IC芯片命名规则
MAXIM专有产品型号命名
MAX XXX (X) X X X
1 2 3 4 5 6
1．前缀：MAXIM公司产品代号
2．产品字母后缀：
三字母后缀：C=温度范围；P=封装类型；E=管脚数
四字母后缀：B=指标等级或附带功能；C=温度范围；P=封装类型；I=管脚数
3．指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电
4 ．温度范围：C= 0℃至70℃（商业级）
I =-20℃至+85℃（工业级）
E =-40℃至+85℃（扩展工业级）
A = -40℃至+85℃（航空级）
M =-55℃至+125℃（军品级）
5．封装形式： A SSOP(缩小外型封装) Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装)
B CERQUAD R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)
C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装
D 陶瓷铜顶封装T
TO5,TO-99,TO-100
E 四分之一大的小外型封装U TSSOP,μMAX,SOT
F 陶瓷扁平封装H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装（300mil）
J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70（3脚，5脚，6脚）
K TO-3 塑料接脚栅格阵列Y 窄体铜顶封装
L LCC (无引线芯片承载封装) Z
TO-92MQUAD
M MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片
N 窄体塑封双列直插/ PR 增强型塑封
P 塑封双列直插/ W 晶圆6．管脚数量：
A:8 J:32 K:5，
68 S:4，80
B:10，
64 L:40 T:6，160
C:12，192 M:7，
48 U:60
D:14 N:18
V:8（圆形）
E:16 O:42 W:10（圆形）
F:22，
256 P:20 X:36
G:24 Q:2，
100 Y:8（圆形）
H:44 R:3，
84 Z:10（圆形）
I:28
AD常用产品型号命名
单块和混合集成电路
XX XX XX X X X
1 2 3 4 5
1．前缀：AD模拟器件，HA 混合集成
A/D，HD 混合集成D/A
2．器件型号
3．一般说明：A 第二代产品，DI 介质隔离，Z 工作于±12V
4．温度范围/性能（按参数性能提高排列）：
I、J、K、L、M 0℃至70℃
A、B、C-25℃或-40℃至85℃
S、T、U -55℃至125℃
5．封装形式：
D 陶瓷或金属密封双列直插R微型“SQ”封装
E 陶瓷无引线芯片载体RS 缩小的微型封装
F 陶瓷扁平封装S塑料四面引线扁平封装
G 陶瓷针阵列ST 薄型四面引线扁平封装
H 密封金属管帽T TO-92型封装
J J形引线陶瓷封装U 薄型微型封装
M 陶瓷金属盖板双列直插W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插
N 料有引线芯片载体Y 单列直插
Q 陶瓷熔封双列直插Z 陶瓷有引线芯片载体
P 塑料或环氧树脂密封双列直插
高精度单块器件
XXX XXXX BI E X /883
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1．器件分类：ADC A/D转换器OP运算放大器
AMP设备放大器PKD 峰值监测器
BUF缓冲器PM PMI 二次电源产品
CMP比较器REF 电压比较器
DAC D/A转换器RPT PCM线重复器
JAN Mil-M-38510SMP 取样/保持放大器
LIU串行数据列接口单元SW模拟开关
MAT配对晶体管SSM声频产品
MUX多路调制器TMP温度传感器
2．器件型号
3．老化选择
4．电性等级
5．封装形式：
H6腿TO-78S微型封装
J8腿TO-99T28腿陶瓷双列直插
K10腿TO-100 TC 20引出端无引线芯片载体
P环氧树脂B双列直插V20腿陶瓷双列直插
PC塑料有引线芯片载体X 18腿陶瓷双列直插
Q16腿陶瓷双列直插Y14腿陶瓷双列直插
R20腿陶瓷双列直插Z8腿陶瓷双列直插
RC20引出端无引线芯片载体
6．军品工艺
ALTERA产品型号命名
XXX XXX X X XX X
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1．前缀：EP 典型器件
EPC 组成的EPROM器件
EPF FLEX 10K或FLFX 6000系列、FLFX 8000系列
EPM MAX5000系列、MAX7000系列、MAX9000系列
EPX 快闪逻辑器件
2．器件型号
3．封装形式：
D陶瓷双列直插Q 塑料四面引线扁平封装
P塑料双列直插R功率四面引线扁平封装
S塑料微型封装T薄型J 形引线芯片载体
J陶瓷J形引线芯片载体W陶瓷四面引线扁平封装
L塑料J形引线芯片载体B球阵列
4．温度范围：C℃至70℃，I-40℃至85℃，M-55℃至125℃
5．腿数
6．速度
ATMEL产品型号命名
AT XX X XX XX X X X
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1．前缀：ATMEL公司产品代号
2．器件型号
3．速度
4．封装形式：
A TQFP封装P 塑料双列直插
B 陶瓷钎焊双列直插Q 塑料四面引线扁平封装
C 陶瓷熔封R 微型封装集成电路
D 陶瓷双列直插S 微型封装集成电路
F 扁平封装T 薄型微型封装集成电路
G 陶瓷双列直插，一次可编程U 针阵列
J 塑料J形引线芯片载体V 自动焊接封装
K 陶瓷J形引线芯片载体W 芯片
L 无引线芯片载体Y 陶瓷熔封
M 陶瓷模块Z 陶瓷多芯片模块
N 无引线芯片载体，一次可编程
5．温度范围：C 0℃至70℃，I -40℃至85℃，M -55℃至125℃
6．工艺：空白标准
/883Mil-Std-883, 完全符合B级
B Mil-Std-883，不符合B级
BB产品型号命名
XXX XXX (X) X X X
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DAC 87 X XXX X /883B
4 7 8
1．前缀：
ADC A/D转换器MPY 乘法器
ADS 有采样/保持的A/D转换器OPA 运算放大器
DAC D/A转换器PCM 音频和数字信号处理的A/D和D/A转换器
DIV 除法器PGA 可编程控增益放大器
INA 仪用放大器SHC 采样/保持电路
ISO 隔离放大器SDM 系统数据模块
MFC 多功能转换器VFC V/F、F/V 变换器
MPC 多路转换器XTR 信号调理
器
2．器件型号
3．一般说明：
A 改进参数性能L 锁定
Z + 12V电源工作HT 宽温度范围
4．温度范围：
H、J、K、L 0℃至70℃
A、B、C -25℃至85 ℃
R、S、T、V、W -55℃至125℃5．封装形式：
L 陶瓷芯片载体H 密封陶瓷双列直插
M 密封金属管帽G 普通陶瓷双列直插
N 塑料芯片载体U 微型封装
P 塑封双列直插
6．筛选等级：Q 高可靠性QM 高可靠性，军用
7．输入编码：CBI 互补二进制输入COB 互补余码补偿二进制输入
CSB 互补直接二进制输入CTC 互补的两余码
8．输出：V 电压输出I 电流输出
CYPRESS产品型号命名
XXX 7 C XXX XX X X X
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1．前缀： CY Cypress公司产品，CYM 模块，VIC VME总线
2．器件型号：7C128CMOS SRAM7C245 PROM 7C404 FIFO
7C9101微处理器
3．速度：
A 塑料薄型四面引线扁平封装V J形引线的微型封装
B塑料针阵列U 带窗口的陶瓷四面引线扁平封装
D 陶瓷双列直插W 带窗口的陶瓷双列直插
F 扁平封装X 芯片
G 针阵列Y 陶瓷无引线芯片载体
H 带窗口的密封无引线芯片载体HD 密封双列直插
J 塑料有引线芯片载体K 陶瓷熔封HV 密封垂直双列直插
L 无引线芯片载体PF 塑料扁平单列直插
P 塑料PS 塑料单列直插
Q 带窗口的无引线芯片载体PZ 塑料引线交叉排列式双列直插
R 带窗口的针阵列 E 自动压焊卷
S 微型封装IC T 带窗口的陶瓷熔封N 塑料四面引线扁平封装
5．温度范围：C 民用（0℃至70℃）
I 工业用（-40℃至85℃）
M 军用（-55℃至125℃）
6．工艺： B 高可靠性
HITACHI常用产品型号命名
XX XXXXX X X
1 2 3 4
1．前缀：
HA 模拟电路HB 存储器模块
HD 数字电路HL 光电器件（激光二极管/LED）
HM 存储器（RAM）HR光电器件（光纤）
HN 存储器（NVM）PF RF功率放大器
HG 专用集成电路
2．器件型号
3．改进类型
4．封装形式：
P 塑料双列PG 针阵列
C 陶瓷双列直插S 缩小的塑料双列直插
CP 塑料有引线芯片载体CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体
FP 塑料扁平封装G 陶瓷熔封双列直插
SO 微型封装
INTERSIL产品型号命名
XXX XXXX X X X X
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1．前缀： D 混合驱动器G 混合多路FET
ICL 线性电路ICM 钟表电路
IH 混合/模拟门IM 存储器
AD 模拟器件DG 模拟开关
DGM 单片模拟开关ICH 混合电路
MM 高压开关NE/SE SIC产品
2．器件型号
3．电性能选择
4．温度范围： A -55℃至125℃， B -20℃至85℃，
C 0℃至70℃
I -40℃至125℃，M -55℃至125℃
5．封装形式：
A TO-237型L 无引线陶瓷芯片载体
B 微型塑料扁平封装P 塑料双列直插
C TO-220型S TO-52型
D 陶瓷双列直插T TO-5、TO-78、TO-99、TO-100型
E TO-8微型封装U TO-72、TO-18、TO-71型
F 陶瓷扁平封装V TO-39型
H TO- 66型Z TO-92型
I 16脚密封双列直插/W 大圆片
J 陶瓷双列直插/D 芯片
K T O-3型Q 2引线金属管帽
6．管脚数：
A 8，
B 10，
C 12，
D 14，
E 16，
F 22，
G 24，
H 42，I 28，J 32，K 35，L 40，M 48，N 18，
P 20，Q 2，R 3，S 4，T 6，U 7，
V 8（引线间距0.2""，绝缘外壳）W 10（引线间距0.23""，绝缘外壳）
Y 8（引线间距0.2""，4脚接外壳）Z 10（引线间距0.23""，5脚接外壳）
NEC常用产品型号命名
μP X XXXX X
1 2 3 4
1．前缀
2．产品类型：A 混合元件 B 双极数字电路，
C 双极模拟电路
D 单极型数字电路
3．器件型号：
4．封装形式：
A 金属壳类似TO-5型封装J 塑封类似TO-92型
B 陶瓷扁平封装M 芯片载体
C 塑封双列V 立式的双列直插封装
D 陶瓷双列L 塑料芯片载体
G 塑封扁平K 陶瓷芯片载体
H 塑封单列直插 E 陶瓷背的双列直插MICROCHIP产品型号命名
PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX
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1. 前缀: PIC MICROCHIP公司产品代号
2. 器件型号（类型）：
C CMOS电路CR CMOS ROM
LC 小功率CMOS电路LCS 小功率保护
AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROM
LV 低电压 F 快闪可编程存储器
HC 高速CMOS FR FLEX ROM
3．改进类型或选择
4．速度标示：-55 55ns, -70 70ns, -90 90ns, -10 100ns,-12 120ns
-15 150ns，-17 170ns,-20 200ns,-25 250ns, -30 300ns
晶体标示：LP 小功率晶体，RC 电阻电容，
XT 标准晶体/振荡器HS 高速晶体
频率标示：-20 2MHZ，-04 4MHZ，-10 10MHZ，-16 16MHZ
-20 20MHZ，-25 25MHZ，-33 33MHZ 5．温度范围：空白0℃至70℃，I -45℃至85℃， E -40℃至125℃
6．封装形式：
L PLCC封装JW 陶瓷熔封双列直插，有窗口
P 塑料双列直插PQ 塑料四面引线扁平封装
W 大圆片SL 14腿微型封装-150mil
JN 陶瓷熔封双列直插，无窗口SM 8腿微型封装-207mil
SN 8腿微型封装-150 mil VS 超微型封装8mm×13.4mm
SO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mm
SP 横向缩小型塑料双列直插CL 68腿陶瓷四面引线，带窗口
SS 缩小型微型封装PT 薄型四面引线扁平封装
TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装
ST产品型号命名
普通线性、逻辑器件
MXXX XXXXX XX X X
1 2 3 4 5
1．产品系列：
74AC/ACT 先进CMOS HCF4XXX
M74HC 高速CMOS
2．序列号
3．速度
4．封装：BIR，BEY 陶瓷双列直插
M，MIR 塑料微型封装
5．温度
普通存贮器件
XX X XXXX X XX X XX
1 2 3 4 5 6 7
1．系列：
ET21 静态RAM
ETL21 静态RAM
ETC27
EPROM MK41 快静态RAM
MK45 双极端口FIFO
MK48 静态RAM
TS27 EPROM
S28 EEPROM
TS29 EEPROM
2．技术：空白…NMOS C…CMOS
L…小功率
3．序列号
4．封装： C 陶瓷双列J 陶瓷双列
N 塑料双列Q UV窗口陶瓷熔封双列直插
5．速度
6．温度：空白0℃~70℃ E -25℃~70℃
V -40℃~85℃M -55℃~125℃7．质量等级：空白标准B/B MIL-STD-883B B 级
存储器编号（U.V EPROM和一次可编程OTP）
M XX X XXX X X XXX X X
1 2 3 4 5 6 7 8
1．系列：27…EPROM
87…EPROM锁存
2．类型：空
白…NM OS，C…CMOS，V…小功率
3．容量：
64…64K位（X8）
256…256K位（X8）
512…512K位（X8）
1001…1M位（X8）
101…1M位（X8）低电压
1024…1M位（X8）
2001…2M位（X8）
201…2M位（X8）低电压
4001…4M位
（X8）401…4M位（X8）低电压
4002…4M位（X16）
801…4M位（X8）
161…16M位（X8/16）可选择
160…16M位（X8/16）
4．改进等级
5．电压范围：空白5V +10%Vcc，X 5V
+10%Vcc
6．速度：55 55n，60 60ns，70 70ns，80 80ns
90 90ns，100/10 100 n
120/12 120 ns，150/15 150 ns
200/20 200 ns，250/25 250 ns
7．封装：
F 陶瓷双列直插（窗口）L 无引线芯片载体（窗口）
B 塑料双列直插
C 塑料有引线芯片载体（标准）
M 塑料微型封装N 薄型微型封装
K 塑料有引线芯片载体（低电压）
8．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃
快闪EPROM的编号
M XX X A B C X X XXX
X X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
1．电源
2．类型： F 5V +10%，V 3.3V +0.3V
3．容量： 1 1M， 2 2M， 3 3M，8 8M，16 16M
4．擦除：0 大容量 1 顶部启动逻辑块 2 底部启动逻辑块 4 扇区
5．结构：0 ×8/×16可选择， 1 仅×8， 2 仅×16
6．改型：空白A
7．Vcc：空白5V+10%Vcc X +5%Vcc
8．速度：
60 60ns，70 70ns，80 80ns，
90 90ns
100 100ns，120 120ns，150 150ns，200 200ns
9．封装：
M 塑料微型封装N 薄型微型封装，双列直插
C/K 塑料有引线芯片载体B/P 塑料双
列直插
10．温度：
1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃
仅为3V和仅为5V的快闪EPROM编号
M XX X XXX X XXX X X
1 2 3 4 5 6 7
1．器件系列：29 快闪
2．类型： F 5V单电源V 3.3单电源
3．容量：
100T （128K×8.64K×16）顶部块，100B
（128K×8.64K×16）底部块
200T （256K×8.64K×16）顶部块，200B
（256K×8.64K×16）底部块
400T （512K×8.64K×16）顶部块，400B
（512K×8.64K×16）底部块
040 （12K×8）扇区，080 （1M×8）扇区
016 （2M×8）扇区
4．Vcc：空白5V+10%Vcc，X +5%Vcc
5．速度：60 60ns，70 70ns，80 80ns
90 90ns，120 120ns
6．封装：M 塑料微型封装N 薄型微型封装
K 塑料有引线芯片载体P 塑料双列直插
7．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃
串行EEPROM的编号
ST XX XX XX X X X
1 2 3 4 5 6
1．器件系列：24 12C ，25 12C（低电压），93 微导线
95 SPI总线28 EEPROM
2．类型/工艺：
C CMOS（EEPROM） E 扩展I C总线
W 写保护士CS 写保护（微导线）
P SPI总线LV 低电压（EEPROM）
3．容量：01 1K，02 2K，04 4K，08 8K
16 16K，32 32K，64 64K
4．改型：空白A、B、C、D
5．封装： B 8腿塑料双列直插M 8腿塑料微型封装
ML 14腿塑料微型封装
6．温度： 1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃ 3 -40℃~125℃
微控制器编号
ST XX X XX X X
1 2 3 4 5 6
1．前缀
2．系列：62 普通ST6系列63 专用视频ST6系列
72 ST7系列90 普通ST9系列
92 专用ST9系列10 ST10位系列
20 ST20 32位系列
3．版本：空白ROM T OTP （PROM）
R ROMless P 盖板上有引线孔
E EPROM
F 快闪
4．序列号
5．封装：
B 塑料双列直插 D 陶瓷
双列真插
F 熔封双列直插M 塑料微型封装
S 陶瓷微型封装CJ 塑料有引线芯片载体
K 无引线芯片载体L 陶瓷有引线芯片载体
QX 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷四面扁平封装成针阵列
R 陶瓷什阵列T 薄型四面引线扁平封装
6．温度范围：
1.5 0℃~70℃(民用) 2 -40℃
~125℃(汽车工业)
61 -40℃~85℃(工业) E -55℃
~125℃
XICOR产品型号命名
X XXXXX X X X (-XX)
1 2 3 4 5 6
EEPOT X XXXX X X X
1 2 7 3 4
串行快闪X XX X XXX X X -X
1 2 3 4 8
1．前缀
2．器件型号
3．封装形式：D 陶瓷双列直插P 塑料双列直插
E 无引线芯片载体R 陶瓷微型封装
F 扁平封装S 微型封装
J 塑料有引线芯片载体T 薄型微型封装
K 针振列V 薄型缩小型微型封装
L薄型四面引线扁平封装X 模块
M 公制微型封装Y 新型卡式
4．温度范围：空白标准， B B级（MIL-STD-883），
E -20℃至85℃I -40℃至85℃，
M -55℃至125℃
5．工艺等级：空白标准， B B级（MIL-STD-883）
6．存取时间（仅限EEPROM和NOVRAM）：
20 200NS, 25 250NS, 空白300ns, 35 350ns, 45 450ns
55 55ns, 70 70ns, 90 90ns, 15 150ns
Vcc限制（仅限串行EEPROM）：
空白4.5V至5.5V，-3 3V 至5.5V
-2.7 2.7V至5.5V，-1.8 1.8V 至5.5V
7．端到末端电阻：
Z 1KΩ，Y 2KΩ，W 10KΩ，U 50KΩ，T
100KΩ
8．Vcc限制：空白1.8V至3.6V，-5 4.5V至5.5V ZILOG产品型号命名
Z XXXXX XX X X X XXXX
1 2 3 4 5 6 7
1．前缀
2．器件型号
3．速度：空白2.5MHz， A 4.0MHz， B
6.0MHz
H 8.0MHz，L 低功耗的，直接用数字标示
4．封装形式：
A 极小型四面引线扁平封装 C 陶瓷钎焊
D 陶瓷双列直插
E 陶瓷，带窗口
F 塑料四面引线扁平封装
G 陶瓷针阵列
H 缩小型微型封装I PCB芯片载体
K 陶瓷双列直插，带窗口L 陶瓷无引线芯片载体
P 塑料双列直插Q 陶瓷四列
S 微型封装V 塑料有引线芯片载体
5．温度范围：E -40℃至100℃，M -55℃至125℃，S 0℃至70 ℃
6．环境试验过程：
A 应力密封，
B 军品级，
C 塑料标准，
D 应力塑料，
E 密封标准
芯片命名规则
MAXIM命名规则 AXIM前缀是“MAX”。DALLAS则是以“DS”开头。 MAX×××或MAX×××× 说明：1后缀CSA、CWA 其中C表示普通级，S表示表贴，W表示宽体表贴。 2 后缀CWI表示宽体表贴，EEWI宽体工业级表贴，后缀MJA或883为军级。 3 CPA、BCPI、BCPP、CPP、CCPP、CPE、CPD、ACPA后缀均为普通双列直插。举例MAX202CPE、CPE普通ECPE普通带抗静电保护 MAX202EEPE 工业级抗静电保护（-45℃-85℃）说明 E指抗静电保护 MAXIM数字排列分类 1字头模拟器 2字头滤波器 3字头多路开关 4字头放大器 5字头数模转换器 6字头电压基准 7字头电压转换 8字头复位器 9字头比较器 三字母后缀： 例如：MAX358CPD C = 温度范围 P = 封装类型 D = 管脚数 温度范围： C = 0℃ 至70℃（商业级） I = -20℃ 至+85℃ （工业级） E = -40℃ 至+85℃ （扩展工业级） A = -40℃ 至+85℃ （航空级） M = -55℃ 至+125℃ （军品级） 封装类型： A SSOP(缩小外型封装) B CERQUAD C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) D 陶瓷铜顶封装 E 四分之一大的小外型封装 F 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA(超级球式栅格阵列, 5x5 TQFP) J CERDIP (陶瓷双列直插) K TO-3 塑料接脚栅格阵列 L LCC (无引线芯片承载封装) M MQFP (公制四方扁平封装) N 窄体塑封双列直插 P 塑封双列直插
封装命名规则
华立仪表集团股份XX企业标准受控号：版本号：A/0 Q/HL202.15-2009 B1 原理图电气图形符号与PCB封装命名规则2014-12- 发布2014-01-01实施
华立仪表集团股份X X发布 前言 本标准规定了制造电子式电能表及系统常用电子元器件电气图形符号与PCB封装命名规X。 本标准由华立仪表集团股份XX国内研发提出 本标准由华立仪表集团股份XX国内研发起草并负责解释。
1X围 本标准规定了制造电子式电能表及系统常用电子元器件电气图形符号与PCB封装命名规X 本标准适用于电能表计及系统在硬件设计过程中所需的电子元器件电气图形符号与PCB封装的命名规X 5原理图电气图形符号命名规则及制作注意点： 原理图电气图形符号命名规则： 1.原理图电气图形符号命名规则采用“字母”+“-”+“后缀”进行。 1.1字母与元器件大类规则相对应，见表1 1.2后缀根据每个类别图形符号的多少来分别定义，图形符号少的一般根据加入的前后按序列号排列，图形符号多的按器件型号来命名。同时为了便于查找，对于常用器件可在后缀后的括号内，对一些物料进行备注说明。 表1 器件大类与编码对照表 以下命名规则中的n和xxx个数不同，在本标准中不代表具体的位数，只是起图示说明的作用。(XXX)内的不是所有有备注，无备注可不写。 电阻器命名规则 R －n(xxx) 器件大类 备注
序列号 R—1 第一个电阻原理图符号 R—2（MY）第二个电阻原理图符号，并说明是个压敏电阻符号 R—3（MZ）第三个电阻原理图符号，并说明是个热敏电阻符号 R—4（ADJ）第四个电阻原理图符号，并且是个可调电阻符号 电容器命名规则 C 备注 序列号 C—1 第一个电容原理图符号 C—2（+）第二个电容原理图符号，并说明是有极性电容符号 电感命名规则 L D 备注 引脚数序列号 L—2D1 引脚数为2的第一个电感原理图符号 二极管与三极管命名规则 D －x D 器件大类 备注 引脚数序列号 D—2D1 引脚数为2的第一个二三极管原理图符号 D—2D2（Zener）引脚数为2的第二个二三极管原理图符号，并说明是个稳压管D—3D1 (PNP) 引脚数为3的第一个二三极管原理图符号，并说明是个PNP三极管 集成块命名规则 U －nnnnnn(xx) 器件大类 备注引脚数 器件型号 U—ADE7755(24)
PCB封装库命名规则
封装库的管理规范 修订履历表 版本号变更日期变更内容简述修订者审核人V1.00 初次制定杨春萍 一。元件库的组成 1.1 原理图Symbol库 原理图Symbol库分为STANDARD_LIB.OLB和TEMPORARY_LIB.OLB，用于标准库和临时库的区分； 1.2 PCB的Footprint库 PCB封装库只有一个文件夹，里面包括所有的封装和焊盘。 二、元件Ref缩写列表 常用器件的名称缩写作如下规定： 集成芯片 U 电阻 R 排阻 RN 电位器 RP 压敏电阻 RV 热敏电阻RT 无极性电容、大片容C 铝电解CD
钽电容CT 可变电容 CP 二极管 D 三极管 Q ESD器件(单通道)D MOS管 MQ 滤波器 Z 电感L 磁珠 FB 霍尔传感器 SH 温度传感器 ST 晶体Y 晶振 X 连接器J 接插件 JP 变压器 T 继电器 K 保险丝 F 过压保护器 FV 电池 GB 蜂鸣器 B 开关 S 散热架 HS 生产测试点：TP/TP_WX1 信号测试点：TS 螺丝孔 HOLE 定位孔：H 基标：BASE 三、元件属性说明 为了能够将元件信息完全可以录入ORCAD的元件信息系统（CIS）中，根据器件的特性，建库申请人还应将相应的信息（但不仅限于以下信息）提供给库管理员。 元件属性如下： Value：器件的值，主要是电阻、电容、电感； Tolerance：公差，主要指电阻、电容的精度等级；晶体、钟振的频偏范围； C_Voltage：电压，主要指电容的额定电压，晶体、钟振的供电电压； Wattage：功率，主要是电阻的额定功率； Dielectric：电容介质种类，如NPO、X7R、Y5V等等 Temperature：使用温度 Life：使用寿命 CL：容性负载，主要针对晶体来说 Current：电流，电感、磁珠的额定电流 Resonace frequency：电感的谐振频率
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式 半导体器件(semiconductor device)通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN 结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件，典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。 1、物质的分类 按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。导电能力用电阻率衡量。 导体：具有良好导电性能的物质，如铜、铁、铝电阻率一般小于10-4Ω?cm 绝缘体：导电能力很差或不导电的物质，如玻璃、陶瓷、塑料。 电阻率在108Ω?cm以上 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，如锗、硅。 纯净的半导体硅的电阻率约为241000Ω?cm 2、半导体的特性 与导体、绝缘体相比，半导体具有三个显著特点： (1)电阻率的大小受杂质含量多少的影响极大，如硅中只要掺入百万分之一的杂质硼，硅的电阻率就会从241000Ω?cm下降到0.4Ω?cm，变化了50多万倍; (2)电阻率受环境温度的影响很大。 例如：温度每升高8℃时，纯净硅的电阻率就会降低一半左右;金属每升高10℃时，电阻率只增加4%左右。
封装命名规则
封装命名规则
华立仪表集团股份有限公司企业标准 受控号：版本号：A/0 Q/HL202.15-2009 B1 原理图电气图形符号与PCB封装命名规则 2014-12- 发布 2014-01-01实施 华立仪表集团股份有限公司发布
前言 本标准规定了制造电子式电能表及系统常用电子元器件电气图形符号与PCB封装命名规范。 本标准由华立仪表集团股份有限公司国内研发提出本标准由华立仪表集团股份有限公司国内研发起草并负责解释。
1范围 本标准规定了制造电子式电能表及系统常用电子元器件电气图形符号与PCB封装命名规范 本标准适用于电能表计及系统在硬件设计过程中所需的电子元器件电气图形符号与PCB封装的命名规范 5原理图电气图形符号命名规则及制作注意点： 原理图电气图形符号命名规则： 1.原理图电气图形符号命名规则采用“字母”+“-”+“后缀”进行。 1.1字母与元器件大类规则相对应，见表1 1.2后缀根据每个类别图形符号的多少来分别定义，图形符号少的一般根据加入的前后按序列号排列，图形符号多的按器件型号来命名。同时为了便于查找，对于常用器件可在后缀后的括号内，对一些物料进行备注说明。 表1 器件大类与编码对照表 类别编码类别编码类别编码
电阻器R 晶振G 导线组件X 电容 C 光耦 E 变压器T 电感L 开关K 互感器H 二极管和三极 D 电池（组件） B 稳压器、桥堆V 管 继电器（组件）、 J 集成块U 液晶Y 计度器 光电晶体管Q 背光组件P 接插件S 蜂鸣器 F 滤波谐振器Z 其它 A 其它变压器TT 以下命名规则中的n和xxx 个数不同，在本标准中不代表具体的位数，只是起图示说明的作用。 (XXX)内的不是所有有备注，无备注可不写。 电阻器命名规则 R －n (xxx) 器件大类 备注 序列号 R—1 第一个电阻原理图符号 R—2（MY）第二个电阻原理图符号，并说明是个压敏电阻符号 R—3（MZ）第三个电阻原理图符号，并说明是个热敏电阻符号 R—4（ADJ）第四个电阻原理图符号，并且是个可调电阻符号 电容器命名规则 C －n (xxx) 器件大类 备注
电子元件分类与编码标准
电子元件分类与编码标准 为了方便电子元器件的购买及生产管理, 且为以后元器件的电脑化管理提供可能, 本说明对可能涉及到的电子元器件的编号进行规定。 1: 总体原则 1.1 总体规定: 电子元器件的编号统一设想采用字母与数字混合编号方 式且统一为9位. 具体以器件分类名称的字母缩写(2位)开始, 后续6 位数字或字母表示器件的具体规格或型号，第7位是附加的备注或特 殊的识别标记（除电容的命名方式外） 1.2 对于不同规格与不同厂家的元器件原则上采用不同的编号. 1.3 对于一些通用类电子元器件, 如: 电阻, 电容, 电感等如规格及外 形相同则不同厂家的产品也可采用统一编号. 1.4 对于元器件应有相非通用类电子应的图纸存档. 图纸中应包含器件 的外形尺寸, 主要规格参数, 产品型号, 生产厂家等. 1.5 电阻, 电容,电感的标称值原则上在具体规格上说明 1.6 对于一些开发项目专用或关联较大以及根据本说明无法明确归类的 电子元器件的编号如: PWB, PCB组装单元, 可以用项目编号取代编 号的前4位, 后6位表示某具体元器件. 若该器件也在别的项目中使 用, 采用同一编号, 保证编号的唯一性。 2.0、编码结构说明： ＸＸ－ＸＸ－ＸＸＸＸＸＸ－ＸＸＸ－Ｘ ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ 空位（环保区分时备 用） ｜ ｜ ｜ ｜ 误差/封装信息/引脚 数/修正编号/空位 ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ ｜ 元件种类/电气参数/型号 ｜ ｜ 供应商名代码 ｜ 物品代码 注：编码长度一至，编码中间的“—”不纳入ERP系统，例： RE0120000061280 2.1、电子元器件物品（电子元器件的命名字母缩写）: 器件名称字母缩写器件名称字母缩写器件名称字母缩写 电阻RE混合厚膜电路HB 导线WR 电阻阵列、 RA /RG传感器SN磁珠FR 可变 电容CP继电器RL 线圈CL
芯片封装命名规则
芯片封装之多少与命名规则 芯片封装之多少与命名规则 一、DIP双列直插式封装 DIP(DualIn－line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。 DIP封装具有以下特点： 1.适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。 2.芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。 Intel系列CPU中8088就采用这种封装形式，缓存(Cache)和早期的内存芯片也是这种封装形式。 二、QFP塑料方型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装 QFP（Plastic Quad Flat Package）封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式，其引脚数一般在100个以上。用这种形式封装的芯片必须采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接起来。采用SMD安装的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点。将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。用这种方法焊上去的芯片，如果不用专用工具是很难拆卸下来的。 PFP（Plastic Flat Package）方式封装的芯片与QFP方式基本相同。唯一的区别是QFP一般为正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是长方形。 QFP/PFP封装具有以下特点： 1.适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线。 2.适合高频使用。 3.操作方便，可靠性高。 4.芯片面积与封装面积之间的比值较小。 Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板采用这种封装形式。 三、PGA插针网格阵列封装 PGA(Pin Grid Array Package)芯片封装形式在芯片的内外有多个方阵形的插针，每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列。根据引脚数目的多少，可以围成2-5圈。安装时，将芯片插入专门的PGA插座。为使CPU能够更方便地安装和拆卸，从486芯片开始，出现一种名为ZIF的CPU插座，专门用来满足PGA封装的CPU在安装和拆卸上的要求。 ZIF(Zero Insertion Force Socket)是指零插拔力的插座。把这种插座上的扳手轻轻抬起，CPU就可很容易、轻松地插入插座中。然后将扳手压回原处，利用插座本身的特殊结构生成的挤压力，将CPU的引脚与插座牢牢地接触，绝对不存在接触不良的问题。而拆卸CPU芯片只需将插座的扳手轻轻抬起，则压力解除，CPU芯片即可轻松取出。
芯片命名规则
IC命名规则是每个芯片解密从业人员应当了解和掌握的IC基础知识，一下详细地列出了IC 命名规则，希望对你的芯片解密工作有所帮助。 一个完整的IC型号一般都至少必须包含以下四个部分： ◆.前缀（首标）-----很多可以推测是哪家公司产品 ◆.器件名称----一般可以推断产品的功能（memory可以得知其容量） ◆.温度等级-----区分商业级，工业级，军级等 ◆.封装----指出产品的封装和管脚数有些IC型号还会有其它容： ◆.速率-----如memory，MCU，DSP，FPGA等产品都有速率区别，如-5，-6之类数字表示◆.工艺结构----如通用数字IC有COMS和TTL两种，常用字母C，T来表示 ◆.是否环保-----一般在型号的末尾会有一个字母来表示是否环抱，如Z，R，+等 ◆.包装-----显示该物料是以何种包装运输的，如tube，T/R，rail，tray等 ◆.版本号----显示该产品修改的次数，一般以M为第一版本 ◆.该产品的状态 举例：EP 2C70 A F324 C 7 ES ：EP-altera公司的产品；2C70-CYCLONE2系列的FPGA；A-特定电气性能；F324-324pin FBGA封装；C-民用级产品；7-速率等级；ES-工程样品MAX 232 A C P E + ：MAX-maxim公司产品；232-接口IC；A-A档；C-民用级；P-塑封两列直插；E-16脚；+表示无铅产品 详细的型号解说请到相应公司查阅。 IC命名和封装常识 IC产品的命名规则： 大部分IC产品型号的开头字母，也就是通常所说的前缀都是为生产厂家的前两个或前三个字母，比如：MAXIM公司的以MAX为前缀，AD公司的以AD为前缀，ATMEL公司的以AT 为前缀，CY公司的以CY为前缀，像AMD，IDT，LT，DS，HY这些公司的IC产品型号都是以生产厂家的前两个或前三个为前缀。但也有很生产厂家不是这样的，如TI的一般以SN，TMS，TPS，TL，TLC，TLV等字母为前缀；ALTERA（阿尔特拉）、XILINX（赛灵斯或称赛灵克斯）、Lattice（莱迪斯），称为可编程逻辑器件CPLD、FPGA。ALTERA的以EP，EPM，EPF为前缀，它在亚洲国家卖得比较好，XILINX的以XC为前缀，它在欧洲国家卖得比较好，功能相当好。Lattice一般以M4A，LSP，LSIG为前缀，NS的以LM为前缀居多等等，这里就不一一做介绍了。 紧跟前缀后面的几位字母或数字一般表示其系列及功能，每个厂家规则都不一样，这里不做介绐，之后跟的几位字母（一般指的是尾缀）表示温度系数和管脚及封装，一般情况下，C 表示民用级，I表示工业级，E表示扩展工业级，A表示航空级，M表示军品级 下面几个介比较具有代表性的生产厂家，简单介绍一下： AMD公司FLASH常识：
AllegroPCB设计pad封装和元器件封装命名规范
基本术语 SMD:Surface Mount Devices/表面贴装元件。 RA：Resistor Arrays/排阻。 MELF：Metal electrode face components/金属电极无引线端面元件. SOT：Small outline transistor/小外形晶体管。 SOD：Small outline diode/小外形二极管。 SOIC：Small outline Integrated Circuits/小外形集成电路. SSOIC:Shrink Small Outline Integrated Circuits/缩小外形集成电路. SOP:Small Outline Package Integrated Circuits/小外形封装集成电路. SSOP:Shrink Small Outline Package Integrated Circuits/缩小外形封装集成电路. TSOP:Thin Small Outline Package/薄小外形封装. TSSOP:Thin Shrink Small Outline Package/薄缩小外形封装. CFP:Ceramic Flat Packs/陶瓷扁平封装. SOJ:Small outline Integrated Circuits with J Leads/“J”形引脚小外形集成电路. PQFP：Plastic Quad Flat Pack/塑料方形扁平封装。 SQFP：Shrink Quad Flat Pack/缩小方形扁平封装。 CQFP：Ceramic Quad Flat Pack/陶瓷方形扁平封装。 PLCC：Plastic leaded chip carriers/塑料封装有引线芯片载体。 LCC：Leadless ceramic chip carriers/无引线陶瓷芯片载体。 DIP：Dual-In-Line components/双列引脚元件。 PBGA：Plastic Ball Grid Array/塑封球栅阵列器件。 1使用说明 外形尺寸：指元件的最大外型尺寸。 主体尺寸：指元件的塑封体的尺寸=长度X宽度。 尺寸单位：英制单位为mil，公制单位为mm。 小数点的表示：在命名中用“p”代表小数点。例如：1.0表示为1p0。 注：当不同物料的封装图形名称相同时，且描述的内容不同时，可在名称后面加-1，-2等后缀加以区分。 作者：wugehao
电子元器件的命名
电子元器件命名- - （资料是刚工作时前辈们留给我的，仅供参考。需要更多资料请咨询https://www.wendangku.net/doc/f49415125.html,掌柜） 电子元器件,又叫电子芯片,半导体集成电路,广泛应用于各种电子电器设备上. 封装形式: 封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳.它不仅起着安装,固定,密封,保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接.衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好. 封装大致经过了如下发展进程: 结构方面:TO->DIP->LCC->QFP->BGA ->CSP; 材料方面:金属,陶瓷->陶瓷,塑料->塑料; 引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点; 装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装. DIP Double In-line Package 双列直插式封装.插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种.DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等. PLCC Plastic Leaded Chip Carrier PLCC封装方式,外形呈正方形,32脚封装,四周都有管脚,外形尺寸比DIP封装小得多.PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小,可靠性高的优点. PQFP Plastic Quad Flat Package PQFP封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100以上.
PCB元器件封装命名规则
PIC 是单片机的一种，比如51单片机，avr单片机；而每个厂家制作的单片机都要给其起名字，名字里会有许多信息，具体的信息你可以在搜狗或百度打“pic命名规则”，或到相应公司网站查查 PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX 1 2 3 4 5 6 7 8 1．前缀: PIC MICROCHIP 公司产品代号，特别地：dsPIC为集成DSP功能的新型PIC单片机 2．系列号:10、12、16、18、24、30、33、32，其中 PIC10、PIC12、PIC16、PIC18为8位单片机 PIC24、dsPIC30、dsPIC33为16位单片机 PIC32为32位单片机 3．器件型号（类型）： C CMOS 电路 CR CMOS ROM LC 小功率CMOS 电路 LCS 小功率保护 AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROM LV 低电压 F 快闪可编程存储器 HC 高速CMOS FR FLEX ROM 4．改进类型或选择 54A 、58A 、61 、62 、620 、621 622 、63 、64 、65 、71 、73 、74 42 、43 、44等 5．晶体标示： LP 小功率晶体， RC 电阻电容， XT 标准晶体/振荡器 HS 高速晶体 6．频率标示： -20 2MHZ， -04 4MHZ， -10 10MHZ， -16 16MHZ -20 20MHZ， -25 25MHZ， -33 33MHZ 7．温度范围： 空白 0℃至70℃， I -45℃至85℃， E -40℃至125℃ 8．封装形式：
L PLCC 封装 JW 陶瓷熔封双列直插，有窗口 P 塑料双列直插 PQ 塑料四面引线扁平封装 W 大圆片 SL 14腿微型封装-150mil JN 陶瓷熔封双列直插，无窗口 SM 8腿微型封装-207mil SN 8腿微型封装-150 mil VS 超微型封装8mm×13.4mm SO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mm SP 横向缩小型塑料双列直插 CL 68腿陶瓷四面引线，带窗口 SS 缩小型微型封装 PT 薄型四面引线扁平封装 TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装
(整理)元器件封装命名规则ds.
精品文档 精品文档 目 次 1 范围 ................................................................................ 1 2 规范性引用文件 ...................................................................... 1 3制订规则 ............................................................................. 1 3.1以B 开头的封装 ..................................................................... 1 3.2以C 开头的封装 ..................................................................... 1 3.3以D 开头的封装 ..................................................................... 2 3.4以E 开头的封装 ..................................................................... 2 3.5以F 开头的封装 ..................................................................... 2 3.6以G 开头的封装 ..................................................................... 2 3.7以H 开头的封装 ..................................................................... 2 3.8以K 开头的封装 ..................................................................... 2 3.9以L 开头的封装 ..................................................................... 2 3.10以R 开头的封装 .................................................................... 2 3.11以S 开头的封装 .................................................................... 3 3.12以T 开头的封装 .................................................................... 3 3.13以U 开头的封装 .................................................................... 3 3.14以V 开头的封装 .................................................................... 3 3.15以X 开头的封装 .................................................................... 3 3.16以Z 开头的封装 .. (4) 印制板设计 元器件封装命名规则
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则
一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件得型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分得意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2二极管、3三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得材料与极性。 表示二极管时:AN型锗材料、BP型锗材料、CN型硅材料、DP型硅材料。 表示三极管时:APNP型锗材料、BNPN型锗材料、 CPNP型硅材料、DNPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得内型。 P普通管、V微波管、W稳压管、C参量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、 N阻尼管、U光电器件、K开关管、X低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、 Y体效应器件、B雪崩管、J阶跃恢复管、CS场效应管、 BT半导体特殊器件、FH复合管、PINPIN型管、JG激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产得半导体分立器件,由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分,其各部分得符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 0光电(即光敏)二极管三极管及上述器件得组合管、 1二极管、 2三极或具有两个pn结得其她器件、
3具有四个有效电极或具有三个pn结得其她器件、 ┄┄依此类推。 第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。 S表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记得半导体分立器件。 第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。 APNP型高频管、 BPNP型低频管、 CNPN型高频管、 DNPN型低频管、 FP控制极可控硅、 GN控制极可控硅、 HN基极单结晶体管、 JP沟道场效应管,如2SJ KN沟道场效应管,如2SK M双向可控硅。 第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号。 两位以上得整数从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号; 不同公司得性能相同得器件可以使用同一顺序号;数字越大,越就是近期产品。 第五部分:用字母表示同一型号得改进型产品标志。 A、B、C、D、E、F表示这一器件就是原型号产品得改进产品。 三、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其她半导体器件得命名法较混乱。 美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下: 第一部分:用符号表示器件用途得类型。 JAN军级、 JANTX特军级、 JANTXV超特军级、 JANS宇航级、 无非军用品。 第二部分:用数字表示pn结数目。1二极管、2=三极管、3三个pn结器件、nn个pn结器件。 第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。 N该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。 第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。 多位数字该器件在美国电子工业协会登记得顺序号。 第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄同一型号器件得不同档别。如: JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管 JAN军级、 2三极管、 NEIA注册标志、 3251EIA登记顺序号、 A2N3251A档。 四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分得符号及意义如下:
PCB元件库SCH元件库命名规则
PCB元件库命名规则 2.1 集成电路（直插） 用DIP-引脚数量+尾缀来表示双列直插封装 尾缀有N和W两种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽300mil,引脚间距2.54mm W为体宽的封装, 体宽600mil,引脚间距2.54mm 如：DIP-16N表示的是体宽300mil,引脚间距2.54mm的16引脚窄体双列直插封装 2.2 集成电路（贴片） 用SO-引脚数量+尾缀表示小外形贴片封装 尾缀有N、M和W三种,用来表示器件的体宽 N为体窄的封装，体宽150mil,引脚间距1.27mm M为介于N和W之间的封装，体宽208mil,引脚间距1.27mm W为体宽的封装, 体宽300mil,引脚间距1.27mm 如：SO-16N表示的是体宽150mil，引脚间距1.27mm的16引脚的小外形贴片封装 若SO前面跟M则表示为微形封装，体宽118mil,引脚间距0.65mm 2.3 电阻 2.3.1 SMD贴片电阻命名方法为：封装+R 如：1812R表示封装大小为1812的电阻封装 2.3.2 碳膜电阻命名方法为：R-封装 如：R-AXIAL0.6表示焊盘间距为0.6英寸的电阻封装 2.3.3 水泥电阻命名方法为：R-型号 如：R-SQP5W表示功率为5W的水泥电阻封装 2.4 电容 2.4.1 无极性电容和钽电容命名方法为：封装+C 如：6032C表示封装为6032的电容封装 2.4.2 SMT独石电容命名方法为：RAD+引脚间距 如：RAD0.2表示的是引脚间距为200mil的SMT独石电容封装 2.4.3 电解电容命名方法为：RB+引脚间距/外径 如：RB.2/.4表示引脚间距为200mil, 外径为400mil的电解电容封装 2.5 二极管整流器件 命名方法按照元件实际封装，其中BAT54和1N4148封装为1N4148 2.6 晶体管 命名方法按照元件实际封装，其中SOT-23Q封装的加了Q以区别集成电路的SOT-23封装，另外几个场效应管为了调用元件不致出错用元件名作为封装名 2.7 晶振 HC-49S,HC-49U为表贴封装，AT26,AT38为圆柱封装，数字表规格尺寸 如：AT26表示外径为2mm，长度为8mm的圆柱封装 2.8 电感、变压器件 电感封封装采用TDK公司封装 2.9 光电器件 2.9.1 贴片发光二极管命名方法为封装+D来表示 如：0805D表示封装为0805的发光二极管 2.9.2 直插发光二极管表示为LED-外径 如LED-5表示外径为5mm的直插发光二极管
Atmel改变命名规则的芯片型号对照表
A t m e l改变命名规则的芯 片型号对照表 Prepared on 21 November 2021
ATMLU对应ATMEL芯片：换代选型 2011-04-25 23:57 AT24C01BN-SH-B/T ATMEL ATMLU701 DIP AT24C01B-PU ATMELATMLU702 DIP ATMEL ATMLU703 DIP AT24C02BN-SH-B/T ATMEL ATMLU704 DIP AT24C02B-PU ATMEL ATMLU705 DIP ATMEL ATMLU706DIP AT24C04BN-SH-B ATMEL ATMLU707 DIP ATMELATMLU708 DIP ATMEL ATMLU709 DIP ATMEL ATMLU710 DIP ATMEL ATMLU711 DIP ATMEL ATMLU712 DIP ATMEL ATMLU713 DIP ATMEL ATMLU714 DIP ATMELATMLU715 DIP ATMEL ATMLU716 DIP AT24C16BN-SH-B ATMEL ATMLU717 DIP ATMEL ATMLU718 DIP ATMEL ATMLU719 DIP AT24C256BN-SH-T ATMEL ATMLU720 DIP AT24C256B-PU ATMEL ATMLU721 DIP AT24C256N-10SI18 ATMEL ATMLU722 DIP
ATMEL ATMLU723 DIP ATMEL ATMLU724 DIP AT24C32CN-SH-T ATMEL ATMLU725DIP ATMEL ATMLU726 DIP AT24C512BN-SH25-B ATMEL ATMLU727 DIP AT24C512BN-SH-B ATMELATMLU728 DIP AT24C512B-PU25 ATMELATMLU729 DIP ATMEL ATMLU730 DIP ATMEL ATMLU731 DIP ATMELATMLU732 DIP AT24C64CN-SH-B ATMELATMLU733 DIP AT24C64CN-SH-T ATMEL ATMLU734 DIP ATMEL ATMLU735 DIP ATMEL ATMLU736 DIP AT25DF041A-SH-B ATMEL ATMLU737DIP ATMEL ATMLU738 DIP ATMEL ATMLU739DIP AT26DF081A-SSU-SL965 ATMEL ATMLU740 DIP AT26DF081A-SU-SL965 ATMEL ATMLU741 DIP AT26DF161-SUATMEL ATMLU742DIP AT26DF321-SU ATMEL ATMLU743DIP AT27BV256-70JU ATMELATMLU744 DIP AT27C010-70PUATMEL ATMLU745 DIP
PCB封装库命名规则
P C B封装库命名规则 WTD standardization office【WTD 5AB- WTDK 08- WTD 2C】
封装库的管理规范 修订履历表 一。元件库的组成 原理图Symbol库 原理图Symbol库分为和，用于标准库和临时库的区分； PCB的Footprint库 PCB封装库只有一个文件夹，里面包括所有的封装和焊盘。 二、元件Ref缩写列表 常用器件的名称缩写作如下规定： 集成芯片 U 电阻 R 排阻 RN
电位器 RP 压敏电阻 RV 热敏电阻RT 无极性电容、大片容C 铝电解CD 钽电容CT 可变电容 CP 二极管 D 三极管 Q ESD器件(单通道)D MOS管 MQ 滤波器 Z 电感L 磁珠 FB 霍尔传感器 SH 温度传感器 ST 晶体Y 晶振 X 连接器J 接插件 JP 变压器 T 继电器 K
保险丝 F 过压保护器 FV 电池 GB 蜂鸣器 B 开关 S 散热架 HS 生产测试点：TP/TP_WX1 信号测试点：TS 螺丝孔 HOLE 定位孔：H 基标：BASE 三、元件属性说明 为了能够将元件信息完全可以录入ORCAD的元件信息系统（CIS）中，根据器件的特性，建库申请人还应将相应的信息（但不仅限于以下信息）提供给库管理员。 元件属性如下： Value：器件的值，主要是电阻、电容、电感； Tolerance：公差，主要指电阻、电容的精度等级；晶体、钟振的频偏范围； C_Voltage：电压，主要指电容的额定电压，晶体、钟振的供电电压； Wattage：功率，主要是电阻的额定功率； Dielectric：电容介质种类，如NPO、X7R、Y5V等等 Temperature：使用温度
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则1，常用电阻器、电位器 第一部分第二部分第三部分第四 部分第五 部分 第六 部分 第七 部分 第八 部分 用字母表示主称用字母表示材 料 用数字或者字 母表示分类 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 用数 字或 者字 母直 接表 示 符号意义符号意义符号意义额定 功率阻值允许 误差 精密 等级 封装 R 电阻 器H 合成 膜 1，2 普通 W 电位 器S 有机 实芯 3 超音 频 N 无机 实芯 4 高阻T 碳膜 5 高温Y 氧化 膜 7 精密J 金属 膜 （箔 ） 8 电阻 器-高 压 I 玻璃 釉膜 电位 器-特 殊 X 线绕9 特殊 G 高功 率 T 可调 W 微调 M 敏感 2，电容器 第一部分（材 料） 第二 部分 分类 （第 三部 分） （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第四 部分 （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第五 部分 （用 数字 或者 字母 直接 表 示） 第六 部分 符号意义符号意义符号意义容值精密封装
瓷介云母有机电解等级 C 电容 器C 高频 瓷 1 圆片非密 封 非密 封 箔式T 低频 瓷 2 圆形非密 封 非密 封 箔式I 玻璃 釉 3 叠形密封密封烧结 粉液 体O 玻璃 膜 4 独石密封密封烧结 粉固 体Y 云母 5 穿心穿心 V 云母 纸 6 支柱 等 无极 性Z 纸介7 J 金属 化纸 8 高压高压高压 D 铝电 解 9 特殊特殊 A 钽电 解 G 高功率 N 铌电 解 W 微调 Q 漆膜 G 合金 电解 E 其它 电解 材料 B 聚苯 乙烯 等非 极性 有机 薄膜 L 聚酯 等极 性有 机薄 膜 H 复合 介质
IC芯片命名规则大全
IC芯片命名规则 MAXIM 专有产品型号命名 MAX XXX (X) X X X 1 2 3 4 5 6 1．前缀： MAXIM公司产品代号 2．产品字母后缀： 三字母后缀：C=温度范围； P=封装类型； E=管脚数 四字母后缀： B=指标等级或附带功能； C=温度范围； P=封装类型； I=管脚数 3．指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电 4 ．温度范围： C= 0℃ 至70℃（商业级） I =-20℃ 至+85℃（工业级） E =-40℃ 至+85℃（扩展工业级） A = -40℃至+85℃（航空级） M =-55?至+125℃（军品级） 5．封装形式: A SSOP(缩小外型封装) Q PLCC B CERQUA D R 窄体陶瓷双列直插封装 C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装 D 陶瓷铜顶封装 T TO5,TO-99,TO-100 E 四分之一大的小外型封装U TSSOP,μMAX,SOT F 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装（300mil） J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70（3脚，5脚，6脚） K TO-3 塑料接脚栅格阵列 Y 窄体铜顶封装 L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUAD M MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片 N 窄体塑封双列直插 / PR 增强型塑封 P 塑 料 / W 晶圆 6．管脚数量： A:8 J:32 K:5，6 8 S:4，80
B:10，64 L:4 0 T:6，160 C:12，192 M:7，4 8 U:60 D:14 N:1 8 V:8（圆形） E:16 O:4 2 W:10（圆形） F:22，256 P:2 0 X:36 G:24 Q:2，10 0 Y:8（圆形） H:44 R:3，8 4 Z:10（圆形） I:28 AD 常用产品型号命名 单块和混合集成电路 XX XX XX X X X 1 2 3 4 5 1．前缀： AD模拟器件 HA 混合集成A/D HD 混合集成D/A 2．器件型号 3．一般说明：A 第二代产品，DI 介质隔离，Z 工作于±12V 4．温度范围/性能（按参数性能提高排列）： I、J、K、L、M 0℃至70℃ A、B、C-25℃或-40℃至85℃ S、T、U -55℃至125℃ 5．封装形式： D 陶瓷或金属密封双列直插R 微型“SQ”封装 E 陶瓷无引线芯片载体RS 缩小的微型封装 F 陶瓷扁平封装S 塑料四面引线扁平封装 G 陶瓷针阵列 ST 薄型四面引线扁平封装 H 密封金属管帽 T TO-92型封装 J J形引线陶瓷封装U 薄型微型封装 M 陶瓷金属盖板双列直插 W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插 N 料有引线芯片载体Y 单列直插