MSI785GTME65主板BIOS设置详解

微星AMD主板的BIOS设置详解

微星AMD主板的BIOS设置详解

本设置讲解，以785GTM-E65为蓝本，其他AMD主板也可参考。

不同型号AMD主板只是BIOS设置项目有多有少，只要是有的项目，设置方式和内容基本相同。

一、BIOS主菜单

1、Standard CMOS Features 标准CMOS属性

2、Advanced BIOS Features 高级BIOS 属性

3、Integrated Peripherals 整合周边设备

4、Power Management 电源管理

5、H/W Monitor 硬件监测

6、Green Power 绿色节能

7、BIOS Setting Password 开机密码设置

8、Cell Menu 核心菜单

9、M-Flash U盘刷新BIOS

10、User Settings 用户设置项

11、Load Fail-Safe Defaults 加载安全缺省值

12、Load Optimized Defaults 加载优化值

13、Save & Exit Setup 保存设置并退出

14、Exit Without Saving 退出而不保存

二、Cell Menu 核心菜单设置1、CPU相关设置

CPU相关设置有9项

1-1、CPU Specifications：这是查看CPU的规格和参数，也可以随时按F4查看。

1-2、AND Cool `n` Quiet：AMD CPU的节能技术，也叫“凉又静”。依据CPU负载改变CPU的倍频和电压。当CPU空闲时，核心电压降到最低，倍频也降到最低。如果主板有微星的APS功能，请开启这个选项。该选项的设置是Enabled和Disabled。

1-3、Adjust CPU FSB Frequency （MHz）：调整CPU的前端总线频率。默认的频率是CPU 的标准FSB频率，用户可以自己调整，就是超频。在这里直接键入频率数值，比如220。

1-4、Adjust CPU Ratio：调整CPU的倍频。AMD的CPU一般是锁定最高倍频的，只能降低倍频。有个别不锁倍频的CPU才可以调整到更高的倍频。该项的默认设置是Auto。敲回车，弹出倍频列表，用户可以从中选择希望的倍频。

1-5、Adjust CPU-NB Ratio：调整CPU内北桥（内存控制器）的倍率。AMD CPU整合了内存控制器，这个选项可以调整内存控制器的倍率。调整这个倍率要与内存频率设置相互配合，一般需要多次调整，才能达到最佳效果，如果设置不正确，可能引起蓝屏死机。

1-6、EC Firmware：EC固件设置。这是AMD SB710芯片组新开的一个设置项，用于开启被AMD关闭核心（有部分是不能正常运作的）。这项的默认设置是Normal。敲回车，弹出选项菜单供用户选择。

Normal是普通模式，就是不开启关闭的核心。Special是特殊模式，开启被关闭的核心。注意这个选项要配合下面的Advanced Clock Calibration设置。

1-7、Advanced Clock Calibration：高级时钟校准。这是SB750开始有的有的功能。用于校准CPU的时钟频率，同时支持AMD的CPU超频软件AMD Over Drive。SB710继承了这项功能，还可以配合EC Firmware开启关闭的核心。默认设置是Disabled。敲回车弹出选项菜单：Auto是自动模式。想开启关闭的核心，请设置为Auto。

All Cores是对所有核心都进行相同的高级时钟校准。选择了All Core后，菜单会多出一个选项。就是要求选择校准的百分比。在Value上敲回车会弹出百分比选择菜单。

Per Core可以对每个核心单独设置时钟校准百分比。选择Per Core后，菜单会多出一个选项：也是要求选择校准的百分比。在每一个Value敲回车都会弹出百分比选择菜单。请注意，Value的个数与CPU的核心数相匹配，比如2核的就有2个Value选项。

1-8、Auto Over Clock Technology：微星独有的一种自动超频技术，默认是Disabled，可以设置为Max FSB。就是系统自动侦测CPU可能超频的最大FSB值。设置该项后，系统可能重复启动多次，最后找到最大FSB启动。由于FSB涉及内存的频率，可能会因为内存缘故而出现在最大FSB情况下，不能进系统，或者蓝屏死机。

1-9、Multistep OC Booster：这是微星独有的超频辅助技术，当CPU因超频较高，不能启动时，可以利用这个选项。它的作用是先以较低的频率启动进系统，然后再恢复原来频率。该选项默认是Disabled，有Mode1和Mode2选项。Mode1是以低于原频率90%的频率启动。Mode2是以低于原频率80%的频率启动。

2、内存相关设置

内存设置有3项：2-1、MEMORY-Z：这是查看内存的SPD参数。也可以随时按F5查看插2条内存，弹出2条内存的SPD信息，如果插4条，就会有4条SPD信息。回车就可以查看1条内存的SPD：

2-2、Advance DRAM Configuration：高级DRAM配置。就是用户自己配置内存时序参数。回车进入高级DRAM配置：

2-2-1、DRAM Timing Mode：DRAM时序模式。有4项设置：Auto、DCT0、DCT1、Both。Auto就是按内存条的SPD设置内存时序参数。DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both 是设置2个通道。默认设置是Auto。

这是DCT0的时序参数设置：

内存时序参数最主要的有4个。CL-tRCD-tRP-tRAS，这4个参数也是在内存条上常常看到的，比如8-8-8-24，就是这4个参数。

附注：内存时序参数知识

1、内存芯片内部的存储单元是矩阵排列的，所以用行（Row）地址和列（Column）地址标识一个内存单元。

2、内存寻址就是通过行地址和列地址寻找内存的一个存储单元。系统发出的地址编码需要经过地址译码器译出行地址和列地址，才可以对内存读写。

3、内存芯片是易失性存储器，必须经常对内存的每个存储单元充电，才可以保持存储的数据。读写前要先对选定的存储单元预充电（Pre charge）。

4、对内存的存储单元读写前要先发出激活（Active）命令，然后才是读写命令。

5、CL就是CAS Latency，CAS（列地址选通）潜伏时间，实际上也是延迟。指的是CPU发出读命令到获得内存输出数据的时间间隔。

6、tRCD是RAS-to-CAS Delay，行地址选通到列地址选通的延迟。一般是指发出激活命令和读写命令之间的时间间隔。在这段时间内经过充电，数据信号足够强。

7、tRP是Row-Pre charge Delay，行预充电延迟。一般是指发出预充电命令和激活命令之间的时间间隔。在这段时间内对激活的行充电。

8、tRAS是Row-active Delay，行激活延迟。一般是指行激活命令和发出预充电命令之间的时间间隔。

9、上述潜伏和延迟时间可以用绝对时间值ns，也可用相对时间—周期。一般多用周期表达。周期数越小，内存的速度越高。选购内存，不仅要看标注的频率，还要看标注的时序参数。内存时序参数标准由JEDEC制定。下面列出DDR3的时序参数规格，供参考。

标准的时序参数有7-7-7/8-8-8/9-9-9三种，其中7-7-7的最好。还有非标准的7-8-8/8-9-的，这种时序参数的内存条，上标称频率就会死机蓝屏。降一级频率就没有问题。

2-2-2、DRAM Drive Strength：DRAM驱动强度。

该选项有4个参数，Auto是BIOS自动依据内存设置。其他是用户自己设置，DCT0是设置通道A，DCT1是设置通道B，Both是设置2个通道。设置为DCT0/1或Both时，会增加设置项目，下面看看用户自己手动设置的项目：

每个通道的信号驱动强度设置包括8项。

CKE Drive Strength：时钟允许（Clock enable）信号驱动强度