半导体厂务工作
半導體廠務工作
國家奈米元件實驗室
一、前言
近年來，半導體晶圓廠已進展到8"晶圓的量產規模，同時，也著手規劃12"晶圓的建廠與生產，準備迎接另一世代的產業規模。於是各廠不斷地擴增其產能與擴充其廠區規模，似乎稍一停頓即會從此競爭中敗下陣來。所以，推促著製程技術不斷地往前邁進，從0.25μm設計規格的64Mb（百萬位元）DRAM（動態隨機記憶元件）記憶體密度的此際技術起，又加速地往0.18μm規格的256M發展；甚至0.13μm的1Gb（十億位元）集積度的DRAM元件設計也屢見不鮮。亦即整個半導體產業正陷入尖端技術更迭的追逐戰，在競爭中，除了更新製程設備外，最重要的是維持廠區正常運作的廠務工作之配合，而這兩方面的支出乃佔資本財的最大宗。特別是多次的工安事故及環保意識抬頭之後，廠務工作更是倍顯其重要及殷切。
事實上，半導體廠的廠務工作為多援屬性的任務，也是後勤配合與收攤（廢棄物）處理的工作；平時很難察覺其重要性，但狀況一出，即會令整廠雞飛狗跳，人仰馬翻，以致關廠停機的地步。所以，藉此針對廠務工作的內容做一概略性的描述，說明其重要性並供作參考與了解。文章分為三部份：首先為廠務工作的種類，其次是廠務工作的未來方向，最後是本文的結語。
二、廠務工作的種類
目前在本實驗室所代表的半導體製程的廠務工作，約可分為下列數項：
1.一般氣體及特殊氣體的供應及監控。
2.超純水之供應。
3.中央化學品的供應。
4.潔淨室之溫度，濕度的維持。
5.廢水及廢氣的處理系統。
6.電力，照明及冷卻水的配合。
7.潔淨隔間，及相關系統的營繕支援工作。
8.監控，輔佐事故應變的機動工作等數項。
下述將就各項工作內容予以概略性說明：
1.一般氣體及特殊氣體的供應及監控[1]
一座半導體廠所可能使用的氣體約為30種上下，其氣體的規格會隨製程要求而有不同；但通常可分為用量較大的一般氣體(Bulk Gas)，及用量較小的特殊氣體(Special Gsa)二大類。在一般氣體方面，包括有N2, O2, Ar, H2等。另在特殊氣體上，可略分為下述三大類:
(1) 惰性氣體(Inert Gas)的He, SF6,CO2, CF4, C2F6, C4H8及CH3F等。
(2) 燃燒性氣體(Flammable Gas)的SiH4,Si2H6, B2H6, PH3, SiH2Cl2, CH3, C2H2及CO 等。
(3) 腐蝕性氣體(Corrosive Gas)的Cl2,HCl, F2, HBr, WF6, NH3, BF2, BCl3, SiF4, AsH3, ClF3, N2O, SiCl4, AsCl3及SbCl5等。
實際上，有些氣體是兼具燃燒及腐蝕性的。其中除惰性氣體外，剩下的均歸類為毒性氣體。SiH4,B2H6,PH3等均屬自燃性氣體(Pyrophoricity)，即在很低的濃度下，一接觸大氣後，立刻會產生燃燒的現象。而這些僅是一般晶圓廠的氣源而已，若是實驗型的氣源種類，則將更為多樣性。
其在供氣的流程上，N2可採行的方式，有1. 由遠方的N2產生器配管輸送，2使用液氣槽填充供應，3利用N2的近廠產生器等三種。目前園區都採1式為主，但新建廠房的N2用量增鉅，有傾向以近廠N2產生器來更替；而本實驗室則以液槽供應。O2氣體亦多採用液槽方式，不過H2氣體在國內則以氣態高壓鋼瓶為主。圖一乃氣體供應之圖示。純化器方面，N2及O2一般均採用觸煤吸附雙塔式，Ar則以Getter（吸附抓取）式為主，H2則可有Getter，Pd薄膜擴散式和觸媒加超低溫吸附式等三項選擇。
至於危險特殊氣體的供應氣源，大都置於具抽風裝置的氣瓶櫃內，且用2瓶或3瓶裝方式以利用罄時切換；切換時，須以N2氣體來沖淨數十次以確定安全，櫃上亦有ESO (Emergence Shut Off Valve)閥，即緊急遮斷閥，做為洩漏時的遮斷之用。
目前對氣體的不純物要求已達1ppb（即109分之1）的程度，如表一所示。為達此潔淨度，除要求氣源的純度外，尚需考量配管的設計和施工。而施工的原則有下述八點：
1.Particle Free（無塵粒）
3.External Leak Free（無外漏）
13.Dead Space Free（無死角）
4.Out Gas Free（無逸氣）
5.Effective Area Minimum（最小有效面積）
6.Error Operation Free（無操作誤失）
7.Corrosion Free（無腐蝕）
8.Catalytic Behavior Free（無觸化現象）
因此，管件的規格就必須愈來愈嚴謹，如表二所列。其BA為Bright Anneal Treatment，即輝光燒鈍退火處理，EP則為Electro-Polish，屬電極拋光之等級。
另項的重要工作是在氣體監控系統，主要的目的是做為操作時的管理，及安全上的管理。可由表三說明之。而氣體的毒性規範乃以啟始下限值(TLV/Threshold Limit Value)為界定，表四乃部份毒性氣體的TLV值。
關於毒氣偵測的感測器原理，一般有下列六種：
1. 電化學式(Electro-chemical)
2. 半導體式(Semiconductor)
3. 化學試紙式(Chemical Paper Tape)
4. 火焰放射光譜式(Flame-emission Spectrometry)
5. 傅力葉紅外線光譜式(Fourier-Transform Inferred Spectrometry-FTIR)
6.質譜儀式(Mass Spectrometry)
而常使用的感測為前三種。完整的毒氣監控系統尚須具備：
1.24小時連續偵測
2.警報系統
3. 自動廣播系統
4. 分區的閃光燈警報系統
5. 圖控系統顯示現場位置
6.各點讀值歷史記錄趨勢圖
而當偵測到毒氣洩漏時，立即警報於電腦螢幕，同時啟動自動廣播系統及分區的閃光燈警報系統，此時相關區域全體人員應立即撤出，現場人員立即通知緊急應變小組做適當的處理。
2.超純水之供應
純水水質之要求隨積體電路之集積度增加而提高，其標準如表五所示。超純水之製程隨原水水質而有不同的方式，國內幾以重力過濾方式；主要是去除水中的不純物，如微粒子，有機物，無機鹽類，重金屬及生菌等等。去除的技術上，有分離、吸附及紫外燈照射等。表五詳列的是新舊超純水製程的比較情形。其中新製程的步驟有：
(1)多功能離子交換樹脂和裝置
所使用之強鹼性離子交換樹脂除了可以去除離子以外，還具有吸著、去除微粒子的功能；而微粒子吸著的機制乃樹脂表面的正電吸引微粒子的負電，吸著力的大小，決定於樹脂表面線狀高分子之尾端狀態。
(2)臭氧－紫外線(UV)照射型分解有機物設備)
以往的技術中，採用的是過氧化氫－UV照射型之有機分解方式，以氧化和分解有機物。原理乃利用UV照射過氧化氫此氧化劑，使其產生氫氧基(．OH)來氧化有機物。被氧化的有機
物在形成有機酸後，變成了二氧化碳和水。新技術中乃以臭氧代替過氧化氫，如此可提高有機物的氧化分解效率，連以往甚難去除的超微小粒子「膠體物質」都可以去除。
(3)一塔二段式真空脫氣塔
此乃去除水中溶存之氧氣，以降低氧分子在晶片表面自然氧化膜的形成。
目前去除水中溶氧的方法及所面臨的問題：
1.真空脫氣法←無法使溶氧降至50μg/l以下。
2.膜脫氣法←和1.一樣，且須使用大型機器，故不具經濟性。
3.氮氣脫氣法←使用大量氮氣，所以運轉費用較高。
4.觸媒法←必須添加氫和聯氨，運轉費亦高。
而此改良式設備乃就一塔一段式真空脫氣法改變為多段式的抽氣，並加裝冷凝器，俾以縮小塔徑和真空幫浦的尺寸。如此，建設費減少1/3，運轉費減少2/3，並使溶氧降至10mg/l 以下，若再配備加熱循環，則更能降低至10μg/l以下。
(4)高速通水式非再生純水器
就總有機體碳(TOC)含量在10μg/l以下的超純水而言，有機物的溶出是一項不可忽略的問題；而一般的離子交換樹脂會溶出微量的有機物，所以在副系統的非再生型樹脂塔中用超低溶出型的離子交換樹脂後，再大幅提增其通水流速，如此便能大幅降低TOC值，且降低成本。若以微粒子的動向來描繪各相關組件的去除效率，可如圖二看出。其組件有凝集水過濾塔，混床塔，RO（逆滲透膜），CP（套筒式純水器，非再生型離子交換樹脂塔）。而從圖二得知，混床塔之後的微粒子是由其後端的組件中溶出。
至於去除TOC的有效組件有：離子樹脂塔，紫外線氧化槽，活性碳塔和TOC-UV燈等，其效率如圖三所示。
3.中央化學品的供應[3]; }' R- G1 N) i6 O* r7 [
目前的化學品供應已由早期的人工倒入方式改為自動供酸系統，其系統可分為四大單元：化學品來源(Chemical Source)。充填單元(Charge Unit)、稀釋／混合單元(Dilution/Mixing Unit)，儲存槽(Buffer Tank)及供應單元(Supply unit)。2 c t" {9 e; Y
(1)來源方式有桶裝(Drum)，糟車(Lorry)，及混合方式(Mixing Source)。
(2)充填單元／供應單元二者為供應系統的動力部份，而將化學品經管路輸送到指定點。方法有幫浦(Pump)抽取，真空吸取(Vacuum Suction)及高壓輸送(Pressure Delivery)等三種。且為降低化學品被污染的機率須配備佐助組件，如純水，氮氣噴槍－清洗接頭；濾網風扇(HEPA Fan)－保持正壓避免外界灰塵粒子進入；排氣(Exhaust)－排除溢漏化學品及本身的氣味於室外。
(3)稀釋／混合單方面，乃指一般化學品或研磨液加純水的稀釋，及研磨液與化學品，或此二者與純水的混合而言。
(4)管路設計方面需注意事項有：
1.非水平管路：即從源頭到使用點由高而低，當管路漏酸時便會流到未端的閥箱(Valve Box)，可輕易清除。
2.不同高層的管路排列：上下排列之管材最好能同一屬性，如同為不銹鋼或鐵弗龍，或透明塑膠管(CPVC)。否則安排的順序為鐵弗龍在上，往下為CPVC，最後不銹鋼管。
3.研磨液管路設計：因其與空氣接觸時易乾涸結晶而阻塞管路，故須注意管路尺寸及避免死角。
4.接點測漏裝置，以便隨時偵測管路洩漏與否。
5.避免過多的管路接點。
4.潔淨室之濕度，溫度的維持[4]
事實上，一座半導體晶圓廠之潔淨室的組成須含括多項子系統方能滿足表六所列的標準：(1)與潔淨室特別搭配的建築結構－以利潔淨空氣的流暢，防震及足夠的支撐結構，和寬敞的搬運動線。
(2)不斷地新鮮，乾淨空氣之補充－彌補機台之排氣及保持室內正壓以杜絕外氣的污染。! P
(3)保持潔淨室的清潔度－配備空氣循環的驅動風扇，透氣的地板及天花板，且地板高架化以利回風及配管，天花板則安裝過濾網與銜吊架。
(4) 恆溫恆濕之控制－除配置外氣空調箱外(Make-up Air unit)，室內仍需有不滴水的二次空調盤管來做溫度微控，另加裝精確的自動感溫控制系統，即可達成此恆溫，恆濕之控制。
(5)考量靜電、噪音及磁場等防護的工程電力系統裝配。
(6)不發塵及不堆塵的室內設計，即以專用epoxy塗覆之。
(7) 另含蓋了內部隔間，人員洗塵室(Air Shower)、物料傳遞窗(Pass Window)等設施。
在這些子系統中，對恆溫，恆濕之控制最為重要的，及直接的是空調箱和二次空調盤；而空調箱之效率乃取決於設備容量與其數量，這項的決定又與製程機台排氣量息息相關，因此必須一併考慮，通常Make-up Air容量是下述各項容量的總和：
1.生產機台排氣量。
2.維持室內正壓的空間量，此約為整個潔淨空間換氣量的1至5倍之間。
3.容量裕度。! X, E! ^4 N; o7 U: f
另外尚需考慮循環過濾的風量，包括換氣的次數，過濾網的效率等級與總循環的壓降等因素。至於二次盤(dry coil)的型式考量有：
1.熱交換式或混合式兩種供選擇。
2.費用上，以熱交換式較高，且佔空間，但有較準及穩的溫控效果。
3.黃光區的溫濕特別嚴格，需選用不同型態之二次盤。
最後上述之系統均全年無休運轉，故需要有備用機台的安排。
5.廢水及廢氣的處理系統[5]2 h3 w0 P5 ]; |- a
由於製程技術不斷演進，使得相關供應系統等級及品質日趨精密且複雜，如毒性氣體，化學藥品或純水系統等，而此物質的排放卻造成環境惡化的來源之一；因此，如何處理此類高純度且大量的毒性物質之排放，將是廠務廢水，廢氣處理的重要工作與任務。
(1)首先是廢水處理系統 F;
半導體廠廢水之來源，可略分為製程廢水，純水系統之廢水，廢氣洗滌中和液廢水等三種，如表七所列。各排放水可分為直接排放及回收處理方式。
1.製程廢水：%
直接排放－HF濃廢液，HF洗滌廢水，酸／鹼性廢水，晶圓研磨廢水等五種，經各分類管線排至廢水廠。回收處理－有機系列(Solvent,IPA), H2SO4,DIR70%，及DIR90%等，經排放收集委外處理或直接再利用。
2.純水系統之廢水：
直接排放－純水系統再生時之洗滌藥劑混合水（含鹽酸再生／洗滌液及鹼洗滌液）
回收處理－系統濃縮液（逆滲透膜組，超限外濾膜組）或是鹼性再生廢液。
3.廢氣洗滌廢水
直接排放－洗滌製程所排放的廢氣之水，均直接排放至處理廠。
至於其處理的程序及步驟，可由圖四說明之。下文為其各項之說明：
1.HF濃廢液：
此廢液至處理系統後，添加NaOH提升pH值至8～10之間，注入CaCl2，Ca(OH)2與HF反應向生成CaF2污泥，即
HF+CaCl2 + Ca(OH)2←CaF2 + HCl + H2O的反應式。藉此去除氟離子之濃度量，而CaF2污泥產物與晶圓研磨廢液混合，且添加Polymer（高分子）增進其沈降性，以利CaF2污泥經脫水機擠壓過濾。污泥餅則委託代處理業者處理。另一產物HCl酸氣由處理廠廢氣洗滌後排放，污泥濾液則注入調節池。
2.一般廢水：
包括HF洗滌廢水，酸／鹼性廢水。經水系統樹脂塔再生廢液，廢氣洗滌廢水等進入調節池
混合均勻，稀釋後泵入調整池中，添加NaOH，H2SO4等酸鹼中和劑，將之調整為6.0～9.0的pH值範圍後放流入園區下水道。
3.回收處理單元：
a.有機廢液回收－將IPA溶劑、顯影液及濃硫酸廢液等獨立收集，並委外處理。
b.濃縮液回收再利用－純水系統設備產生之濃縮液，除供應原系統反洗，再生用外，更可補充大量飛散之冷卻用水，如此不但降低排水量，亦可節省用水量。
c.純水供應系統回收水－目前純水供應系統可直接回收70%至純水製造系統，另將製程之洗滌水回收以供冷卻系統及衛生用水，此部份佔20%，因此，純水供應系統回收水已可達90%。
d.鹼性再生廢液－純水系統鹼性再生廢液收集應用於廢水處理系統之pH值調節用，如此可減少化學藥劑之使用量。
(2)廢氣處理系統' `
廢氣產生的設備約有離子佈值機，化學清洗站，蝕刻機，爐管，濺鍍機，有機溶劑與氣瓶櫃等，其中有較高濃度污染的廢氣均先由該機台所屬的Local Scrubber（局部洗滌機）先行處理後，在經由全廠之中央廢氣處理系統做三次處理後，再排入大氣中，以達到淨化氣體之功能，其架構示意如圖五說明。
晶圓廠的廢氣常含有酸，鹼性或腐蝕性，故處理系統的管材就必須能耐酸、鹼性或腐蝕性，故處理系統的管材就必須能耐酸、鹼性，抗蝕性，甚至耐高溫及防水性等，故表八乃將常用材質及使用種類整理歸納。而其廢氣處理種類及方式如下：
1.一般性廢氣，其來源為氧化擴散爐的熱氣，烤箱及乾式幫浦的排氣，此廢氣可直接排放至大氣。
2.酸、鹼性之廢氣，來源為化學清洗站，具刺激性及有害人體。故一般以溼式洗滌塔做水洗處理後再排入大氣。洗滌塔利用床體或溼潤的表面可去除0.1微米以上的粒子。其氣體與液體的接觸方式有交叉（垂直交叉）流式、同向流式及逆向流式三種，而水流的設計上，有噴嘴式，噴霧式，頸式及拉西環式等四種。
3.有機溶劑廢氣通常使用吸附式處理，其常用之吸附劑為活性碳，飽和後可以更換或以再生方式處理。
4.含毒氣性廢氣，其來源為化學氣相沈積，乾蝕刻機，擴散，離子佈值機及磊晶等製程時所產生。在經機台本身的局部洗滌機的處理後，其後段的處理方法有吸附法，直接燃燒法及化學反應法等數種。尤其是薄膜成長和磊晶製程時SiH4氣體，須特別注意，因其為一俱爆炸及可燃性的氣體。所以單獨配管且先經一密閉堅固的燃燒室(Burning Box)，內通空氣稀釋SiH4至可燃之濃度，令它先行燃燒後再經溼式洗滌塔處理後排出室外。其反應方式為：
SiH4 + 2O2←SiO2 （粉末） + 2H2O/ J6
其中SiO2粉末須定期清洗，以免污染及堵塞管路系統。另可採用KOH水溶液做為循環液系統，利用二者反應去除SiH 4，反應式如下：
SiH4 + 2KOH + H2O←K2SiO3 + 4H2( z3 v- Z! x
再經溼式洗滌塔處理後排出。其他一些常用的毒性氣體，如AsH3,PH3, B2H6亦可以此類化學反應處理。
6.電力，照明及冷卻水的配合*
! ]3此三項系統在生產流程上的配合，一般都不容易察覺，但一有狀況，往往都有立即且嚴重的影響；因他們似乎很少發生問題，就如同空氣一般的普遍。不過由於資源的不足，常會有臨時限電，限水的事件發生，所以在電力供應系統方面，都會設置不斷電系統及緊急電源以備不時之需。同時為了消除漏電的狀況，通常會設計安置一共同的接地電網，用來保障機器設備及人員的安全。照明系統亦甚為重要，無論平時或緊急照明裝置，都需保持明亮及舒適，否則容易影響工作的情緒及效率。另在冷卻水的供應上，亦必須慎重，諸如出水的壓力，溫度及流量都必須適當，不然即會對設備造成影響，甚至當機。同時其水質的純度，導電度以及防鏽的預防亦須留意，尤其在配備高週波電磁場的機台冷卻上，更為重要。這些設
備如射頻濺鍍機，電子迴旋共振蒸鍍或蝕刻設備，和電漿強化化學蒸鍍或蝕刻機等。
8 v" ?4當冷卻水的導電鍍增加時，即會造成漏電的效應而影響機合的操作參數；若防鏽不良會造成管路生鏽，堵塞等現象，以致影響冷卻的效果，造成設備的損傷。
7.潔淨室隔間，及相關機房，系統的營繕支援工作
潔淨室的空間規劃，一般在建廠之初統一設計完善；但由於技術層次不斷地提升，因此機台設備，生產流程必須隨時跟上半導體技術世代的演進。於是新設備進出潔淨室的事件亦常有之，此時，就必須安排隔間工程，電力，氣體供應，甚或排氣，排水等架設；於是需要一組系統營繕的支援人員資以配合。而負責此項工作的人員須對整個潔淨室的結構，特性，有相當程度的熟悉方可勝任。
8.監控、輔佐事故應變的機動工作
一座潔淨室的運作通常都是每天24小時不停歇的，所以必須要有人員隨時地監控整個系統，包括空調的溫溼度，氣體或化學品的供應，廢水及廢氣的處理；…等等，如此方能確保廠區的安全與正常的運作。#
事實上，實驗室可能出現一些緊急或危險的事故，例如：毒氣外洩，火警，停電…等等，此時必須要有緊急應變的處理人員予以處理，且通知人員做適當的應變或疏散，俾能降低損失。至於這些人員的挑選及訓練都必須事前做好規劃，而且必須經常提供適當的訓練及演習，方能在緊急狀況發生時確保己身的安全下，做到廠區安全維護及災害救援的任務。
三、廠務工作的未來方向
一個健全完整的廠務工作必須達到下述幾個目標：
1.安全考量：
從設計時的事先預防規劃開始，到安裝有效的偵測系統，及最後的緊急事故之解決與撲滅上，都需全面顧及。%
2.環境顧慮：: Q
即減少對環境的影響，所以應具體檢討生產流程，做到工業減廢，使廢水，廢氣及廢棄物減量，另再進行回收或再生。
3.可靠要求：
由增設備份設備及確定做到預防保養的方式，來提高各系統的可靠性。
4.穩定度的達成
廠務系統的穩定性為提高產品良率之必要因素，因此，舉凡環境的溫度高低，純水品質，電壓品質及氣體或化學品的供應，均需保持甚高之穩定性。
5.品質的提升：
良好的廠務系統品質可使生產或研發單位無後顧之憂，尤其0.18μm以下的技術世代後，各系統之規劃設計均以知識的極限來考量，如以ppt(10M-12為兆分之一)的單位來評估超純水及氣體的不純度。因此，避免可能的污染，以提高廠務系統的品質，進而確保產品的品質。
6.彈性的因應：
廠區的彈性化設計，乃因應日新月異的製程發展及生產設備異動的不二法門，也是延續工廠壽命及年限的方法。
7.人性的訴求：
人為高科技產業最大的資產，故人性化的考量乃新廠規劃中不可或缺的一環。5 Q i3 a5 W0 h9 K& Z i1 o/四、結語9
廠務的工作是一項幕後，支援性的工作，但其重要性絕不亞於場區任一部門；甚且在壓力的承受上，更是過之而不及。但在具體的成果和績效的呈現上，都是較軟弱的一環，於是造成廠務的工作同仁有些莫名的情緒與反應。因此，如何從工作中體念自身的重要性與成就感，進而提昇自己的專業技能及對此項工作的認同感，除了扮演廠務幕後英雄的角色外，更能擔任先進技術開展的積極輔佐角色。因此，清楚自己事業生涯的定位與規劃，愉快而安定從事自己選擇的工作，進而提供一穩定，可靠的半導體場區環境，俾能含蘊更完滿、先進的半導
體科技。3 Y6 ]# E2 _% t z$ x6 r
欢迎您的下载，
资料仅供参考！
致力为企业和个人提供合同协议，策划案计划书，学习课件等等
打造全网一站式需求
半导体厂务系统事故
半导体厂务系统事故及经验教训征集，有金币奖励！ 发表时间: 2007-3-31 08:31 作者: hhnec 来源: 半导体技术天地 字体: 小中大| 打印 半导体厂务系统相关的事故及经验教训征集，根据精彩与详尽程度有不等的金币奖励！ 说明：每个FAB、每个做厂务的engineer都会碰到各种各样、大大小小的事故，以及由此产生许多的经验教训供他人借鉴。作为各位专业人士互相之间的业务交流，请大家说出你碰到过的各类事故（也可以是你听说的其他FAB发生的真实事件）。要求说明时间、地点、发生情况以及对策、相关的经验教训等。 前车之鉴、他山之石，与人共享，善莫大焉！ 我也来说两句查看全部评论相关评论 kitgain (2007-3-31 11:33:59) 版主大人的宝贴怎么不回呢？ 俺抢沙发先。 某fab发生的真实案例，猴年马月子时亥分，厂务特气小组highlight Kr/F2/He消耗太快，整个fab 只有一种设备使用这种鸟气体－－呵呵，卖个关子先。追查发现一周以前新进的这台设备刚做完hookup，即QC验收通过，现场一切正常，但源头既然在这里，还是要查。 事故现状：该特气消耗量增大到平时2倍，而整个工厂、设备正常运转； 源头分析：就是这台设备了。 特气组开始彻查整套管路，从厂务GC到VMB到设备端，一边询问EE了解状况;EE初闻此信息，惊骇莫名，F2泄漏，还了得，但设备这边一切看起来正常，也帮不上什么忙。特气组累死累活每端管路（即有接头的2端管路）做he leak,保压测试，最后查到VMB到laser端，这里开始是EE的范围了。这时发现测试不过，laser接口端漏气！！！ 继续打开接口端，发现小小的mouse tip微微扭曲变形一点点，毒气就是从这么一点点的罅缝， 越过swage lock而泄漏！
半导体厂GAS系统基础知识解读
GAS 系 统 基 础 知 识
概述 HOOK-UP专业认知 一、厂务系统HOOK UP定义 HOOK UP 乃是藉由连接以传输UTILITIES使机台达到预期的功能。HOOK UP是将厂务提供的UTILITIES ( 如水,电,气,化学品等),经由预留之UTILITIES连接点( PORT OR STICK),藉由管路及电缆线连接至机台及其附属设备( SUBUNITS)。 机台使用这些UTILITIES,达成其所被付予的制程需求并将机台使用后,所产生之可回收水或废弃物( 如废水,废气等),经由管路连接至系统预留接点,再传送到厂务回收系统或废水废气处理系统。HOOK UP 项目主要包括∶CAD，MOVE IN ，CORE DRILL，SEISMIC ，VACUU，GAS，CHEMICAL， D.I ,PCW,CW,EXHAUST,ELECTRIC, DRAIN. 二、GAS HOOK-UP专业知识的基本认识 在半导体厂，所谓气体管路的Hook-up（配管衔接）以Buck Gas （一般性气体如CDA、GN2、PN2、PO2、PHE、PAR、H2等）而言，自供气源之气体存贮槽出口点经主管线（Main Piping）至次主管线（Sub-Main Piping）之Take Off点称为一次配（SP1
Hook-up），自Take Off出口点至机台（Tool）或设备（Equipment）的入口点，谓之二次配（SP2 Hook-up）。以Specialty Gas（特殊性气体如：腐蚀性、毒性、易燃性、加热气体等之气体）而言其供气源为气柜（Gas Cabinet）。自G/C出口点至VMB（Valve Mainfold Box.多功能阀箱）或VMP（Valve Mainfold Panel多功能阀盘）之一次测（Primary）入口点，称为一次配（SP1 Hook-up），由VMB或VMP Stick之二次侧（Secondary）出口点至机台入口点谓之二次配（SP2 Hook-up）。
半导体厂务系统介绍
Cleanroom System [ 洁净室系统] /ceiling grid 、无a, 内装修工程：(高架地板工程、洁净室隔墙板系统、铝合金龙骨吊顶尘 涂装、环氧地坪等)、压差控制系统、ESD防静电等； b, 循环空调系统：(包括部分供热与通风系统，比如MAU/OAC、AHU、FFU、DDC、 FCU、粗、中、高、超高过滤器、化学过滤器etc.、送气风机、排气风机etc.); c, FOUNDATION:防震机座、粉尘监测智能系统 /DMS系统、风淋室、传递窗、层流罩、洁 净工作台、洁净洗手器、洁净衣架、洁净电梯、正压洁净楼梯间系统、化学品储存冷库和压缩机etc. Mechanical System ［机械系统］ 中央动力,Central utility:Mechenical( 热水、冷冻水、软水、工艺设备冷却水PCW、 生产上水、自来水、饮用水、一般蒸汽和洁净蒸汽等管路供应系统；锅炉、冷冻机、冷却塔、空压机等厂务设施) Specialty Gas and Bulk Gas ［特殊气体和大宗气体］ a, Bulk Gas:GAS YARD 气站,CQC(N2/H2/O2/Ar/He/ 天然气)【包括普通和超纯/精制气体】，压缩空气(CDA)--有些FAB还将机台用CDA和厂务设备用CDA供应系统分开，呼吸空气供应系统等； b, Specialty Gas System ( 部分特性有重迭): (1) 易燃性气体(Flammable Gas) (2) 毒性气体(Toxic Gas) (3) 腐蚀性气体(Corrosive Gas) (4) 惰性气体(Inert Gas) (5) 氧化性气体(Oxide Gas) (6) 低压/保温气体(Heat G as) Water Treatment System ［水处理系统］ a, 超纯水供应系统、热/温纯水供应系统、一次纯水(RO水)供应系统etc. b, 工艺废水处理(酸、碱、含氟排水、slurry/cmp、研磨排液、温排水、纯水回收、一 般排水、TMAH显影液、H2O2、硫酸排液、磷酸排液、NH3排液etc.) c, 办公用给排水系统：饮用水供应、自来水供应、生活污水处理、雨水排放系统etc Exhaust System［工艺排气系统］ a, 工厂SCRUBBER:酸、碱、有机VOC、粉尘、一般排气etc.［有些FAB还包括了紧急排烟/事故排风系统］ b, LOCAL SCRUBBER( 一般附属于工艺设备):依其原理大概可分成下列几类(1)电热水洗式；(2)燃烧水洗式(3)填充水洗式;(4)干式吸附式。 Chemical Dispensing System［化学品供应系统］ 包括化学品供应系统和化学品回收系统，具体使用的化学品种类根据每个FAB产品的 不同而不同： a,Chemical Dispe nsi ng System 化学品供应系统
半导体厂务工作
半導體廠務工作 國家奈米元件實驗室 一、前言 近年來，半導體晶圓廠已進展到8"晶圓的量產規模，同時，也著手規劃12"晶圓的建廠與生產，準備迎接另一世代的產業規模。於是各廠不斷地擴增其產能與擴充其廠區規模，似乎稍一停頓即會從此競爭中敗下陣來。所以，推促著製程技術不斷地往前邁進，從0.25μm設計規格的64Mb（百萬位元）DRAM（動態隨機記憶元件）記憶體密度的此際技術起，又加速地往0.18μm規格的256M發展；甚至0.13μm的1Gb（十億位元）集積度的DRAM元件設計也屢見不鮮。亦即整個半導體產業正陷入尖端技術更迭的追逐戰，在競爭中，除了更新製程設備外，最重要的是維持廠區正常運作的廠務工作之配合，而這兩方面的支出乃佔資本財的最大宗。特別是多次的工安事故及環保意識抬頭之後，廠務工作更是倍顯其重要及殷切。 事實上，半導體廠的廠務工作為多援屬性的任務，也是後勤配合與收攤（廢棄物）處理的工作；平時很難察覺其重要性，但狀況一出，即會令整廠雞飛狗跳，人仰馬翻，以致關廠停機的地步。所以，藉此針對廠務工作的內容做一概略性的描述，說明其重要性並供作參考與了解。文章分為三部份：首先為廠務工作的種類，其次是廠務工作的未來方向，最後是本文的結語。 二、廠務工作的種類 目前在本實驗室所代表的半導體製程的廠務工作，約可分為下列數項： 1.一般氣體及特殊氣體的供應及監控。 2.超純水之供應。 3.中央化學品的供應。 4.潔淨室之溫度，濕度的維持。 5.廢水及廢氣的處理系統。 6.電力，照明及冷卻水的配合。 7.潔淨隔間，及相關系統的營繕支援工作。 8.監控，輔佐事故應變的機動工作等數項。 下述將就各項工作內容予以概略性說明： 1.一般氣體及特殊氣體的供應及監控[1] 一座半導體廠所可能使用的氣體約為30種上下，其氣體的規格會隨製程要求而有不同；但通常可分為用量較大的一般氣體(Bulk Gas)，及用量較小的特殊氣體(Special Gsa)二大類。在一般氣體方面，包括有N2, O2, Ar, H2等。另在特殊氣體上，可略分為下述三大類: (1) 惰性氣體(Inert Gas)的He, SF6,CO2, CF4, C2F6, C4H8及CH3F等。 (2) 燃燒性氣體(Flammable Gas)的SiH4,Si2H6, B2H6, PH3, SiH2Cl2, CH3, C2H2及CO 等。 (3) 腐蝕性氣體(Corrosive Gas)的Cl2,HCl, F2, HBr, WF6, NH3, BF2, BCl3, SiF4, AsH3, ClF3, N2O, SiCl4, AsCl3及SbCl5等。 實際上，有些氣體是兼具燃燒及腐蝕性的。其中除惰性氣體外，剩下的均歸類為毒性氣體。SiH4,B2H6,PH3等均屬自燃性氣體(Pyrophoricity)，即在很低的濃度下，一接觸大氣後，立刻會產生燃燒的現象。而這些僅是一般晶圓廠的氣源而已，若是實驗型的氣源種類，則將更為多樣性。 其在供氣的流程上，N2可採行的方式，有1. 由遠方的N2產生器配管輸送，2使用液氣槽填充供應，3利用N2的近廠產生器等三種。目前園區都採1式為主，但新建廠房的N2用量增鉅，有傾向以近廠N2產生器來更替；而本實驗室則以液槽供應。O2氣體亦多採用液槽方式，不過H2氣體在國內則以氣態高壓鋼瓶為主。圖一乃氣體供應之圖示。純化器方面，N2及O2一般均採用觸煤吸附雙塔式，Ar則以Getter（吸附抓取）式為主，H2則可有Getter，
厂务系统
工厂自动化/厂务系统(FMCS) 日期: 2009-11-6 15:00:48 作者: Admin 来源: 上海存在自动化控制设备有限公司浏览: 3588 FMCS(Facility Management and Control System)其中文意思是厂务监控系统，它是目前半导体厂内制程中所使用的监控系统，用途是将厂区内特定的，有危害的，影响制程状态或系统资料于此的监控，并将其记录，以供问题即时处理及日后问题分析。 目前的制造业已经向信息化工厂逐渐过度，整个工厂作为一个有机的整体来协调运转就需要一个有效的监控和管理，通过监控可以知道工厂所有设备所有人员所有材料的具体情况，通过管理，可以使以上各个生产环节紧密结合，协调运转。这样，就需要一个整体的全厂自动化系统。上海存在自动化控制设备有限公司的FMCS系统就是针对以上这些具体需求提出的完美解决方案。 存在自动化根据客户的具体设备要求和工程规范，结合我们在工厂FMCS方面的多年实践经验，运用当今主流的计算机技术和自动控制技术而进行的方案设计和工程实施设计，而量身定造完整的FMCS系统。此监控系统，具有友善的监控界面，采用Windows作业环境，只需要使用鼠标及简单的键盘，就可以进行操作，具安全性及可扩充性。 FMCS设计目标 将设施供应系统、环境系统、废弃物处理系统等监控资料利用Ethernet、PLC或RS232等通讯协议连接至不同监控计算机，形成一整合网络监控系统，以达到如下目的： 1.整合各单一网络为以整体，实现信息可互通。
2.提升整体管理绩效 3.简化运转维护困难度 4.降低安装、运转及扩充成本 5.多台电脑可相互监看、控制 6.可共享磁盘资源 7.可达到相互备份效果 8.监控报警电话Call出及邮件功能 9.历史数据查询及曲线查询 10.自动生成报表 11.监控系统网络管理 FMCS价值所在 1.大量节省管理人员：传统的仪表控制系统是通过工厂操作管理人员楼上楼下来回奔走，对分布于工厂各处的设备进行开关和调节。采用FMCS以后，就可以通过计算机的键盘或鼠标在中央控制室完成调节控制工作，也可以由计算机内部的软件自动控制调节各设备的参数及开关状态，做到真正的管理自动化，因此可以减轻管理人员的劳动强度，减少管理人员的数量。 2.延长设备使用寿命：设备在计算机的统一管理下始终处于最佳运行状态，按照设备的运行状况打印维护保养报告，提示管理人员对设备进行维护、保养，避免超前或延误维护、保养，相应延长设备使用寿命，减免突发性设备损坏，也就等于节省了资金。 3.提高操作管理人员与设备的整体安全水平：FMCS对不同子系统设备的运行状态进行实时监视，可使管理人员及时发现设备故障、问题与意外，消灭故障于隐患之中，保证设备与人身的安全。一旦设备有故障发生，计算机可以报告故障发生的部位及故障发生的原因，以便维护人员快速排除故障，恢复设备正常运行。 4.及时直观信息反馈：FMCS可不断地、及时地提供有关设备运行状况的报表，集中收集、整理作为设备管理决策的依据，实现设备维护工作的自动化。报表包括设备历史数据、动态趋势、设备诊断等。用户要求的报表可以打印存档。 5.安全操作规范管理：根据管理人员不同职务，给予不同的操作权力，分配不同等级的密码给各个管理人员。在某管理人员表明身份密码后，计算机便记录下使用人的姓名和时间等以便备查。 FMCS系统架构
半导体厂务系统
半导体厂务系统 Standardization of sany group #QS8QHH-HHGX8Q8-GNHHJ8-HHMHGN#
半导体厂务工作 吴世全 国家奈米元件实验室 一、前言 近年来，半导体晶圆厂已进展 到8"晶圆的量产规模，同时，也着手规划12"晶圆的建厂与生产，准备迎接另一世代的产业规模。於是各厂不断地扩增其产能与扩充其厂区规模，似乎稍一停顿即会从此竞争中败下阵来。所以，推促着制程技术不断地往前迈进，从μm设计规格的64Mb（百万位元）DRAM （动态随机记忆元件）记忆体密度的此际技术起，又加速地往μm规格的256M发展；甚至μm的1Gb（十亿位元）集积度的DRAM元件设计也屡见不鲜。亦即整个半导体产业正陷入尖端技术更迭的追逐战，在竞争中，除了更新制程设备外，最重要的是维持厂区正常运作的厂务工作之配合，而这两方面的支出乃占资本财的最大宗。特别是多次的工安事故及环保意识抬头之後，厂务工作更是倍显其重要及殷切。 事实上，半导体厂的厂务工作为多援属性的任务，也是後勤配合与收摊（废弃物）处理的工作；平时很难察觉其重要性，但状况一出，即会令整厂鸡飞狗跳，人仰马翻，以致关厂停机的地步。所以，藉此针对厂务工作的内容做一概略性的描述，说明其重要性并供作参考与了解。文章分为三部份：首先为厂务工作的种类，其次是厂务工作的未来方向，最後是本文的结语。
二、厂务工作的种类 目前在本实验室所代表的半 导体制程的厂务工作，约可 分为下列数项： 1.一般气体及特殊气体 的供应及监控。 2.超纯水之供应。 3.中央化学品的供应。 4.洁净室之温度，湿度的维持。 5.废水及废气的处理系统。 6.电力，照明及冷却水的配合。 7.洁净隔间，及相关系统的营缮支援工作。 8.监控，辅佐事故应变的机动工作等数项。 下述将就各项工作内容予以概略性说明： 1.一般气体及特殊气体的供应及监控[1]
半导体厂务工作.
半导体厂务工作 吴世全 国家奈米组件实验室 一、前言 近年来，半导体晶圆厂已进展到8"晶圆的量产规模，同时，也着手规划12"晶圆的建厂与生产，准备迎接另一世代的产业规模。于是各厂不断地扩增其产能与扩充其厂区规模，似乎稍一停顿即会从此竞争中败下阵来。所以，推促着制程技术不断地往前迈进，从0.25μm设计规格的64Mb（兆位）DRAM（动态随机存储元件）内存密度的此际技术起，又加速地往0.18μm规格的256M发展；甚至0.13μm的1Gb（千兆位）集积度的DRAM组件设计也屡见不鲜。亦即整个半导体产业正陷入尖端技术更迭的追逐战，在竞争中，除了更新制程设备外，最重要的是维持厂区正常运作的厂务工作之配合，而这两方面的支出乃占资本财的最大宗。特别是多次的工安事故及环保意识抬头之后，厂务工作更是倍显其重要及殷切。 事实上，半导体厂的厂务工作为多援属性的任务，也是后勤配合与收摊（废弃物）处理的工作；平时很难察觉其重要性，但状况一出，即会令整厂鸡飞狗跳，人仰马翻，以致关厂停机的地步。所以，藉此针对厂务工作的内容做一概略性的描述，说明其重要性并供作参考与了解。文章分为三部份：首先为厂务工作的种类，其次是厂务工作的未来方向，最后是本文的结语。 二、厂务工作的种类 目前在本实验室所代表的半导体制程的厂务工作，约可分为下列数项： 1.一般气体及特殊气体的供应及监控。
2.超纯水之供应。 3.中央化学品的供应。 4.洁净室之温度，湿度的维持。 5.废水及废气的处理系统。 6.电力，照明及冷却水的配合。 7.洁净隔间，及相关系统的营缮支持工作。 8.监控，辅佐事故应变的机动工作等数项。 下述将就各项工作内容予以概略性说明：1.一般气体及特殊气体的供应及监控[1] 一座半导体厂所可能使用的气体约为30种上下，其气体的规格会随制程要求而有不同；但通常可分为用量较大的一般气体(Bulk Gas，及用量较小的特殊气体(Special Gsa二大类。在一般气体方面，包括有N2, O2, Ar, H2等。另在特殊气体上，可略分为下述三大类：
厂务系统(FMCS)
工厂自动化/厂务系统(FMCS) 日期:2009-11-6 15:00:48作者:Admin来源:上海存在自动化控制设备有限公司浏览:3588 FMCS(Facility Management and Control System)其中文意思是厂务监控系统，它是目前半导体厂内制程中所使用的监控系统，用途是将厂区内特定的，有危害的，影响制程状态或系统资料于此的监控，并将其记录，以供问题即时处理及日后问题分析。 目前的制造业已经向信息化工厂逐渐过度，整个工厂作为一个有机的整体来协调运转就需要一个有效的监控和管理，通过监控可以知道工厂所有设备所有人员所有材料的具体情况，通过管理，可以使以上各个生产环节紧密结合，协调运转。这样，就需要一个整体的全厂自动化系统。上海存在自动化控制设备有限公司的FMCS系统就是针对以上这些具体需求提出的完美解决方案。 存在自动化根据客户的具体设备要求和工程规范，结合我们在工厂FMCS方面的多年实践经验，运用当今主流的计算机技术和自动控制技术而进行的方案设计和工程实施设计，而量身定造完整的FMCS系统。此监控系统，具有友善的监控界面，采用Windows作业环境，只需要使用鼠标及简单的键盘，就可以进行操作，具安全性及可扩充性。 FMCS设计目标 将设施供应系统、环境系统、废弃物处理系统等监控资料利用Ethernet、PLC或RS232等通讯协议连接至不同监控计算机，形成一整合网络监控系统，以达到如下目的： 1.整合各单一网络为以整体，实现信息可互通。
2.提升整体管理绩效 3.简化运转维护困难度 4.降低安装、运转及扩充成本 5.多台电脑可相互监看、控制 6.可共享磁盘资源 7.可达到相互备份效果 8.监控报警电话Call出及邮件功能 9.历史数据查询及曲线查询 10.自动生成报表 11.监控系统网络管理 FMCS价值所在 1.大量节省管理人员：传统的仪表控制系统是通过工厂操作管理人员楼上楼下来回奔走，对分布于工厂各处的设备进行开关和调节。采用FMCS以后，就可以通过计算机的键盘或鼠标在中央控制室完成调节控制工作，也可以由计算机内部的软件自动控制调节各设备的参数及开关状态，做到真正的管理自动化，因此可以减轻管理人员的劳动强度，减少管理人员的数量。 2.延长设备使用寿命：设备在计算机的统一管理下始终处于最佳运行状态，按照设备的运行状况打印维护保养报告，提示管理人员对设备进行维护、保养，避免超前或延误维护、保养，相应延长设备使用寿命，减免突发性设备损坏，也就等于节省了资金。 3.提高操作管理人员与设备的整体安全水平：FMCS对不同子系统设备的运行状态进行实时监视，可使管理人员及时发现设备故障、问题与意外，消灭故障于隐患之中，保证设备与人身的安全。一旦设备有故障发生，计算机可以报告故障发生的部位及故障发生的原因，以便维护人员快速排除故障，恢复设备正常运行。 4.及时直观信息反馈：FMCS可不断地、及时地提供有关设备运行状况的报表，集中收集、整理作为设备管理决策的依据，实现设备维护工作的自动化。报表包括设备历史数据、动态趋势、设备诊断等。用户要求的报表可以打印存档。 5.安全操作规范管理：根据管理人员不同职务，给予不同的操作权力，分配不同等级的密码给各个管理人员。在某管理人员表明身份密码后，计算机便记录下使用人的姓名和时间等以便备查。 FMCS系统架构
半导体FAB里基本的常识简介
CVD 晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室 答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷 何谓半导体?; I* s# N* v8 Y! H3 a8 q4 a1 R0 \- W 答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。最常用的半导体材料是硅及锗。半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。 常用的半导体材料为何' u* k9 `+ D1 v1 U# f5 [7 G 答：硅(Si)、锗(Ge)和砷化家(AsGa): j* z$ X0 w& E4 B3 m. M( N( _; o4 D 何谓VLSI' b5 w; M# }; b; @; \8 g3 P. G 答：VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路5 E3 U8 @- t& \t9 x5 L4 K% _2 f 在半导体工业中，作为绝缘层材料通常称什幺0 r7 i, `/ G1 P! U" w! I 答：介电质(Dielectric). w- j" @9 Y2 {0 L0 f w 薄膜区机台主要的功能为何 答：沉积介电质层及金属层 何谓CVD(Chemical Vapor Dep.) 答：CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程 CVD分那几种? 答：PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式) 为什幺要用铝铜(AlCu)合金作导线?4 Z* y3 A, G f+ z X* Y5 ? 答：良好的导体仅次于铜 介电材料的作用为何?% Y/ W) h' S6 J, l$ i5 B; f9 [ 答：做为金属层之间的隔离 何谓PMD(Pre-Metal Dielectric) 答：称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质5 |3 X. M$ o; T8 Y, N7 l5 q+ b 何谓IMD(Inter-Metal Dielectric)9 u9 j4 F1 U! Q/ ?" j% y7 O/ Q" m; N, b 答：金属层间介电质层。1 X8 g' q a0 h3 k4 r" X$ l. l 何谓USG? 答：未掺杂的硅玻璃(Undoped Silicate Glass): u0 F0 d! A M+ U( w/ Q 何谓FSG? 答：掺杂氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass) 何谓BPSG?& ~- I3 f8 i( Y! M) q, U 答：掺杂硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicate glass)6 f/ g4 U& D/ }5 W 何谓TEOS? 答：Tetraethoxysilane用途为沉积二氧化硅 TEOS在常温时是以何种形态存在? 答：液体" q) ]0 H- @9 p7 C8 P; D8 Y. P) X 二氧化硅其K值为3.9表示何义( Y! @1 J! X+ P; b* _$ g 答：表示二氧化硅的介电质常数为真空的3.9倍6 H9 v' O5 U U" R9 w! o$ ` 氟在CVD的工艺上，有何应用 答：作为清洁反应室(Chamber)用之化学气体4 Z& Z5 a* E6 m+ F 简述Endpoint detector之作用原理.6 [2 d$ j" l7 p4 V. f 答：clean制程时,利用生成物或反应物浓度的变化,因其特定波长光线被detector 侦测到
半导体厂务系统
半导体厂务系统
————————————————————————————————作者: ————————————————————————————————日期： ?
半導體廠務工作 吳世全 國家奈米元件實驗室 一、前言 近年來，半導體晶圓廠已進展到 8"晶圓的量產規模，同時,也著手規劃１2＂晶圓的建廠與生產，準備迎接另一世代的產業規模。於是各廠不斷地擴增其產能與擴充其廠區規模，似乎稍一停頓即會從此競爭中敗下陣來。所以,推促著製程技術不斷地往前邁進,從0.２5μm設計規格的6４Mｂ(百萬位元）D ＲＡM（動態隨機記憶元件)記憶體密度的此際技術起,又加速地往0.18μm規格的25６M發展；甚至０.13μm的1Gb（十億位元）集積度的ＤＲAM元件設計也屢見不鮮。亦即整個半導體產業正陷入尖端技術更迭的追逐戰，在競爭中，除了更新製程設備外,最重要的是維持廠區正常運作的廠務工作之配合，而這兩方面的支出乃佔資本財的最大宗。特別是多次的工安事故及環保意識抬頭之後，廠務工作更是倍顯其重要及殷切。 事實上，半導體廠的廠務工作為多援屬性的任務,也是後勤配合與收攤（廢棄物)處理的工作；平時很難察覺其重要性,但狀況一出,即會令整廠雞飛狗跳,人仰馬翻,以致關廠停機的地步。所以,藉此針對廠務工作的內容做一概略性的描述，說
明其重要性並供作參考與了 解。文章分為三部份:首先為 廠務工作的種類,其次是廠 務工作的未來方向,最後是 本文的結語。 二、廠務工作的種類 目前在本實驗室所代表的半導體製程的廠務工作,約可分為下列數項: 1.一般氣體及特殊氣體的供應及監控。 2.超純水之供應。 3．中央化學品的供應。 4.潔淨室之溫度，濕度的維持。 5.廢水及廢氣的處理系統。 6．電力，照明及冷卻水的配合。 7.潔淨隔間,及相關系統的營繕支援工作。 8．監控，輔佐事故應變的機動工作等數項。
半导体厂GAS系统基础知识
系 统 基 础 知 识 概述 专业认知 一、厂务系统定义 乃是藉由连接以传输使机台达到预期的功能。是将厂务提供的 ( 如水,电,气,化学品等),经由预留之连接点
( ),藉由管路及电缆线连接至机台及其附属设备( )。 机台使用这些 ,达成其所被付予的制程需求并将机台使用后,所产生之可回收水或废弃物( 如废水,废气等),经由管路连接至系统预留接点,再传送到厂务回收系统或废水废气处理系统。项目主要包括∶，，，，，，， , . 二、专业知识的基本认识 在半导体厂，所谓气体管路的（配管衔接）以（一般性气体如、2、2、2、、、H2等）而言，自供气源之气体存贮槽出口点经主管线（）至次主管线（）之点称为一次配（1 ），自出口点至机台（）或设备（）的入口点，谓之二次配（2 ）。以（特殊性气体如：腐蚀性、毒性、易燃性、加热气体等之气体）而言其供气源为气柜（）。自出口点至（ .多功能阀箱）或（多功能阀盘）之一次测（）入口点，称为一次配（1 ），由或之二次侧（）出口点至机台入口点谓之二次配（2 ）。
简单知识基本掌握 第一章气体概述 由于制程上的需要，在半导体工厂使用了许多种类的气体，一般我们皆依气体特性来区分，可分为一般气体（）与特殊气体（）两大类。 前者为使用量较大之气体，如N2、等，因用量较大，一般气体常以大宗气体称之。 后者为使用量较小之气体?一般指用量小,极少用量便会对人体造成生命威胁的气体，如4、3等 1.1 介绍 半导体厂所使用的大宗气体，一般有： 、2、2、、2、2、等七种。 1．大宗气体的制造： / ( / )： 之来源取之于大气经压缩机压缩后除湿，再经过滤器或活性炭吸附去除粉尘及炭氢化合物以供给无尘室 ( )。 2 ()： 利用压缩机压缩冷却气体成液态气体，经过触媒转化器，将反应成2，将H2反应成H2O，再由分子筛吸附2、H2O，再经分溜分离O2 & 。
半导体厂务常用缩写
CUP Central Utility Plant 中央動力廠房 GEX General EXhaust 普通及熱排氣 SEX Scrubber EXhaust 酸排氣 VEX Volatile orgaic compound EXhaust 有機溶劑排氣 AEX Ammonia EXhaust 鹼性排氣 PCW Plant Cooling Water 工藝冷卻水 PV Process Vacuum 工藝真空 HV House Vacuum 真空吸塵 CW City Water 自來水 FMCS Faility Monitoring Contro System 廠務監控系統 MCC Motor Control Center 馬達控制中心 VFD Variable Frequency Device 變頻器 CCTV Close Circuit T elevsion 閉路電視 P A Public Adress system 廣播系統 FA Fire A larm system 火災報警系統 UPW Ultra Pure Water 超純水 FWW Fluoride Waste Water 低濃度氫氟酸廢水 IWW Industry Waste Water 工業廢水 OWW Organic Waste Water 有機溶劑廢水 DAHW Drain Amonia Hydride Waste 含氨廢水 RCL Recycle water 製程回收循環水 RCM Reclaim water 製程回收再利用水 HFW High Fluoride Waste water 高濃度氫氟酸廢水 BGW Backgriding Waste water 晶背研磨廢水 SAW Sulfuric Acid Waste water 硫酸廢液 P AW Phosphoric Acid Waste water 磷酸廢液 SW Stripper Waste water 剝離液廢液 TW Thinner Waste water 清洗廢液 PIX Pix waste water PIX廢液 SLOW Oxide slurry waste water 介電質研磨廢水 SL WP Metal slurry waste water 金屬研磨廢水 SL WP Poly slurry waste water 多晶硅研磨廢水 PN2 Process N2 製程用氮氣 GN2 General N2 一般用氮氣 CDA Compressor Dry Air 壓縮乾燥空氣 VMB Valve Manifold Box 閥箱 空調系統 AHU Air Handling Unit 空调箱 MAU Make-up Air Unit 外气空调箱 VAV Variable Air Volume box 可变风量风箱 FFU Fan Filter Unit 风车过滤器 HEP A High Efficiency Particulate Filter 高效率过滤器 ULP A Ultra Low Penetration Filter 超高效率过滤器 A/S Air Shower 空气浴尘室 CUP Central Utility Plant 中央動力廠房 電力系統 FMCS Faility Monitoring Control System 廠務監控系統 MCC Motor Control Center 馬達控制中心 VFD Variable Frequency Device 變頻器 CCTV Close Circuit T elevsion 閉路電視 SCADA Supervisory Control And Data Acquisition 监视控制和数据搜集系
半导体厂务系统
半導體廠務工作 吳世全 國家奈米元件實驗室 一、前言 近年來，半導體晶圓廠已進展到 8"晶圓的量產規模，同時，也著手規劃12"晶圓的建廠與生產，準備迎接另一世代的產業規模。於是各廠不斷地擴增其產能與擴充其廠區規模，似乎稍一停頓即會從此競爭中敗下陣來。所以，推促著製程技術不斷地往前邁進，從0.25μm設計規格的64Mb（百萬位元）DRAM （動態隨機記憶元件）記憶體密度的此際技術起，又加速地往0.18μm規格的256M發展；甚至0.13μm的1Gb（十億位元）集積度的DRAM元件設計也屢見不鮮。亦即整個半導體產業正陷入尖端技術更迭的追逐戰，在競爭中，除了更新製程設備外，最重要的是維持廠區正常運作的廠務工作之配合，而這兩方面的支出乃佔資本財的最大宗。特別是多次的工安事故及環保意識抬頭之後，廠務工作更是倍顯其重要及殷切。 事實上，半導體廠的廠務工作為多援屬性的任務，也是後勤配合與收攤（廢棄物）處理的工作；平時很難察覺其重要性，但狀況一出，即會令整廠雞飛狗跳，人仰馬翻，以致關廠停機的地步。所以，藉此針對廠務工作的內容做一概略性的描述，說明其重要性並供作參考與了解。文章分為三部份：首先為廠務工作的種類，其次是廠務工作的未來方向，最後是本文的結語。
二、廠務工作的種類 目前在本實驗室所代表的半 導體製程的廠務工作，約可 分為下列數項： 1.一般氣體及特殊氣 體的供應及監控。 2.超純水之供應。 3.中央化學品的供應。 4.潔淨室之溫度，濕度的維持。 5.廢水及廢氣的處理系統。 6.電力，照明及冷卻水的配合。 7.潔淨隔間，及相關系統的營繕支援工作。 8.監控，輔佐事故應變的機動工作等數項。 下述將就各項工作內容予以概略性說明： 1.一般氣體及特殊氣體的供應及監控[1]
半导体厂务
一、前言 近年来，半导体晶圆厂已进展到8"晶圆的量产规模，同时，也着手规划12"晶圆的建厂与生产，准备迎接另一世代的产业规模。于是各厂不断地扩增其产能与扩充其厂区规模，似乎稍一停顿即会从此竞争中败下阵来。所以，推促着制程技术不断地往前迈进，从0.25μm设计规格的64Mb（兆位）DRAM（动态随机存储元件）内存密度的此际技术起，又加速地往0.18μm规格的256M发展；甚至0.13μm的1Gb（千兆位）集积度的DRAM组件设计也屡见不鲜。亦即整个半导体产业正陷入尖端技术更迭的追逐战，在竞争中，除了更新制程设备外，最重要的是维持厂区正常运作的厂务工作之配合，而这两方面的支出乃占资本财的最大宗。特别是多次的工安事故及环保意识抬头之后，厂务工作更是倍显其重要及殷切。 事实上，半导体厂的厂务工作为多援属性的任务，也是后勤配合与收摊（废弃物）处理的工作；平时很难察觉其重要性，但状况一出，即会令整厂鸡飞狗跳，人仰马翻，以致关厂停机的地步。所以，藉此针对厂务工作的内容做一概略性的描述，说明其重要性并供作参考与了解。文章分为三部份：首先为厂务工作的种类，其次是厂务工作的未来方向，最后是本文的结语。 二、厂务工作的种类 目前在本实验室所代表的半导体制程的厂务工作，约可分为下列数项： 1.一般气体及特殊气体的供应及监控。 2.超纯水之供应。 3.中央化学品的供应。 4.洁净室之温度，湿度的维持。 5.废水及废气的处理系统。 6.电力，照明及冷却水的配合。 7.洁净隔间，及相关系统的营缮支持工作。 8.监控，辅佐事故应变的机动工作等数项。 下述将就各项工作内容予以概略性说明： 1.一般气体及特殊气体的供应及监控[1] 一座半导体厂所可能使用的气体约为30种上下，其气体的规格会随制程要求而有不同；但通常可分为用量较大的一般气体(Bulk Gas)，及用量较小的特殊气体(Special Gsa)二大类。在一般气体方面，包括有N2, O2, Ar, H2等。另在特殊气体上，可略分为下述三大类： (1) 惰性气体(Inert Gas)的He, SF6,CO2, CF4, C2F6, C4H8及CH3F等。 (2) 燃烧性气体(Flammable Gas)的SiH4,Si2H6, B2H6, PH3, SiH2Cl2, CH3, C2H2及CO等。 (3) 腐蚀性气体(Corrosive Gas)的Cl2,HCl, F2, HBr, WF6, NH3, BF2, BCl3, SiF4, AsH3, ClF3, N2O, SiCl4, AsCl3及SbCl5等。 实际上，有些气体是兼具燃烧及腐蚀性的。其中除惰性气体外，剩下的均归类为毒性气体。SiH4,B2H6,PH3等均属自燃性气体(Pyrophoricity)，即在很低的浓度下，一接触大气后，立刻会产生燃烧的现象。而这些仅是一般晶圆厂的气源而已，若是实验型的气源种类，则将更为多样性。 其在供气的流程上，N2可实行的方式，有1. 由远方的N2产生器配管输送，2使用液气槽填充供应，3利用 N2的近厂产生器等三种。目前园区都采1式为主，但新建厂房的N2用量增巨，有倾向以近厂N2产生器来更替；而本实验室则以液槽供应。O2气体亦多采用液槽方式，不过H2气体在国内则以气态高压钢瓶为主。图一乃气体供应之图示。纯化器方面，N2及O2一般均采用触煤吸附双塔式，Ar则以Getter（吸附抓取）式为主，H2则可有Getter，Pd薄膜扩散式和触媒加超低温吸附式等三项选择。
IC FAB 厂务系统简介
IC FAB 廠務系統簡介H:\OK000\PUBOK000\PUBLIC\訓練課程教材\SCLIU\FAB-3廠務系統介紹.ppt
2. Electrical power supply condition : 2-1. Voltage & Loading : 480V : 60Hz ±0.5Hz, 3 phase 4 wire（R,S,T,G） 208V : 60Hz ±0.5Hz, 3 phase 4 wire（R,S,T,G） 208V : 60Hz ±0.5Hz, 3 phase 5 wire（R,S,T,N,G） 120V : 60Hz ±0.5Hz, 1 phase 3 wire（L,N,G） ※If tool loading of 208V is greater than 400A, we suggest to use480V power source. ※Process tool should follow IEEE standard 466 -electrical power voltage requirement. As attachment-1. 2-2. Type : Normal Power : without supply when power outage Emergency Power : can sustain power failure more than 10 minutes Dynamic UPS : continuously supply even thought power outage 3. EMI：＜10mG dc &＜1mG ac, and maximum 0.2 mG variation over 5 minutes near sensitive equipment. 4. ESD： 4-1. Raised floor and concrete floor = 10E6~5×10E8Ω/□ 4-2. Clean room wall = 10E6~5×10E8Ω/□ 4-3. Voltage : ＜100 V level 4-4. Photo area : discharge time: +1000V to +100V under emitter＜40 sec. 5. Grounding : ≦1Ω 6. Noise : ≦60 NC 7. Illumination : 750 ~ 800 lux for C/R；but photo area 500 ~ 600 lux with yellow light