最高的部分。其作用是将太阳的辐射能转换为电能。或送往蓄电池中存储起来。或推动负载工作。太阳能光伏电池板的质量和成本将直接决定整个系统的质量和成本。太阳能控制器控制着整个系统的工作状态。并对蓄电池起到过充电保护、过放电保护的作用。在温差较大的地方，合格的控制器还应具备温度补偿的功能。蓄电池一般为铅酸电池，小微型系统中。也可用镍氢电池、镍镉电池或锂电池。其作用是在有光照时将太阳能电池板所发出的电能储存起来，到需要的时候再释放出来。 2.2.2太阳能光伏电池的原理太阳能电池内部存在P—N结。当P—N结处于平衡状态时，在P—N结处形成耗尽层。存在由N区到P区的势垒电场。当太阳光入射的能量大于硅禁带宽度的时候，射人电池内部的太阳光子。把电子从价带激发到导带，产生一个电子一空穴对。电子一空穴对随即被势垒电场分离，电子和空穴被分别推向N区和P区。并向P—N结交接面处扩散，当到达势垒电场边界时。受势垒电场的作用，电子留在N区，空穴留在P区，形成内建电场。而由于内建电场的作用。N区中的空穴和P区中的。电子被分别推向对方区域。使N区积累了过剩的电子。P区积累了过剩的空穴。即在P_N结两侧形成了与势垒电场方向相反的光生电动势。当接人负载后，就会产生电流流出。

多晶硅的基础知识

多晶硅的基础知识 重要的半导体材料，化学元素符号Si，[wiki]电子[/wiki]工业上使用的硅应具有高纯度和优良的电学和[wiki]机械[/wiki]等性能。硅是产量最大、应用最广的半导体材料，它的产量和用量标志着一个国家的电子工业水平。 在研究和生产中，硅材料与硅器件相互促进。在第二次世界大战中，开始用硅制作雷达的高频晶体检波器。所用的硅纯度很低又非单晶体。1950年制出第一只硅晶体管，提高了人们制备优质硅单晶的兴趣。1952年用直拉法(CZ)培育硅单晶成功。1953年又研究出无坩埚区域熔化法(FZ)，既可进行物理提纯又能拉制单晶。1955年开始采用锌还原四氯化硅法生产纯硅，但不能满足制造晶体管的要求。1956年研究成功[wiki]氢[/wiki]还原三氯氢硅法。对硅中微量杂质又经过一段时间的探索后，氢还原三氯氢硅法成为一种主要的方法。到1960年，用这种方法进行工业生产已具规模。硅整流器与硅闸流管的问世促使硅材料的生产一跃而居半导体材料的首位。60年代硅外延生长单晶技术和硅平面工艺的出现，不但使硅晶体管制造技术趋于成熟，而且促使集成电路迅速发展。80年代初全世界多晶硅产量已达2500吨。硅还是有前途的太阳电池材料之一。用多晶硅制造太阳电池的技术已经成熟；无定形非晶硅膜的研究进展迅速；非晶硅太阳电池开始进入市场。 化学成分硅是元素半导体。电活性杂质磷和硼在合格半导体和多晶硅中应分别低于0.4ppb和0.1ppb。拉制单晶时要掺入一定量的电活性杂质，以获得所要求的导电类型和电阻率。重金属铜、金、铁等和非金属碳都是极有害的杂质，它们的存在会使PN结性能变坏。硅中碳含量较高，低于1ppm者可认为是低碳单晶。碳含量超过3ppm时其有害作用已较显著。硅中氧含量甚高。氧的存在有益也有害。直拉硅单晶氧含量在5～40ppm范围内；区熔硅单晶氧含量可低于1ppm硅的性质硅具有优良的半导体电学性质。禁带宽度适中，为1.21电子伏。载流子迁移率较高，电子迁移率为1350厘米2/伏?秒，空穴迁移率为480厘米2/伏?秒。本征电阻率在室温(300K)下高达2.3×105欧?厘米,掺杂后电阻率可控制在104～10-4 欧?厘米的宽广范围内，能满足制造各种器件的需要。硅单晶的非平衡少数载流子寿命较长,在几十微秒至1毫秒之间。热导率较大。化学性质稳定，又易于形成稳定的热氧化膜。在平面型硅器件制造中可以用氧化膜实现PN结表面钝化和保护，还可以形成金属-氧化物-半导体结构,制造MOS场效应晶体管和集成电路。上述性质使PN结具有良好特性，使硅器件具有耐高压、反向漏电流小、效率高、使用寿命长、可靠性好、热传导好，并能在200高温下运行等优点。 硅单晶的主要技术参数硅单晶主要技术参数有导电类型、电阻率与均匀度、非平衡载流子寿命、晶向与晶向偏离度、晶体缺陷等。 导电类型导电类型由掺入的施主或受主杂质决定。P型单晶多掺硼，N型单晶多掺磷,外延片衬底用N型单晶掺锑或砷。 电阻率与均匀度拉制单晶时掺入一定杂质以控制单晶的电阻率。由于杂质分布不匀，电阻率也不均匀。电阻率均匀性包括纵向电阻率均匀度、断面电阻率均匀度和微区电阻率均匀度。它直接影响器件参数的一致性和成品率。 非平衡载流子寿命光照或电注入产生的附加电子和空穴瞬即复合而消失，它们平均存在的时间称为非平衡载流子的寿命。非平衡载流子寿命同器件放大倍数、反向电流和开关特性等均有关系。寿命值又间接地反映硅单晶的纯度，存在重金属杂质会使寿命值大大降低。 晶向与晶向偏离度常用的单晶晶向多为(111)和(100)（见图）。晶体的轴与晶体方向不吻合时，其偏离的角度称为晶向偏离度。 晶体缺陷生产电子器件用的硅单晶除对位错密度有一定限制外，不允许有小角度晶界、位错排、星形结构等缺陷存在。位错密度低于200/厘米2者称为无位错单晶，无位错硅单晶占产量的大多数。在无位错硅单晶中还存在杂质原子、空位团、自间隙原子团、氧碳

中国多晶硅行业发展现状分析

３３２ 二 ○一二年第二十三期 华章 M a g n i f i c e n t W r i t i n g 孙翌华，延安大学西安创新学院。 作者简介：中国多晶硅行业发展现状分析 孙翌华 （延安大学西安创新学院，陕西西安710100） ［摘要］中国多晶硅行业外部环境已出现明显变化，多晶硅供求平衡矛盾仍未得到彻底缓解，多晶硅行业发展趋 势是进一步集约化。 ［关键词］多晶硅；成本；供求1、中国多晶硅行业外部环境分析 目前，除保利协鑫、大全新能源等少数企业较好的生产状态，九成以上的中国多晶硅企业均处于停产状态。中国多晶硅行业发展外部环境异常严峻，主要体现在以下几点： 1.1光伏产业调整期尚未结束。2011年下半年以来，光伏产业进入调整期，组件产品价格快速下滑，最终引致上游的多晶硅价格大跌。2011年全球光伏新增装机为29.67GW ，较2010年增长76.4%。尽管光伏终端市场依然保持了高速增长，但由于供给端增长过快，例如中国组件产能超过40GW ，多晶硅、硅片、电池等环节也出现产能相对过剩局面。 2012年上半年，光伏产业调整进入深化阶段，原本还在30%毛利率以上的多晶硅环节深受影响，价格大幅跳水。 1.2中国多晶硅企业正面临国外厂商的低价竞争。截止2012年6月29日，中国商务部已经收到了保利协鑫等国内多晶硅厂商的申请，希望来自美韩的多晶硅出口倾销行为进行调查、征收反倾销税，中国商务部尚未正式进行立案调查。Hemlock 、REC 、OCI 等美韩多晶硅价格已经跌至20美元/公斤左右，低于国内多晶硅厂商的市场价格，即使是身为国内多晶硅领头羊的保利协鑫也难以长期承受如此的价格竞争。 1.3多晶硅下游市场需求增长前景不确定。全球光伏产业经历了多年的高速增长后，增速趋缓，传统的光伏市场大国德国将稳定在6GW 左右，而意大利财政经济基础较之德国薄弱，受到欧债危机的冲击较大，光伏市场也难以再现高速增长态势。新兴市场国家已经启动，中国、美国、日本等有望逐渐成为光伏市场新的亮点，但受到国际国内多方面因素的影响，新兴市场国家短时间内难以取代欧洲的光伏市场地位。全球光伏市场增速放缓、增长前景不确定给中国多晶硅行业发展带来多重变数。 2、中国多晶硅供求现状 笔者预测，中国多晶硅行业的供求状况将在2013年下半年以后得以彻底改观，届时光伏产业链各环节也将达到相对平衡状态。 2.1多晶硅供求情况。 2.1.12011全年、2012年1—5月全球多晶硅供应、需求量。2011年，全球多晶硅总产量达到24万吨，预计2012年仍将有30%左右的增长，超过30万吨。 2011年多晶硅需求量大约为19万吨，其中电子级多晶硅需 求量2.7万吨，太阳能级多晶硅需求量16.3万吨，预计2012年太阳能级多晶硅需求量将在18万吨左右。 整体上看，2012年全球多晶硅供给仍处于相对过剩状态。2.1.22011全年、2012年1—5月中国多晶硅进口量。2011 年中国总计进口多晶硅64613.86吨，其中，从韩国进口21361吨，从美国进口17476.32吨。 2012年1—5月份中国累计进口多晶硅34034.74吨。具体来看，5月份，中国从美国进口多晶硅3269.37吨，环比增长28.47%，其所占比重为41.40%;从德国进口多晶硅2053.53吨， 环比增长69.04%，其所占比重为26.01%；从韩国进口多晶硅1752.74吨，环比增长15.05%，其所占比重为22.20%。 2.1.3中国主要多晶硅企业产能概况。中国国产多晶硅供应占到本国光伏产业需求的一半左右，中国主要多晶硅企业产能状况如表1： 2.2多晶硅企业成本竞争力概况。综合各项数据来看，中国多数多晶硅企业成本均在35美元/公斤以上，甚至部分多晶硅小企业成本在50美元/公斤以上。经过技术改造和优化生产管控，保利协鑫多晶硅成本控制在18.6美元/公斤。赛维LDK 和昱辉多晶硅成本均超过30美元/公斤。 从国外多晶硅大厂数据看，OCI 、REC 、瓦克、MEMC 、Hem-lock 等多晶硅生产成本均在25美元/公斤以下，最优水准可以做到15—20美元/公斤。中国多晶企业发展历程短，早期企业发展过程中在技术工艺设计上基本处于摸索状态，无法做到闭环生产，不但造成环保问题，而且造成单位固定资产投资远远高于国外先进水平，甚至是国外先进水平的5—10倍之多，企业因此背上沉重的折旧包袱，生产成本难具竞争力。 3、中国多晶硅行业发展的问题和趋势 中国多晶硅行业是伴随全球光伏产业的飞速发展而发展起来的，从无到有，从弱小到在全球市场占有一席之地，发展道路艰辛。目前，应正视行业发展的三大问题：（1）多晶硅行业集中度不高，企业力量分散；（2）生产工艺与国外先进水平比尚有差距，无法做到闭环生产和化工产物的有效循环利用；（3）生产成本尚不具备国际竞争力。 中国多晶硅行业发展会出现集约化趋势，未来万吨以上具备成本竞争力的多晶硅企业将成为重点培育的企业，3000吨以下的多晶硅企业将不具备规模经济优势，最终被淘汰出市场。从技术发展上，改良西门子法依然是主要技术工艺，低电耗的冷氢化工艺逐渐在更多企业推广，企业将会通过优化技术工艺实现真正的闭环生产和化工产物的有效循环利用。 【参考文献】 [1]郭力方.多晶硅停产潮波及上市公司.市场或加速分化[N ].中国证 券报，2011.12.[2]文泰.多晶硅企业停产增多.行业目前困局难破[J/OL ].证券时报 网，2011.12.

多晶硅生产工艺学

多晶硅生产工艺学

绪论 一、硅材料的发展概况 半导体材料是电子技术的基础，早在十九世纪末，人们就发现了半导体材料，而真正实用还是从二十世纪四十年代开始的，五十年代以后锗为主，由于锗晶体管大量生产、应用，促进了半导体工业的出现，到了六十年代，硅成为主要应用的半导体材料，到七十年代随着激光、发光、微波、红外技术的发展，一些化合物半导体和混晶半导体材料：如砷化镓、硫化镉、碳化硅、镓铝砷的应用有所发展。一些非晶态半导休和有机半导休材料（如萘、蒽、以及金属衍生物等）在一定范围内也有其半导休特性，也开始得到了应用。 半导休材料硅的生产历史是比较年青的，约30年。美国是从1949～1951年从事半导体硅的制取研究和生产的。几年后其产量就翻了几翻，日本、西德、捷克斯洛伐克，丹麦等国家的生产量也相当可观的。 从多晶硅产量来看，就79年来说，美国产量1620～1670吨。日本420～440吨。西德700～800吨。预计到85年美国的产量将达到2700吨、日本1040吨、西德瓦克化学电子有限公司的产量将达到3000吨。 我国多晶硅生产比较分散，真正生产由58年有色金属研究院开始研究，65年投入生产。从产量来说是由少到多，到七七年产

量仅达70～80吨，预计到85年达到300吨左右。 二、硅的应用 半导体材料之所以被广泛利用的原因是：耐高压、硅器件体积小，效率高，寿命长，及可靠性好等优点，为此硅材料越来越多地应用在半导体器件上。硅的用途： 1、作电子整流器和可控硅整流器，用于电气铁道机床，电解食盐，有色金属电解、各种机床的控制部分、汽车等整流设备上，用以代替直流发电机组，水银整流器等设备。 2、硅二极管，用于电气测定仪器，电子计算机装置，微波通讯装置等。 3、晶体管及集成电路，用于各种无线电装置，自动电话交换台，自动控制系统，电视摄相机的接收机，计测仪器髟来代替真空管，在各种无线电设备作为放大器和振荡器。 4、太阳能电池，以单晶硅做成的太阳能电池，可以直接将太阳能转变为电能。 三、提高多晶硅质量的措施和途径： 为了满足器件的要求，硅材料的质量好坏，直接关系到晶体管的合格率与电学性能，随着大规模集成电路和MOS集成电路的发展而获得电路的高可靠性，适应性。因此对半导体材料硅的要求越来越高。 1、提高多晶硅产品质量的措施： 在生产过程中，主要矛盾是如何稳定产品的质量问题，搞好

多晶硅的用途与生产工艺简介

多晶硅产品 的用途与生产工艺简介 黎展荣编写 2008-03-15 多晶硅产品的用途与生产工艺简介 讲课提纲： 一、多晶硅产品的用途 二、国内外多晶硅生产情况与市场分析 三、多晶硅生产方法 四、多晶硅生产的主要特点 五、多晶硅生产的主要工艺过程 讲课想要达到的目的： 通过介绍，希望达到以下几点目的： 1，了解半导体多晶硅有关基本概念与有关名词，为今后进一步学习、交流与提高打下基础； 2，了解多晶硅的主要用途与国内外多晶硅的生产和市场情况，热爱多晶硅事业与行业； 3，了解多晶硅生产方法和多晶硅生产的主要特点，加深对多晶硅生产工艺流程的初步认识； 4，了解公司3000吨/年多晶硅项目的主要工艺过程、工厂的概况、规模、车间工序的相互关联，有利于今后工作的开展。 一、多晶硅产品的用途 在讲多晶硅的用途前，我们先讲一讲半导体多晶硅的有关概念和有关名词。 1，什么是多晶硅？ 我们所说的多晶硅是半导体级多晶硅，或太阳能级多晶硅，它主要是用工业硅或称冶金硅（纯度98-99%）经氯化合成生产硅氯化物，将硅氯化物精制提纯后得到纯三氯氢硅，再将三氯氢硅用氢进行还原生成有金属光泽的、银灰色的、具有半导体特性产品，称为半导体级多晶硅。 2，什么是半导体？ 所谓半导体是界于导体与绝缘体性质之间的一类物质，导体、半导体与绝缘体的大概分别是以电阻率来划分的，见表1。 3，纯度表示法 半导体的纯度表示与一般产品的纯度表示是不一样的，一般产品的纯度是以主体物质的含量多少来表示，半导体的纯度是以杂质含量与主体物质含量之比来表示的。见表2。 表2 纯度表示法

外购的工业硅纯度是百分比，1个九，“1N”，98%，两个九，“2N”，99%，是指扣除测定的杂质元素重量后，其余作为硅的含量（纯度）。如工业硅中Fe≤0.4%,AL≤0.3%,Ca≤0.3%,共≤1%, 则工业硅的纯度是：（100-1）X100%=99% 。 2),半导体纯度 工业硅中的B含量是0.002%(W)，则工业硅纯度对硼来说被视为99.998%，即4N（对B来说）。 半导体硅中的B含量，如P型电阻率是3000Ω.Cm时，查曲线图得B的原子数为4.3X1012原子/Cm3，则半导体的纯度是：4.3X1012 /4.99X1022=0.86X10-10=8.6X10-11(~11N，0.086PPba),或(4.3X1012 X10.81) /(4.99X1022X28)=0.33X10-10=0.033PPbw=3.3X10-11(~11N)。 对B来说，从工业硅的4N提高到11N，纯度提高7个数量级（，千万倍）即B杂质含量要降低6个数量级（1000000，百万倍），因此生产半导体级多晶硅是比较困难的。 3),集成电路的元件数 集成电路的元件数的比较，列于表3。集成电路的集成度越高，则对硅材料纯度的要求越高。 表3 集成电路的元件数比较 据报导：日本在6.1X5.8 mm的硅芯片上制出的VLSI有15万6千多个元件 4),硅片（单晶硅）发展迅速 硅片（单晶硅）发展迅速，见表4。 大规模生产中多晶硅直径一般公认为是120-150 mm比较合适，也研发过200-250 mm。 5),多晶硅、单晶硅、硅片与硅外延片 多晶硅：内部硅原子的排列是不规则的杂乱无章的。 单晶硅：内部硅原子的排列是有规则的（生产用原料是多晶硅）。 硅片：单晶硅经滚磨、定向后切成硅片，分磨片与抛光片。 硅外延片：抛光片经清洗处理后用CVD方法在其上再生长一层具有需求电阻率的单晶硅层，目前

(整理)多晶硅行业概况.

2012年上半年中国多晶硅行业概况 一、全球光伏产业政策与市场变化情况 2012年上半年，随着欧洲各国债务额的大幅增长，针对新能源技术政策补贴纷纷缩减。 德国：德国最新的方案计划自2012年3月9日起削减上网电价补贴，以此消除因补贴变动而引发的抢装热潮。其中，10MW以上的光伏系统补贴将在今年7月1日后彻底取消，新建小型系统仅能获得所发电量85%的补贴。自5月起，所有新建光伏系统的补贴将每月削减0.15欧分/千瓦时。自2014年起光伏系统年装机量将持续下降至400MW左右，自2017年起装机量将介于900至1900MW。此次FIT下调基本上未给投资商留下反应时间，减弱了抢装效应。理论上此政策变动可达到政府的调控目的，预计德国全年市场约为5GW。 意大利：2012年上半年和下半年将分两次进行8-12%的进一步下调；2013-2016年，按照每个季度进行4%的下调。2012年下半年将不设立大型光伏电站项目登记处；停止对农业用地的大型光伏系统发放补贴。意大利第五能源法案已于8月27日启动，预算总额不到5.30亿欧元。 西班牙：西班牙政府于1月28日宣布，完全暂停新建可再生能源项目上网电价补贴;。西班牙工业部长Jose Manuel Soria称，这项法令将是暂时的。根据BOS 2010年的文件，2013年后西班牙将划分五类资源区，只有有效日照小时达标的项目才能获得补贴。 其他欧洲国家：以色列下调上网电价补贴23%；希腊下调上网电价补贴12.4%；韩国用可再生能源组合标准代替了上网电价补贴；瑞士削减光伏补贴18%；7月，保加利亚削减光伏补贴达50%。 在欧洲光伏市场一片惨淡的情况下，亚太、美洲地区则表现十分抢眼。 美国：奥巴马2013财政年度预算将延期“1603财政部计划”。根据EuPD 的预测，1603法案若延期1-5年，将使美国市场2012-2016的年增长率达到51%-57%。 中国：《可再生能源电价附加补助资金管理暂行办法》、“光电建筑补贴”、“金太阳”等政策密集出台，其中“金太阳”和国内大型电站装机规划得一再上

国内外发展现状及趋势

二、项目详细内容 1、项目意义与必要性 国内外发展现状及趋势，目标产品处于产业链重要环节的阐述，对实现重大技术突破、促进产业结构调整、提升该产业整体竞争力和水平的重要作用。 1.1国内外发展现状及趋势 研究表明，晶硅材料的少子寿命和光伏电池的转换效率相关性极大。定向凝固生长的多晶硅锭中有着高密度的位错，（位错密度典型值大约在105-6/cm2）和亚晶界等缺陷，一般来说，纯净的位错对多晶硅的电学性能不会造成太大影响，但是由于高浓度的位错会与铸造多晶硅中的杂质发生相互作用，通常氧，碳以及过渡族金属等杂质很容易在这些缺陷处沉淀下来，形成新的电活性中心，从而增强对多晶硅中少子的复合能力，显著地降低多晶硅电池的转换效率。因此，为了减小对少子的复合能力，需要降低位错密度或金属杂质含量，这两条技术途径都被证明是有效的，是目前的国内外研发热点。 太阳能硅片是生产光伏电池的核心材料。随着光伏电池的发展，对硅片的质量要求越来越高，不仅要求硅片有极高的平面度，极小的表面粗糙度，而且要求表面无变质层、无划伤。目前，国外已能采用多线切割的方法生产出面积较大而又较薄的硅片(300mm×300mm)，但由于仍属于非刚性切割，在切割过程中切割线必然产生变形从而不断产生瞬间的冲击作用。要使目前的大尺寸硅片厚度进一步降低，并控制硅片切割厚度和切割损耗，实现低成本高效切割，技术难度相当大。因此，研发高效、低成本、适应新型光伏电池需求的硅片及其生产技术迫在眉睫。 目标产品的生产是采用低位错密度的晶硅材料，以独创的电磨削多线切割方法为基础，与砂浆在线回收技术和先进的车间智能监控技术相集成，形成了成套完整的技术路线，并已在公司成功实施。通过该方法生产的产品具有转换效率高、成本低、污染小等特点，居国际领先水平。 1.2目标产品处于产业链重要环节的阐述

单晶硅和多晶硅的区别

单晶硅和多晶硅的区别 一概述 当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。 多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。 单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。 二生产工艺 多晶硅的生产工艺主要由高纯石英（经高温焦碳还原）→工业硅（酸洗）→硅粉（加HCL）→SiHCL3（经过粗馏精馏）→高纯SiHCL3（和H2反应CVD工艺）→高纯多晶硅。 单晶硅生产工艺主要有两种，一种是直拉法，一种是区熔法。工艺的介绍也可以在网上找得到。 三单晶硅 英文名：Monocrystalline silicon 分子式：Si 硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。 纯度要求达到99.9999％，甚至达到99.9999999％以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。 用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。 单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。 单晶硅主要用于制作半导体元件。 用途：是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等 单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势，近三十年来，太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展，成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。 单晶硅建设项目具有巨大的市场和广阔的发展空间。在地壳中含量达25.8%的硅元素，为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。 近年来，各种晶体材料，特别是以单晶硅为代表的高科技附加值材料及其相关高技术产业的发展，成为当代信息技术产业的支柱，并使信息产业成为全球经济发展中增长最快的先导产业。单晶硅作为一种极具潜能，亟待开发利用的高科技资源，正引起越来越多的关注和重视。 单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目前，人们已经能制造出纯度

国内外光伏产业发展现状解析总结及我市发展建议.doc

国内外光伏产业发展现状分析及我市发展建议 作为新能源产业的重要代表，一方面，光伏产业在我国发展迅 速，并成长为国际新能源市场上举足轻重的力量和全球光伏产品的主要 生产国，但是多数中国企业既没有核心技术更无成本优势。另一方面，我国是世界公认的未来全球最大光伏市场，但这一市场却没有真正启动。光伏产业机遇与挑战并存，有核心技术者获暴利，低水平重复建 设者“啃骨头”。我们通过收集、加工光伏产业相关信息，提供给大 家以共参考。 光伏产业概述 根据光伏特效应原理，通过太阳能电池将太阳能转化的电能称为光伏太阳能，围绕太阳能利用，以硅材料的应用开发形成的产业链条称之为“光伏产业”，包括高纯多晶硅原材料生产、太阳能电池生产、太阳能电池组件生产、相关生产设备的制造等。 光伏发电产业链从上游到下游，主要包括的产业链条包括多晶 硅、硅片、电池片以及电池组件。在产业链中，从多晶硅到电池组件，生产的技术门槛越来越低，相应地，公司数量分布也越来越多。因此，整个光伏产业链的利润主要集中在上游的多晶硅生产环节，上游企业的盈利能力明显优于下游。目前，中国大陆多晶硅生产获取的利润在最终电池组件产品利润总额中的比例最高，约达到 52%；电池组件生产的利润占比约为 18%；而电池片和硅片生产的利润占比分别约为17%和13%。

世界光伏产业发展情况 太阳能光伏产业是一个全球性产业，在目前的中国国内市场还没有成熟，主要是集中在发达国家。世界太阳能光伏产业在能源形势和生态环境压力下，在技术进步及政策强力推动下，光伏产业成为世界 上发展最快的能源产业之一，自上世纪 90 年代后期进入了快速发展时期。最近 10 年 (1997 年— 2007 年 )太阳电池的年平均增长率为 41.3%，最近 5 年（2002 年— 2007 年）的年平均增长率为 49.5%。特别是 2004 年德国实施了修订的“上网电价法”后，市场需求急剧扩 大，光伏产品供不应求。尽管有材料短缺的制约因素， 2007 年太阳电池／组件的年增长率仍然达到 56.2%，世界太阳电池产量达到了4000MWp(兆瓦 )，其中亚洲太阳电池产量约占世界的 65%，主要生产国为中国大陆、中国台湾和日本，分别占世界的 27.2%,，9.2%和 23%。 中国已经成为太阳电池的第一大生产国，2008 年太阳电池产量比2007 年增长率超过 50%。 世界光伏产业发展的突出特点是：起步晚，发展快。其中光伏发 电发展最快。 2000 年以来，世界并网光伏发电年增长率达60%，超过了光伏应用的 50%。2008 年世界并网光伏发电份额超过85%以上。这表明光伏发电开始由边远地区向城市过渡，并网光伏发电正在发挥 替代能源作用。光伏发电发展趋势的一个重要指标是成本大幅度下 降， 2006 年世界平均光伏发电成本就达到0.25 美元 / 千瓦时 (度)，预 计2010 年太阳能光伏发电成本将下降到 0.14 美元 / 千瓦时。（我国江苏预计 2012 年上网电价可达到 1 元/ 千瓦时）。

中国多晶硅投资与发展分析报告

中国多晶硅投资与发展分析

目录 第一篇行业发展环境 (1) 第一章发展新能源的紧迫性 (1) 第二章发展光伏产业的重要性 (9) 第三章发展硅材料行业的意义 (19) 第四章多晶硅在光伏产业中的重要性 (24) 第五章发展我国多晶硅行业的紧迫性 (27) 第六章太阳能光伏产业发展分析 (29) 第一节2006年太阳能电池的开发利用前景 (29) 第二节2006年太阳能电池市场发展前景 (33) 第七章太阳能光伏产业发展分析 (37) 第一节太阳能光伏产业前景展望 (37) 第二节太阳能光伏产业链 (41) 第二篇行业基本概述 (43) 第一章多晶硅产品定义 (43) 第二章多晶硅产品分类 (44) 第三章我国硅材料的发展 (45) 第四章多晶硅的应用领域 (48) 第五章我国多晶硅产业现状 (49) 第六章多晶硅生产 (52) 第三篇行业基本运行情况 (54) 第一章世界多晶硅生产情况 (54) 第二章国内多晶硅产量 (58)

第三章国内多晶硅的生产现状 (60) 第四章国内多晶硅市场需求及预测 (62) 第五章我国兴建多晶硅厂应注意的问题 (63) 第四篇行业工艺技术分析 (65) 第一章世界主要多晶硅生产工艺技术 (65) 第一节西门子法 (65) 第二节Sicl4法 (66) 第三节SiH4法 (67) 第二章国内多晶硅生产技术现状 (68) 第三章国外多晶硅生产技术现状及发展趋势 (70) 第四章行业相关技术知识 (73) 第一节铸造多晶硅及其他光电转换材料 (73) 第二节多晶硅薄膜太阳电池的研究 (74) 第三节低温多晶硅技术新提案备受瞩目 (77) 第四节非晶硅与低温多晶硅的区别 (78) 第五章行业技术发展趋势 (80) 第五篇行业重要动态情况 (81) 第一章河北某公司重要动态 (82) 第二章多晶硅太阳能电池开始产业化 (86) 第三章乐山千吨多晶硅项目相关情况 (87) 第四章太阳能电池级多晶硅技改项目初见成效 (89) 第五章中国首条多晶硅太阳能电池生产线全面投产 (90) 第六章德国多晶硅太阳能电池转换率突破20%关口 (91)

(完整版)多晶硅的危害

多晶硅的危害 2010/9/1 9:09:38 近年，尤其是2007年以来，我国多晶硅产业有着迅猛的发展。1000 t以上级别多晶硅生产装置陆续建成。多晶硅的危害主要在其生产过程中有氢气、液氯、三氯氢硅等有害物质生成，生产过程中又存在火灾、爆炸、中毒、窒息、触电伤害等诸多危险因素。 多晶硅生产过程中主要危险、有害物质中氯气、氢气、三氯氢硅、氯化氢等主要危险特性有：１）氢气：与空气混合能形成爆炸性混合物，遇热或明火即会发生爆炸。气体比空气轻，在室内使用和储存时，漏气上升滞留屋顶不易排出，遇火星会引起爆炸。氢气与氟、氯、溴等卤素会剧烈反应。 ２）氧气：易燃物、可燃物燃烧爆炸的基本要素之一，能氧化大多数活性物质。与易燃物(如乙炔、甲烷等)形成有爆炸性的混合物。 ３）氯：有刺激性气味，能与许多化学品发生爆炸或生成爆炸性物质。几乎对金属和非金属都起腐蚀作用。属高毒类。是一种强烈的刺激性气体。 ４）氯化氢：无水氯化氢无腐蚀性，但遇水时有强腐蚀性。能与一些活性金属粉末发生反应，放出氢气。遇氰化物能产生剧毒的氰化氢气体。 ５）三氯氢硅：遇明火强烈燃烧。受高热分解产生有毒的氯化物气体。与氧化剂发生反应，有燃烧危险。极易挥发，在空气中发烟，遇水或水蒸气能产生热和有毒的腐蚀性烟雾。燃烧(分解)产物:氯化氢、氧化硅。 ６）四氯化硅：受热或遇水分解放热，放出有毒的腐蚀性烟气。 ７）氢氟酸：腐蚀性极强。遇H发泡剂立即燃烧。能与普通金属发生反应,放出氢气而与空气形成爆炸性混合物。 ８）硝酸：具有强氧化性。与易燃物(如苯)和有机物(如糖、纤维素等)接触会发生剧烈反应，甚至引起燃烧。与碱金属能发生剧烈反应。具有强腐蚀性。 ９）氮气：若遇高热，容器内压增大。有开裂和爆炸的危险。 １０）氟化氢：腐蚀性极强。若遇高热，容器内压增大，有开裂和爆炸的危险。 １１）氢氧化钠：本品不燃,具强腐蚀性、强刺激性，可致人体灼伤。 火灾、爆炸、中毒是多晶硅项目在生产中的主要危险、有害因素，另外，还存在触电、机械伤害、腐蚀、粉尘等危险、有害因素。主要有： １）氢气制备：电解槽、氢、氧贮罐等，火灾爆炸、触电、机械伤害。 ２）氯化氢合成：氯化氢合成炉、氯气、氢气缓冲罐等，火灾爆炸、中毒、触电。 ３）三氯氢硅合成：三氯氢硅合成炉、合成气洗涤塔、供料机等，火灾爆炸、中毒、腐蚀、触电、机械伤害、粉尘。 ４）合成气分离：混合气洗涤塔、氯化氢吸收塔、氯化氢解析塔、混合气压缩机等，火灾爆炸、中毒、腐蚀、触电、机械伤害。 ５）氯硅烷分离：精馏塔、再沸器、冷凝气等，火灾爆炸、中毒、腐蚀、触电、机械伤害。 ６）三氯氢硅还原：三氯氢硅汽化器、还原炉、还原炉冷却水循环泵等，火灾爆炸、中毒、腐蚀、触电、机械伤害。 ７）还原尾气分离：混合气洗涤塔、混合气压缩机、氯化氢吸收塔等，火灾爆炸、中毒、腐蚀、触电、机械伤害。 ８）四氯化硅氢：化四氯化硅汽化器、氢化炉等，火灾爆炸、中毒、腐蚀、触电、机械伤害。 通过以上分析，火灾爆炸、化学中毒是主要潜在危险、有害因素，在工艺、设备、设施和防护方面存在隐患和缺陷时，非常容易发生，所以应针对可能发生的原因，采取防范措施预以积极排除。对生产过程尽量采用自动控制系统，提高自动控制水平；在氯气、氯化氢、三氯氢硅、盐