意法半导体公司介绍
ST Microelectronics (ST,意法半导体)公司介绍STMicroelectronics（ST,意法半导体,ST Microelectronics)是全球最大
的半导体公司之一，法意半导体是世界第一大专用模拟芯片和电源转换
芯片制造商，世界第一大工业半导体和机顶盒芯片供应商，而且在分立器
件、手机相机模块和车用集成电路领域居世界前列。意法半导体(ST
Microelectronics)是业内半导体产品线最广的厂商之一，从分立二极管与
晶体管到复杂的片上系统（SoC）器件，再到包括参考设计、应用软件、制造工具与规范的完整的平台解决方案，其主要产品类型有3000多种。意法半导体是各工业领域的主要供应商，拥有多种的先进技术、知识产权（IP）资源与世界级制造工艺，拥有13,000位研究人员和19,000项专利。
历史
意法半导体集团在1987年6月由意大利的Società Generale Semiconduttori (SGS) Microelettronica与法国汤姆逊(Thomson)公司的半导体分部Thomson Semiconducteurs两家半导体公司合并而成，该公司自1998年5月汤姆逊撤股后由SGS-THOMSON更名为意法半导体(STMicroelectronics)。
SGS Microelettronica与Thomson Semiconducteurs均是创立已久的半导体公司：
* SGS Microelettronica从前名为SGS-ATES (Aquila Tubi E Semiconduttori)，通过Aziende Tecnica ed Elettronica del Sud(于1963年创立)与Società Generale Semiconduttori(于1957年由Adriano Olivetti创立)于1972年的合并组成。
* Thomson Semiconducteurs通过以下公司的合并于1982年组成：
o 法国电子公司汤姆逊的半导体机构
o 由某些德州仪器的创办人于1969年创立的美国公司Mostek
o Sile，于1977年创立
o Eurotechnique于1979年在法国隆河口省Rousset创立，是法国公司圣戈班与美国公司美国国家半导体的合资公司
o EFCIS，于1977年创立
o SESCOSEM，于1969年创立
以SGS-THOMSON与意法半导体运作期间该公司曾通过获得以下公司来参与巩固半导体产业：
* 1989年自其母公司Thorn EMI手中收购因transputer微处理器而知名的英国公司Inmos
* 1994年收购加拿大北电网络的半导体机构
* 2002年取得阿尔卡特的微电子部门并连同合并如英国Synad科技有限公司等小型企业，有助于意法半导体拓展无线网络市场
现状
1.总裁兼首席执行官：卡罗伯佐提（Carlo Bozotti）
2.财政：2010 年净收入10
3.5 亿美元，2011 年第二季度净收入25.7亿美元。
3.员工：约53,000名员工，包括ST-爱立信（截至2010年12月31日）
4.研发中心：在10 个国家设有先进的研发中心
5.工厂：14个主要制造厂
6.上市：自1994年以来，先后在纽约证券交易所（NYSE: STM），泛欧巴黎证券交易所和意大
利证券交易所挂牌上市
STMicroelectronics（ST,意法半导体）公司总部设在瑞士日内瓦，同时也是欧洲及中东和非洲区（EMEA）的总部。美国总部设在德克萨斯州达拉斯市的卡罗顿；大中华暨南亚区的总部设在上海；日本及韩国区总部设在东京。
STMicroelectronics（ST,意法半导体）在多媒体、功率、接口和传感器等技术领域具有明显的优势，销售收入在半导体工业五大市场上分布均衡：电信（25%），汽车（17%），消费电子（9%），计算机（14%），工业（10%），经销渠道（25%），销售收入包括意法半导体与爱立信的50/50 合资企业ST-Ericsson 的无线业务收入。
自创办以来，意法半导体的研发战略从来没有动摇过，近四分之一的员工在产品研发设计领域工作，2010年研发占总收入近23%。意法半导体被评为半导体工业最具创新力的公司之一，拥有20,000 项左右的专利和待批专利申请（注：含ST-Ericsson）。拥有丰富的芯片制造工艺，包括先进的CMOS 逻辑（互补金属氧化物半导体）、混合信号、模拟和功率制造工艺，意法半导体是开发下一代CMOS 技术的国际半导体开发联盟（ISDA）的合作企业之一。
法意半导体在全球建立了一个巨大的前后工序制造网络（前工序指晶圆制造，后工序指芯片封装测试）。目前意法半导体的主要晶圆厂位于意大利的Agrate、Brianza 和Catania，法国的Crolles、
Rousset 和Tours 以及新加坡。位于中国、马来西亚、马尔它、摩洛哥和新加坡的世界一流的封装测试厂为这些先进的前工序晶圆厂提供强有力的后工序保障。
有关意法半导体的更多资料请查看
https://www.wendangku.net/doc/9914002528.html,/Electronic-Manufacturer/STMicroelectronics/STMicroelectronics.html
半导体产业介绍
半导体整个生态链 主要分为：前端设计（design）,后端制造（mfg)、封装测试(package)，最后投向消费市场。 不同的厂商负责不同的阶段，环环相扣，最终将芯片集成到产品里，销售到用户手中。半导体厂商也分为2大类，一类是IDM (Integrated Design and Manufacture)，包含设计、制造、封测全流程，如Intel、TI、Samsung这类公司；另外一类是Fabless，只负责设计，芯片加工制造、封测委托给专业的Foundry，如华为海思、展讯、高通、MTK（台湾联发科）等。 前端设计是整个芯片流程的“魂”，从承接客户需求开始，到规格、系统架构设计、方案设计，再到Coding、UT/IT/ST（软件测试UT：unit testing 单元测试IT： integration testing 集成测试ST：system testing 系统测试），提交网表（netlist或称连线表，是指用基础的逻辑门来描述数字电路连接情况的描述方式）做Floorplan，最终输出GDS（Graphics Dispaly System）交给Foundry做加工。由于不同的工艺Foundry提供的工艺lib库不同，负责前端设计的工程师要提前差不多半年，开始熟悉工艺库，尝试不同的Floorplan设计，才能输出Foundry想要的GDS。 后端制造是整个芯片流程的“本”，拿到GDS以后，像台积电，就是Foundry 厂商，开始光刻流程，一层层mask光刻，最终加工厂芯片裸Die。 封装测试是整个芯片流程的“尾”，台积电加工好的芯片是一颗颗裸Die，外面没有任何包装。从晶圆图片，就可以看到一个圆圆的金光闪闪的东西，上面横七竖八的划了很多线，切出了很多小方块，那个就是裸Die。裸Die是不能集成到手机里的，需要外面加封装，用金线把芯片和PCB板连接起来，这样芯片才能真正的工作。 台积电是目前Foundry中的老大，华为麒麟系列芯片一直与台积电合作，如麒麟950就是16nm FF+工艺第一波量产的SoC芯片。 半导体行业的公司具主要分为四类： 集成器件制造商IDM (Integrated Design and Manufacture)：指不仅设计和销售微芯片，也运营自己的晶圆生产线。Intel，SAMSUNG(三星)，东芝，ST(意法半导体)，Infineon(英飞凌)和NXP(恩智浦半导体)。 无晶圆厂供应商Fabless：公司自己开发和销售半导体器件，但把芯片转包给独立的晶圆代工厂生产。例如：Altera(FPL)，爱特(FPL)，博通(网路器件)，CirrusLogicCrystal(音频，视频芯片)，莱迪思(FPL)，英伟达(FPL)，
意法半导体(ST)
ROM，提高了产品制造的灵活性，缩短了从设计到制造的准备时间，同时90nm 技术还提高了成本效益。 新的ST21F系列产品使卡制造商能够对飞速变化的手机市场需求做出快速的注重成本效益的反应，然后在制造工序的智能卡个性化阶段自定义应用程序，用一个产品解决多家移动通信网络运营商(MNOs)的要求。因为与一个特定的运营商无关，所以新产品降低了供应链的风险和复杂性。 ST21F384的内核是一个8/16位CPU，线性寻址宽度16MB，典型工作频率21MHz。芯片内置7KB用户RAM存储器，以及128字节页面的384KB闪存，耐擦写能力与早期安全微控制器的EEPROM存储器相当。电流消耗完全符合2G和3G的电源规格，达到了(U)SIM的应用要求。该微控制器含有一个硬件DES (数据加密标准)加速器和用户可以访问的CRC (循环冗余代码)计算模块。 如果采用了这个闪存安全型微控制器，卡制造商将能够缩短在整个制造工序中从设计到投产的准备时间，验证卡上的操作系统（OS）和向运营商提供样片所需的时间会更短。因为可以库存没有编程的空白芯片，所以新产品还有助于缩短产品的量产周期，同时还会大幅度缩短操作功能升级和实现新的MNO要求所需的周期。 由于应用程序保存在闪存内，卡制造商无需再支付ROM掩模成本；此外，因为只需实现最终客户需要的功能，而不必设计一个标准解决方案，应用软件本身可以写得更小。ST的片上闪存装载器提供一个成本低廉的操作系统装载功能。 ST21F384的样片现已上市，定于2007年12月量产。ST的封装能力在业界堪称独一无二，其智能卡IC有两种封装形式：切割过的晶片和先进微型模块，其中模块的集成度和安全性都非常出色。 ST21F384产品分为切割过的晶片或没切割过的晶片，模块封装分为6触点（D17）和8触点（D95）两个规格，符合欧洲RoHS环保标准，触点排列符合ISO 7816-2标准。订购100000颗晶片，每颗0.45美元。
半导体FAB里基本的常识简介
半导体F A B里基本的 常识简介精选文档 TTMS system office room 【TTMS16H-TTMS2A-TTMS8Q8-
CVD 晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室 答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷 何谓半导体? 答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。最常用的半导体材料是硅及锗。半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。 常用的半导体材料为何 答：硅(Si)、锗(Ge)和砷化家(AsGa) 何谓VLSI 答：VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路 在半导体工业中，作为绝缘层材料通常称什幺 答：介电质(Dielectric) 薄膜区机台主要的功能为何 答：沉积介电质层及金属层
何谓CVD(Chemical Vapor Dep.) 答：CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程CVD分那几种? 答：PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式) 为什幺要用铝铜(AlCu)合金作导线? 答：良好的导体仅次于铜 介电材料的作用为何? 答：做为金属层之间的隔离 何谓PMD(Pre-Metal Dielectric) 答：称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质何谓IMD(Inter-Metal Dielectric) 答：金属层间介电质层。 何谓USG? 答：未掺杂的硅玻璃(Undoped Silicate Glass) 何谓FSG? 答：掺杂氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass)
全球10大半导体厂商排名及简介
[2011-11-09] 全球10大半导体厂商排名及简介 全球10大半导体厂商排名: 1.英特尔(Intel) 2.三星(Samsung) 3.德州仪器(TI) 4.东芝(Toshiba) 5.台积电(TSMC) 6.意法半导体会(ST) 7.瑞萨科技(Renesas) 8.海力士(Hynix) 9.索尼(Sony) 10.高通(Qualcomm） 1.美国英特尔（Intel）公司，以生产CPU芯片闻名于世！ 2.三星(Samsung)电子公司成立于1969年，初期主要生产家用电子产品，如电视机和录像机等。七十年代始进入国际市场，逐渐发展成为全球五大电 子公司之一，产品也由家电扩展到计算机、通讯等诸多方面。九十年代由 于经济方面的原因，三星公司进行了大规模的战略重组。1978年，三星半 导体从三星电子公司分立出来而成为独立的实体，1983年起随着成功发展 了64K DRAM超大规模集成电路，从此在单一家电类半导体产品基础上发展了许多新的半导体产品，逐渐成为全球领先的半导体厂商。它的半导体产 品主要有DRAM、SRAM、闪速存储器、ASIC、CPU和TFF-LCD板等等。 3.德州仪器(TI)公司总部位于美国德克萨斯州达拉斯城，是一家全球性的 半导体公司，是世界领先的数字信号处理和模拟技术的设计商、供应商， 是推动电子数字化进程的引擎。主要IC产品有：数字信号处理器、模拟和混合信号器件、数字逻辑、ASIC、微控制器、语音和图形处理器、可编程 逻辑、军用器件等。 4.东芝(Toshiba)在国际市场上盛名远扬，家喻户晓。在日本之外，东芝拥 有100多家子公司和协作公司的庞大全球网络，仅海外子公司便拥有40,000 多名雇员，他们遍及全球各地，从事着从科研到采购、生产、销售以及市 场调研等工作。分布在世界各地的39个厂家构成东芝的生产网络，制造品种繁多的产品，包括最先进的半导体元件、显象管、彩色电视机、移动式 计算个人电脑、光?磁存储、消耗品及工业用发电机和变电装置。这些技术和设备均处世界领先地位的东芝生产厂家,强有力地保障着公司技术和整体 能力的发展，推动着电子工业的进步；同时也提供了更多的就业机会，进 一步促进了当地经济的蓬勃发展。 5.台积电(TSMC)成立于1987年，是全球最大的专业集成电路制造服务公司。身为专业集成电路制造服务业的创始者与领导者，TSMC在提供先进晶圆制程技术与最佳的制造效率上已建立声誉。自创立开始，TSMC即持续提供客户最先进的技术；2006年的总产能超过七百万片约当八寸晶圆，全年营 收约占专业集成电路制造服务领域的百分之五十。
意法半导体基于Cortex-M3的STM32L微控制器开始供货
意法半导体基于Cortex-M3的STM32L微控制器开始供 货 意法半导体今天宣布开始向主要客户提供STM32L 系列微控制器样片，STM32L 系列产品是业界首款来自全球十大半导体供应商之一的超低功耗 ARM Cortex-M3 微控制器。STM32L 系列产品采用意法半导体独有的两大节能技术：130nm 专用低泄漏电流制造工艺和优化的节能架构，提供业界领先的节 能性能。全新STM32L 系列产品属于意法半导体的EnergyLite 超低功耗产品平台，设计人员能够优化终端产品的性能、功能和电池使用寿命，达到相关的 能效标准，如环保型设计目标。意法半导体微控制器产品部总经理Michel Buffa 表示：“在全球半导体公司提供的产品中，STM32L 系列产品实现最佳的 功耗性能比。STM32L 将会成为消费电子、工业应用、医疗仪器或能源计量表 等市场上低功耗应用设计的首选微控制器。”除极高能效外，STM32L 还具备提高数据安全性，促进系统安全操作的诸多安全功能，包括灵活的欠压复位、片 上闪存支持纠错码（ECC）、存储器保护单元（MPU）和JTAG 熔断器。这些 功能被推荐用于所有的需要安全产品特性和高度安全的代码及用户数据管理的 应用。片上集成的USB 2.0 Full Speed 支持模块使STM32L 还能支持移动外设。此外，STM32L 系列微控制器内置的LCD 驱动器，可轻松实现更低廉、更小的应用设计。STM32 系列的产品阵容非常强大，目前拥有超过135 款产品，全系列产品的引脚、软件和外设相互兼容，应用灵活性达到最高水平。作为 STM32 系列的新成员，STM32L 在32MHz 频率下的处理性能达到33DMIPS （最大值），片上闪存密度范围从64KB 到128KB。STM32L 系列样片已经开始交付给主要客户测试。STM32L151 内置64KB 闪存，采用LQFP48 封装；STM32L152 内置128KB 闪存，采用LQFP100 封装。将于2010 年第四季度量
常用半导体器件
第4章常用半导体器件 本章要求了解PN结及其单向导电性，熟悉半导体二极管的伏安特性及其主要参数。理解稳压二极管的稳压特性。了解发光二极管、光电二极管、变容二极管。掌握半导体三极管的伏安特性及其主要参数。了解绝缘栅场效应晶体管的伏安特性及其主要参数。 本章内容目前使用得最广泛的是半导体器件——半导体二极管、稳压管、半导体三极管、绝缘栅场效应管等。本章介绍常用半导体器件的结构、工作原理、伏安特性、主要参数及简单应用。 本章学时6学时 4.1 PN结和半导体二极管 本节学时2学时 本节重点1、PN结的单向导电性； 2、半导体二极管的伏安特性； 3、半导体二极管的应用。 教学方法结合理论与实验，讲解PN结的单向导电性和半导体二极管的伏安特性，通过例题让学生掌握二半导体极管的应用。 4.1.1 PN结的单向导电性 1. N型半导体和Ｐ型半导体 在纯净的四价半导体晶体材料（主要是硅和锗）中掺入微量三价（例如硼）或五价（例如磷）元素，半导体的导电能力就会大大增强。掺入五价元素的半导体中的多数载流子是自由电子，称为电子半导体或N型半导体。而掺入三价元素的半导体中的多数载流子是空穴，称为空穴半导体或Ｐ型半导体。在掺杂半导体中多数载流子（称多子）数目由掺杂浓度确定，而少数载流子（称少子）数目与温度有关，并且温度升高时，少数载流子数目会增加。 2.PN结的单向导电性 当PN结加正向电压时，Ｐ端电位高于N端，PN结变窄,而当PN结加反向电压时，Ｎ端电位高于Ｐ端，PN结变宽,视为截止(不导通)。 4.1.2 半导体二极管 1.结构 半导体二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。由Ｐ区引出的电极称为阳极，Ｎ区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性，二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。 2. 二极管的种类 按材料来分，最常用的有硅管和锗管两种；按用途来分，有普通二极管、整流二极管、稳压二极管等多种；按结构来分，有点接触型，面接触型和硅平面型几种，点接触型二极管（一般为锗管）其特点是结面积小，因此结电容小，允许通过的电流也小，适用高频电路的检波或小电流的整流，也可用作数字电路里的开关元件；面接触型二极管（一般为硅管）其特点是结面积大，结电容大，允许通过的电流较大，适用于低频整流；硅平面型二极管，结面积大的可用于大功率整流，结面积小的，适用于脉冲数字电路作开关管。
半导体FAB里基本的常识简介
CVD 晶圆制造厂非常昂贵的原因之一，是需要一个无尘室，为何需要无尘室 答：由于微小的粒子就能引起电子组件与电路的缺陷 何谓半导体?; I* s# N* v8 Y! H3 a8 q4 a1 R0 \- W 答：半导体材料的电传特性介于良导体如金属(铜、铝，以及钨等)和绝缘和橡胶、塑料与干木头之间。最常用的半导体材料是硅及锗。半导体最重要的性质之一就是能够藉由一种叫做掺杂的步骤刻意加入某种杂质并应用电场来控制其之导电性。 常用的半导体材料为何' u* k9 `+ D1 v1 U# f5 [7 G 答：硅(Si)、锗(Ge)和砷化家(AsGa): j* z$ X0 w& E4 B3 m. M( N( _; o4 D 何谓VLSI' b5 w; M# }; b; @; \8 g3 P. G 答：VLSI(Very Large Scale Integration)超大规模集成电路5 E3 U8 @- t& \ t9 x5 L4 K% _2 f 在半导体工业中，作为绝缘层材料通常称什幺0 r7 i, `/ G1 P! U" w! I 答：介电质(Dielectric). w- j" @9 Y2 {0 L0 f w 薄膜区机台主要的功能为何 答：沉积介电质层及金属层 何谓CVD(Chemical Vapor Dep.) 答：CVD是一种利用气态的化学源材料在晶圆表面产生化学沉积的制程 CVD分那几种? 答：PE-CVD(电浆增强型)及Thermal-CVD(热耦式) 为什幺要用铝铜(AlCu)合金作导线?4 Z* y3 A, G f+ z X* Y5 ? 答：良好的导体仅次于铜 介电材料的作用为何?% Y/ W) h' S6 J, l$ i5 B; f9 [ 答：做为金属层之间的隔离 何谓PMD(Pre-Metal Dielectric) 答：称为金属沉积前的介电质层，其界于多晶硅与第一个金属层的介电质5 |3 X. M$ o; T8 Y, N7 l5 q+ b 何谓IMD(Inter-Metal Dielectric)9 u9 j4 F1 U! Q/ ?" j% y7 O/ Q" m; N, b 答：金属层间介电质层。1 X8 g' q a0 h3 k4 r" X$ l. l 何谓USG? 答：未掺杂的硅玻璃(Undoped Silicate Glass): u0 F0 d! A M+ U( w/ Q 何谓FSG? 答：掺杂氟的硅玻璃(Fluorinated Silicate Glass) 何谓BPSG?& ~- I3 f8 i( Y! M) q, U 答：掺杂硼磷的硅玻璃(Borophosphosilicate glass)6 f/ g4 U& D/ }5 W 何谓TEOS? 答：Tetraethoxysilane用途为沉积二氧化硅 TEOS在常温时是以何种形态存在? 答：液体" q) ]0 H- @9 p7 C8 P; D8 Y. P) X 二氧化硅其K值为3.9表示何义( Y! @1 J! X+ P; b* _$ g 答：表示二氧化硅的介电质常数为真空的3.9倍6 H9 v' O5 U U" R9 w! o$ ` 氟在CVD的工艺上，有何应用 答：作为清洁反应室(Chamber)用之化学气体4 Z& Z5 a* E6 m+ F 简述Endpoint detector之作用原理.6 [2 d$ j" l7 p4 V. f 答：clean制程时,利用生成物或反应物浓度的变化,因其特定波长光线被detector 侦测
各公司待遇
这里所说的待遇全部为税前，另外，年薪不是简单的*12，因为有年终奖。而互联网公司的待遇package，都是包含了年终奖的。 以下待遇无特别说明，默认都是硕士，本科的话会特别说明，关注软件的多一些，硬件ic 等行业希望大家继续补充。 1 华为 研发、服务、销售多数岗位本科9k~12k, 硕士10~13k 客户经理不分本硕11~14k 法务硕士12~15k 行政本科6k 但是华为三五年后还是很给力的，这也是华为薪资的策略，好处给那些想长远在华为发展的人，只是一开始三年比较难熬，连续三年考评b+以上（a,b+,b,c,d），那就功成名就了，不过一c败三年…… 2 中兴号称硕士7300，其实是5300的基本工资加上1200的浮动绩效工资加上400补助再加上公司帮你交的400的公积金，注意这400公积金的概念！一切缴费基数是5300，换句话说，华为要是和中兴这样计算工资，北京华为的工资比北京中兴高了1000都不止！西安华为也比中兴高六七百，中兴实习期80%。 3 中兴移动中兴子公司固定工资6800，餐补350，通信费200 其他没了，夏季有高温补贴350一个月，深圳和南京 4 阿里巴巴，阿里今年全国只招150个精英，15k*15，秒杀国内各公司，另外有30w 无息借款，一年内买房买车买老婆，阿里帮你实现梦想，唉，只怪自己没学计算机 5 中电28所双211硕士为起点普通211硕士：税前10w到15w 11所牛逼高校（清华北大北航浙大复旦上交南京东南武大华科西交）：15w-20w 博士18w起薪牛逼高校：25w-30w 博士一次性住房补贴10w5 航天科工二院总体设计部硕士15w起 6 苏州记忆科技硕士12w 包含了公积金和餐补的有一次性安家费3000 苏州那边全是电子芯片ic企业，感觉苏州在下一盘很大很大的棋，已经下的差不多了，苏州昆山已有号称八百里电子长廊 7 北京704所航天火箭税前8w--10w 无奖金签三年双人间住一年后两年自己找 8 北京17所税前10w起 9 深圳宏电硕士6k，待遇太低 10 威盛北京硕士9k*14 武汉和上海不详 11 宇龙酷派实习：研发北京深圳研究生八千本科4k5 西安研究生6400 本科5800 转正硕士北京深圳9000 西安8000 本科转正不详
半导体制造基本概念
半导体制造基本概念 晶圆（Wafer） 晶圆（Wafer）的生产由砂即（二氧化硅）开始，经由电弧炉的提炼还原成冶炼级的硅，再经由盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后，透过慢速分解过程，制成棒状或粒状的「多晶硅」。一般晶圆制造厂，将多晶硅融解后，再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。一支85公分长，重76.6公斤的8?? 硅晶棒，约需2天半时间长成。经研磨、??光、切片后，即成半导体之原料晶圆片。 光学显影 光学显影是在光阻上经过曝光和显影的程序，把光罩上的图形转换到光阻 下面的薄膜层或硅晶上。光学显影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩对准、曝光和显影等程序。小尺寸之显像分辨率，更在IC 制程的进步上，扮演着最关键的角色。由于光学上的需要，此段制程之照明采用偏黄色的可见光。因此俗称此区为黄光区。 干式蚀刻技术 在半导体的制程中，蚀刻被用来将某种材质自晶圆表面上移除。干式蚀刻（又称为电浆蚀刻）是目前最常用的蚀刻方式，其以气体作为主要的蚀刻媒介，并藉由电浆能量来驱动反应。 电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响。首先，电浆会将蚀刻气体分子分解，产生能够快速蚀去材料的高活性分子。此外，电浆也会把这些化学成份离子化，使其带有电荷。 晶圆系置于带负电的阴极之上，因此当带正电荷的离子被阴极吸引并加速向阴极方向前进时，会以垂直角度撞击到晶圆表面。芯片制造商即是运用此特性来获得绝佳的垂直蚀刻，而后者也是干式蚀刻的重要角色。 基本上，随着所欲去除的材质与所使用的蚀刻化学物质之不同，蚀刻由下列两种模式单独或混会进行：
1. 电浆内部所产生的活性反应离子与自由基在撞击晶圆表面后，将与某特定成份之表面材质起化学反应而使之气化。如此即可将表面材质移出晶圆表面，并透过抽气动作将其排出。 2. 电浆离子可因加速而具有足够的动能来扯断薄膜的化学键，进而将晶圆表面材质分子一个个的打击或溅击（sputtering）出来。 化学气相沉积技术 化学气相沉积是制造微电子组件时，被用来沉积出某种薄膜(film)的技术，所沉积出的薄膜可能是介电材料(绝缘体)(dielectrics)、导体、或半导体。在进行化学气相沉积制程时，包含有被沉积材料之原子的气体，会被导入受到严密控制的制程反应室内。当这些原子在受热的昌圆表面上起化学反应时，会在晶圆表面产生一层固态薄膜。而此一化学反应通常必须使用单一或多种能量源(例如热能或无线电频率功率)。 CVD制程产生的薄膜厚度从低于0.5微米到数微米都有，不过最重要的是其厚度都必须足够均匀。较为常见的CVD薄膜包括有： ■二气化硅（通常直接称为氧化层） ■氮化硅 ■多晶硅 ■耐火金属与这类金属之其硅化物 可作为半导体组件绝缘体的二氧化硅薄膜与电浆氮化物介电层（plasmas nitride dielectrics）是目前CVD技术最广泛的应用。这类薄膜材料可以在芯片内部构成三种主要的介质薄膜：内层介电层（ILD）、内金属介电层（IMD）、以及保护层。此外、金层化学气相沉积（包括钨、铝、氮化钛、以及其它金属等）也是一种热门的CVD应用。 物理气相沉积技术 如其名称所示，物理气相沉积（Physical Vapor Deposition）主要是一种物理制程而非化学制程。此技术一般使用氩等钝气，藉由在高真空中将氩离子加速以撞击溅镀靶材后，可将靶材原子一个个溅击出来，并使被溅击出来的材质（通常为铝、钛或其合金）如雪片般沉积在晶圆表面。制程反应室内部的高温与高真空环境，可使这些金属原子结成晶粒，再透过微影图案化（patterned）与蚀刻，来得到半导体组件所要的导电电路。 解离金属电浆（IMP）物理气相沉积技术
常用半导体器件
《模拟电子技术基础》 （教案与讲稿） 任课教师：谭华 院系：桂林电子科技大学信息科技学院电子工程系 授课班级：2008电子信息专业本科1、2班 授课时间：2009年9月21日------2009年12月23日每周学时：4学时 授课教材：《模拟电子技术基础》（第4版） 清华大学电子学教研组童诗白华成英主编 高教出版社 2009
第一章常用半导体器件 本章内容简介 半导体二极管是由一个PN结构成的半导体器件,在电子电路有广泛的应用。本章在简要地介绍半导体的基本知识后，主要讨论了半导体器件的核心环节——PN 结。在此基础上，还将介绍半导体二极管的结构、工作原理,特性曲线、主要参数以及二极管基本电路及其分析方法与应用。最后对齐纳二极管、变容二极管和光电子器件的特性与应用也给予简要的介绍。 （一）主要内容: ?半导体的基本知识 ?PN结的形成及特点，半导体二极管的结构、特性、参数、模型及应用电 路 （二）基本要求: ?了解半导体材料的基本结构及PN结的形成 ?掌握PN结的单向导电工作原理 ?了解二极管（包括稳压管）的V-I特性及主要性能指标 （三）教学要点： ?从半导体材料的基本结构及PN结的形成入手，重点介绍PN结的单向导 电工作原理、 ?二极管的V-I特性及主要性能指标 1.1 半导体的基本知识 1.1.1 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。导电性能介于导体与绝缘体之间材料，我们称之为半导体。在电子器件中，常用的半导体材料有：元素半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等；化合物半导体，如砷化镓（GaAs）等；以及掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（B）、磷（P）、锢（In）和锑（Sb）等。其中硅是最常用的一种半导体材料。 半导体有以下特点： 1．半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间 2．半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。 3．在纯净半导体中，加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。
半导体厂GAS系统基础知识解读
GAS 系 统 基 础 知 识
概述 HOOK-UP专业认知 一、厂务系统HOOK UP定义 HOOK UP 乃是藉由连接以传输UTILITIES使机台达到预期的功能。HOOK UP是将厂务提供的UTILITIES ( 如水,电,气,化学品等),经由预留之UTILITIES连接点( PORT OR STICK),藉由管路及电缆线连接至机台及其附属设备( SUBUNITS)。 机台使用这些UTILITIES,达成其所被付予的制程需求并将机台使用后,所产生之可回收水或废弃物( 如废水,废气等),经由管路连接至系统预留接点,再传送到厂务回收系统或废水废气处理系统。HOOK UP 项目主要包括∶CAD，MOVE IN ，CORE DRILL，SEISMIC ，VACUU，GAS，CHEMICAL， D.I ,PCW,CW,EXHAUST,ELECTRIC, DRAIN. 二、GAS HOOK-UP专业知识的基本认识 在半导体厂，所谓气体管路的Hook-up（配管衔接）以Buck Gas （一般性气体如CDA、GN2、PN2、PO2、PHE、PAR、H2等）而言，自供气源之气体存贮槽出口点经主管线（Main Piping）至次主管线（Sub-Main Piping）之Take Off点称为一次配（SP1
Hook-up），自Take Off出口点至机台（Tool）或设备（Equipment）的入口点，谓之二次配（SP2 Hook-up）。以Specialty Gas（特殊性气体如：腐蚀性、毒性、易燃性、加热气体等之气体）而言其供气源为气柜（Gas Cabinet）。自G/C出口点至VMB（Valve Mainfold Box.多功能阀箱）或VMP（Valve Mainfold Panel多功能阀盘）之一次测（Primary）入口点，称为一次配（SP1 Hook-up），由VMB或VMP Stick之二次侧（Secondary）出口点至机台入口点谓之二次配（SP2 Hook-up）。
ST意法半导体代理
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理，它是欧洲大的基于收入的半导体芯片制造商。虽然意法半导体代理_ST代理公司总部和EMEA地区总部设在日内瓦，但控股公司意法半导体代理_ST代理 N.V.在荷兰阿姆斯特丹注册。 意法半导体代理_ST代理的美国总部位于德克萨斯州的Coppell。亚太地区总部位于新加坡，日本和韩国业务总部位于东京。大中华区的公司总部位于上海。 意法半导体代理_ST代理成立于1987年，由意大利的半导体公司SGS Microelettronica（SocietàGeneraleSemiconduttori）和法国Thomson的半导体部门Thomson Semiconducteurs合并而成。在合并时，意法半导体代理_ST代理被称为SGS-THOMSON，但在Thomson SA 作为所有者撤回后于1998年5月取得现在的名称-意法半导体代理 _ST代理。 SGS Microelettronica和Thomson Semiconducteurs都是历史悠久的半导体公司。 SGS Microelettronica始于1972年，此前两家公司合并： ATES（Aquila Tubi e Semiconduttori），一家真空管和半导体制造商，总部位于阿布鲁兹市的拉奎拉市，于1961年更名为Azienda
厂商介绍
1.EPCOS即爱普科斯，总部在德国慕尼黑，是世界上最大的电子元器件制造商之一。其前身是西门子松下有限公司 epcos（Siemens Matsushita Components），它于1989年在德国慕尼黑成立。产品主要市场在通信领域、消费领域、汽车领域及工业电子领域。 2009年10月1日，爱普科斯与TDK元件事业部合并，由位于日本的TDK-EPC公司（简称TDK-EPC）管理。从2009年10月底开始，TDK-EPC公司和关联的TDK公司持有爱普科斯公司的全部股份。由于这次合并，爱普科斯从2009年11月开始在所有德国证券交易所停止上市。 概述 2.威世（VISHAY）集团成立于1962年，总部位于美国宾夕法尼亚洲。40多年中威世集团通过科技创新和不断的并购, 迅速发展成为世界上最大的分离式半导体和无源电子器件制造商之一。目前集团已有69个制造基地遍布全球17个国家，其中中国大陆有7家制造业工厂分别坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集团被美国财富杂志评为半导体领域“2004、2005年度全美最让人钦佩的公司”。其产品被广泛地应用于工业、计算机、汽车、消费品、电信、军事、航空和医药等领域的各种电子仪器和设备上。威世的足迹遍布全球，包括在中国和其它亚洲国家、以色列、欧洲和美洲的制造基地，以及在全球范围内的销售办事处。 威世集团强调以人为本的经营理念，注重员工的学习和发展。我们将以充满活力的企业文化，富有挑战的工作机会和具有竞争力的薪酬福利向优秀人才敞开怀抱。 3.NXP:恩智浦半导体是一家领先的半导体公司，由飞利浦在 50 多年前创立。公司总部位于欧洲，在全球 20 多个国家拥有 31,000 名员工，2007 年公司营业额达到 63 亿美元（包括手机及个人移动通信业务）。恩智浦提供半导体、系统解决方案和软件，为电视、机顶盒、智能识别应用、手机、汽车以及其他形形色色的电子设备提供更好的感知体验。 4.Exar致力于为工业、数据通信、和存储应用业提供卓尔不群的芯片、软件和子系统解决方案。将近40年，Exar凭借对终端用户市场的精深了解以及领先的模拟、数字和混合技术，以创新的解决方案满足世界互联的要求。Exar产品涵盖电源管理和接口组件、通信产品、存储优化解决方案、网络安全、以及应用服务处理器(ASP)。Exar的分支机构遍布全球，保障实时的客户支持，从而快速推动产品开发。 5.SIPEX Sipex 全称: Sipex Corporation （西伯斯公司）Sipex是一家设计、生成和销售高性能高附加值的模拟集成电路的半导体公司。其产品为从事互联网、计算机、通讯及光存储器等高增长市场业务的原始设备制造商（OEMs）所广泛使用。Sipex 公司设计、生产、销售高性能、高附加值模拟IC。生产的产品主要面向三个快速增长的市场：数据通讯和通信、电池/便携产品、工业控制/仪器。该公司的主要产品线包括：接口电路、低功率特殊应用模拟IC和数据转换产品。基于这三大系列产品，Sipex独特的定位是：向全球众多制造有线和无线数据通讯硬件、网络和远程通讯设备以及便携式设备等的数以千计的顾客提供完整的模拟器件解决方案。从1992年至今，Sipex公司已经发布了一百多个品种的高性能模拟IC。该公司总部设在美国马萨诸塞州，在加州、马萨诸塞州拥有生产据点和产品设计中心。以很小封装提供更高的电源效率、更低的静态电流和更长的电池寿命。此系列产品中包括了低回动线性调节器、DC/DC转换调节器、PWM控制器、电荷泵及微处理器监控器。Sipex公司为串行收发器提供最广泛的选择。其包括支持RS-232、RS-422或RS-485的单协议集成电路，以及支持2-8种最常用的接口标准的双协议集成电路和多协议集成电路。光存储产品支持更快的读取速度，而读取DVD-R/W、DVD-RAM和CDRW等系统的激光头时的轨迹也更小。这些产品包括了光电检测器集成电路、激光二极管
意法半导体公司产品导购手册
意法半导体 意法半导体 （ ST ）公司成立于 1987 年，是意大利 SGS 半导体公司和法国汤姆逊半导体合并后的新企业，公司总部设在瑞士日内瓦。公司创立目标是在亚微米时代挤身于世界一流的半导体公司之列。新公司采纳并实施一个锐意进取的公司发展战略，将大量的资金投入到产品技术的研发活动中，与业绩优异的客户和享誉全球的学术机构建立战略联盟，在主要的经济地区建立集研发、制造和销售于一体的业务网络，力争成为世界上生产效率最高的制造公司之一。 ST 是世界上最大的半导体公司之一， 2006 年净营业收入 98.5 亿美元。 ST 还是多个领域的市场领导者，例如：据初步的工业数据显示， ST 是世界第五大半导体公司，模拟产品、模拟专用集成电路（ AASIC ）和模拟专用标准产品（ ASSP ）的销售额居市场领先水平。 ST 是第一大手机相机模块供应商和第二大分立器件供应商，第三大 NOR 闪存供应商，在汽车电子、工业用产品和无线应用领域，市场排名居第三。 ST 同时是全球第一大的机顶盒和电源管理芯片制造商。在中国市场上， ST 是 2005 年第三大半导体供应商。 相关产品 ?S T7单片机 ?S TM8单片机 ?S TM32单片机 ?I GBT ?功率放大器
?L DO ST7单片机 ST7系列单片机的内核是一个8位CPU，CPU中具有6个内部寄存器。ST7系列单片机内部集成低电压检测器（LVD）、看门狗、高抗干扰的电磁兼容电路。通过编程可实现读/写保护、多种低功耗模式等，片上外设包括10位多通道A/D转换器、SCI、SPI、I2C、USB和CAN接口，还有各种8位和16位带PWM功能的定时器。 它的复位和时钟电路可以不用任何外部组件，内部的低电压检测器和一个完整的1% RC振荡器就能确保充分安全地启动单片机工作，从而是其应用成本降至最低。 ST7系列单片机都建立在一个满足通用工业标准的8位CPU之上，具有增强的指令集。ST7系列的闪存具有可逐字节在线编程和在应用中编程的功能。ST7系列单片机有等待、慢速、暂停、掉电等多种低功耗工作模式。 ST7单片机最新报价 产品型号产品描述价格($) ST72F60K1U1TR MCU 8BIT LS USB 4KB FLASH 40-QFN 0.776 ST72F60K1U1TR MCU 8BIT LS USB 4KB FLASH 40-QFN 1.903 ST7FLITES5Y0M6 MCU 8BIT 1K FLASH 16SOIC 1.452 ST72F60E1M1 MCU 8BIT LS USB 4KB FLASH 24SOIC 1.848 ST72F63BD6U1TR MCU 8BIT LS USB 32KB FLSH 40-QFN 2.213 ST72F63BD6U1TR MCU 8BIT LS USB 32KB FLSH 40-QFN 3.967 ST7FLIT19BY1B6 IC MCU 8BIT 4K FLASH 16DIP 2.555 ST7FLIT19BF1M6 IC MCU 8BIT 4K FLASH 20SOIC 2.705 ST7FLIT19BF1B6 IC MCU 8BIT 4K FLASH 20DIP 2.553 ST7FLITE15F1M6 MCU 8BIT 4K FLASH 20SOIC 2.477 ST7FLITE20F2B6 IC MCU 8BIT 8K FLASH 20DIP 3.103 ST7FLITE19F1M6 IC MCU 8BIT 4K 20-SOIC 3.19 ST72F324LJ2T5 IC MCU 8BIT 8K FLASH 44-LQFP 2.652 ST7FLITE25F2B6 IC MCU 8BIT 8K FLASH 20DIP 2.867 ST72F324BJ2T6 IC MCU 8BIT 8K FLASH 44-LQFP 2.918
第一章半导体基础知识(精)
第一章半导体基础知识 〖本章主要内容〗 本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义，工作状态或工作区的分析。 首先介绍构成PN结的半导体材料、PN结的形成及其特点。其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及应用举例。然后介绍两种三极管（BJT和FET）的结构原理、伏安特性、主要参数以及工作区的判断分析方法。〖本章学时分配〗 本章分为4讲，每讲2学时。 第一讲常用半导体器件 一、主要内容 1、半导体及其导电性能 根据物体的导电能力的不同，电工材料可分为三类：导体、半导体和绝缘体。半导体可以定义为导电性能介于导体和绝缘体之间的电工材料，半导体的电阻率为10-3～10-9 cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别：当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化；往纯净的半导体中掺入某些特定的杂质元素时，会使它的导电能力具有可控性；这些特殊的性质决定了半导体可以制成各种器件。 2、本征半导体的结构及其导电性能 本征半导体是纯净的、没有结构缺陷的半导体单晶。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”，它在物理结构上为共价键、呈单晶体形态。在热力学温度零度和没有外界激发时,本征半导体不导电。 3、半导体的本征激发与复合现象 当导体处于热力学温度0 K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚而参与导电，成为自由电子。这一现象称为本征激发（也称热激发）。因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。 游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合。 在一定温度下本征激发和复合会达到动态平衡，此时，载流子浓度一定，且自由电子数和空穴数相等。 4、半导体的导电机理 自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，因此，在半导体中有自由电子和空穴两种承载电流的粒子（即载流子），这是半导体的特殊性质。空穴导电的实质是:相邻原子中的价电子（共价键中的束缚电子）依次填补空穴而形成电流。由于电子带负电，而电子的运动与空穴的运动方向相反，因此认为空穴带正电。
全球著名半导体厂家简介
德州仪器(TI) LOGO： 德州仪器（Texas Instruments），简称TI，是全球领先的半导体公司，为现实世界的信号处理提供创新的数字信号处理(DSP)及模拟器件技术。除半导体业务外，还提供包括传感与控制、教育产品和数字光源处理解决方案。TI总部位于美国得克萨斯州的达拉斯，并在25多个国家设有制造、设计或销售机构。 德州仪器 (TI) 是全球领先的数字信号处理与模拟技术半导体供应商，亦是推动因特网时代不断发展的半导体引擎。 ----作为实时技术的领导者，TI正在快速发展，在无线与宽带接入等大型市场及数码相机和数字音频等新兴市场方面，TI凭借性能卓越的半导体解决方案不断推动着因特网时代前进的步伐！ ----TI预想未来世界的方方面面都渗透着 TI 产品的点点滴滴，您的每个电话、每次上网、拍的每张照片、听的每首歌都来自 TI 数字信号处理器 (DSP) 及模拟技术的神奇力量。 网址：https://www.wendangku.net/doc/9914002528.html, 意法半导体（ST） LOGO： 意法半导体（ST）集团于1987年6月成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectroni cs将公司名称改为意法半导体有限公司 意法半导体是世界最大的半导体公司之一，2006年全年收入98.5亿美元，2007年前半年公司收入46.9亿美元。 公司销售收入在半导体工业五大高速增长市场之间分布均衡（五大市场占2007年销售收入的百分比）：通信（35%），消费（17%），计算机（16%），汽车（16%），工业（16%）。 据最新的工业统计数据，意法半导体是全球第五大半导体厂商，在很多市场居世界领先水平。例如，意法半导体是世界第一大专用模拟芯片和电源转换芯片制造商，世界第一大工业半导体和机顶盒芯片供应商，而且在分立器件、手机相机模块和车用集成电路领域居世界前列。 网址：https://www.wendangku.net/doc/9914002528.html,
意法半导体(ST)新的32位系列Cortex-M3内核微控制器重塑MCU市场
意法半导体（ST)新的32位系列Cortex-M3内核微控制器重塑MCU 市场 --STM32 MCU系列大幅度提高了嵌入式系统的性价比和功耗水准 中国，2007年6月11日--世界领先的半导体制造厂商意法半导体（纽约证券交易所：STM）今天推出一个新的32位微控制器系列产品，新产品所用微处理器是ARM公司为要求高性能（1.25 Dhrystone MIPS/MHz）、低成本、低功耗的嵌入式应用专门设计的ARM ?Cortex?-M3内核。STM32系列产品得益于Cortex-M3在架构上进行的多项改进，包括提升性能的同时又提高了代码密度的Thumb-2指令集和大幅度提高中断响应的紧耦合嵌套向量中断控制器，所有新功能都同时具有业界最优的功耗水平。ST是Cortex-M3内核开发项目的一个主要合作方，现在是第一个推出基于这个内核的主要微控制器厂商。 以实现出色的性能和能效为设计目标，同时保留开放工业标准的ARM架构和开发环境的优点，STM32系列产品按性能又分成两个不同的系列：STM32F103“增强型”系列和 STM32F101“基本型”系列。增强型系列时钟频率达到72MHz，是同类产品中性能最高的产品；基本型时钟频率为36MHz，以16位产品的价格得到比16位产品大幅提升的性能，是16位产品用户的最佳选择。两个系列都内置32K到128K的闪存，不同的是SRAM的最大容量和外设接口的组合。时钟频率72MHz时，从闪存执行代码，STM32功耗仅36mA，是32位市场上功耗最低的产品，相当于0.5mA/MHz。
Cortex-M3内核主打存储器和处理器的尺寸对产品成本影响极大的各种应用市场，是针对这些市场的低成本需求，专门开发设计的微处理器内核。Cortex-M3内核增强了芯片上集成的各种功能，包括把中断之间延迟降到6个CPU周期的嵌套向量中断控制器、允许在每一个写操作中修改单个数据位的独立位操作、分支指令预测、单周期乘法、硬件除法和高效的 Thumb 2指令集，这些改良技术使Cortex-M3内核具有优异的性能、代码密度、实时性和低功耗。 STM32采用2.0到3.6V电源，当复位电路工作时，在待机模式下最低功耗2μA，因此最适合电池供电的应用设备。其它省电功能包括一个集成的实时时钟、一个专用的32kHz振荡器和四种功率模式，其中实时时钟含有一个电池操作专用引脚。 “直到现在，16位和32位的设计工程师还要面对很多困难的选择，例如，他们必须在性能、成本、功耗等因素之间做出折衷和取舍，决定使用业界标准还是使用某一公司独有的平台，”ST微控制器产品部总经理Jim Nicholas表示，“通过消除这些需要折衷的因素，STM32走在了融合16位和32位微控制器市场的前列。” 在性能方面，STM32系列的处理速度比同级别的基于ARM7TDMI的产品快30%，换句话说，如果处理性能相同，STM32产品功耗比同级别产品低75%。同样地，使用新内核的Thumb 2指令集，设计人员可以把代码容量降低45%，几乎把应用软件所需内存容量降低了一半。此外，根据Dhrystones和其它性能测试结果，STM32的性能比最好的16位架构至少高出一倍。 新产品提供多达128KB的嵌入式闪存、20KB的RAM和丰富的外设接口，包括两个12位模数转换器（1微秒的转换时间）、三个USART、两个SPI（18MHz主/从控制器）、两个I2C、三个16位定时器（每个定时器有4个输入捕获模块/4个输出比较器/4个PWM控制器），以及一个专门为电机控制向量驱动应用设计的内嵌死区时间控制器的6-PWM定时器、USB、CAN和7个DMA通道。内置复位电路包括上电复位、掉电复位和电压监控器，以及一个可用作主时钟的高精度工厂校准的8MHz阻容振荡器、一个使用外部晶振的4-16MHz振荡器和两个看门狗。因为集成度如此之高，除一个电源外，LQFP100封装产品的最小系统只需要7个电容器。 除工业可编程逻辑控制器（PLC）、家电、工业及家用安全设备、消防和暖气通风空调系统等传统应用，智能卡和生物测定等消费电子/PC应用外，新的STM32系列还特别适合侧重低功耗的设备，如血糖和血脂监测设备。 “融低功耗、易用性和低成本于一身的STM32系列克服了现有的阻碍32位微控制器推广应用的全部问题，”Nicholas表示，“我们相信STM32将满足每一个设计人员的期望。未来的STM32系列产品将扩充已有的功能选项，达到512KB闪存和64KB SRAM以及更多的功能。” STM32系列产品配有成套的ST和第三方的开发工具。ST提供一个评估板、USB开发工具包和一个免费的软件库。Hitex、IAR、Keil和Raisonance不久将在经过验证的基于ARM 内核的工具解决方案的基础上推出入门级开发工具。目前，Hitex、IAR、Keil、Raisonance 和Rowley的工具链支持STM32。