引线框架电镀设备
引线框架电镀设备封装前引线框架电镀设备
特点:
封装前引线框架电镀生产线广泛用于集成电路引线框架的选择高速镀银、镀镍、镀锡铅等工艺。根据引线框架的类型，生产线可分为片式电镀线和卷对卷式电镀线；根据电镀位置控制方法不同，生产线可分为浸镀、轮镀、压板式喷镀等类型。镀区对位准确，镀层均匀细致，镀层厚度一致性好。此类生产线最高可同时设12列通道。
封装后引线框架高速电镀生产线
高速镀锡自动生产线用于极大规模集成电路封装外引脚的全镀锡生产，全线自动控制，封闭生产，可满足各种高端集成电路的电镀生产。该生产线解决了QFN和LQFP集成电路封装中外引脚镀锡生产线自动上下料、镀槽阳极屏蔽、掉料保护等关键问题，突破了QFN直线单边工作防止料片弯曲技术、阳极屏蔽提高镀层厚度均匀性技术，为各生产企业大规模生产提供良好的保证。
集成电路封装中的引线键合技术研究
集成电路封装中的引线键合技术研究 发表时间：2019-08-30T17:12:20.510Z 来源：《基层建设》2019年第16期作者：吴栋华 [导读] 摘要：本文以集成电路封装系统为研究对象，对其中的引线键合技术的工艺内容进行研究分析。 晟碟信息科技（上海）有限公司上海 200241 摘要：本文以集成电路封装系统为研究对象，对其中的引线键合技术的工艺内容进行研究分析。在简要介绍引线键合技术基础的前提下，分析多种类型的键合技术，并重点在键合技术基础条件上，就温度、时间、键合工具、引线材料、键合机理这四方面内容进行细化说明。 关键词：集成电路；封装处理；引线缝合 引言 集成电路封装技术，受到电气设备高速发展的影响，在行业领域与科技条件的带动下，呈现出了高速率的发展条件。为了适应整体行业的发展状态，需要对其中的技术条件进行升级，尤其在键合技术内容中，需在简要介绍基本概念内容的基础上，引出整体技术应用要点，为相关研究提供参阅材料。 一、引线键合技术概述 引线键合技术，将技术细线作为材料与技术基础，通过对热、压力、超声波等能量条件的利用，实现金属引线与基板焊盘之间的紧密焊合状态。此项技术，是芯片技术领域中极为常见的技术手段，是维护电力互联状态、执行信息通信功能的基础性技术条件。在理性的控制状态下，引线与极板之间，会出现电子共享或原子扩散，并在联众金属间，出现原子量级的键合状态。功能属性上，引线键合技术，将核心元件作为工作对象，对其行使导出与引入功能，以此展示自身技术条件在集成电路封装中的技术应用价值。 二、多类型键合技术分析 集成电路的设置，可以分为多道操作工艺，并在磨片、划片、装片、烘箱、键合、塑封等多项技术工序中，完成整体的技术管理。在IC封装技术条件下，芯片与引线之间的连接状态，是电源与信息号连接的基础，在连接方式上，呈现出倒装焊、载带自动焊、引线键合三种技术类型。在应用条件上，引线键合表现出明显的技术优势。而在传统封装条件下，引线键合技术也表现出一定的特异化内容，通常会使用球形焊接的流程工艺形式。 球形焊接技术，首先要设置第一点焊接，并将其位置固定在芯片表面。然后通过线弧的成型处理，引导出第二点焊接，并将其设置在引线框架或者基板的表面。技术原理上，通过离子化的空气间隙，引导出“电子火焰熄灭”现象，并在形成金属球的过程中，产生所谓的自由空气球，表现出技术条件下独有的特征属性。而在键合处理的过程中，这一技术条件，表现出了明显的精度优势，可以分别在不同的方向上作出补偿控制点，以此保证整体焊接处理的合理状态[1]。 整体角度出发，键合技术需遵照基本的工艺条件设置需求，在基础设备、键合时间、键合温度等多方面内容的控制条件下，保证整体键合操作工艺的合理化状态。尤其在键合机台压与功率的控制上，应尊重超声功率的基本应用条件，将焊线与接触面保持在相对较为松软的条件下，在输入能量的同时，保证物质分子态结构之间的嵌合，完成新形状的塑造。 三、键合技术的基础条件说明 （一）温度条件 温度是控制键合操作的重要指标，对整体技术的应用合理性状态，有着直接且绝对的影响。适当的温度条件，是执行引线键合的基础。在键合处理中，温度所产生的能量条件，会消除在键合接触面中产生的氧化物质，可以有效地提高键合处理的技术效果。针对这一问题，技术领域进行了大量的研究实践分析，并确定了统一的键合操作最优温度状态。通常情况下，将200℃-240℃，作为最优化的键合消耗条件，如果键合处理中的环境温度低于这一温度条件，就无法发挥消除氧化层的技术处理效果。反之，如果高于这一温度区间，对键合技术的应用条件，也会造成危害，并在接触面上，增加出现氧化物的概率。因此，需要对键合的温度进行系统化的控制，使其在相应的温度区间中，维护键合技术处理的有效性，提高整体集成封装技术的适应性条件。 （二）时间条件 键合操作，是一个流程化的技术过程中，虽然所用的时间相对较为短暂，但在整体的键合处理中，也会随着键合点位置的变化，表现出明显的差异性条件。通常情况下，键合处理所消耗的实践越长，键合球吸收的能量也就相对越多，这一条件，直接增加了键合接触界面的直径参数。此时，会对键合界面的强度起到明显的强化效果，但是这种条件也会相应的缩减键合的强度。同时，如果键合的时间过长，会大大的增加键合点的范围，增加键合空洞的形成概率。因此，键合处理的技术过程中，需要对实际技术条件进行分析，在确定具体应用环境的同时，合理控制键合时间，以此保证整体键合处理的有效性，为整体集成电路封装处理的优化奠定基础。 （三）键合工具 引线键合处理中，需要使用特定的提供具设备，在执行能量传递工作的过程中，保证操作界面的良性键合效果。通常情况下，键合设备工具，需要针对键合技术的应用形式，分别对超声波、热量、压力等不同类型的能量形态进行传递了，同时还需要将键合所用的引线材料固定的工具上，以此保证技术操作处理的有效性。而不同的键合处理方法与流程，所选用的键合工具也有所差异[2]。例如，在楔形键合技术中，主要通过楔形劈刀设备，完成键合操作，而其材质，主要由碳钛合金或者钨碳材料组成。又如，在球形键合技术中，会将毛细管劈刀设备作为操作工具，而其材质大多为陶瓷材料，明显的区别于楔形键合设备。另外，无论是哪一种键合工具，其应用中的大小型号，都会对整体键合处理的精度与稳定性状态产生影响，需要得到相关技术人员的重视，并在应用作出必要的调整。 （四）引线材料 引线材料是键合技术处理中的基础，常见的引线多为铜、铝、金等技术材料。铜线的应用最为普遍，在经过键合处理之后，通常无需进行二次封装处理。同时，在使用铜线进行键合处理的过程中，可以有效地降低杂物的出现概率，避免劈刀出现堵塞问题，保证良好的运行状态。在键合处理的过程中，需要重点关注铜丝结构的强度属性与延展性状态，并在优化铜丝纯度的同时，使其应用价值得到保证。另外，在实践过程中发现，在铜丝的引线材料中，适当的加入其它元素的金属物质，会使铜丝在键合处理中发生明显的质量变化，并展现出差异化特征。 以金线为材料基础的键合技术，在实际应用中，也有明显的技术优势，并在封装实务操作中，具有一定代表性。技术操作中，用于金
我国引线框架产业现状及前景分析
我国引线框架产业现状及前景分析 引线框架、金丝均属于半导体/微电子封装专用材料，在半导体封装过程起着重要的作用。微电子或半导体封装，直观上就是将生产出来的芯片封装起来，为芯片的正常工作提供能量、控制信号，并提供散热及保护功能。 引线框架是一种用来作为集成电路芯片载体，并借助于键合丝使芯片内部电路引出端（键合点）通过内引线实现与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件。在半导体中，引线框架主要起稳固芯片、传导信号、传输热量的作用，需要在强度、弯曲、导电性、导热性、耐热性、热匹配、耐腐蚀、步进性、共面形、应力释放等方面达到较高的标准。 （1）我国引线框架功能与分类 引线框架的主要功能是为芯片提供机械支撑的载体，并作为导电介质内外连接芯片电路而形成电信号通路，以及与封装外壳一同向外散发芯片工作时产生热量的散热通路。 内容选自产业信息网发布的《2015-2020年中国引线框架行业市场发展动态及投资策略建议报告》 引线框架在半导体封装中的应用及位置 资料来源：中国产业信息网数据中心整理
引线框架根据应用于不同的半导体，可以分为应用于集成电路的引线框架和应用于分立器件的引线框架两大类。这两大类半导体所采用的后继封装方式各不相同，种类繁多。不同的封装方式就需要不同的引线框架，因此，通常以半导体的封装方式来对引线框架进行命名。集成电路运用广泛且发展迅速，目前有DIP、SOP、QFP、BGA、CSP 等多种封装方式；分立器件主要是各种晶体管，封装上大都采用TO、SOT 这两种封装方式。 引线框架分类列表 资料来源：中国产业信息网数据中心整理 （2）我国引线框架行业相关政策 2012 年2 月，国家工业和信息化部颁布的《集成电路产业“十二五”发展规划》中提出，要加强12 英寸硅片、SOI、引线框架、光刻胶等关键材料的研发与产业化，支持国产集成电路关键设备和仪器、原材料在生产线上规模应用。 引线框架行业相关标准
引线框架铜合金
引线框架铜合金材料 1）介绍引线框架： 作为集成电路的芯片载体,是一种借助于键合材料（金丝、铝丝、铜丝）实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,它起到了和外部导线连接的桥梁作用,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架,是电子信息产业中重要的基础材料。 2）优势所在： 科学技术现代化对铜及铜合金材料提出越来越多的新要求,引线框架的作用是导电、散热、联接外部电路,因此要求制作引线框架材料具有高强度、高导电、良好的冲压和蚀刻性能。目前全世界百分之八十的引线框架使用铜合金高精带材制作,据不完全统计,引线框架合金约77种,按合金系划分主要有铜-铁-磷、铜-镍-硅、铜-铬-锆Cu-Fe-P、Cu-Ni-Si、Cu-Cr-Zr 三大系列,按着性能可分为高导电、高强度、中强中导等系列所有这些新要求,将推动铜及铜合金材料的现代化进程。常用的铜基引线框架材料主要有C194和KFC合金,其中C194（Cu-2.3Fe-0.1Zn-0.03P）属于Cu-Fe-P系合金,具有高导电、高导热性以及好的热稳定性,大量应用于电子封装（安装集成电路内置芯片外用的管壳,起着安放固定密封,保护集成电路内置芯片,增强环境适应的能力,并且集成电路芯片上的铆点也就是接点,是焊接到封装管壳的引脚上的）领域。 C194合金(Cu-2.35%Fe-0.12%Zn-0.03% P)是美国奥林公司20世纪60年代开发生产的引线框架材料,因其优良的导电性、导热性和低价格等特点成为引线框架材料的主导产品。目前日本和德国是世界上最大的引线框架铜带出口国, 我国虽然可以自行生产一定量的C194合金材料,但合金性能与国外产品相比存在一定差距,国外合金性能为:抗拉强度500MPa,硬度151HV,电导率3.77×10-2S/m;而国内合金性能为:抗拉强度≥410 MPa,硬度120～145HV,电导率≥3.48×10 -2S/m。 在Cu-Fe-Zn-P合金中,Fe能细化铜的晶粒,延缓再结晶过程,提高铜的强度和硬度；P对铜的机械性能有良好的影响,同时P可以脱氧，固溶在铜基中防止氢脆，显著降低铜的导电性和导热性，Zn可防止在金属基体与镀层中间出现脆性第二相。 3）C194热轧工艺： 本试验所用C194铜合金取自国内某铜厂热轧后的板坯,其主要化学成分（质量分数,%）为2.34Fe,0.13Zn,0.02P,96.73Cu。并添加微量的Mg、Cr(铬)和混合稀土(主要成分为La（镧）和Ce（铈）)。选用高纯电解铜为原料,采用带有氮气气氛保护的中频感应炉熔炼合金。合金中的铁、磷和铬均以中间合金的形式加入,镁和混合稀土以单质的形式加入。用水冷铁模浇铸合金扁锭,铸锭尺寸为40 mmxl00 mmx600mm。铸锭经加热至950℃保温2 h,在四辊热轧机上进行合金的热轧,终轧温度分别为780、650℃,热轧至2.5mm后切样进行高温拉伸。高温拉伸试验在CSS一44100型万能试验机上进行,电阻测量使用QJ36型单双臂电桥,测量精度为0．05％。在SDT Q600上进行DSC试验（示差扫描量热法（differential scanning calorimetry）一种热分析法）,在JSM 6480型扫描电镜上进行显微组织分析。TEM试样经双喷减薄仪（透射电子显微镜）减薄(双喷电解液为70％的磷酸水溶液)后,在JEM一200CX 型透射电子显微镜上观察(加速电压为200 kV)。 加热温度、保温时间和终轧温度是热轧工艺的几个关键因素。加热温度的制定主要是为了确定铸锭塑性高、变形抗力小,同时晶粒又不过分长大的温度。理论上的开轧温度为合金熔点温度的0．80-0．90,但具体温度的确定主要依据合金成分所决定的状态图、塑性图和变形抗力图。终轧温度是控制金属合金组织性能的重要条件,需考虑到晶粒大小、第二相的析出。保温时间主要考虑到合金对温度的敏感性。C194合金对温度不敏感,加热时间的影响较
混合集成电路的外引线键合技术
混合集成电路的外引线键合技术 混合集成电路的外引线键合技术 1.引言混合集成电路多采用引线键合的方式实现基板与管壳引线柱之间的互连，即混合电路的外引线键合。实现外引线键合的方式通常有以下几种；SiAl丝超声焊、Au丝热压焊、Au丝球焊、Au丝点焊、粗Al丝超声焊、Cu丝超声焊和Cu丝点焊等。与混合集成电路内引线键合不同，外引线键合时，键合丝的1端在厚膜或薄膜的金属化层上，另一端不在IC芯片上，而在管壳的引线柱上。有关内引线键合研究的文献报道很多 [1][2][3]。大家从键合的机理、键合工艺、键合机器、键合丝材料以及IC的金属化层、薄膜金属化层、厚膜金属化层等各个不同的角度对内引线键合的质量进行研究。对引线键合可靠性的研究基本上都集中在金属间化合物的形成、生长，金属焊区的清洗等方面。有关外引线键合的研究，大多都集中在金属管壳的镀层结构、材料和镀层厚度对键合质量的影响[4]。本文针对混合集成电路的外引线键合，对不同的键合工艺及其对应的金属学系统进行研究，并对Au丝球焊、Au丝点焊和SiAl丝超声焊的结果进行了对比，认为采用Au丝点焊工艺键合混合电路外引线的效果最佳。2.实验方法选取某电路所用的基片和配套的TP13管壳13套，管壳的引脚采用可伐镀金工艺。采用正常的组装工艺进行操作。制作实验用的电路样品，每只样品有10个外引线镀金引脚。在每1只实验样品中，分别采用 40μm的SiAl丝超声焊、40μm的Au丝球焊和40μm的Au丝点焊3种键合方式进行键合。其中每个实验样品中，SiAl丝超声焊和Au丝点焊各3个外引线引脚，Au丝球焊4个外引线引脚。键合完成后，抽取1只样品在室温下做破坏性键合强度实验，剩余的12只样品分为3组，每组4只样品，分别做300℃、1h，300℃、2h和300℃、3h的高温存贮实验。然后再做破坏性键合强度实验，对比3种键合方式的键合强度的实验结果。3.实验结果采用上述3种键合方式键合的样品，经过常温和300℃不同时间存贮后的键合强度值如表1所示。表1中，失效模式正常是指从键合点的颈部或键合丝的中部断裂。镀金层脱焊是指从外引线柱顶端的镀金层处脱落。表1 3种键合方式的键合强度的比较样品金丝焊球金丝热压焊硅铝丝超声焊常温 1 ＃ 14.712.813.715.5 13.613.215.0 11.813.614.3 300℃1h 2 ＃ 13.715.114.411.5 12.912.011.5 1.00.42.2 3 ＃ 14.615.213.514.4 12.514.514.5 0.40.60.1 4 ＃ 15.317.915.516.2 13.516.115.1 0.30.30.5 5 ＃ 13.916.115.217.0 10.111.618.0 0.80.50.9 300℃2h 6 ＃ 14.013.515.112.9 15.014.614.3 1.10.91.3 7 ＃ 16.316.414.114.3 18.318.218.7 2.41.41.6 8 ＃ 12.212.816.716.2 17.313.415.0 0.80.52.2 9 ＃ 15.315.615.715.8 21.017.116.4 3.41.61.7 300℃2h 10 ＃ 16.313.711.913.8 14.413.914.3 1.70.30.3 11 ＃ 13.915.64.815.2 18.313.010.4 0.50.21.5 12 ＃ 15.213.811.312.7 14.110.215.0 0.30.90.8 13 ＃ 13.111.14.813.4 22.622.614.5 1.80.20.0 失效模式正常正常镀金层脱 焊常温时，Au丝球焊，Au丝点焊和SiAl丝超声焊3种键合方式的键合强度平均值几乎没有差别，分别为14.18gf，13.93gf和13.20gf。经过300℃、1h的高温存贮后，
我国引线框架的生产情况
我国引线框架的生产情况 我国内引线框架生产企业主要集中在长三角、珠三角，随着国外大封装测试厂家在中国境内投资办厂，国内引线框架的需求也将有迅速增长。国内引线框架主要企业介绍如下：（1）先进半导体物料科技有限公司（ASM Assembly Materials Limited） ASM 于 1968 年成立，公司总部位于荷兰的比尔托芬，是一家跨国公司，拥有雄厚的技术基础，ASM 公司主要生产半导体用设备和材料，是全球 15 家顶级半导体设备制造商之一。在美国、日本、香港、中国、新加坡、马来西亚都设有分公司。在深圳设有分公司，生产引线框架。 （2）深圳赛格高技术投资股份有限公司（SHIC） 公司与德国、荷兰柏狮（POSSEHL）电子集团合资兴办深圳赛格柏狮电子有限公司（PSE），注册资本 1104.36 万美元，主营半导体集成电路引线框架、半导体精密模具制造等业务,产品畅销海内外。 （3）铜陵丰山三佳微电子有限公司 公司是由韩国丰山微电子株式会社与三佳电子集团有限责任公司共同投资2000 万美元建立的一家高科技企业，韩国丰山公司以技术、设备和资金入股，占51%的股份，三佳集团以厂房、设备和资金入股，占 49%的股份。公司引进国际先进的技术和生产装备，生产 IC、TR 类引线框架和硬质合金级进冲模具，已建成年产 40 亿只引线框架的规模。 （4）三井高科技（上海）有限公司三井高科技（上海）有限公司、三井高科技（天津）有限公司、三井高科技电子（东莞）有限公司都是日本三井高科技股份公司在中国大陆独资开设的三家分立器件及集成电路引线框架、高精度马达转子定子叠片的专业生产厂家。是专业生产集成电路引线框架，高精度金属模的企业，也是目前国内唯一具有 240 只脚 IC 引线框架生产能力的生产厂家，包括照相蚀刻 IC 引线框架、密冲压 IC 引线框架。三井高科技（上海）有限公司成立于 1996 年 3 月，1998 年 6 月开始批量生产。投资总额 2500 万美元，注册资本 1500 万美元，占地面积 33000 平方米。主要品种：SIP、CDIP、PDIP、HDIP、QFP、TQFP、QFJ、SOJ、LCC、VSOP、SOP、TSOP、SSOP 等。 （5）中山复盛机电有限公司 公司成立于 1995 年，是台湾复盛股份有限公司（台湾上市公司）下属独资企业。公司包含两大事业部：机械事业部（空气压缩机类产品）；电子事业部（精密模具、引线框架、电子连接器类产品）。目前，客户广泛分布于美国、日本、台湾、香港以及中国大陆等国家与地区。 （6）宁波康强电子股份有限公司 宁波康强电子股份有限公司是由宁波普利赛思电子有限公司、宁波电子信息集团有限公司、宁波经济技术开发区康盛贸易有限公司、江阴市新潮科技有限公司以及外商英属维尔京群岛杰强投资国际有限公司、台商刘俊良先生合资创办的高新技术企业。公司成立于 1992 年6 月，经过十年的发展，目前已成为国内最大的塑封引线框架生产基地，年产量达 120 亿只，产品包括 TO-92、TO-126、TO-220、 TO-3P 系列和大中小功率三极管引线框架、SOT 系列的表面贴装引线框架及 IC 系列的集成电路引线框架 100 余种规格。上述产品均以世界一流的技术研究开发并组织生产，产品质量受到 ISO9001 国际标准质量保证体系的控制。 （7）厦门永红电子有限公司 厦门永红电子有限公司是电子部重点扶持的最早从事高精度半导体和集成电路塑封引线框架开发、生产及精密模具制造的专业厂家。公司于 1983 年由天水永红器材厂与厦门华夏集团联营创建，2001 年 7 月引入社会资金后再经股权优化而成。主营产品或服务：分立器件系列、DIP 系列、SOP 系列、SSOP 系列、QFP 系列、SOT 系列等总计 150 个品种。 （8）无锡华晶利达电子有限公司
最新引线框架
引线框架
引线框架背景材料 引线框架是半导体集成电路用的主要原材料。按知识产权分类，有open 和close 两种。Open即公开的，无知识产权保护，各半导体厂家都可以使用。close 是有知识产权的引线框架，不允许他人使用。 一市场需求 引线框架生产以冲压为主，蚀刻工艺很少。冲压的生产效率要高于蚀刻，在产量大的情况下，冲压生产成本低，主要是模具费用。机械冲制只需电费，冲下的废料足够支付电费。 蚀刻工艺主要用于： 1新产品研发，因为量比较少。 2用量少且又不想让他人使用的产品，例如汽车、电机所使用的专用集成电路。 3需要半蚀刻区的引线框架。 4引脚数多的产品。这类产品，模具费用高，用量少。通常认为 100脚以上的引线 框架，用蚀刻工艺较多。 二原材料 大部分材料为铜，中高端材料需进口。个别也有使用 inwa 材料的，例如led 用的引线框架。材料宽度一般为15cm。
三工艺流程 打定位孔→清洗→贴感光膜→曝光→显影-腐蚀-剥膜→电镀→打凹→贴带→检验 韩国AQT公司前段采用连续卷式生产，后段电镀工艺为片式。苏州住友公司采用分段式卷式工艺，包括电镀。 四上马该项目所面临的问题。 1只能走高端路线。 因为模具技术在不断提高，制作模具的成本也在不断降低，蚀刻引线框架恐怕只能走高端路线。例如，汽车、电机以及单反相机用的专用集成电路，一个品种全球也就需要不到几百万片，分散到某个公司，一年也就几十万片，所以，采用蚀刻工艺生产是可行的。 但这类产品要求高，认证时间长。
2环保问题。 电镀工艺是否可以和兄弟公司的电镀有机结合？如果单独设置电镀，恐不易操作。 2011-06-06
集成电路用引线框架材料研究
集成电路用引线框架材料研究 【摘要】随着电子技术飞跃发展，集成电路成为了电路中尤为重要的部件。因此，对集成电路的研究上升到了一定的高度。引线框架作为集成电路是重要组成部分，运到了新机遇及新挑战，研究引线框架材料成为相关专家与学者研究的重要课题。本文阐述了当今引线框架的研究进展，介绍了引线框架的基本特征及研发动态，就集成电路用引线框架材料发展前景做了展望。 【关键词】引线框架材料;集成电路;研究 0.前言 在集成电路中，就是依靠进线框架连接外部元件与芯片，其作用至关重要。主要起到支撑及固定芯片，保护内部元件，把IC组装成为一个整体；同时将芯片和外部电路连接起来传递信号，有效进行导电导热。因此，集成电路与各个组装程序必然依据框架才能成为一种整体。鉴于引线框架材料在集成电路中的重要，许多相关人士将研究集成电路用引线框架材料成为了热点话题。在这种形势下，本文对集成电路用引线框架材料研究具有实际价值。 1.集成电路用引线框架概述 随着电力技术快速发展，信息产品正朝着轻量化、高速化、薄型化、小型化以及智能化等方向发展，而作为封装材料也得到长足发展，尤其是半导体的集成电路封装更是突飞猛进。 如今，引线框架的封装密度及引线密度是越来越高，同时封装引线的脚数也快速增多，让引线的节距逐年降低，如今已近达到了0.1mm，同时超薄型成为了热门，从过去的0.25mm降至到0.05-0.08mm,而引线的框架也朝着轻、短、薄、多引线、高精细度以及小节距方向发展。 集成电路用引线框架的性能: ①具备较高强度与硬度；因为引线框架逐步小型，但是其内部容纳的电路依然是那么多，而且容纳的东西应该是越来越多，这就为其材料提出了较高强度及硬度要求。 ②良好的导热性；随着集成电路逐渐变小，功能足部增大，随着工作效率提高必然产生热量越多，必然要具备加好导热性。 ③较好的导电性；要消除电感及电容造成的影响，材料就必然要求较好导电性，才能降低框架上的阻抗，也有效散热。 除了具备如上一些功能特性之外，引线框架还要具备良好的冷热加工性能，较好的微细加工和刻蚀性能及较好的钎焊性能等。一般而言，较为理想引线框架材料的强度不能够低于600MPa，其硬度HV不能小于130，而其电导率不能小于80%。 2.研究引线框架材料进展 随着集成电路朝着小型化及高集成化以及安装方式变化等等方向上发展，为引线框架材料特性及质量要求是逐渐增强，必然要投入更多人力物力来开发与研究新材料。自从上世纪60年代集成电路研发成功以来，相关人士就在不断的开发优质集成材料，电子封装材料及各类引线框架也不断产生，针对引线框架材料较多的是高铜合金及铁镍合金开发比较成功，本文就是以这两种材料作为例子进行阐述。 2.1铁镍合金
引线框架
连接器注塑、装配零件、精密工装、夹具以及精密手动或全自动机器的专业公司。精密模具及机器设备部模具加工设备达到150台，投资约1400万美元，现有员工330人，具有17年的精密模具加工经验，并得到从事精密模具设计制造40余年的德国总公司的相关技术支持。公司拥有当今最先进的精密机加工设备，并形成了较大的生产规模。先进的加工设备、一大批高技术的专业员工、再加上ISO9001和先进管理软件的全面导入保证了产品的优良品质和及时交货。连续5年被评为“全国外商投资双优企业”,现产品主要出口到美国、欧洲及东南亚以及为数众多著名国际跨国公司在中国设立的工厂。我们的目标是成为中国最大的精密模具加工中心之一。 （3）铜陵丰山三佳微电子有限公司 铜陵丰山三佳微电子有限公司（简称丰山三佳）是由韩国丰山微电子株式会社(简称丰山公司)和铜陵三佳电子（集团）有限责任公司（简称三佳集团）共同出资组建的中外合资公司，丰山三佳第一期总注册资金2000万美元，其中丰山微电子株式会社占51%股份，三佳集团占49%股份。合资双方本着技术、市场全面合作、绩效最大、互惠互利的原则，使丰山三佳成套引进、消化吸收国际一流的专业技术、管理及工艺装备，生产具有国际竞争力的半导体集成电路引线框架及引线框架模具。公司引进国际先进的技术和生产装备，生产 IC、TR 类引线框架和硬质合金级进冲模具，已建成年产 40 亿只引线框架的规模。 （4）三井高科技（上海）有限公司三井高科技（上海）有限公司、三井高科技（天津）有限公司、三井高科技电子（东莞）有限公司都是日本三井高科技股份公司在中国大陆独资开设的三家分立器件及集成电路引线框架、高精度马达转子定子叠片的专业生产厂家。是专业生产集成电路引线框架，高精度金属模的企业，也是目前国内唯一具有 240 只脚 IC 引线框架生产能力的生产厂家，包括照相蚀刻 IC 引线框架、密冲压 IC 引线框架。 三井高科技（上海）有限公司成立于 1996 年 3 月，1998 年 6 月开始批量生产。投资总额 2500 万美元，注册资本 1500 万美元，占地面积 33000 平方米。主要品种：SIP、CDIP、PDIP、HDIP、QFP、TQFP、QFJ、SOJ、LCC、VSOP、SOP、TSOP、SSOP 等。2006年10月为止，投资总额4500万美元，注
电镀工艺流程图及工艺说明
电镀工艺流程图及工艺说明 孔化工艺流程： 上板→膨胀→双联水洗→氧化→回收水洗→双联水洗→预中和→中和→双联水洗→ 条件→双联水洗→微蚀→双联水洗→预浸→活化→双联水洗→促化→双联水洗→ 化学沉铜→双联水洗→下板孔化工艺说明孔化操作工艺说明如下表所示序号主要工程功能说明 1 膨胀将孔内粉尘进行膨胀处理。 2 氧化利用强氧化清除膨胀后的杂物。 3 中和将氧化时的碱性物质中和。 4 条件去除材料表面的油污。 5 微蚀对铜面进行修正处理，保证沉铜的结合力。 6 预浸对活化前的预处理，保证无水进入活化槽。 7 活化化学沉铜前的钯沉积。 8 促化化学沉铜前的还原处理 9 化学沉铜在材料表面形成一层化学铜，将板的两面连接起来。 板电工艺流程图板电工艺流程上板→除油→市水洗→上喷水洗→浸酸→镀铜→上喷水洗→上喷水洗→下板→剥挂架→市水洗→上喷水洗→上板板电工艺说明板电操作工艺说明如下表所示序号主要工程功能说明 1 除油去除材料表面的油污。 2 浸酸去除材料表面可能存在的氧化膜，活化产品。 3 镀铜铜电镀为打底电镀，其目的是为了在材料表面形成一层致密的铜电镀层，以增加镀层与基体材料的结合力。 图电工艺流程图图电流程图： 上板→除油→水洗→水洗→微蚀→水洗→水洗→酸浸→镀铜→水洗→高位水洗→浸水洗→镀锡前处理→镀锡→高位水洗→浸水洗→下板→剥挂架→水洗→高位水洗→上板图电工艺说明图电操作工艺说明如下表所示序号主要工程功能说明 1 除油去除材料表面的油污。 2 微蚀对铜面进行修正处理，保证铜电镀的结合力。 3 酸浸去除材料表面可能存在的氧化膜，活化产品。 4 镀铜铜电镀为打底电镀，其目的是为了在材料表面形成一层致密的铜电镀层，以增加镀层与基体材料的结合力。 5 镀锡在客户要求的区域内镀上锡,保护铜不被碱性蚀刻
半导体引线框架
产品类型有TO、DIP、ZIP、SIP、SOP、SSOP、QFP（QFJ）、SOD、SOT等 半导体引线框架：产能不足高端需进口 2006-07-06 15:54:45 来源: 中国电子报网友评论 0 条进入论坛 作者：傅祥胜 随着我国集成电路产业的迅猛发展，IC新型封装技术的升级发展，对封装材料的要求也愈来愈苛刻，带动了我国封装材料技术和市场的发展。这为我国的引线框架行业带来了发展的机遇，同时也面临着严峻的挑战。 产量仅能满足50%左右国内需求 目前，在国内从事半导体引线框架生产的企业主要有17家： 新光电气工业(无锡)有限公司、no 日立电线(苏州)精工有限公司、11 三井高科技(上海、天津、东莞)电子有限公司、 济南晶恒山田电子精密科技有限公司、 no 东莞长安品质电子制造厂、11 先进半导体物料科技有限公司、1 柏狮电子(香港)有限公司、零件 顺德工业有限公司、 中山复盛机电有限公司、机械 铜陵丰山三佳微电子有限公司11、 广州丰江微电子有限公司、 宁波康强电子股份有限公司1、 厦门永红电子有限公司、1 无锡华晶利达电子有限公司1、 宁波华龙电子股份有限公司、1 宁波东盛集成电路元件有限公司、1 浙江华科电子有限公司 其中，独资企业7家，合资企业4家，内资企业6家。以上企业主要从事半导体引线框架、精密模具和其他电子设备、电子元器件的设计、制造和销售，实属国内领先。 从被调查的17家生产厂家2005年生产产能可以看出，我国半导体企业中合资及外商独资的成分较大，其中三井高科技(上海)有限公司是日本三井在我国独资的引线框架专业生产厂家，总投资2500万美元，注册资本1500万美元，其产品科技含量高、生产工艺先进。我国台湾的中山复盛总投资3000万美元，注册资本1600万美元，系广东省高新技术企业。合资企业中丰山三佳为中韩合资企业，总投资2800万美元，注册资金2100万美元，其依据三佳的模具优势及韩国丰山微电子20多年引线框架的技术优势，在从业短短4年内一举打入市场，并迅速占领了我国中高档产品近1/3的市场份额并销售海外市场。 引线框架行业主要集中在长三角、珠三角一带，在长三角一带颇具规模的主要是铜陵丰山三佳、上海三井、日本无锡新光，珠三角一带以ASM、广东丰江、中山复胜为代表，与我国封装企业区域分布彼此呼应。 高端产品仍需进口 国内引线框架生产企业起步较早，多年来为国内IC和分立器件生产配套，具有产品研制、开发和大生产能力，一直担当引线框架生产的主力军，但国内的产量仅能满足50%左右的国内需求，大部分高端产品还需要进口，且大多数是引线少，节距大的一般产品，满足不了国内市场的需求。2001年12月，铜陵丰山三佳(集团)有限责任公司和韩国丰山微电子株式会社共同出资2100万美组建铜陵丰山三佳微电子有限公司，生产具有国际竞争力的“半导体集成电路引线框架”及“引线框架模具”，目前可生产208脚以下冲压品引线框架，计划2004年—2007年分两期共投资7500万美元，将成为中国引线框架和引线框架模具重要的生产基地。 技术向细间距产品发展
半导体引线框架
半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。那么，用半导体材料制成的引线框架是怎么样的呢？下面就让广德均瑞电子科技为您简单解析，希望可以帮助到您！ 引线框架作为集成电路的芯片载体，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。 产品介绍 有TO、DIP、ZIP、SIP、SOP、SSOP、TSSOP、QFP（QFJ）、SOD、SOT等。主要用模具冲压法和化学刻蚀法进行生产。引线框架使用的原材料有：KFC、C194、C7025、FeNi42、TAMAC-15、
PMC-90等。材料的选择主要根据产品需要的性能：（强度、导电性能以及导热性能）来选择。 广德均瑞电子科技有限公司注册资金500万人民币，拥有不锈钢五金蚀刻加工独立法人环评资质，厂房面积2000平方米，6条不锈钢生产线，公司销售生产管理人员均超十年不锈钢蚀刻生产加工经验。公司主要生产集成电路导线架；接地端子; 表面贴装零件(SMT)模板；精密线材布线钢板;编码器光栅；手机按键、RDIF天线、基板及金属配件；(VFD)栅网、陈列、支架；电极针（放电针）；各类金属过滤网片/喇叭网片；眼镜框架；精密元器件掩模板；LCD背光模仁、钢版；显像管荫罩；电脑硬盘骨架；金属蚀刻发热片工艺等。 广德均瑞电子科技是以补强钢片为主打产品的蚀刻厂，ISO9001认证工厂，具有独立法人和环评资质，持有排污许可证的企业。拥有6蚀刻加工生产线，免费提供FPC补强板工艺解决方案以及蚀刻行业资讯。
引线框架-------成分一览
附件C：引线框架原材料的种类 base Metal Feature Name Chemical Composition T.S E.C H.C Remarks Ni系 High Alloy 42Fe58/Ni426830.11 Strength Kovar Fe46/Ni29/Co17763 C155CuAg99.8/P0.06/Ag0.07/Mg0.114586 3.5 C151Cu99.9/Zr0.14890 3.7Olin C1020Cu99.96/O210PPM38101 3.9 High KFC Cu99.87/Fe0.1/P0.034290 3.5Kobe Electrical EFTEC-3S Cu99.84/Sn0.15/P0.014290 3.5Furukawa Conductivity CCZ Cu99.2/Cr0.55/Zn0.255085 3.2 PMC90Cu99.87/Fe0.1/P0.034290 3.5Poongsan Tamac-2Cu99.84/Sn0.15/P0.0064585Mitsubishi Tamac-4Cu99.85/Fe0.07/Zn0.05/P0.034985Mitsubishi SLF-3Cu99.08/Cr0.8/Sn0.125080 3.1Sumitomo C19700Cu99.15/Fe0.6/P0.3/Mg0.055180 3.1Olin C194Cu97.5/Fe2.35/P0.03/Zn0.124665 2.6Olin C195Cu97/Fe1.5/P0.1/Co0.8/Sn0.663502Olin Medium C505Cu98.7/Sn1.34640 2.1 Strength KLF-1Cu96.3/Ni3.0/Si0.76255 2.2Kobe Cu系 Medium KLF-5Cu97.87/Sn2.0/Fe0.1/P0.036035 1.3Kobe Electrical MF202Cu97.8/Sn2.0/Ni0.25530 1.5Mitsubishi Conductivity Tamac-5Cu97.97/Sn1.25/Fe0.75/P0.035240 1.4Mitsubishi EFTEC-5Cu98/Fe1.0/Sn0.5/Zn0.5Furukawa EFTEC-4S Cu97.1/Fe2.4/Zn0.54865 2.6Furukawa C19750Cu98.92/Fe0.6/Sn0.23/P0.2/Mg0.055865 2.6 K-75Cu99.53/Cr0.3/Ti0.15/Si0.025878 3.2Wieland KLF-125Cu96.5/Ni1.6/Si0.35/Zn0.3/Sn1.256870 1.5Kobe PMC102Cu98.77/Ni1.0/Si0.2/P0.035369 2.6Poongsan C510Cu94.9/Sn5.0/P0.156150.71 C654Cu95.38/Si3.05/Sn1.5/Cr0.076070.38 High AI-35Cu98.95/Al0.35/Al2030.76085 3.4 Strength C7025Cu94.77/Fe0.2/Zn1.0/Ni3.2/Si0.73/Mn0.18840Olin EFTEC-64T Cu99.65/Zn0.10/Sn0.257875Furukawa PMC26Cu99.4/Ni2.0/Si0.3/Sn0.36045Poongsan C725Cu89/Ni9/Sn265110.54 KLF-125Cu96.5/Ni1.6/Sn1.25/Si0.35/Zn0.38530Kobe Fe系 Low Cost SPCC FE-C(low)455-Nissin
电镀工艺流程资料
电镀工艺流程资料 Prepared on 22 November 2020
电镀工艺流程资料(一)ⅠCu流程：上料→酸浸（1）→酸浸（2）→镀铜→双水洗→抗氧化→水洗→下料→剥挂架→双水洗→ⅡCu流程：上料→清洁剂→双水洗→微蚀→双水洗→酸浸→镀铜→双水洗→℃以上。在材质上，则须对耐腐蚀性进行了解，避免超出特性极限，对镀铜而言，石英及铁弗龙都是很适合的材料。 电镀工艺流程资料(二)°斜角移动为佳，但一般都采有用垂直向摆动，较佳的位移量约在~min，而每stroke长约5 ~15cm之间。在设定条件时，应注意不可造成因频率过高，使板子本身摆动，而减小孔内药液穿透量。 a. 过滤粒径：一般采用5u或10u滤蕊。若非环境控制良好，使用更小滤蕊可能造成滤材更换，损耗过多。 b. 材质有多种材质供选择，不同系统光泽剂会有不同之限制，其中PP最具体广用性。 c. Leaching：即便为适用材质之滤蕊，亦须经过Leaching处理（热酸碱浸洗程序）。 a. 整流器最上限、最下限相对容易10%，系不稳定区域，应避免使用。 “局部阳极”≥% P:~% O≤% Fe≤% S≤% Pb≤% Sb≤% AS≤% N≤% b. 可能状态下尽量不要使用钛篮，因为钛篮将造成 Carriey或High Current Dewsity Brightener增加约20%的消耗，而不使用钛篮的状态，则须注意使阳极高出液面1~2英寸。 c. 对阳极袋的考虑，基本上与滤蕊相同，一般常用Napped 或Dynel，并可考虑双层使用，唯阳极袋须定期清洗，以避免因过量的阳极污泥造成阳极极化。 d. 一般均认为阴阳极之比例应在~2︰1,但由于高速镀槽之推出，较佳的考虑是，控制阳极的相对电流密度小于20 ASF，来决定阳极的数量，在使用钛篮的状态，其面积的计算，约为其（前+左+右）面积之倍，亦即以钛篮正面积核算其电流密度约应小于40ASF。过大的阳极面积可能造成铜含量之上升，过小则可能造成铜含量不足，且二者均会造成有机添加剂的异常消耗及阳极块的碎裂。 e.阳极在接近液面侧应加装遮板，而深度则应仅为镀件的75%（较浅4~5英寸），在板子尺寸不固定时，则应考虑浮动式遮板，对其左右侧的考虑亦同，故在槽子设计与生产板实际宽度不同，应考虑使用Rubber strip，但须注意当核算面积，加开电流时，应至少降低40%计算。对于此类分布问题，可以“电场”及“流态”的观念考虑。 电镀工艺流程资料(三) 各流程的作用： “铜金属18g/l+硫酸180g/l”酸铜比例维持在10/1以上，12︰1更佳，绝对不能低于6︰1，高酸低铜量易发生烧焦，而低酸高铜则不利于Throwing Power。
电镀含铬废水电解处理工艺流程图上课讲义
电镀含铬废水电解处理工艺流程图
电镀含铬废水的铬的存在形式有Cr6+和Cr3+两种，其中以Cr6+的毒性最大。含铬废水的处理方法较多，常用的有化学法、电解法、离子交换法等。 1、化学法 电镀废水中的六价铬主要以CrO42－和Cr2O72－－两种形式存在，在酸性条件下，六价铬主要以Cr2O72形式存在，碱性条件下则以CrO42－形式存在。六价铬的还原在酸性条件下反应较快，一般要求pH＜4，通常控制pH2.5～3。常用的还原剂有：焦亚硫酸钠、亚硫酸钠、亚硫酸氢钠、连二亚硫酸钠、硫代硫酸钠、硫酸亚铁、二氧化硫、水合肼、铁屑铁粉等。还原后Cr3+以Cr（OH）3沉淀的最佳pH为7～9，所以铬还原以后的废水应进行中和。 （1）亚硫酸盐还原法 目前电镀厂含铬废水化学还原处理常用亚硫酸氢钠或亚硫酸钠作为还原剂，有时也用焦磷酸钠，六价铬与还原剂亚硫酸氢钠发生反应： 4H2CrO4+6NaHSO3+3H2SO4=2Cr2（SO4）3+3Na2SO4+10H2O 2H2CrO4+3Na2SO3+3H2SO4= Cr2（SO4）3+3Na2SO4+5H2O 还原后用NaOH中和至pH=7～8，使Cr3+生成Cr（OH）3沉淀。 采用亚硫酸盐还原法的工艺参数控制如下： ①废水中六价铬浓度一般控制在100～1000mg/L； ②废水pH为2.5～3 ③还原剂的理论用量为（重量比）：亚硫酸氢钠∶六价铬=4∶1 焦亚硫酸钠∶六价铬=3∶1 亚硫酸钠∶六价铬=4∶1 投料比不应过大，否则既浪费药剂，也可能生成［Cr2（OH）2SO3］2－而沉淀不下来； ④还原反应时间约为30min； ⑤氢氧化铬沉淀pH控制在7～8，沉淀剂可用石灰、碳酸钠或氢氧化钠，可根据实际情况选用。 （2）硫酸亚铁还原法 硫酸亚铁还原法处理含铬废水是一种成熟的较老的处理方法。由于药剂来源容易，若使用钢铁酸洗废液的硫酸亚铁时，成本较低，除铬效果也很好。硫酸亚铁中主要是亚铁离子起还原作用，在酸性条件下（pH=2～3），其还原反应为： H2Cr2O7+6FeSO4+6H2SO4=Cr2（SO4）3+3Fe 2（SO4）3+7H2O 用硫酸亚铁还原六价铬，最终废水中同时含有Cr3+和Fe3+，所以中和沉淀时Cr3+和Fe3+一起沉淀，所得到的污泥是铬与铁氢氧化物的混合污泥，产生的污泥量大，且没有回收价值，这是本法的最大缺点。其主要工艺参数为： ①废水的六价铬浓度为50～100mg/L； ②还原时废水的pH=1～3； ③还原剂用量一般控制在Cr6+∶FeSO4·7H2O=1∶25～30 ④反应时间不小于30min ⑤中和沉淀的pH控制在7～9 （3）铁氧体法 铁氧体法实质上是硫酸亚铁法的演变与发展，其特点是投加亚铁盐还原六价铬，调节pH沉淀后，需要加热至60～80℃，并较长时间的曝气充氧。形成的铬铁氧体沉淀属尖晶石结构，Cr3+占据部分Fe3+位置，其他二价金属阳离子占据了部分Fe2+的位置，即进入铁氧体的晶格中。进入晶格的三价铬离子极为稳定，在自然条件或酸性和碱性条件都不为水所浸出，因而不会造成二次污染，从而便于污泥的处置。铁氧体法的工艺条件为：
电镀工艺流程资料
电镀工艺流程资料(一) 一、名词定义: 1、1电镀:利用电解的方法使金属或合金沉积在工件表面,以形成均匀、致密、结合力良好的金属层的过程叫电镀。 1、2 镀液的分散能力: 能使镀层金属在工件凸凹不平的表面上均匀沉积的能力,叫做镀液的分散能力。换名话说,分散能力就是指溶液所具有的使镀件表面镀层厚度均匀分布的能力,也叫均镀能力。 1、3镀液的覆盖能力:使镀件深凹处镀上镀层的能力叫覆盖能力,或叫深镀能力,就是用来说明电镀溶液使镀层在工件表面完整分布的一个概念。 1、4镀液的电力线:电镀溶液中正负离子在外电场作用下定向移动的轨道,叫电力线。 1、5尖端效应:在工件或极板的边缘与尖端,往往聚集着较多的电力线,这种现象叫尖端效应或边缘效应。 1、6电流密度:在电镀生产中,常把工件表面单位面积内通过的电流叫电流密度,通常用安培/分米2作为度量单位 二、镀铜的作用及细步流程介绍: 2、1、1镀铜的基本作用: 2、1、1提供足够之电流负载能力; 2、1、2提供不同层线路间足够之电性导通; 2、1、3对零件提供足够稳定之附著(上锡)面; 2、1、4对SMOBC提供良好之外观。 2、1、2、镀铜的细步流程: 2、1、2、1ⅠCu流程:上料→酸浸(1)→酸浸(2)→镀铜→双水洗→抗氧化→水洗→下料→剥挂架→双水洗→上料 2、1、2、2ⅡCu流程:上料→清洁剂→双水洗→微蚀→双水洗→酸浸→镀铜→双水洗→(以下就是镀锡流程) 2、1、3镀铜相关设备的介绍: 2、1、 3、1槽体:一般都使用工程塑胶槽,或包覆材料槽(Lined tank),但仍须注意应用之考虑。 a、材质的匹配性(耐温、耐酸碱状况等)。 b、机械结构:材料强度与补强设计,循环过滤之入/排口吸清理维护设计等等。 c、阴、阳极间之距离空间(一般挂架镀铜最少6英寸以上)。 d、预行Leaching之操作步骤与条件。 2、1、 3、2温度控制与加热:镀槽之控制温度依添加特性/镀槽之性能需求而异。一般而言操作温度与操作电流密度呈正向关系,但无论高温或低温操作,有机添加剂必定有分解问题。一般而言,不容许任何局部区域达60℃以上。在材质上,则须对耐腐蚀性进行了解,避免超出特性极限,对镀铜而言,石英及铁弗龙都就是很适合的材料。 电镀工艺流程资料(二) 2、1、 3、3搅拌:搅拌可区分为空气搅拌、循环搅拌、机械搅拌等三项,依槽子之需求特性而重点有异,兹简介一般性考虑如下: a、空气搅拌:应用鼓风机为气源,如使用空压机。则须加装AM Regalator降低压力,并加装oil Filter除油。风量须依液面表面积计算,须达1、5~2、0cfm,而其静压则依管路损耗,与液面高度相加而得。空气搅拌之管路架设,离槽底至少应有1英寸距离,离工件底部,应以大于8英寸为宜。一般多使用3/4英寸或1英寸管,作为主管,亦有人使用多孔管,但较易发生阻塞。开孔方式多采用各孔相间1/2英寸,对边侧开孔,与主管截面积1/3为原则。适量之空气搅拌可改善电镀效率,增加电流密度;但如搅拌过度,亦将形成有机添加剂氧化而造成异常消耗及污染。