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CORTEX-M4知识点总结材料

CORTEX-M4知识点总结材料
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Cortex-M4内核知识点总结

目录

Cortex-M4内核知识点总结 (1)

1 ARM处理器简介 (4)

2 架构 (5)

2.1架构简介 (5)

2.2编程模型 (5)

2.3存储器系统 (8)

2.4复位和复位流程 (12)

3 指令集 (14)

3.1 CM4指令集特点 (14)

3.2 Cortex-M处理器间的指令集比较 (14)

3.3 汇编指令简要介绍 (14)

3.3.1 处理器内传送数据 (14)

3.3.2 存储器访问指令 (15)

3.3.3 算数运算 (16)

3.3.4 逻辑运算 (17)

3.3.5 移位 (17)

3.3.6 异常相关指令 (17)

4 存储器系统 (18)

4.1 存储器外设 (18)

4.2 Bootloader (18)

4.3位段操作 (19)

4.4 存储器大小端 (19)

5 异常和中断 (21)

5.1 中断简介 (21)

5.2异常类型 (21)

5.3 中断管理 (22)

5.4 异常或中断屏蔽寄存器 (23)

5.4.1 PRIMASK (23)

5.4.2 FAULMASK (M0中无) (23)

5.4.3 BASEPRI(M0中无) (23)

5.5 中断状态及中断行为 (23)

5.5.1 中断状态 (23)

5.5.2 中断行为 (24)

5.6 各Cortex-M处理器NVIC差异 (26)

6 异常处理 (28)

6.1 C实现的异常处理 (28)

6.2 栈帧 (28)

6.3 EXC_RETURN (29)

6.4异常流程 (30)

6.4.1 异常进入和压栈 (30)

6.4.2 异常返回和出栈 (31)

7 低功耗和系统控制特性 (32)

7.1 低功耗模式 (32)

7.1 SysTick定时器 (32)

8 OS支持特性 (34)

8.1 OS支持特性简介 (34)

8.2 SVC和PendSV (34)

8.3 实际的上下文切换 (35)

1 ARM处理器简介

ARM处理器的种类很多,从手机上的高端处理器芯片到面向微控制器的芯片,都有ARM的身影。2011年基于ARM处理器的芯片的出货量已经到达79亿。这一章首先对ARM处理器有个简单的了解。

在早期的时候,ARM处理器使用后缀表明特性。例如ARM7TDMI,T表示支持Thumb指令,D表示JTAG,M表示快速乘法器,I则表示嵌入式ICE模块。

近几年,ARM改变处理器的命名方式,统一使用了Cortex处理器的名称。Cortex处理器下分为三类:

·Cortex-A系列:需要处理高端嵌入式系统等复杂应用的应用处理器

·Cortex-R系列:实时、高性能的处理器,面向较高端的实时市场

·Cortex-M系列:面向微控制器和混合信号设计等小型应用,注重低成本、低功耗。

不同系列的处理器使用不同版本的架构

在Cortex-M系列中,进一步都处理器进行了划分

2 架构

2.1架构简介

Cortex-M3和Cortex-M4处理器都是基于ARMv7-M架构。最初ARMv-7M 架构是随着Cortex-M3处理器一同引进的,而在Cortex-M4发布时,架构中又额外增加了新的指令和特性,改进后的架构有时也被称为ARMv7E-M。

2.2编程模型

2.2.1操作模式和状态

Cortex-M4处理器包括两种操作状态和模式,还有两种访问等级。

1.操作状态

·调试状态:处理器被暂停后,就会进入调试状态,比如利用调试器触发断点,单步执行等。

·Thumb状态:处理器执行程序代码,它就是处在Thumb状态,因为

Cortex-M4用的是Thumb指令,所以称为Thumb状态,并且在Cortex-M 处理器中已经不支持ARM指令,也就不存在ARM状态。

2.操作模式

·处理模式:执行中断服务程序等异常处理。在处理模式下,处理器总是具有特权访问等级。

·线程模式:执行普通的程序代码。

3.访问等级

·特权访问等级:可以访问处理器中的所有资源。

·非特权访问等级:有些存储器区域无法访问,有些操作也无法使用。

访问等级有特殊寄存器CONTROL 控制。软件可将处理器从特权访问等级转换至非特权访问等级,但反之无法直接转换,需要借助异常机制。

处理器的操作模式和状态可由图1.1来表示,在上电后,默认处于特权线程模式下的Thumb 状态。

2.2.2 寄存器

对于ARM 架构来讲,处理存储器中的数据时,需将其从存储器加载到寄存器中,处理完毕后,若有必要,还可以再写回存储器。这种方式被称作“加载-存储架构”(LOAD-STORE)。

Cortex-M4处理器的寄存器组中有16个寄存器,其中包括13个通用寄存器和3个有特殊用途的寄存器。

1 通用寄存器R0-R12

R0-R7被称作低寄存器,许多16位指令只能访问低寄存器。R8-R12称作高寄存器,可用32位指令和几个16位指令访问。R0-R12初始值未定义。

2 栈指针R13

R13为栈指针,可通过PUSH 和POP 操作实现栈存储的访问。栈指针包括两个:主栈指针MSP 和进程栈指针PSP 。MSP 为默认指针,复位后或处理模式时只能是MSP ,而PSP 只能在线程模式使用。栈指针的选择有CONTROL 寄存器控制。

MSP 和PSP 的最低两位必须是0,也就是栈指针的地址操作必须4字节对齐。

链接寄存器程序计数器通用寄存器

3 链接寄存器(LR )R14

用于函数或子程序调用时返回地址的保存,在异常中则用来保存进异常前状态信息,包括系统模式、栈指针模式等。异常返回时参考LR 中的信息返回到相应状态。 4 程序计数器(PC )R15

R15为程序计数器,读操作返回当前地址加4,写操作引起跳转。

2.2.3 特殊寄存器

特殊寄存器有三类:程序状态寄存器、中断/异常屏蔽寄存器、处理器控制寄存器。

1 程序状态寄存器:应用PSR (APSR )、执行PSR (EPSR )、中断PSR (IPSR )。三个寄存器可以单独访问,也可以组合到一个寄存器中访问。

8

10

16

20

23

2631

在APSR 中包含N (负标志)、Z (零标志)、C (进位标志)、V (溢出标志)、Q (饱和标志)和GE (大于或等于标志,只在M4中有)。

IPSR 中是中断号,只读。

EPSR 中,T 为表示Thumb 状态,由于M4支持Thumb 状态,不支持ARM 状态,T 位始终为1。ICI 是中断继续指令位,保存的是中断被打断时的信息。IT 指令时IF-THEN 指令,用于条件执行。

2 PRIMASK 、FAULTMASK 、和BASEPRI 寄存器:这三个寄存器只能在特权模式下使用。PRIMASK 可屏蔽除NMI 和HardFault 之外的所有异常。FAULTMASK 还可屏蔽HardFault 。BASEPRI 可以根据设置屏蔽低优先级的中断,可控制8个或16个中断,相应的改寄存器的宽度为3位或4位。

3 CONTROL 寄存器

CONTROL 寄存器主要有以下几项作用: · 线程模式下的访问等级 · 指针的选择

· 当前代码是否使用了浮点单元 分别对应了寄存器的低三位

2.2.4 浮点寄存器

1 S0-S31和D0-D15

S0-S31都为32位寄存器,也可以D0-D15的方式成对访问,但M4不支持双精度浮点运算,只是可以传输双精度数据。

2 浮点状态和控制寄存器(FPSCR)

FPSCR两个功能

·提供浮点运算结果的状态信息,如负标志、进位标志等。

·定义一些浮点运算动作,如何舍入等

3 经过存储器映射的浮点单元控制寄存器(CPACR)

该寄存器经过了映射,也就是说需要通过通用寄存器加载进行设置,寄存器的功能是可以设置浮点单元的访问权限,拒绝访问、特权访问,全访问。

2.3存储器系统

2.3.1 存储器系统特性

·4GB线性地址空间

·架构定义的存储器映射。4GB的存储器空间被划分为多个区域,用于预定义的存储器和外设。

·支持大端和小端的存储器系统。

·位段访问。

·写缓冲

·存储器保护单元MPU

·非对齐传输支持

2.3.2 存储器映射

CORTEX-M处理器的4GB地址空间被分为了多个存储器区域,如图所示。区域根据各自典型用法进行划分,他们主要用于:

·程序代码访问(如CODE区域)

·数据访问(如SRAM区域)·外设(如外设区域)

某款芯片的存储器映射分配

0x5000_00000x5010_0000

0x5020_00000x5021_00000x5022_00000x5050_00000x5060_00000x5070_00000x5071_00000x5090_0000

0x50B0_0000

0x50C0_0000

0x50D0_0000

0x50F0_00000x5030_00000x5023_0000

0x5072_00000x5061_00000x5062_00000x5073_00000x5040_0000 一般Code 放在Flash 当中,数据放在RAM 中。数据在RAM 存放有一定的顺序,可以分为数据段,BSS 段、堆和栈区域。

· 数据段,存储在内存的底部,包含初始化的全局变量和静态变量。

·BSS段,未初始化的数据。

·堆,C函数自动分配存储器区域,例如alloc()和malloc()。

·栈,用于临时数据存储,局部变量,函数调用

2.3.3 栈存储

同几乎所有的处理器架构一样,Cortex-M处理器在运行时需要栈存储和栈指针R13。ARM处理器将系统主存储器用于栈空间操作,使用PUSH指令往栈中存储数据以及POP指令从栈中提取数据。

处理器使用的是满递减的模型,栈指针是向下增长的。处理器启动后,SP 被设置为栈存储空间的最后的位置,也就是最低位置,PUSH时,SP指针首先减小,然后将数据压入栈中。POP的时候相反,先将当前SP所指的数据出栈,然后再修改SP,SP此时增大。可用下面两幅图加以理解,

栈中主要用于:

· 存储局部变量

· 异常产生时保存处理器状态(LR 、xPSR )和寄存器数值 · 函数调用时

2.4复位和复位流程

对于典型的Cortex-M 处理器,复位类型有三种:

· 上电复位。复位微控制器中所有部分。

· 系统复位。只会复位处理器和外设,不包括处理的调试支持部件 · 处理器复位。只复位处理器。

在复位后以及处理器开始执行程序前,处理器会从存储器中读出头两个字节。第一个字表示主栈指针的初始值。第二个字代表复位处理起始地址的复位向量。处理器读出这两个自己后,就会将这些数值赋给MSP 和PC

读地址0x00000000读地址0x00000004读取复位向量表示的地址

时间

之前在栈存储时讲到过,Cortex-M 处理器的栈操作时基于满递减的,所以S P 的初始值应该设置在栈顶的位置。例如,若存储器区域为0x20007C000~0x20007FFF (1KB ),初始的栈指针就应该为0x20008000。 另外,对于Cortex-M 处理器,向量表中向量地址的最低位应该为1,以代表他们为Thumb 状态。对于下图中的例子,复位向量为0x101,而启动代码是从0x100开始的。在取出复位向量后。Cortex-M 处理器就可以从复位向量地址处执

行程序,并开始正常操作。

0X00000000

0X000000040X00000100

0X20000000

0X20008000

3 指令集

CORTEX-M4使用的是Thumb-2指令集,不支持ARM指令集,Thumb指令集是ARM指令集的子集,但是Thumb-2技术已经不再支持ARM状态。

CORTEX-M处理器间的一个区别就是指令集特性。为了将回路面积降到最低,CORTEXM0、CORTEXM0+、CORTEXM1处理器只支持多数16位指令和部分32位指令,CORTEX-M3支持的32位指令更多。CORTEX处理器支持剩下的SIMD(单指令多数据)等DSP提升指令集可选的浮点指令。

3.1 CM4指令集特点

CM4处理器使用ARMv7-M架构,指令集为Thumb指令集中的Thumb-2技术,具有如下特点

·16位与32位混合指令

·加载/存储指令集,不能直接操作存储器。

·指令长度可变,使用16/32位由功能决定,优先使用16位。

·DSP指令,CM4中为单精度,CM7中可以双精度

3.2 Cortex-M处理器间的指令集比较

Cortex-M处理器的架构有三类,ARMv6-M,ARMv7-M,ARMv7E-M。

3.3 汇编指令简要介绍

3.3.1 处理器内传送数据

MOV < Rm源寄存器>

源寄存器处可以是立即数,立即数为8位以下,9-16位用MOVW,32位的需要使用LDR伪指令。

使用浮点单元时可以使用VMOV指令。

3.3.2 存储器访问指令

访问可分为读和写指令,另外根据读写的大小还有其他的延伸。

1LDR/STR

LDR Rd,[Rn,#offset] 从存储器Rn+offset处读取字,读取到Rd中

STR Rd,[Rn,#offset] 向存储器Rn+offset处存储字,数据来自Rd。

LDR R0,[R1,#0X08] 从存储器R1+0x08处读取字,放到R0中

支持写回功能,加!即可,上面可以写成

LDR R0,[R1,#0X08]!这样表示存储器位置的R1被更新为R1+0x08 2LDM/STM 读/写多个字

上述命令是为了从存储器中读写多个字。一般会加后缀配合使用

LDMIA Rn,

Rn是存储器位置,reg list是寄存器列表,从Rn所指的存储器位置读取数据,放入寄存器中,每次读取完成后,地址就会自动加4。作用相当于POP。另外要注意的是,先读取的数据放置在低寄存器中,后读取的数据放置到高寄存器。

STMIA Rn,

Rn是存储器位置,reg list是寄存器列表, 向Rn所指的存储器位置存储数据,每次存储前,地址自动减4。相当于PUSH操作。另要注意的是,先存储高寄存器的数据,后存储低寄存器的数据。

同样,这两个指令都可以通过!表示写回操作,更新寄存器所指的存储器位置

3压栈与出栈 PUSH/POP

PUSH和POP和上面的LDMIA和STMDB是相同的。

3.3.3 算数运算

加:ADC

减:SUB

乘:MUL

除:DIV

对此不做详细介绍

3.3.4 逻辑运算

与:AND

或:ORR

位清除:BIC

按位异或:EOR

按位或非:ORN

3.3.5 移位

算数右移:ASR

逻辑左移:LSL

逻辑右移:LSR

循环右移:ROR

3.3.6 异常相关指令

之前说过,M4可以有特权模式和非特权模式,并且非特权模式不能直接转换到特权模式,只能在异常中修改CONTROL寄存器。这里就可以通过SVC指令来进入异常。

SVC #

这样就可以进入SVC中断中,然后修改CONTROL寄存器。要注意的是,调用SVC指令后,需尽快进入中断中,如果有其他高优先级的中断打断了SVC,就会引起HardFault。

CPS指令使用时需要带上后缀:IE(中断使能),ID(中断禁止),还需指定要设置的中断屏蔽寄存器,如之前讲到的PRIMASK和FAULTMASK

4 存储器系统

4.1 存储器外设

哈佛结构,程序存储器和数据存储器分开,也就是指令和数据可以同时访问。

1、在第一章中的存储器映射图中,0-0.5G为代码段,主要用于程序代码,改区域一般也允许数据访问。一般此处为Flash。

在keil中,代码编译后,整个代码分为几部分:Code(代码),RO-data(只读数据),RW-data,(初始化的可读写变量大小),ZI-data(Zero Initialize)未初始化的可读写变量大小,它会被自动初始化为0。ZI-data不会被算到代码里,因为它不会被初始化。

简单来说呢就是在烧写的时候FLASH中的被占用的空间为:

Code+RO-data+RW-data。

程序运行的时候,芯片内部RAM使用的空间为:RW-data+ZI-data

2、0.5G-1G范围内是SRAM,主要用于连接SRAM,其大都为片上SRAM,不过对存储器的类型没有什么限制。若支持可选的位段特性,则SRAM区域的第一个

1MB可位寻址,还可以在这块区域中执行程序代码。

3、1G-1.5G是外设区域,多用于片上外设,和SRAM区域类似,也可以放置程序代码,若支持可选的位段特性,则外设区域的第一个1MB是可选的。

4、1.5G-2.5G空间为外部RAM空间

5、2G-3G空间为设备空间,用于片外外设。

6、3G-4G空间为系统空间。

4.2 Bootloader

芯片设计人员将Bootloader放入系统中的原因是多方面的。例如:

·提供Flash编程功能,这样就可以利用一个简单的UART接口来编程Flash,或者当程序运行时,在自己的应用程序中编程Flash存储器

的某些部分。

·提供通信协议栈等额外的固件,可被软件开发人员通过API调用。

·提供芯片内置的自检功能(BIST)

比如在1601中,提供一个4K的info区,和128K的main区,4K的info区就是一个bootloader,提供SPI下载功能,利用拨码开关可以设置从哪里启动,mode=0时从info区启动,mode=1时从main区启动,并且main区分两部分,软件可设置从低64K启动还是从高64K启动。这里设计存储器重映射的问题,系统

启动时是从0X00开始的,不管是Boot loader还是用户flash,都得从0x00开始,然后0x04放的reset_handler的地址,mode=0,那infor区就被映射到了0x00,mode=1,main区就被映射到了0x00。

4.3位段操作

对存储器中某一位操作是如何实现的呢?先来看看普通模式下,

写某一位:

LDR R0,=0X200000000 ;设置地址

LDR R1,[R0] ;读数据

ORR.W R1,#0X04 ;修改第2位

STR R1,[R0] ;写回

读某一位:

LDR R0,=0X200000000 ;设置地址

LDR R1,[R0] ;读数据

UBFX.W R1, R1,#2,#1;提取第2位

这种操作无法保证原子性,比如输出端口的第0位被主程序使用,而第一位被中断使用,这样有可能出现数据冲突。位段操作模式下,这种现象可以避免,因为位段操作是在硬件等级下修改的。

位段操作只在两个区域支持,SRAM的第1MB,外设区域的第1MB。每1MB会对应一个32M的区域,只需操作这32M的某个字,就能对应那1MB区域的某一位。例如写0x22000008为1,就设置了0x20000000第3位为1。在指令上也会更加简化。

位段写操作

LDR R0, =0X2200000 ;设置add

MOV R1,#1 ;要写的数据

STR R1 ,[R0] ;写

设置了位段操作模式,对应的32MB区域将不能再使用。

4.4 存储器大小端

大小端指的是数据存储时的顺序问题。大端指的是高字节的数据放在低地址中,低字节放在高地址中,这种方式符合人类思维。小端则是低字节放在低地址中,高字节放在高地址中,这种方式更符合计算机思维。

例如将0x12345678放到存储器0x2000-0x2003地址处

大端方式

小端方式

CM4处理器同时支持小端和大端的存储器系统。CM的微控制器大多是小端的。

材料力学重点总结

材料力学阶段总结 一、 材料力学得一些基本概念 1. 材料力学得任务: 解决安全可靠与经济适用得矛盾。 研究对象:杆件 强度:抵抗破坏得能力 刚度:抵抗变形得能力 稳定性:细长压杆不失稳。 2、 材料力学中得物性假设 连续性:物体内部得各物理量可用连续函数表示。 均匀性:构件内各处得力学性能相同。 各向同性:物体内各方向力学性能相同。 3、 材力与理力得关系, 内力、应力、位移、变形、应变得概念 材力与理力:平衡问题,两者相同; 理力:刚体,材力:变形体。 内力:附加内力。应指明作用位置、作用截面、作用方向、与符号规定。 应力:正应力、剪应力、一点处得应力。应了解作用截面、作用位置(点)、作用方向、与符号规定。 正应力 应变:反映杆件得变形程度 变形基本形式:拉伸或压缩、剪切、扭转、弯曲。 4、 物理关系、本构关系 虎克定律;剪切虎克定律: ???? ? ==?=Gr EA Pl l E τεσ夹角的变化。剪切虎克定律:两线段 ——拉伸或压缩。拉压虎克定律:线段的 适用条件:应力~应变就是线性关系:材料比例极限以内。 5、 材料得力学性能(拉压): 一张σ-ε图,两个塑性指标δ、ψ,三个应力特征点:,四个变化阶段:弹性阶段、屈服阶段、强化阶段、颈缩阶段。 拉压弹性模量E ,剪切弹性模量G ,泊松比v , 塑性材料与脆性材料得比较: 安全系数:大于1得系数,使用材料时确定安全性与经济性矛盾得关键。过小,使构件安全性下降;过大,浪费材料。 许用应力:极限应力除以安全系数。 塑性材料 脆性材料 7、 材料力学得研究方法

1)所用材料得力学性能:通过实验获得。 2)对构件得力学要求:以实验为基础,运用力学及数学分析方法建立理论,预测理论 应用得未来状态。 3)截面法:将内力转化成“外力”。运用力学原理分析计算。 8、材料力学中得平面假设 寻找应力得分布规律,通过对变形实验得观察、分析、推论确定理论根据。 1) 拉(压)杆得平面假设 实验:横截面各点变形相同,则内力均匀分布,即应力处处相等。 2) 圆轴扭转得平面假设 实验:圆轴横截面始终保持平面,但刚性地绕轴线转过一个角度。横截面上正应力为零。 3) 纯弯曲梁得平面假设 实验:梁横截面在变形后仍然保持为平面且垂直于梁得纵向纤维;正应力成线性分布规律。 9 小变形与叠加原理 小变形: ①梁绕曲线得近似微分方程 ②杆件变形前得平衡 ③切线位移近似表示曲线 ④力得独立作用原理 叠加原理: ①叠加法求内力 ②叠加法求变形。 10 材料力学中引入与使用得得工程名称及其意义(概念) 1) 荷载:恒载、活载、分布荷载、体积力,面布力,线布力,集中力,集中力偶,极限荷 载。 2) 单元体,应力单元体,主应力单元体。 3) 名义剪应力,名义挤压力,单剪切,双剪切。 4) 自由扭转,约束扭转,抗扭截面模量,剪力流。 5) 纯弯曲,平面弯曲,中性层,剪切中心(弯曲中心),主应力迹线,刚架,跨度, 斜弯 曲,截面核心,折算弯矩,抗弯截面模量。 6) 相当应力,广义虎克定律,应力圆,极限应力圆。 7) 欧拉临界力,稳定性,压杆稳定性。 8)动荷载,交变应力,疲劳破坏。 二、杆件四种基本变形得公式及应用 1、四种基本变形:

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有机化学知识点全面总结

高中(人教版)《有机化学基础》必记知识点 目录 一、必记重要的物理性质 二、必记重要的反应 三、必记各类烃的代表物的结构、特性 四、必记烃的衍生物的重要类别和各类衍生物的重要化学性质 五、必记有机物的鉴别 六、必记混合物的分离或提纯(除杂) 七、必记有机物的结构 八、必记重要的有机反应及类型 九、必记重要的有机反应及类型 十、必记一些典型有机反应的比较 十一、必记常见反应的反应条件 十二、必记几个难记的化学式 十三、必记烃的来源--石油的加工 十四、必记有机物的衍生转化——转化网络图一(写方程) 十五、煤的加工 十六、必记有机实验问题 十七、必记高分子化合物知识 16必记《有机化学基础》知识点

一、必记重要的物理性质 难溶于水的有:各类烃、卤代烃、硝基化合物、酯、绝大多数高聚物、高级的(指分子中碳原子数目较多的,下同)醇、醛、羧酸等。 苯酚在冷水中溶解度小(浑浊),热水中溶解度大(澄清);某些淀粉、蛋白质溶于水形成胶体溶液。 1、含碳不是有机物的为: CO、CO2、 CO32-、HCO3-、H2CO3、CN-、HCN、SCN-、HSCN、SiC、C单质、金属碳化物等。2.有机物的密度 (1)小于水的密度,且与水(溶液)分层的有:各类烃、一氯代烃、酯(包括油脂) (2)大于水的密度,且与水(溶液)分层的有:多氯代烃、溴代烃(溴苯等)、碘代烃、硝基苯 3.有机物的状态[常温常压(1个大气压、20℃左右)] 常见气态: ①烃类:一般N(C)≤4的各类烃注意:新戊烷[C(CH3)4]亦为气态 ②衍生物类:一氯甲烷、氟里昂(CCl2F2)、氯乙烯、甲醛、氯乙烷、一溴甲烷、四氟乙烯、甲醚、甲乙醚、环氧乙烷。 4.有机物的颜色 ☆绝大多数有机物为无色气体或无色液体或无色晶体,少数有特殊颜色,常见的如下所示: ☆三硝基甲苯(俗称梯恩梯TNT)为淡黄色晶体; ☆部分被空气中氧气所氧化变质的苯酚为粉红色; ☆2,4,6—三溴苯酚为白色、难溶于水的固体(但易溶于苯等有机溶剂); ☆苯酚溶液与Fe3+(aq)作用形成紫色[H3Fe(OC6H5)6]溶液; ☆淀粉溶液(胶)遇碘(I2)变蓝色溶液; ☆含有苯环的蛋白质溶胶遇浓硝酸会有白色沉淀产生,加热或较长时间后,沉淀变黄色。 5.有机物的气味 许多有机物具有特殊的气味,但在中学阶段只需要了解下列有机物的气味: ☆甲烷:无味;乙烯:稍有甜味(植物生长的调节剂) ☆液态烯烃:汽油的气味;乙炔:无味 ☆苯及其同系物:特殊气味,有一定的毒性,尽量少吸入。 ☆C4以下的一元醇:有酒味的流动液体;乙醇:特殊香味 ☆乙二醇、丙三醇(甘油):甜味(无色黏稠液体) ☆苯酚:特殊气味;乙醛:刺激性气味;乙酸:强烈刺激性气味(酸味) ☆低级酯:芳香气味;丙酮:令人愉快的气味 6、研究有机物的方法 质谱法确定相对分子量;红外光谱确定化学键和官能团;核磁共振氢谱确定H的种类及其个数比。 二、必记重要的反应 1.能使溴水(Br2/H2O)褪色的物质

青少版新概念入门startera知识点总结(自己整理)

青少版新概念入门 S t a r t e r A知识点总结(自己 整理) -CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN

新概念青少版Starter A 日常用语总结 1.Hello!/ Hi! 2.Good dog!/ Bad dog!/ Good girl! 3.No cat!/ No ball! 4.Look! 5.Yummy!/ Yuk! 6.Help!/ Stop! 7.Oops! 8.Look at my/ your+颜色+事物! 9.Thank you!/ Thanks! 10.Sorry! 11.Happy birthday! 12.Hurray! 13.Please! 14.This is my family/ dad/ mum/ sister/ brother/ friend. 15.Look out! 16.Here you are! 17.Let’s play! 18.Your turn! 19.Guess! 20.-What’s your name -My name’s ... What’s= what is my name’s= my name is 例:What’s your name My name’s Peg. 21.It’s a (an).../ It isn’t a (an)...(bike/ car/ doll/ robot/ train/ van) 单词以元音开头,用an;以辅音开头,用a。 比如: an apple/ insect/ egg/ umbrella a train/ van/ robot/ car It’s= it is isn’t= is not 例:It’s a book./ It isn’t an orange. 22.-Is it... -Yes, it is./ No, it isn’t. 例:-Is it an apple -Yes, it is./ No, it isn’t. 23.This is my....../ This isn’t my......(book/ pen/ pencil/ pencil case/ rubber/ ruler/ school bag) This is 无缩写This isn’t= This is not 例:This is my pen. This isn’t my schoolbag. 24.That’s my....../ That isn’t my...... That’s= that is That isn’t= that is not 例:That’s my mum. That isn’t my father. 25.-Is this.../ Is that... -Yes, it is./ No, it isn’t. 例:-Is this a train -Yes, it is. -Is that an umbrella -No, it isn’t. 26.-What’s this/ What’s that -It’s a(an)...(bone/ hamburger/ salad/ sausage/ tomato/ pizza) What’s= what is

材料力学重点总结-材料力学重点

材料力学阶段总结 一.材料力学的一些基本概念 1.材料力学的任务: 解决安全可靠与经济适用的矛盾。 研究对象:杆件 强度:抵抗破坏的能力 刚度:抵抗变形的能力 稳定性:细长压杆不失稳。 2.材料力学中的物性假设 连续性:物体内部的各物理量可用连续函数表示。 均匀性:构件内各处的力学性能相同。 各向同性:物体内各方向力学性能相同。 3.材力与理力的关系 , 内力、应力、位移、变形、应变的概念 材力与理力:平衡问题,两者相同; 理力:刚体,材力:变形体。 内力:附加内力。应指明作用位置、作用截面、作用方向、和符号规定。 应力:正应力、剪应力、一点处的应力。应了解作用截面、作用位置(点)、作用方向、 和符号规定。 压应力 正应力拉应力 线应变 应变:反映杆件的变形程度角应变 变形基本形式:拉伸或压缩、剪切、扭转、弯曲。 4.物理关系、本构关系虎 克定律;剪切虎克定律: 拉压虎克定律:线段的拉伸或压缩。 E —— Pl l EA 剪切虎克定律:两线段夹角的变化。Gr 适用条件:应力~应变是线性关系:材料比例极限以内。 5.材料的力学性能(拉压): 一张σ - ε图,两个塑性指标δ 、ψ ,三个应力特征点:p、s、b,四个变化阶段:弹性阶段、屈服阶段、强化阶段、颈缩阶段。 拉压弹性模量,剪切弹性模量,泊松比 v , G E (V) E G 2 1 塑性材料与脆性材料的比较: 变形强度抗冲击应力集中

塑性材料流动、断裂变形明显 较好地承受冲击、振动不敏感 拉压s 的基本相同 脆性无流动、脆断仅适用承压非常敏感 6.安全系数、许用应力、工作应力、应力集中系数 安全系数:大于 1的系数,使用材料时确定安全性与经济性矛盾的关键。过小,使 构件安全性下降;过大,浪费材料。 许用应力:极限应力除以安全系数。 s0 塑性材料 s n s b 脆性材料0b n b 7.材料力学的研究方法 1)所用材料的力学性能:通过实验获得。 2)对构件的力学要求:以实验为基础,运用力学及数学分析方法建立理论,预测理 论应用的未来状态。 3)截面法:将内力转化成“外力” 。运用力学原理分析计算。 8.材料力学中的平面假设 寻找应力的分布规律,通过对变形实验的观察、分析、推论确定理论根据。 1)拉(压)杆的平面假设 实验:横截面各点变形相同,则内力均匀分布,即应力处处相等。 2)圆轴扭转的平面假设 实验:圆轴横截面始终保持平面,但刚性地绕轴线转过一个角度。横截面上正应力 为零。 3)纯弯曲梁的平面假设 实验:梁横截面在变形后仍然保持为平面且垂直于梁的纵向纤维;正应力成线性分 布规律。 9小变形和叠加原理 小变形: ①梁绕曲线的近似微分方程 ② 杆件变形前的平衡 ③ 切线位移近似表示曲线 ④ 力的独立作用原理 叠加原理: ① 叠加法求内力 ② 叠加法求变形。 10材料力学中引入和使用的的工程名称及其意义(概念) 1)荷载:恒载、活载、分布荷载、体积力,面布力,线布力,集中力,集中力偶, 极限荷载。 2)单元体,应力单元体,主应力单元体。

材料化学总结

第一章绪论 ●材料和化学药品 化学药品的用途主要基于其消耗; 材料是可以重复或连续使用而不会不可逆地变成别的物质。 ●材料的分类 按组成、结构特点分:金属材料、无机非金属材料、高分子材料、复合材料 按使用性能分:Structural Materials ——主要利用材料的力学性能;Functional Materials ——主要利用材料的物理和化学性能 按用途分:导电材料、绝缘材料、生物医用材料、航空航天材料、能源材料、电子信息材料、感光材料等等●材料化学的主要内容:结构、性能、制备、应用 第二章材料的结构 2.1 元素和化学键 ●了解元素的各种性质及其变化规律:第一电离能、电子亲和势、电负性、原子及离子半径 ●注意掌握各种结合键的特性及其所形成晶体材料的主要特点 ●了解势能阱的概念: 吸引能(attractive energy,EA):源于原子核与电子云间的静电引力 排斥能(repulsive energy,ER):源于两原子核之间以及两原子的电子云之间相互排斥 总势能(potential energy):吸引能与排斥能之和 总势能随原子间距离变化的曲线称为势能图(势能阱) 较深的势能阱表示原子间结合较紧密,其对应的材料就较难熔融,并具有较高的弹性模量和较低的热膨胀系数。 2.2 晶体学基本概念 ●晶体与非晶体(结构特点、性能特点、相互转化) 晶体:原子或原子团、离子或分子在空间按一定规律呈周期性地排列构成(长程有序) 非晶体:原子、分子或离子无规则地堆积在一起所形成(长程无序、短程有序) 晶态与非晶态之间的转变 ? 非晶态所属的状态属于热力学亚稳态,所以非晶态固体总有向晶态转化的趋势,即非晶态固体在一定温度下会自发地结晶,转化到稳定性更高的晶体状态。 ? 通常呈晶体的物质如果将它从液态快速冷却下来也可能得到非晶态。 ●晶格、晶胞和晶格参数 周期性:同一种质点在空间排列上每隔一定距离重复出现。 周期:任一方向排在一直线上的相邻两质点之间的距离。 晶格(lattice):把晶体中质点的中心用直线联起来构成的空间格架。 结点(lattice points):质点的中心位置。 空间点阵(space lattice):由这些结点构成的空间总体。 晶胞(unit cell):构成晶格的最基本的几何单元。 ●晶系 熟记7个晶系的晶格参数特征 了解14种空间点阵类型 ●晶向指数和晶面指数 理解晶面和晶向的含义 晶面——晶体点阵在任何方向上分解为相互平行的结点平面称为晶面,即结晶多面体上的面。

(完整版)高中有机化学基础知识点归纳(全)

一、重要的物理性质 1.有机物的溶解性 (1)难溶于水的有:各类烃、卤代烃、硝基化合物、酯、绝大多数高聚物、高级的(指分子中碳原子数目较多的,下同)醇、醛、羧酸等。 (2)易溶于水的有:低级的[一般指N(C)≤4]醇、(醚)、醛、(酮)、羧酸及盐、氨基酸及盐、单糖、二糖。(它们都能与水形成氢键)。 二、重要的反应 1.能使溴水(Br2/H2O)褪色的物质 (1)有机物①通过加成反应使之褪色:含有、—C≡C—的不饱和化合物 ②通过取代反应使之褪色:酚类注意:苯酚溶液遇浓溴水时,除褪色现象之外还产生白色沉淀。③通过氧化反应使之褪色:含有—CHO(醛基)的有机物(有水参加反应)注意:纯净的只含有—CHO(醛基)的有机物不能使溴的四氯化碳溶液褪色④通过萃取使之褪色:液态烷烃、环烷烃、苯及其同系物、饱和卤代烃、饱和酯 (2)无机物①通过与碱发生歧化反应3Br2 + 6OH- == 5Br- + BrO3- + 3H2O或Br2 + 2OH- == Br- + BrO- + H2O ②与还原性物质发生氧化还原反应,如H2S、S2-、SO2、SO32-、I-、Fe2+ 2.能使酸性高锰酸钾溶液KMnO4/H+褪色的物质 1)有机物:含有、—C≡C—、—OH(较慢)、—CHO的物质苯环相连的侧链碳上有氢原子的苯的同系物(但苯不反应) 2)无机物:与还原性物质发生氧化还原反应,如H2S、S2-、SO2、SO32-、Br-、I-、Fe2+ 3.与Na反应的有机物:含有—OH、—COOH的有机物 与NaOH反应的有机物:常温下,易与—COOH的有机物反应加热时,能与卤代烃、酯反应(取代反应) 与Na2CO3反应的有机物:含有—COOH的有机物反应生成羧酸钠,并放出CO2气体; 与NaHCO3反应的有机物:含有—COOH的有机物反应生成羧酸钠并放出等物质的量的CO2气体。 4.既能与强酸,又能与强碱反应的物质 (1)氨基酸,如甘氨酸等 H2NCH2COOH + HCl → HOOCCH2NH3Cl H2NCH2COOH + NaOH → H2NCH2COONa + H2O (2)蛋白质分子中的肽链的链端或支链上仍有呈酸性的—COOH和呈碱性的—NH2,故蛋白质仍能与碱和酸反应。 5.银镜反应的有机物 (1)发生银镜反应的有机物:含有—CHO的物质:醛、甲酸、甲酸盐、甲酸酯、还原性糖(葡萄糖、麦芽糖等) (2)银氨溶液[Ag(NH3)2OH](多伦试剂)的配制: 向一定量2%的AgNO3溶液中逐滴加入2%的稀氨水至刚刚产生的沉淀恰好完全溶解消失。 (3)反应条件:碱性、水浴加热 .......酸性条件下,则有Ag(NH3)2+ + OH- + 3H+ == Ag+ + 2NH4+ + H2O而被破坏。 (4)实验现象:①反应液由澄清变成灰黑色浑浊;②试管内壁有银白色金属析出 (5)有关反应方程式:AgNO3 + NH3·H2O == AgOH↓ + NH4NO3AgOH + 2NH3·H2O == Ag(NH3)2OH + 2H2O 银镜反应的一般通式:RCHO + 2Ag(NH3)2OH 2 A g↓+ RCOONH4 + 3NH3 + H2O 【记忆诀窍】:1—水(盐)、2—银、3—氨 甲醛(相当于两个醛基):HCHO + 4Ag(NH3)2OH4Ag↓+ (NH4)2CO3 + 6NH3 + 2H2O 乙二醛:OHC-CHO + 4Ag(NH3)2OH4Ag↓+ (NH4)2C2O4 + 6NH3 + 2H2O 甲酸:HCOOH + 2 Ag(NH3)2OH 2 A g↓+ (NH4)2CO3 + 2NH3 + H2O 葡萄糖:(过量)CH2OH(CHOH)4CHO +2Ag(NH3)2OH2A g↓+CH2OH(CHOH)4COONH4+3NH3 + H2O (6)定量关系:—CHO~2Ag(NH)2OH~2 Ag HCHO~4Ag(NH)2OH~4 Ag 6.与新制Cu(OH)2悬浊液(斐林试剂)的反应 (1)有机物:羧酸(中和)、甲酸(先中和,但NaOH仍过量,后氧化)、醛、还原性糖(葡萄糖、麦芽糖)、甘油等多羟基化合物。 (2)斐林试剂的配制:向一定量10%的NaOH溶液中,滴加几滴2%的CuSO4溶液,得到蓝色絮状悬浊液(即斐林试剂)。 (3)反应条件:碱过量、加热煮沸 ........ (4)实验现象: ①若有机物只有官能团醛基(—CHO),则滴入新制的氢氧化铜悬浊液中,常温时无变化,加热煮沸后有(砖)红色沉淀生成;②若有机物为多羟基 醛(如葡萄糖),则滴入新制的氢氧化铜悬浊液中,常温时溶解变成绛蓝色溶液,加热煮沸后有(砖)红色沉淀生成; (5)有关反应方程式:2NaOH + CuSO4 == Cu(OH)2↓+ Na2SO4 RCHO + 2Cu(OH)2RCOOH + Cu2O↓+ 2H2O HCHO + 4Cu(OH)2CO2 + 2Cu2O↓+ 5H2O OHC-CHO + 4Cu(OH)2HOOC-COOH + 2Cu2O↓+ 4H2O HCOOH + 2Cu(OH)2CO2 + Cu2O↓+ 3H2O CH2OH(CHOH)4CHO + 2Cu(OH)2CH2OH(CHOH)4COOH + Cu2O↓+ 2H2O (6)定量关系:—COOH~? Cu(OH)2~? Cu2+(酸使不溶性的碱溶解) —CHO~2Cu(OH)2~Cu2O HCHO~4Cu(OH)2~2Cu2O 7.能发生水解反应的有机物是:卤代烃、酯、糖类(单糖除外)、肽类(包括蛋白质)。 HX + NaOH == NaX + H2O (H)RCOOH + NaOH == (H)RCOONa + H2O RCOOH + NaOH == RCOONa + H2O 或 8.能跟FeCl3溶液发生显色反应的是:酚类化合物。 9.能跟I2发生显色反应的是:淀粉。 10.能跟浓硝酸发生颜色反应的是:含苯环的天然蛋白质。 三、各类烃的代表物的结构、特性 类别烷烃烯烃炔烃苯及同系物 通式C n H2n+2(n≥1) C n H2n(n≥2) C n H2n-2(n≥2) C n H2n-6(n≥6)

(完整版)新概念英语青少版(入门级A)StarterA重点知识总结

Unit 6 This is my family. 词汇:family mum dad sister brother friend 句型:This is... 句子:1.This is my mum. Lesson 2 词汇:my your 缩写:What’s=What is my name’s=my name is 句子:①What’s your name? My name’s Pop. Unit 7 Happy birthday? 词汇:bike car doll robot train van 缩写:it’s it’s=it is it isn’t it isn’t=it is not 词汇:a an 句子:①It’s a van. ②It isn’t a car. 短语:a train/van/robot/car An apple/insect/egg/umbrella Lesson 2 句型:Is it...? 句子:㈠Is it an apple? Yes,it is./No,it isn’t. Unit 8 That’s my book. 词汇:book, pen, pencil ,pencil case, rubber, ruler, school bag 缩写:this is this isn’t this isn’t= this is not that is that isn’t that isn’t= that is not 句子:①肯——This is my book. 否——This isn’t my book. ②肯——That’s my book. 否——That’s isn’t my book. Lesson 2 句型:Is this...? Is that...? 句子:①Is this a pencil? Yes,it is./No,it isn’t. ②Is that a school bag? Yes,it is./No,it isn’t. Unit 9 What’s this,Mum? 词汇:bone, hamburger, salad, sausage, tomato, pizza 缩写:What’s=What is 句型:What’s...?

计算机在材料化学中的应用知识点总结

计算机在材料化学中的应用 第一章绪论 1.工程模拟:在模型的基础上观察客观世界的各种系统并进行实验研究的技术。 2.模型的构造 (1)模型的分类:物理模型(动、静);描述性模型;数学模型(动、静;数值法、解析法)(2)模型的构造方法: a.理论分析; b.类比分析; c.数据分析:使用系统回归分析的方法利用若干能表征系统规律,描述系统状态的数据来建立系统的数学模型。 d.人工假设:基于对系统的了解,将系统中不确定的因素假定为若干组确定的取值,而建立系统模型。 3.过程模拟(流程模拟) a.稳态流程模拟; b.动态流程模拟:利用计算机技术、图形原理和成像方法在屏幕上以动态、直观、立体、彩色的方式显示物体运动的过程模拟。 4.工程模拟研究的步骤: 问题描述; 设定目标和总体方案; 构造模型; 数据收集; 编制程序; 程序验证; 模型确认; 实验确认。 5.相关英文简称 CAD:计算机辅助设计。 CAM:计算机辅助制造。 CAPP:计算机辅助工艺过程设计(computer aided process planning)。 在化学领域CAPP:计算机辅助合成路线设计。 DCS:分散控制系统。 6.分子模拟的方法中主要有四种:量子力学方法、分子力学方法、分子动力学方法、分子蒙特卡洛方法。 7.分子模拟法是用计算机以原子水平的分子模型来模拟分子的结构和行为,进而模拟分子系统的各种物理与化学性质。(定义)

8.分子模拟方法与高分子理论和材料设计的关系 第二章数值计算 方程求根 1.二分法 原则:保持新区间两端的函数值异号,对分n次得到第n个区间的长度为最初区间长度(x1-x0)的1/2n ,在误差允许范围内,取In的中点为方程的根,则误差小于1/2(n+1) (x1-x0),这种对分区间,不断缩小根的搜索范围的方法叫二分法。 此法简单、快速、不易丢根。 二分法求根原则(跳出条件): (1)函数f(x)的绝对值小于指定的e1; (2)最后的小区间的一半宽度小于指定的自变量容差e2。 二分法函数: V oid root(float a,float b,int*n,float fa,float fb,float e1,float e2,float rt[20]) { float a0,f0;a0=(a+b)/2;f0=f(a0); While((fabs(a-b)>e2)&&(f0>e1)) { if(f0*fa>0){a=a0;fa=f0;} If(f0*fb>0){b=a0;fb=f0} a0=(a+b)/2;f0=f(a0); } *n=*n+1;rt[*n]=a0; } 弦截法求根:不取区间的中点,而取AB与X轴的交点为根的估算值。 优点:比原来趋近根的速度快 2.迭代法 方法概述:二分法和弦截法实质上就是迭代法,在迭代的每一步都是利用两个初始的―x‖去求一个新的―x‖值,能否在迭代的每一步只用一个―x‖值去求新的―x‖呢?这就是一点迭代法,通常简称为迭代法。 3牛顿法 方法原理:将f(x)在x=x0附近按泰勒级数展开; f (x) = f (x0) + (x-x0) f′(x0) + !2)0 (2 x x f〞(x0) + …

高中化学有机化学知识点总结

高中化学有机化学知识点总结 1.需水浴加热的反应有: (1)、银镜反应(2)、乙酸乙酯的水解(3)苯的硝化(4)糖的水解 (5)、酚醛树脂的制取(6)固体溶解度的测定 凡是在不高于100℃的条件下反应,均可用水浴加热,其优点:温度变化平稳,不会大起大落,有利于反应的进行。 2.需用温度计的实验有: (1)、实验室制乙烯(170℃)(2)、蒸馏(3)、固体溶解度的测定 (4)、乙酸乙酯的水解(70-80℃)(5)、中和热的测定 (6)制硝基苯(50-60℃) 〔说明〕:(1)凡需要准确控制温度者均需用温度计。(2)注意温度计水银球的位置。 3.能与Na反应的有机物有:醇、酚、羧酸等——凡含羟基的化合物。 4.能发生银镜反应的物质有:醛、甲酸、甲酸盐、甲酸酯、葡萄糖、麦芽糖——凡含醛基的物质。 5.能使高锰酸钾酸性溶液褪色的物质有:(1)含有碳碳双键、碳碳叁键的烃和烃的衍生物、苯的同系物 (2)含有羟基的化合物如醇和酚类物质(3)含有醛基的化合物 (4)具有还原性的无机物(如SO2、FeSO4、KI、HCl、H2O2等) 6.能使溴水褪色的物质有: (1)含有碳碳双键和碳碳叁键的烃和烃的衍生物(加成)(2)苯酚等酚类物质(取代)(3)含醛基物质(氧化)(4)碱性物质(如NaOH、Na2CO3)(氧化还原――歧化反应)(5)较强的无机还原剂(如SO2、KI、FeSO4等)(氧化) (6)有机溶剂(如苯和苯的同系物、四氯甲烷、汽油、已烷等,属于萃取,使水层褪色而有机层呈橙红色。) 7.密度比水大的液体有机物有:溴乙烷、溴苯、硝基苯、四氯化碳等。 8、密度比水小的液体有机物有:烃、大多数酯、一氯烷烃。 9.能发生水解反应的物质有 卤代烃、酯(油脂)、二糖、多糖、蛋白质(肽)、盐。 10.不溶于水的有机物有:烃、卤代烃、酯、淀粉、纤维素 11.常温下为气体的有机物有:分子中含有碳原子数小于或等于4的烃(新戊烷例外)、一氯甲烷、甲醛。

青少版新概念入门 StarterA 知识点总结(自己整理)

新概念青少版Starter A 日常用语总结 1.Hello!/ Hi! 2.Good dog!/ Bad dog!/ Good girl! 3.No cat!/ No ball! 4.Look! 5.Yummy!/ Yuk! 6.Help!/ Stop! 7.Oops! 8.Look at my/ your+颜色+事物! 9.Thank you!/ Thanks! 10.Sorry! 11.Happy birthday! 12.Hurray! 13.Please! 14.This is my family/ dad/ mum/ sister/ brother/ friend. 15.Look out! 16.Here you are! 17.Let’s play! 18.Your turn! 19.Guess! 20.-What’s your name? -My name’s ... What’s= what is my name’s= my name is 例:What’s your name? My name’s Peg. 21.It’s a (an).../ It isn’t a (an)...(bike/ car/ doll/ robot/ train/ van) 单词以元音开头,用an;以辅音开头,用a。 比如:an apple/ insect/ egg/ umbrella a train/ van/ robot/ car It’s= it is isn’t= is not 例:It’s a book./ It isn’t an orange. 22.-Is it...? -Yes, it is./ No, it isn’t. 例:-Is it an apple? -Yes, it is./ No, it isn’t. 23.This is my....../ This isn’t my......(book/ pen/ pencil/ pencil case/ rubber/ ruler/ school bag) This is 无缩写This isn’t= This is not 例:This is my pen. This isn’t my schoolbag. 24.That’s my....../ That isn’t my...... That’s= that is That isn’t= that is not 例:That’s my mum. That isn’t my father. 25.-Is this...?/ Is that...? -Yes, it is./ No, it isn’t. 例:-Is this a train? -Yes, it is. -Is that an umbrella? -No, it isn’t.

九年级化学第八章金属知识点总结

艰第八单元 金属和金属材料 第一节 金属材料 ● 金属材料:金属材料包括纯金属以及它们的合金。 ● 金属的物理性质 ? 在常温下一般为固态(汞为液态),有金属光泽(大多数金属呈银白色,铜呈紫红色,金呈黄色); ? 导电性、导热性、熔点较高、有延展性、能够弯曲、硬度较大、密度较大。 ● 金属之最 ? 地壳中含量最多的金属元素——铝 ? 人体中含量最多的金属元素——钙 ? 目前世界年产量最多的金属——铁(铁>铝>铜) ? 导电、导热性最好的金属——银(银>铜>金>铝) ? 熔点最高的金属——钨 ? 熔点最低的金属——汞 ? 硬度最大的金属——铬 ? 密度最大的金属——锇 ? 密度最小的金属——锂 ● 金属的分类 ● 金属的应用 物质的性质在很大程度上决定了物质的用途,但这不是唯一的决定因素。在考虑物质的用途时,还需要考虑价格、资源、是否美观、使用是否便利,以及废料是否易于回收和对环境的影响等多种因素。 ? 铜、铝——电线——导电性好、价格低廉 ? 钨——灯丝——熔点高 ? 铬——电镀——硬度大 ? 铁——菜刀、镰刀、锤子等 ? 汞——体温计液柱 ? 银——保温瓶内胆 ? 铝——“银粉”、锡箔纸 ● 合金:由两种或两种以上的金属或金属与非金属经一定方法所合成的具有金属特性的物质。 合金是混合物。金属氧化物不是合金。 ● 目前已制得的纯金属只有90多种,而合金已达几千种。 ● 合金的硬度一般比组成它的纯金属的硬度大,抗腐蚀性强。 ● 合金的熔点一般比组成它的纯金属的熔点低。 ● 黑色金属:通常指铁、锰、铬及它们的合金。 有色金属:通常是指除黑色金属以外的其他金属。 重金属:如铜、锌、铅等 轻金属:如钠、镁、铝等

高中有机化学基础知识点归纳小结

高中有机化学基础知识点归纳小结 一、重要的物理性质 1.有机物的溶解性 (1)难溶于水的有:各类烃、卤代烃、硝基化合物、酯、绝大多数高聚物、高级的(指分子中碳原子数目较多的,下同)醇、醛、羧酸等。 (2)易溶于水的有:低级的[一般指N(C)≤4]醇、(醚)、醛、(酮)、羧酸及盐、氨基酸及盐、单糖、二糖。(它们都能与水形成氢键)。 二、重要的反应 1.能使溴水(Br2/H2O)褪色的物质 (1)有机物①通过加成反应使之褪色:含有、—C≡C—的不饱和化合物 ②通过取代反应使之褪色:酚类注意:苯酚溶液遇浓溴水时,除褪色现象之外还产生白色沉淀。 ③通过氧化反应使之褪色:含有—CHO(醛基)的有机物(有水参加反应)注意:纯净的只含有—CHO (醛基)的有机物不能使溴的四氯化碳溶液褪色 ④通过萃取使之褪色:液态烷烃、环烷烃、苯及其同系物、饱和卤代烃、饱和酯 (2)无机物①通过与碱发生歧化反应3Br2 + 6OH- == 5Br- + BrO3- + 3H2O或Br2 + 2OH- == Br- + BrO- + H2O ②与还原性物质发生氧化还原反应,如H2S、S2-、SO2、SO32-、I-、Fe2+ 2.能使酸性高锰酸钾溶液KMnO4/H+褪色的物质 1)有机物:含有、—C≡C—、—OH(较慢)、—CHO的物质苯环相连的侧链碳上有氢原子的苯的同系物(但苯不反应) 2)无机物:与还原性物质发生氧化还原反应,如H2S、S2-、SO2、SO32-、Br-、I-、Fe2+ 3.与Na反应的有机物:含有—OH、—COOH的有机物 与NaOH反应的有机物:常温下,易与含有酚羟基 ...、—COOH的有机物反应 加热时,能与卤代烃、酯反应(取代反应) 与Na2CO3反应的有机物:含有酚.羟基的有机物反应生成酚钠和NaHCO3; 含有—COOH的有机物反应生成羧酸钠,并放出CO2气体; 含有—SO3H的有机物反应生成磺酸钠并放出CO2气体。 与NaHCO3反应的有机物:含有—COOH、—SO3H的有机物反应生成羧酸钠、磺酸钠并放出等物质的量的CO2气体。4.既能与强酸,又能与强碱反应的物质 (1)2Al + 6H+ == 2 Al3+ + 3H2↑2Al + 2OH- + 2H2O == 2 AlO2- + 3H2↑ (2)Al2O3 + 6H+ == 2 Al3+ + 3H2O Al2O3 + 2OH-== 2 AlO2- + H2O (3)Al(OH)3 + 3H+ == Al3+ + 3H2O Al(OH)3 + OH-== AlO2- + 2H2O (4)弱酸的酸式盐,如NaHCO3、NaHS等等 NaHCO3 + HCl == NaCl + CO2↑ + H2O NaHCO3 + NaOH == Na2CO3 + H2O NaHS + HCl == NaCl + H2S↑NaHS + NaOH == Na2S + H2O (5)弱酸弱碱盐,如CH3COONH4、(NH4)2S等等 2CH3COONH4 + H2SO4 == (NH4)2SO4 + 2CH3COOH CH3COONH4 + NaOH == CH3COONa + NH3↑+ H2O (NH4)2S + H2SO4 == (NH4)2SO4 + H2S↑ (NH4)2S +2NaOH == Na2S + 2NH3↑+ 2H2O (6)氨基酸,如甘氨酸等 H2NCH2COOH + HCl → HOOCCH2NH3Cl H2NCH2COOH + NaOH → H2NCH2COONa + H2O

新概念英语青少版starterA期末练习

新概念英语青少版入门级A Listening 听力部分30’ 一、听录音,写单词,并写出单词的中文含义(20’)。 二、听录音,选出你所听到的单词。(10’) 1. ( ) A. skirt B. shirt C. sock D. sweater 2. ( ) A. rabbit B. tortoise C. rubber D. parrot 3. ( ) A. twelve B. twenty C. eleven D. seven 4. ( ) A. a duck B. two ducks C. three ducks D. four ducks 5. ( ) A. evening B. morning C. lunch D. breakfast 6. ( ) A. chair B. shelf C. bed D. wall 7. ( ) A. next to B. bedroom C. bathroom D. between 8. ( ) A. dancer B. nurse C. man D.woman 9. ( ) A. aunt B. uncle C. cousin D. sister 10. ( ) A. this B. that C. those D. the

Writing 笔试部分70’ 三.用“a”或“an”填空(10’) 1. apple 2. book 3. rabbit 4.umbrella 5. mouse 6. __ ice cream 7. ___ little monkey 8. __ big egg 9. __ red apple 10._banana 四、圈出不同(10’) 1. red blue pink banana 2. frog mouse butterfly big 3. shirt anorak short cap 4. seven eight sister eleven 5. father mother uncle driver 五、请写出缩写(10’) I am___ he is___ you are ___ is not___ are not___ it is___ they are____ she is____ that is ____ 六、选择正确的答案(10’) ( )1.--What’s this? A. That’s a book. B. Yes, it is. C. It’s a bus. ( )2.--What colour is it? A. It’s yellow. B. It’s a dog. C. Thank you. ( )3.-- is your name? --I’m Ann. A.What B. Who C. Where

材料力学总结Ⅱ(乱序,建议最后阶段复习)

材料力学阶段总结 一.材料力学的一些基本概念 1. 材料力学的任务: 解决安全可靠与经济适用的矛盾。 研究对象:杆件 强度:抵抗破坏的能力 刚度:抵抗变形的能力 稳定性:细长压杆不失稳。 2. 材料力学中的物性假设 连续性:物体内部的各物理量可用连续函数表示。 均匀性:构件内各处的力学性能相同。 各向同性:物体内各方向力学性能相同。 3. 材力与理力的关系,内力、应力、位移、变形、应变的概念 材力与理力:平衡问题,两者相同; 理力:刚体,材力:变形体。 内力:附加内力。应指明作用位置、作用截面、作用方向、和符号规定。 应力:正应力、剪应力、一点处的应力。应了解作用截面、作用位置(点)、 作用方向、和符号规定。 变形基本形式:拉伸或压缩、剪切、扭转、弯曲。 4. 物理关系、本构关系 虎克定律;剪切虎克定律: 拉压虎克定律:线段的拉伸或压缩。 E ——I 巴 EA 剪切虎克定律:两线段 夹角的变化。 Gr 适用条件:应力?应变是线性关系:材料比例极限以内。 5. 材料的力学性能(拉压): 一张C - &图,两个塑性指标3、书,三个应力特征点: p 、 s 、 b ,四个 变化阶段:弹性阶段、屈服阶段、强化阶段、颈缩阶段。 拉压弹性模量E ,剪切弹性模量G,泊松比v , G E 2(1 V ) 正应力 压应力 拉应力 应变:反映杆件的变形程度 线应变 角应变

6. 安全系数、 许用应力、工作应力、应力集中系数 安全系数:大于1的系数,使用材料时确定安全性与经济性矛盾的关键。 过小,使构件安全性下降;过大,浪费材料。 许用应力:极限应力除以安全系数。 脆性材料 7. 材料力学的研究方法 1) 所用材料的力学性能:通过实验获得。 2) 对构件的力学要求:以实验为基础,运用力学及数学分析方法建立理 论,预测理论应用的 未来状态。 3) 截面法:将内力转化成“外力”。运用力学原理分析计算。 8. 材料力学中的平面假设 寻找应力的分布规律,通过对变形实验的观察、分析、推论确定理论根据。 1) 拉(压)杆的平面假设 实验:横截面各点变形相同,则内力均匀分布,即应力处处相等。 2) 圆轴扭转的平面假设 实验:圆轴横截面始终保持平面,但刚性地绕轴线转过一个角度。横截面 上正应力为零。 3) 纯弯曲梁的平面假设 实验:梁横截面在变形后仍然保持为平面且垂直于梁的纵向纤维; 正应力 成线性分布规律。 9小变形和叠加原理 小变形: ① 梁绕曲线的近似微分方程 ② 杆件变形前的平衡 ③ 切线位移近似表示曲线 ④ 力的独立作用原理 叠加原理: ① 叠加法求内力 ② 叠加法求变形。 10材料力学中引入和使用的的工程名称及其意义(概念) 1) 荷载:恒载、活载、分布荷载、体积力,面布力,线布力,集中力, 集中力偶,极限荷载。 2) 单元体,应力单元体,主应力单元体。 3) 名义剪应力,名义挤压力,单剪切,双剪切。 4) 自由扭转,约束扭转,抗扭截面模量,剪力流。 塑性材料 n s n b

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