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材料工程基础试卷a

材料工程基础试卷a
材料工程基础试卷a

模拟试题(A)

一、填空题

1、金属的冶金工艺可以分为、和三大类。

2、铸件的凝固方式主要有、和三种方式,其主要依据

来划分。

3、根据金属流动方向和凸模运动方向的不同,挤压可以为、、和

四种。

4、金属材料的强化方式主要有、、、和等。其中是热处理不能强化的金属材料的主要强化方法。

5、时效的定义是。

6、金属材料焊接接头的热影响区由、、和四部分组成,其中和对焊接接头的性能影响最大。

7、20CrMnTi表示。

8、KT300-06表示。

9、根据石墨的形态不同,灰口铸铁可分为、、和

四种类型。

10、结构陶瓷作为结构材料用来制造结构零部件,主要利用其和性能。

11、传统陶瓷以为原料,经、后经的一类制品。

12、颗粒粒径分布常表示成和的形式。

13、制备粉体的方法有和。

14、对单一粉体的烧结,当物质的蒸汽压较低时,烧结以为主,当物质的蒸汽压较高时,烧结以为主。

15、玻璃强化的方式有和两种。

16、塑料按热行为可分为和。

16、常用的无损检测技术中用于内部缺陷的探伤有、和。

17、物理气相沉积薄膜的方法主要有、和三种。

二、判断题

1、金属的流动性越好,充型能力越强(V )

2、采用高压铸造和低压铸造方法生产的零件都可以进行热处理强化。(X )

3、金属材料的组织是否具有可转变性是通过热处理改善性能的前提。(V )

4、钢的淬硬性和淬透性都表示钢能够淬硬的程度(X )

5、调质处理就是淬火加高温回火。(V )

6、焊接时产生焊接应力与变形的根本原因是焊接时的局部加热。(V )

7、1Cr18Ni9Ti不锈钢属马氏体不锈钢。()

8、造粒是为了有利于陶瓷坯料的压制成形,将原料细粉压制成粒度较粗、具有流动性好的团粒的过程。()9、热压铸成形是在常温下将石蜡与坯料混合成蜡浆,在一定压力下,将蜡浆注入金属模,冷凝后即成为有一定形状的坯体。()

10、陶瓷材料混合的方法有机械混合法,球磨或搅拌混合法。()

11、氧化铝陶瓷具有很低的电阻率和低的导热率,是很好的电绝缘材料和绝热材料。()

12、陶瓷成形常用的方法有干法成形、流法成形和模压成型。()

13、陶瓷的激光打孔、切割、焊接等属陶瓷热加工的一种。()

三、选择

1、.砂轮、磨料可用(C)制造。

A.碳化硅或氧化锆

B.氧化锆或氧化铝

C氧化铝或碳化硅 D.氮化硅或氧化锆

2、下列陶瓷制品中,正确的成形方法的是(D)

A. 用有空心注浆法制造瓷盘

B. 用轧模法制造0.02mm后的集成电路基板

C. 用模压法制造电容器瓷管

D. 用热压铸法制造电子瓷件

3、以下塑料中哪些可作自润滑零件(C)

A. PE和PC

B. ABS和PA

C. PA和POM

D. 氟塑料和PS

4、以下橡胶中哪些具有出色的耐油性(D)

A. 丁苯橡胶和硅橡胶

B. 氯丁橡胶和乙丙橡胶

C. 氟橡胶和顺丁橡胶

D. 丁腈橡胶和氯丁橡胶

5、下列塑料制品中,使用真空成型的是(C)

A. 用有机玻璃颗粒料制造仪表指示器面板

B. 用聚乙烯颗粒料制造管材

C. 用1毫米厚的聚氯乙烯片制造快餐饭盒

D. 用电玉粉制造电吹风的外壳

6、关于水泥的说法中错误的是(B)

A制造水泥的生产属于硅酸盐工业

B水泥是经过复杂的物理、化学变化后生成的一种化合物

C水泥在水中或空气中均能硬化

D水泥的生料和空气、煤粉在回转窑中是逆向操作

四、名词解释

1、超塑性

2、热处理

3、烧结

4、铁电效应

5、老化

五、简答题(共16分)

1、下图为T8钢的连续冷却C曲线:(8分)

1)下图中v1、v2、v3和v4方式冷却各主要获得什么组织?

2)下图中v1、v2、v3和v4各相当于何种热处理方法?

2、什么是焊接?简述焊接的分类?(4分)

3、什么是金属的可锻性?温度升高对可锻性的影响?(4分)

模拟试题(A)答案

一、填空题(每题1分,共50分)

1、金属的冶金工艺可以分为火法冶金、湿法冶金和电冶金三大类。

2、铸件的凝固方式主要有逐层凝固、糊状凝固和中间凝固三种方式,其主要依据凝固区的宽窄来划分。

3、根据金属流动方向和凸模运动方向的不同,挤压可以分为正挤压、反挤压、复合挤压和径向挤压四种。

4、金属材料的强化方式主要有固溶强化、细晶强化、加工硬化、时效强化和第二相强化等。其中加工硬化是热处理不能强化的金属材料的主要强化方法。

5、时效的定义是使过饱和固溶体中析出细小弥散沉淀相的过程。

6、金属材料焊接接头的热影响区由熔合区、过热区、正火区和部分相变区四部分组成,其中熔合区和过热区对焊接接头的性能影响最大。

7、20CrMnTi表示平均含碳量为0.20%,主要合金元素Cr、Mn含量均低于1.5%,并含有微量Ti 的合金结构钢

8、KT300-06表示最低抗拉强度为300MPa,延伸率为6%的可锻铸铁。

9、根据石墨的形态不同,灰口铸铁可分为灰铸铁、可锻铸铁、球墨铸铁和蠕墨铸铁四种类型。

10、结构陶瓷作为结构材料用来制造结构零部件,主要利用其力学和热学性能。

11、传统陶瓷以天然矿物为原料,经原料配制、坯料成形后经高温烧成的一类制品。

12、颗粒粒径分布常表示成频度分布和累积分布的形式。

13、制备粉体的方法有物理制备方法和化学制备方法。

14、对单一粉体的烧结,当物质的蒸汽压较低时,烧结以固相扩散为主,当物质的蒸汽压较高时,烧结以气相传质为主。

15、玻璃强化的方式有热处理强化和化学强化两种。

16、塑料按热行为可分为热塑性塑料和热固性塑料。

16、常用的无损检测技术中用于内部缺陷的探伤有射线探伤和超声波探伤。

17、物理气相沉积薄膜的方法主要有真空蒸发镀、溅射镀和离子镀三种。

二、判断题(正确的打√,错误的打×。每题1分,共13分)

1、(√)

2、(×)

3、(√)

4、(×)

5、(√)

6、(√)

7、(×)

8、(×)

9、(×)

10、(×)11、(×)12、(×)13、(×)

三、选择(每题1分,共6分)

1、C

2、D

3、C

4、D

5、C

6、B

四、名词解释(每题3分,共15分)

1、超塑性

答:超塑性是指金属在特定条件下,即低的应变率(10-2~10-4/S)、一定的变形温度(约为熔点温度的一半)和均匀的细晶粒(晶粒平均直径为0.2~0.5um)下,其相对伸长率超过100%以上的特性。

2、热处理

答:热处理是将金属工件以一定的速度加热到预定的温度并保持预定的时间,再以预定的冷却速率进行冷却的综合工艺方法。

3、烧结

粉体原料经过成型、加热到低于熔点的温度,发生固结、气孔率下降、体积收缩、致密度提高、晶粒增大,变成坚硬的烧结体,这个现象称为烧结。

4、铁电效应

铁电材料皆具有多方向自发极化的特性。且自发极化的方向能够被外加电场反转或重新定向,铁电材料的这种特性即被称为铁电现象或铁电效应.

5、老化

高聚物在长期使用或存放过程中,由于受各种因素的作用,性能随时间不断恶化,逐渐丧失使用价值的过程,称为老化。

五、简答题(共16分)

1、下图为T8钢的连续冷却C曲线:(8分)

1)下图中v1、v2、v3和v4方式冷却各主要获得什么组织?

2)下图中v1、v2、v3和v4各相当于何种热处理方法?

答:1)采用v1方式冷却获得的主要组织是粗珠光体;采用v2

方式冷却获得的主要组织是细珠光体;采用v3方式冷却获得的

主要组织是极细珠光体和马氏体的混合物;采用v4方式冷却获

得的主要组织是马氏体;

2)v1:退火;v2:正火;v3:油淬;

v4:水淬

3、什么是焊接?简述焊接的分类?(4分)

通过加热、加压或两者并用,使用(或不用)填充材料,使焊件达到结合的工艺方法,叫焊接。可分为三类:

熔焊:将焊件接头加热至熔化状态,在不加压力的情况下,完成焊接的方法。

压焊:焊接过程中,在常温或加热的情况下对焊件施加压力,完成焊接的方法。

钎焊:采用比母材熔点低的金属材料作钎料,将焊件和钎料加热到高于钎料熔点,低于母材熔点的温度,利用液态钎料润湿母材,填充接头间隙,并与母材相互扩散,实现焊接的方法

3、什么是金属的可锻性?温度升高对可锻性的影响?(4分)

金属的可锻性是指金属材料压力加工的难易程度。

温度升高,金属材料原子间距增加,结合力减小,容易变形。所以可锻性增强。但是加热温度过高,可产生以下缺陷:

过热:加热温度超过某一温度时,晶粒急剧长大,形成粗晶粒。

过烧:温度过高,晶界发生剧烈氧化,破坏了晶粒间的联系,锻造时易开裂。

模拟电子技术基础试卷及答案

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空(18分) 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ,桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ,经过电容滤波后为 12 V ,二极管所承受的最大反向电压为 14 V 。 3.差分放大电路,若两个输入信号u I1u I2,则输出电压,u O 0 ;若u I1 =100μV ,u I 2=80μV 则差模输入电压u Id = 20μV ;共模输入电压u Ic =90 μV 。 4.在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz 时,可选用 低通 滤波器;有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器;希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时,可选用 带阻 滤波器;有用信号频率为某一固定频率,可选用 带通 滤波器。 5.若三级放大电路中A u 1A u 230dB ,A u 320dB ,则其总电压增益为 80 dB ,折合为 104 倍。 6.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 78.5% ,但这种功放有 交越 失真。 7.集成三端稳压器CW7915的输出电压为 15 V 。 二、选择正确答案填空(20分) 1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ,-10 V ,-9.3 V ,则这只三极管是( A )。 A .NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管 2.某场效应管的转移特性如图所示,该管为( D )。 A .P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管 C 、N 沟道增强型MOS 管 D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( C )。 A .输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大 4.在图示电路中,R i 为其输入电阻,R S 为常数,为使下限频率f L 降低,应( D )。 A . 减小C ,减小R i B. 减小C ,增大R i C. 增大C ,减小 R i D. 增大C ,增大 R i 5.如图所示复合管,已知V 1的β1 = 30,V 2的β2 = 50,则复合后的β约为( A )。 A .1500 B.80 C.50 D.30 6.RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和( D )。 A. 基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路 7.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是( A )。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器 8.与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 0 i D /mA -4 u GS /V 5 + u O _ u s R B R s +V CC V C + R C R i O t u I t u o 4题图 7题图 V 2 V 1

材料工程基础总结

1 铝合金强化途径有哪些?答:固溶处理 +时效强化、细晶强化 2.铜合金强化机制主要有几种? 答:固溶强化、时效强化、过剩相强化 3.铝镁合金配料计算? 例1:为了获得以下成分铸造铝合金1Kg,熔炼时应如何配料? 8.0wt%Si,2.8wt%Cu,0.5wt%Mg,0.15wt%Ti,其余为Al; 注:1)可供选择的原材料包括:纯铝,Al-30wt%Si 中间合金,Al-25wt%Cu 中间合金,Al-30wt%Mg 中间合金和Al-10wt%Ti 中间合金;2)不考虑铝、硅和铜元素的烧损;3)镁元素的烧损率为15wt%,钛元素的烧损率为5wt%。 ●1000g×8.0%=XAl-30Si×30% ?XAl-30Si =266.7g ●1000g×2.8%=XAl-25Cu×25%?XAl-25Cu =112g ●1000g×0.5%= XAl-30Mg×30%×(1-15%)? XAl-30Mg =19.6g ●1000g×0.15%=XAl-10Ti×10%×(1-5%) ? XAl-10Ti=15.8g ●1000×(1-0.08-0.028-0.005-0.0015) = XAl +266.7× (1-0.3) -112×(1-0.25)-19.6×(1-0.3)-15.8×(1-0.1) ?XAl = 586.9g 例2、为了获得以下成分的铸造镁合金1Kg:熔炼时应如何配料?8.5wt%Al,1.2wt%Zn,1.20wt%Si,0.25wt%Mn,0.15wt%Sr,其余为Mg 注:1)可供选择的原材料包括:纯镁,纯铝,纯锌,Al-30wt%Si 中间合金,Mg-2wt%Mn 中间合金,Mg-10wt%Sr 中间合金;2)不考虑镁、铝、锌、硅和锰元素的烧损;3)Sr 元素的烧损率为15wt%。 1000g×1.20%=X Al-30Si×30% ?X Al-30Si =40g 1000g×1.2%=X Zn?X Zn=12g 1000g×0.25%=X Mg-2Mn×2%?X Mg-2Mn=125g 1000g×0.15%=X Mg-10Sr×10%×(1-15%) ?X Mg-10Sr=17.6g 1000g×8.5%=X Al+ X Al-30Si×70%?X Al =57g X Mg =1000-40-12-125-17.6-57=748.4g 1000×(1-1.2%-1.2%-0.25%-0.15%-8.5%) = X Mg + X Mg-2Mn× (1-2%)+ X Mg-10Sr×(1-10%) ?X Mg =748.6g 4.为了获得高质量的合金,在合金熔炼时一般要进行哪些工艺处理? 答:变质处理,细化处理,精炼处理。 5.镁合金阻燃抗氧化方法有哪几种? 答:熔剂保护阻燃法、气体保护阻燃法、添加合金元素阻燃法。 6.根据石墨存在形态不同,灰口铸铁可分为哪几种? 答:灰铸铁、可锻铸铁、蠕墨铸铁、球墨铸铁。 7.什么是金属的充型能力?充型能力影响因素有哪些?答:液态金属充满铸型型腔,获得形状 完整、轮廓清晰的铸件的能力称为金属的充型能力 液态金属的充型能力主要取决于金属自身的流动能力,还受外部条件,如铸型性质、浇注条件、铸件结构等因素的影响,是各种因素的综合反映。

工程材料试卷(答案)

《机械工程材料》试卷(B 卷) 考试形式: 闭卷笔试,2小时学号: 命题教师:徐光青姓名: 适用专业:机械年级专业: 一、名词解释(3分×10) 1. 空间点阵 2. 结晶潜热 3. 固溶强化 4. 固溶体 5. 包晶相图 6. 过冷奥氏体 7. 珠光体转变 8. 淬透性 9. 起始晶粒度 10. 淬火

二、填空(1分×20) 1. 金属晶体中常见的点缺陷有______、______和_____等 2. 液态金属结晶的宏观现象为______和_______,微观过程为_______和_______。 3. 固溶体按照溶质原子所处位置可分为_______和______两类。 4. 碳素钢按质量分为________、________和___________。 5. 滑移的本质是________________________ 6. 片状珠光体按照其片层间距可分为________、________和________。 7. 珠光体片间距越小,其强硬度_____,塑韧性_____,随着含碳量的增加,珠光体的强硬度______,塑韧性_______。 三、请从金属学的角度解释为什么要“趁热打铁”?(10分) 四、根据Fe-Fe3C平衡相图,分析含碳1.0%的碳钢的平衡结晶过程,并写出其室温组织(共10分) 1 2 3 4

五、请指出下述牌号钢的具体种类,并写出其主要成分(15分)T12 40CrMnTi 60Si2Mn GCr15 00Cr18Ni9Ti 六、一根Φ10的含碳量为0.45%的圆钢棒,初始状态为退火态。然后从一端加热,依靠热传导使圆棒上各点达到如图所示的温度。试问(15分): 1. 初始状态的组织是什么,加热后各点所在部位的组织是什么? 2. 整个圆棒自图示各温度缓慢冷却到室温后,各点部位的组织是什么? 3. 整个圆棒自图示各温度水淬快冷到室温后,各点部位的组织是什么?

电工电子技术基础试题库

电工电子技术基础试题库 Prepared on 24 November 2020

一、判断题 1.理想电流源输出恒定的电流,其输出端电压由内电阻决定。 (错) 2.因为正弦量可以用相量来表示,所以说相量就是正弦量。 (错) 3.自耦变压器由于原副边有电的联系,故不能作为安全变压器使用。(对) 4.电动机的额定功率是指电动机轴上输出的机械功率。 (对) 5.一个1/4W,100Ω的金属膜电阻,能够接在50V 电源上使用。 (错) 6.三相对称电路中,负载作星形联接时,P 3I I l 。 (错) 7.电阻、电流和电压都是电路中的基本物理量。 (错) 8. 电压是产生电流的根本原因。因此电路中有电压必有电流。 (错) 9. 正弦量的三要素是指最大值、角频率和相位。 (错) 10.负载作星形联接时,必有线电流等于相电流。 (对) 11.一个实际的电感线圈,在任何情况下呈现的电特性都是感性。 (错) 12.正弦交流电路的频率越高,阻抗越大;频率越低,阻抗越小。 (错) 13.中线不允许断开,因此不能安装保险丝和开关。 (对) 14.互感器既可用于交流电路又可用于直流电路。 ( 错 ) 15.变压器是依据电磁感应原理工作的。 ( 对 ) 16.电机、电器的铁心通常都是用软磁性材料制成。 ( 对 ) 17.自耦变压器由于原副边有电的联系,所以不能作为安全变压器使用。 ( 对 ) 18.电动机的转速与磁极对数有关,磁极对数越多转速越高。 ( 错 ) 19.三相异步电动机在满载和空载下起动时,起动电流是一样的。( 错 ) 20.二极管若工作在反向击穿区,一定会被击穿。 (错) 21.晶体管可以把小电流放大成大电流。 (对) 22.在P 型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 (对)

智慧树知到《材料工程基础》章节题答案

智慧树知到《材料工程基础》章节题答案 第1章单元测试 1、高炉炼铁时,炉渣具有重要作用。下面哪项不属于炉渣的作用? 答案:添加合金元素 2、常用的脱氧剂有锰铁、硅铁、( ) 答案:铝 3、为什么铝的电解在冰晶石的熔盐中进行? 答案:降低电解温度 4、冰铜的主要成分是( ) 答案:FeS和Cu2S 5、( )是炼钢的最主要反应 答案:脱碳 第2章单元测试 1、通过高压雾化介质,如气体或水强烈冲击液流或通过离心力使之破碎、冷却凝固来实现的粉末的方法称为( ) 答案:雾化法 2、粉末颗粒越小,流动性越好,颗粒越容易成形。 答案:错 3、国际标准筛制的单位“目数”是筛网上( )长度内的网孔数 答案:1英寸

4、粉体细化到纳米粉时会表现出一些异常的功能,主要是由于粉体的总表面积增加所导致的结果。 答案:对 5、雾化法制粉增大合金的成分偏析,枝晶间距增加。 答案:错 第3章单元测试 1、高分子材料之所以具备高强度、高弹性、高粘度、结构多样性等特点,是由( )结构所衍生出来的。 答案:长链 2、高分子聚合时,用物理或化学方法产生活性中心,并且一个个向下传递的连续反应称为( ) 答案:连锁反应 3、悬浮聚合的主要缺点是( ) 答案:产品附有少量分散剂残留物 4、聚合物聚合反应按反应机理分为加聚和缩聚反应。 答案:错 5、工业上悬浮聚合对于悬浮分散剂一般的要求是( ) 答案:聚合后都可以清洗掉 第4章单元测试 1、将液态金属或半液态金属浇入模型内,在高压和高速下充填铸型,并在高压下结晶凝固获得铸件的方法是( ) 答案:压力铸造

2、铸铁的充型能力好于铸钢。 答案:对 3、在易熔模样表面包覆若干层耐火材料,待其硬化干燥后,将模样熔去制成中空型壳,经浇注而获得铸件的一种成形工艺方法是( ) 答案:熔模铸造 4、下列不属于铸造缺陷的是( ) 答案:收缩 5、熔融合金的液态收缩和凝固收缩表现为液体体积减小,是应力形成的主要原因。 答案:错 第5章单元测试 1、冷变形过程中,材料易产生( ) 答案:加工硬化 2、轧辊的纵轴线相互平行,轧制时轧件运动方向、延伸方向与轧辊的纵轴线垂直,这种轧制方法为( ) 答案:纵轧 3、挤压变形时,( ) 答案:金属在变形区处于三向压应力状态 4、缩尾是挤压工艺容易出现的缺陷,它出现在挤压过程的哪个阶段? 答案:终了挤压

电子技术基础考试试题及参考答案

电子技术基础考试试题及参考答案 试题 一、填空题(每空1分,共30分) 1.硅二极管的死区电压为_____V,锗二极管的死区电压为_____V。 2.常用的滤波电路主要有_____、_____和_____三种。 3.晶体三极管的三个极限参数为_____、_____和_____。 4.差模信号是指两输入端所施加的是对地大小_____,相位_____的信号电压。 5.互补对称推挽功率放大电路可分成两类:第一类是单电源供电的,称为_____电路,并有_____通过负载输出;第二类是双电源供电的,称为_____电路,输出直接连接负载,而不需要_____。 6.功率放大器主要用作_____,以供给负载_____。 7.集成稳压电源W7905的输出电压为_____伏。 8.异或门的逻辑功能是:当两个输入端一个为0,另一个为1时,输出为_____;而两个输入端均为0或均为1时,输出为_____。 9.(1111)2+(1001)2=( _____ )2(35)10=( _____ )2 (1010)2–(111)2=( _____ )2(11010)2=( _____ )10 (1110)2×(101)2=( _____ )2 10.逻辑函数可以用_____、_____、_____等形式来表示。 11.组合逻辑电路包括_____、_____、_____和加法器等。 二、判断题(下列各题中你认为正确的,请在题干后的括号内打“√”,错误的打“×”。全打“√”或全打“×”不给分。每小题1分,共10分) 1.放大器采用分压式偏置电路,主要目的是为了提高输入电阻。() 2.小信号交流放大器造成截止失直的原因是工作点选得太高,可以增大R B使I B减小,从而使工作点下降到所需要的位置。() 3.对共集电极电路而言,输出信号和输入信号同相。() 4.交流放大器也存在零点漂移,但它被限制在本级内部。() 5.同相运算放大器是一种电压串联负反馈放大器。() 6.只要有正反馈,电路就一定能产生正弦波振荡。() 7.多级放大器采用正反馈来提高电压放大倍数。() 8.TTL集成电路的电源电压一般为12伏。() 9.流过电感中的电流能够突变。() 10.将模拟信号转换成数字信号用A/D转换器,将数字信号转换成模拟信号用D/A转换器。() 三、单选题(在本题的每小题备选答案中,只有一个答案是正确的,请把你认为正确答案的代号填入题干后的括号内,多选不给分。每小题2分,共26分) 1.用万用表测得某电路中的硅二极管2CP的正极电压为2V,负极电压为1.3V,则此二极管所处的状态是() A.正偏B.反偏C.开路D.击穿 2.放大器的三种组态都具有() A.电流放大作用B.电压放大作用 C.功率放大作用D.储存能量作用 3.下列各图中,三极管处于饱和导通状态的是()

材料工程基础复习资料(全)

材料工程基础复习要点 第一章粉体工程基础 粉体:粉末质粒与质粒之间的间隙所构成的集合。 *粉末:最大线尺寸介于0.1~500μm的质粒。 *粒度与粒径:表征粉体质粒空间尺度的物理量。 粉体颗粒的粒度及粒径的表征方法: 1.网目值表示——(目数越大粒径越小)直接表征,如果粉末颗粒系统的粒径相等时 可用单一粒度表示。 2.投影径——用显微镜测试,对于非球形颗粒测量其投影图的投影径。 ①法莱特(Feret)径D F:与颗粒投影相切的两条平行线之间的距离 ②马丁(Martin)径D M:在一定方向上将颗粒投影面积分为两等份的直径 ③克伦贝恩(Krumbein)径D K:在一定方向上颗粒投影的最大尺度 ④投影面积相当径D H:与颗粒投影面积相等的圆的直径 ⑤投影周长相当径D C:与颗粒投影周长相等的圆的直径 3.轴径——被测颗粒外接立方体的长L、宽B、高T。 ①二轴径长L与宽B ②三轴径长L与宽B及高T 4.球当量径——把颗粒看做相当的球,并以其直径代表颗粒的有效径的表示方法。(容 易处理) *粉体的工艺特性:流动性、填充性、压缩性和成形性。 *粉体的基本物理特性: 1.粉体的能量——具备较同质的块状固体材料高得多的能量。 分体颗粒间的作用力——高表面能,固相颗粒之间容易聚集(分子间引力、颗粒间异性静电引力、固相侨联力、附着水分的毛细管力、磁性力、颗粒表面不平滑引起的机械咬合力)。 3.粉体颗粒的团聚。 第二章粉体加工与处理 粉体制备方法: 1.机械法——捣磨法、切磨法、涡旋磨法、球磨法、气流喷射粉碎法、高能球磨法。 ①脆性大的材料:捣磨法、涡旋磨法、球磨法、气流喷射粉碎法、高能球磨法 ②塑性较高材料:切磨法、涡旋磨法、气流喷射粉碎法 ③超细粉与纳米粉:气流喷射粉碎法、高能球磨法 2.物理化学法 ①物理法(雾化法、气化或蒸发-冷凝法):只发生物理变化,不发生化学成分的 变化,适于各类材料粉末的制备 ②物理-化学法:用于制备的金属粉末纯度高,粉末的粒度较细 ③还原法:可直接利用矿物或利用冶金生产的废料及其他廉价物料作原料,制的 粉末的成本低 ④电解法:几乎可制备所有金属粉末、合金粉末,纯度高 3.化学合成法——指由离子、原子、分子通过化学反应成核和长大、聚集来获得微细 颗粒的方法

材料工程基础试卷

材料科学与工程导论试卷 (A) 2005 ~ 2006学年第 一 学期 学号: 姓名: 说明: 2、本试卷共5页。 注:请同学们将答案写在装订线的右边(包括答题纸),谢谢! 第一部分 名词解释 (5题共30分,每题6分) 第二部分 填空题 (10个空共10分,每空1分) 第三部分 判断题 (5题共10分,每题2分) 第四部分 简答题 (4题共20分,每题5分) 第五部分 问答题 (3题任选2题共30分,每题15分) 第一部分 名词解释(5题共30分,每题6分) 1. 抗拉强度 材料承受拉伸载荷时,断裂前单位面积上所承受的最大应力. 2. 延伸率 ┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆┆ 装 订 线

材料在外力作用下被拉断后,在标距内总伸长长度同原来标距 长度相比的百分数 3.热膨胀系数 材料温度每升高1K所增加的长度与原来长度的比值,称为线膨胀系数。 4.介电常数 反映电介质材料极化行为的一个主要宏观物理量。表示电容器在有电介质时的电容与在真空状态时的电容之比。 5.高分子的玻璃化转变 第二部分填空题(10个空共10分,每空1分) 1.材料承受载荷时,产生屈服现象时的临界应力称为屈服强度 2.材料在弹性范围内,正应力与正应变成比列关系,比例系数称为正弹性模 量 3.纯铁常温晶体结构为体心立方,称为α-铁 4.材料典型的热处理工艺包括退火、淬火、回火和正火。 5.水泥主要矿物成分中,能提高强度的矿物是C3S 6.结构陶瓷材料主要包括氧化铝碳化硅氮化硅 7.属于杂链高分子材料。 第三部分判断题(5题共10分,每题2分)

材料工程基础习题

上篇 第一章金属结构 1、试画出纯铁的冷却曲线,分析曲线中出现“平台”的原因。 2、室温和1100°C时的纯铁晶格有什么不同?高温(1000°C)的铁丝进行缓慢冷却时,为什么会发生伸长的现 象? 3、为什么单晶体有各向异性,而实际的金属(未经过塑性变形的)通常是各向同性? 4、指出铁素体、奥氏体、渗碳体在晶体结构、含碳量和性能上有何不同。 5、根据铁碳合金状态图,说明产生下列现象的原因: (1)含碳量为1.0%的钢比含碳量为0.5%的钢的硬度高。 (2)在1100°C,含碳量为0.4%的钢能进行锻造,含碳量为4.0%的白口铁不能锻造。 (3)钢适宜通过压力加工成形,而铸铁适宜通过铸造成形。 6、分析在缓慢冷却条件下,45钢和T10钢的结晶过程和室温组织。 第二章金属的工艺性能 1、什么是结晶过冷度?它对金属的结晶过程、铸件的晶粒大小及铸件的机械性能有何影响? 2、如果其它条件相同,试比较在下列条件下铸件晶粒的大小,并解释原因。 (1)金属型浇注与砂型浇注; (2)铸成薄件与铸成厚件; (3)浇注时采用震动与不采用震动。 3、铅在20°C、钨在1100°C时变形,各属于哪种变形?为什么?(铅的熔点为327°C,钨的熔点为3380°C)10、有四个材料、外形完全一样的齿轮,但制作方法不同,试比较它们中哪种使用效果最好?哪种最差?为什么? (1)铸出毛坯,然后切削加工成形; (2)从热轧厚钢板上取料,然后切削加工成形; (3)从热轧圆钢上取料,然后切削加工成形; (4)从热轧圆钢上取料后锻造成毛坯,然后切削加工成形。 11、金属经冷变形后,组织和性能发生了哪些变化?分析加工硬化存在的利与弊。有何办法来消除加工硬化? 12、提高浇注温度可以提高液态合金的充型能力,但实际中为什么又要防止浇注温度过高? 13、试用图中轨道铸件分析热应力的形成原因,并用虚线表示出铸件的变形方向。 14、“趁热打铁”的含义何在?碳钢的始锻温度和终锻温度是如何确定的? 15、某种钢材的主要化学成分为C=0.12%,Mn=1.5%,V=0.15%,Mo=0.5%,试分析其焊接性及焊接时应采取的工 艺措施。 16、碳钢在锻造温度围变形时,是否会有加工硬化现象?为什么?

工程材料_试题及答案

工程材料试题及答案 一、判断题 1、合金渗碳钢经最终热处理后的组织全部是回火马氏体。(×) 2、热加工与冷加工的主要区别在于是否有加工强化现象产生。(×) 3、铸铁是含碳量小于2.11%的铁碳合金。(×) 4、二元共晶相图是指合金两组元在液态和固态均能无限互溶所构成的相图。(×) 5、感应加热表面淬火一般只改变钢件表面层的组织,而不改变心部组织。(√) 6、一个合金的室温组织为α+β11 +(α+β),则它由三相组成。(×) 7、将金属加热到再结晶温度以上时,金属将发生回复、再结晶及晶粒长大等变化。(√) 8、金属在塑性变形后产生的纤维组织能使金属具有各向异性。(√) 9、碳钢的塑性和强度都随着含碳量的增加而降低。(×) 10、金属的再结晶转变,也要经历形核与晶核长大的过程。(√) 二、选择适宜材料并说明常用的热处理方法(30分) 路线为: 下料锻造正火机加工调质机加工(精) 轴颈表面淬火低温回火磨加工 指出:1、主轴应用的材料:45钢 2、正火的目的和大致热处理工艺细化晶粒,消除应力;加热到Ac3+50℃保温一段

时间空冷 3、调质目的和大致热处理工艺强度硬度塑性韧性达到良好配合淬火+高温回火 4、表面淬火目的提高轴颈表面硬度 5.低温回火目的和轴颈表面和心部组织。去除表面淬火热应力,表面M+A’心部S 回 四、选择填空(20分) 1、合金元素对奥氏体晶粒长大的影响是(d) (a)均强烈阻止奥氏体晶粒长大(b)均强烈促进奥氏体晶粒长大 (c)无影响(d)上述说法都不全面 2、适合制造渗碳零件的钢有(c)。 (a)16Mn、15、20Cr、1Cr13、12Cr2Ni4A (b)45、40Cr、65Mn、T12 (c)15、20Cr、18Cr2Ni4WA、20CrMnTi 3、要制造直径16mm的螺栓,要求整个截面上具有良好的综合机械性能,应选用(c ) (a)45钢经正火处理(b)60Si2Mn经淬火和中温回火(c)40Cr钢经调质处理4、制造手用锯条应当选用(a ) (a)T12钢经淬火和低温回火(b)Cr12Mo钢经淬火和低温回火(c)65钢淬火后中温回火 5、高速钢的红硬性取决于(b ) (a)马氏体的多少(b)淬火加热时溶入奥氏体中的合金元素的量(c)钢中的碳含量6、汽车、拖拉机的齿轮要求表面高耐磨性,中心有良好的强韧性,应选用(c ) (a)60钢渗碳淬火后低温回火(b)40Cr淬火后高温回火(c)20CrMnTi渗碳淬火后低温回火 7、65、65Mn、50CrV等属于哪类钢,其热处理特点是(c ) (a)工具钢,淬火+低温回火(b)轴承钢,渗碳+淬火+低温回火(c)弹簧钢,淬火+中温回火 8、二次硬化属于(d) (a)固溶强化(b)细晶强化(c)位错强化(d)第二相强化 9、1Cr18Ni9Ti奥氏体型不锈钢,进行固溶处理的目的是(b) (a)获得单一的马氏体组织,提高硬度和耐磨性 (b)获得单一的奥氏体组织,提高抗腐蚀性,防止晶间腐蚀(c)降低硬度,便于切削加工 10、推土机铲和坦克履带板受到严重的磨损及强烈冲击,应选择用(b ) (a)20Cr渗碳淬火后低温回火(b)ZGMn13—3经水韧处理(c)W18Cr4V淬火后低温回火 11、位错是一种。(①) ①线缺陷②点缺陷③面缺陷 12、纯铁在850℃时为晶格。(①) ①体心立方②面心立方③密排六方 13、有些金属在固态下会发生晶体结构的变化,这种变化可以称为。(③) ①等温转变②变温转变③同素异构转变 14、共析钢过冷奥氏体在连续冷却时,有如下转变。(②) ①只有贝氏体和马氏体转变,而没有珠光体型转变 ②只有珠光体型和马氏体转变,而没有贝氏体转变 ③只有珠光体型和贝氏体转变,而没有马氏体转变

电子技术基础试题

。电子技术基础试题库(第四版) 第一章:半导体二极管 一、填空题 1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。 导体、绝缘体、半导体 2、PN节具有__________特性,即加正向压时__________,加反向压时__________。 单向导电特性、导通、截止 3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V,锗二极管导通时的正向管压降约__________V。 、 4、使用二极管时,应考虑的主要参数是__________、__________。 最大整流电流、最高反向工作电压 5、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性较__________ 小、好 6、根据导电能力来衡量,自然界的物质可分为_______ 、_________和__________三类。导体, 绝缘体,半导体 7、PN结具有_____________性能,即加正向电压时PN结________,加反向电压时的PN结 _________。单向导电性,导通,截止 二,判断题 1、半导体随温度的升高,电阻会增大。()N 2、二极管是线性元件。()N 3、不论是哪种类型的半导体二极管,其正向电压都为0.3V左右。()N 4、二极管具有单向导电性。()Y 5、二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好。()N 6、二极管加正向压时一定导通()N 7、晶体二极管是线性元件。()N 8、一般来说,硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。()Y 三、选择题 1、PN结的最大特点是具有()C A、导电性B、绝缘性C、单相导电性 2、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管()C A、立即导通B、到0.3V才开始导通C、超过死区压才开始导通D、不导通 3、当环境温度升高时,二极管的反向电流将()A A、增大B、减少C、不变D、先变大后变小 4、半导体中传导电流的载流子是()。C A、电子 B、空穴 C、电子和空穴 5、P型半导体是()B A、纯净半导体 B、掺杂半导体 C、带正电的 四、综合题

工程材料考试试题

陕西科技大学试题纸B 课程工程材料(11级)班级 学号姓名 题号一二三四五六七八九十总分得分 阅卷人 一.名词解释(20分) 间隙固溶体:溶质原子分布于溶剂的晶格间隙中所形成的固溶体。 再结晶:金属发生重新形核和长大而不改变其晶格类型的结晶过程。 淬透性:钢淬火时获得马氏体的能力。 枝晶偏析:金属结晶后晶粒内部的成分不均匀现象。 时效强化:固溶处理后铝合金的强度和硬度随时间变化而发生显著提高的现象。 同素异构性:同一金属在不同温度下具有不同晶格类型的现象。 临界冷却速度:钢淬火时获得完全马氏体的最低冷却速度。 热硬性:指金属材料在高温下保持高硬度的能力。 二次硬化:淬火钢在回火时硬度提高的现象。 共晶转变:指具有一定成分的液态合金,在一定温度下,同时结晶出两种不同的固相的转变。比重偏析:因初晶相与剩余液相比重不同而造成的成分偏析。 置换固溶体:溶质原子溶入溶质晶格并占据溶质晶格位置所形成的固溶体。 二、判断正误并加以改正(30分) 1、细化晶粒虽能提高金属的强度,但增大了金属的脆性。(╳) 改正:细化晶粒不但能提高金属的强度,也降低了金属的脆性。 2、结构钢的淬透性,随钢中碳含量的增大而增大。(╳) 改正:结构钢的淬硬性,随钢中碳含量的增大而增大。 3、普通低合金结构钢不能通过热化处理进行强化。(√) 4、置换固溶体必是无限固溶体。(╳) 改正:置换固溶体有可能是无限固溶体。 5、单晶体必有各向异性。(√) 6、普通钢和优质钢是按其强度等级来区分的。(╳) 改正:普通钢和优质钢是按钢中有害杂质硫、磷的含量来划分的。 7、过热钢经再结晶退火后能显著细化晶粒。(╳) 改正:过热钢经正火后能显著细化晶粒。 8、奥氏体耐热钢也就是奥氏体不锈钢。(╳) 改正:奥氏体耐热钢不是奥氏体不锈钢。 9、马氏体的晶体结构和铁素体的相同。(√)

电子技术基础(模拟部分)试卷二及答案

试卷二 系别学号姓名成绩 考试课程模拟电子技术基础考试日期2002 年12月12日 题号一二三四五六七八九总分分数 得分核分人阅卷人 1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中,选出一个正确的答案,并将其序号写在题干后的( )内。每小题2分,共20分) (1)杂质半导体中的少数载流子浓度取决于( )。 A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度 D.晶体缺陷 (2)硅稳压管在稳压电路中稳压时,工作于( )。 A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态 (3)测得一放大电路中的三极管各电极相对于“地”的电压如图1所示, A.NPN型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管 D.PNP型硅管 (4)温度上升时,半导体三级管的( )。 A.β和I CBO 增大,U BE 下降 B.β和U BE 增大,I CBO 减小 C.β减小,I CBO 和U BE 增大 D.β、I CBO 和U BE 均增大 (图1) (5)在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中,u o与u i 相位相反、 ︱A U ︱>1的只可能是( )。 A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路 C.共漏极放大电路 D.共射极放大电路 (6)在四种反馈组态中,能够使输出电压稳定,并提高输人电阻的负反馈是( )。 A.电压并联负反馈 B.电压串联负反馈 C.电流并联负反馈 D.电流串联负反馈 (7)关于多级放大电路下列说法中错误的是( )。 A.A u等于各级电压放大倍数之积 B.R i 等于输入级的输入电阻 C.R。等于输出级的输出电阻 D.A u 等于各级电压放大倍数之和 (8)用恒流源电路代替典型差动放大电路中的公共射极电阻R E ,可以提高电路的 ( )。 A.︱A ud ︱ B.︱A ue ︱ C.R id D.K CMR (9)电路如图2所示,其中U 2 =20V,C=100uF。变压器内阻及各二极管正向导通时 的电压降、反向电压均可忽略,该电路的输出电压U 0 ≈( )。 A.24V B.28V C.-28V D.-18V (图2) (10)在下列四种比较器中.抗干扰能力强的是( )。 A.迟滞比较器 B.零比较器 C.三态比较器 D.窗口比较器 2.填充题(每格1分,共20分) (11)当放大电路输入非正弦信号时,由于放大电路对不同频率分量有不同的放大倍数 而产生的输出失真称为失真,由于相位滞后与信号频率不成正比而产生的输 出失真称为失真,这两种失真统称为失真或失真。 (12)半导体三极管属控制器件,而场效应管属于控制器件。 (13)按结构不同,场效应管可分为型和型两大类。 (14)集成运放内部电路实际上是一个、、放大电路。 (15)直流稳压电源由、、、四个部分组成。 (16)按幅频特性不同,滤波器可分为滤波器、滤波器、滤 波器、滤波器及滤波器等五种。 3.分析计算题(共60分) (17)电路如图3所示.已知R B1=50KΩ, R B2=10KΩ, R C=6KΩ, R E=750Ω,信号源内阻R S= 5KΩ,负载电阻R L=10KΩ,电源电压+V CC=12V,电容C1、C2的电容量均足够大,晶体管的β=99、 r be=1 KΩ、U BE=0.7V。试求:(a)电压放大倍数A u(=U O/U I)及A us(=U O/U S); (b)输入电阻R i和输出电阻R O。 ① -2V ② -8V ③ -2.2V + u1 - TR + u2 - D1 D4 D3 D 2 C + U o -

材料科学基础第一章习题答案

材料科学基础第一章习题答案 1. (P80 3-3) Calculate the atomic radius in cm for the following: (a) BCC metal with a 0=0.3294nm and one atom per lattice point; and (b) FCC metal with a 0=4.0862? and one atom per lattice point. Solution: (a) In BCC structures, atoms touch along the body diagonal, which is 3a 0 in length. There are two atomic radii from the center atom and one atomic radius from each of the corner atoms on the body diagonal, so 340r a = 430a r ==0.14263nm=1.4263 810-?cm (b) In FCC structures, atoms touch along the face diagonal of the cube, which is

02a in length. There are four atomic radii along this length —two radii from the face-centered atom and one radius from each corner, so 240r a =, 420 a r ==1.44447 ?=1.44447810-?cm 2.(P80 3-4) determine the crystal structure for the following: (a) a metal with a0=4.9489?, r=1.75?, and one atom per lattice point; and (b) a metal with a0=0.42906nm, r=0.1858nm, and one atom per lattice point. Solution: We know the relationships between atomic radii and lattice parameters are 430 a r =

土木工程材料试题(含答案)

土木工程材料试题 1.对于开口微孔材料,当其孔隙率增大时,材料的密度不变,吸水性增强,抗冻性降低,导热性降低,强度降低。 2.与硅酸盐水泥相比,火山灰水泥的水化热低,耐软水能力好,干缩大. 3.保温隔热材料应选择导热系数小,比热容和热容大的材料. 4.硅酸盐水泥的水化产物中胶体水化硅酸钙和水化铁酸钙.水化铝酸钙,水化硫铝酸钙晶体 5. 普通混凝土用砂含泥量增大时,混凝土的干缩增大,抗冻性降低. 6.普通混凝土配合比设计中要确定的三个参数为水灰比、砂率和单位用水量. 7.钢材中元素S主要会使钢的热脆性增大,元素P主要会使钢的冷脆性增大. 8.含水率为1%的湿砂202克,其中含水为 2 克,干砂200 克. 9.与建筑石灰相比,建筑石膏凝结硬化速度快,硬化后体积膨胀.膨胀率为1% 10.石油沥青中油分的含量越大,则沥青的温度感应性越大,大气稳定性越好. 11.普通混凝土强度的大小主要决定于水泥强度和水灰比. 12.木材的强度中,在理论上最大的是顺纹抗拉强度强度. 13.按国家标准的规定,硅酸盐水泥的初凝时间应满足不早于45min 。终凝不晚于6.5h(390min) 14.相同条件下,碎石混凝土的和易性比卵石混凝土的和易性差。 15.普通混凝土用石子的强度可用压碎指标或岩石立方体强度表示。16.常温下,低碳钢中的晶体组织为铁素体和珠光体。 17.据受热时特点不同,塑料可分成热塑性塑料和热固性塑料。 18.有无导管及髓线是否发达是区分阔叶树和针叶树的重要特征。 19.与石油沥青相比,煤沥青的温度感应性更大,与矿质材料的粘结性更好。20.石灰的陈伏处理主要是为了消除过火石灰的危害。储灰坑陈伏2个星期以上,表面有一层水分,隔绝空气,以免碳化 21.木材防腐处理的措施一般有氢氧化钙和水化铝酸三钙。 22.材料确定后,决定普通混凝土流动性的最重要因素是单位用水量。 23.普通混凝土的强度等级是根据立方体抗压强度标准值。 24.钢的牌号Q235-AF中A表示质量等级为A级。Q235是结构钢中常用的牌号25.结构设计时,硬钢的强度按条件屈服点取值。 26.硅酸盐水泥强度等级确定时标准试件的尺寸为40mm×40mm×160mm. . 27.钢筋进行冷加工时效处理后屈强比提高。强屈比愈大,可靠性愈大,结构的安全性愈高。一般强屈比大于1.2 28.石油沥青的牌号越大,则沥青的大气稳定性越好。 29.在沥青中掺入填料的主要目的是提高沥青的黏结性、耐热性和大气稳定性。30.用于沥青改性的材料主要有矿质材料、树脂和橡胶。 二.判断 1.塑料的刚度小,因此不宜作结构材料使用。………………………………………( √) 2.随含碳量提高,碳素结构钢的强度、塑性均提高。………………………………( ×) 3.设计强度等于配制强度时,混凝土的强度保证率为95%.………………………( ×) 4.我国北方有低浓度硫酸盐侵蚀的混凝土工程宜优先选用矿渣水泥。…………( ×) 5.体积安定性检验不合格的水泥可以降级使用或作混凝土掺合料。…………( ×)

数字电子技术基础期末考试试卷及答案

数字电子技术基础试题(一) 一、填空题 : (每空1分,共10分) 1. (30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。 2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 1 。 3 . 三态门输出的三种状态分别为:、和。 4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。 5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。 6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器,其地址线为 12 条、数据线为 8 条。 二、选择题: (选择一个正确的答案填入括号内,每题3分,共30分 ) 1.设下图中所有触发器的初始状态皆为0,找出图中触发器在时钟信号作用下, 输出电压波形恒为0的是:(C )图。 2.下列几种TTL电路中,输出端可实现线与功能的电路是( D)。 A、或非门 B、与非门 C、异或门 D、OC门 3.对CMOS与非门电路,其多余输入端正确的处理方法是(D )。

A、通过大电阻接地(>1.5KΩ) B、悬空 C、通过小电阻接地(<1KΩ) B、 D、通过电阻接V CC 4.图2所示电路为由555定时器构成的(A )。 A、施密特触发器 B、多谐振荡器 C、单稳态触发器 D、T触发器 5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路(C )。 A、计数器 B、寄存器 C、译码器 D、触发器 6.下列几种A/D转换器中,转换速度最快的是(A )。 A、并行A/D转换器 B、计数型A/D转换器 C、逐次渐进型A/D转换器 B、 D、双积分A/D转换器 7.某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如下图所示,则该电路为( C)。 A、施密特触发器 B、反相器 C、单稳态触发器 D、JK触发器 8.要将方波脉冲的周期扩展10倍,可采用(C )。 A、10级施密特触发器 B、10位二进制计数器 C、十进制计数器 B、D、10位D/A转换器 9、已知逻辑函数与其相等的函数为( D)。 A、 B、 C、 D、 10、一个数据选择器的地址输入端有3个时,最多可以有( C)个数据信号输出。 A、4 B、6 C、8 D、16 三、逻辑函数化简(每题5分,共10分) 1、用代数法化简为最简与或式

电子技术基础期末考试试题及答案

座号 XXX2012—2013学年度第二学期期末考试试卷 职高二 《电子技术基础与技能》 题 号 一 二 三 四 总 分 得 分 (本试卷满分100分,考试用时120分钟) 一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的表格内错选、多选或未选均无分。 1.触发器与组合逻辑电路比较( ) A.两者都有记忆能力 B.只有组合逻辑电流有记忆能力 C.只有触发器有记忆能力 D.两者都没有记忆能力 2.与非门构成的基本RS 触发器,输入信号S =0,R =1,其输出状态是( ) A.置1 B.置0 C.不定 D.保持 3.RS 触发器不具备 功能( ) A.置 1 B.置0 C. 保 持 D.翻转 4.某计数器逻辑功能每5个时钟脉冲循环一次,且在每次循环过程中每来一个脉冲计数器新态加1,则该计数器是( ) A.二进制加法器 B.五进制加法器 C.十进制加法器 D.五进制减法器 5.8421BCD 码是常见的二—十进制码,下列 是8421BCD 码禁用码( ) A.1001 B.0111 C.1010 D.0101 6.下列说法正确的是( ) A.Q=0称触发器处于0态 B. Q=0称触发器处于1态 C.Q =0称触发器处于0态 D.Q =1称触发器处于1态 7. JK 触发器在时钟脉冲作用下,触发器置1,其输入信号为( ) A.J=1,K=1 B. J=0,K=0 C. J=1,K=0 D. J=0,K=1 8. D 触发器在CP 脉冲作用下,1 n Q =( ) A.1 B.D C.0 D.n Q 9.下图所示可能是鈡控同步RS 触发器真值表的是( ) 10.电路如下图所示,若初态都为0,则n+1=1Q 的是( ) 11.五位二进制数能表示十进制数的最大值是( ) A.31 B.32 C.10 D.5 12.n 个触发器可以构成最大计数长度为 的计数器( ) A.n???????? ? B.2n C.n 2??? ???? ???D.2n 13.一个4位二进制加法计数器起始状态为0010,当最低位接收到10个脉冲时,触发器状态为( ) A.0010 B.0100 C.1100 D.1111 14.下图所示的电路中,正确的并联型稳压电路为( ) 15.在有电容滤波的单相桥式整流电路中,若要使输出电压为60V ,则变压器的次级电压应为( ) A.50V B.60V C.72V D.27V 二、判断题(本大题共5小题,每小题3分,共15分)(对打√,错打×) 16.P 型半导体中,多数载流子是空穴 ( ) 17.环境温度升高时,半导体的导电能力将显着下降 ( ) 18.二极管正偏时,电阻较小,可等效开关断开 ( ) 19.稳压二极管工作在反向击穿区域 ( ) 20.光电二极管是一种把电能转变为光能的半导体器件 ( ) 注:将选择题和判断题答案填写在上面的表格里,否则该题不得分 三、填空题(本大题共5小题,每小题4分,共20分) 21.JK 触发器可避免RS 触发器 状态出现。与RS 触发器比较,JK 触发器增加了 功能; 22.寄存器存放数码的方式有 和 两种方式; 23.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管 的关系曲线; 24.常见的滤波器有 、 和 ; 25.现有稳压值为5V 的锗稳压管两只,按右图所示方法接入电路,则V 0= 。 四、应用题(本大题共3小题,共35分,要求写出演算过程) 题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 答案 题号 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 答案 ----------------------------------------------密-----封-----线-----内-----不-----准-----答-----题---------------------------------------------------------------------------------

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