三极管参数测试(借鉴分享)

简易半导体三极管参数测试仪

摘要:三极管特性参数测试系统以AT89S52单片机最小系统为核心，应用

ADC0804 和运放组成数据采集电路，DAC7528和精密电阻组成数控电压源。整个系统采用模块化设计，能较精确的对三极管交直流放大系数、集电极——发射极反向击穿电压和反向饱和电流等特性参数进行测量。利用单片机将采集所得的数据进行处理，并通过 LCD 对各项参数和输入输出曲线进行显示。关键词: 单片机三极管采样特性参数系统测试

Abstract：

The system is a characteristic parameters test system of transistor based on AT89S52 SCM system as the core chip .With AD0804 and op-amp making up data acquisition circuit, and with DAC7528 and precise resistance composing digital control voltage source. The whole system uses modular design, it can measure the characteristics parameters of transistor, like ac/dc amplification coefficient of transistor, the collector or emitter reverse breakdown voltage and reverse saturation current. The acquired data processed by SCM system, then the various parameters, the input and output curve will display on the LCD.

Key word: SCM transistor sample characteristic parameter test system

引言:

在模拟电子线路设计、测试、调试时，我们经常要对半导体三极管放大系数、反向击穿电压、反向饱和电流、晶体管的输入输出特性曲线、延迟时间、晶体管开启时间、存贮时间等多种参数进行测量。但是传统的半导体三极管特性参数、放大倍数等的测试主要采用晶体管特性图示仪或万用表。晶体管特性图示仪可以显示三极管的输入、输出特性曲线，估读直流、交流放大倍数等，但其测量准确度不高，携带不方便，而万用表只能测晶体管的直流放大倍数，并且误差较大,不能显示晶体管的特性曲线。因此设计了一个简易半导体三极管参数测试仪，使它具有测量三极管交直流放大系数、集电极——发射极反向击穿电压和反向饱和电流等特性参的功能。

1方案论证及原理分析

1.1总体方案(框图)

系统设计方案如图一所示，主要包括测试部分，采样部分，数据处理部分和显

示部分。

通过数控恒压源与数控恒流源提供三极管集电极和基极电压，然后分别通过电压跟随，差分放大和反向电路获得基极、集电极电压，电流送入由ADC0804为核心的采样电路，再在单片机中进行数据处理，最后由显示电路将所测参数在LCD 上显示出来。而根据任务要求及电路的实际情况，采样电路的输入电压要不能太小，否则造成测试结果不准确，因此在采样电路前加了一个放大电路。

1.2 主要单元方案论证及选择

1.2.1 测试采样部分

方案一：采用基极和集电极电阻两端直接测电压。此方法简单，易于操作，但精度不高。

方案二：如下图二所示，A/D 转换器是本系统参数测量系统的核心部件， 它把采集的模拟量变换成数字信号， 送到单片机中进行处理。 在设计中对 ADC0804 的转换速度、 精度和器件成本满足系统要求的情况下，选用了 8路8位A/D 转换器 ADC0804。利用两路数据采集电路分别对基极电压和集电极电阻两端电压进行采样。 基极和集电极电阻两端的电压采用具有高精度、 低漂移的差分放大器进行放大。 若所测三极管为PNP 型管， 则经过反向比例电路转换为NPN 型管。电路转换为成正电压以满足 ADC0804 采样的需要。为了测得放大系数β的值，根据β=Ic/Ib 的基本原理，我们需要组建用于NPN 型三极管β参数的放大电路。主要由数控电源、三极管、放大电路和采样电路组成。 参数测量步骤如下：

三极管 放大电路 采样电路

单片机最小系统 数控电源

键盘

显示电路

图一

（1） 判断三极管工作类型

若Vb-Vc>0，则三极管为NPN 型； 相反若Vb-Vc<0，则三极管为PNP 型。 （2）参数测量

测量三极管β参数的前提就是要使三极管工作再放大状态，通过该电路，测得A/D 转换器D0~D7点的电压值。再根据β=Ic/Ib 计算出β的值。 例：若三极管工作在PNP 模式，则经过设计电路放大，反向后得到NPNz 正向电压满足A/D 的要求。 从而可得：

Ic=(D2-D0)/Rc ； Ib=(D6-AD4)/Rb ； 所以β=Ic/Ib 。

因此采用方案二处理， 电路结构较简单， 比采用基极和集电极电阻两端直接测电压的方法测量精度高。

1.2.2 数据处理部分

该部分由单片机、电子开关构成。由A/D 转化器将测得的模拟信号转换为数字信号后，送入单片机进行数据处理。这部分主要由软件来控制，通过将软件下载到单片机，进行数据处理。再由电子开关对单片机进行控制，显示所要求测

数控电流源

数控电压源

Rb

100k -5V---5V 放大

跟随 跟随

差分

放大

跟随 跟随

差分 放大

反相

放大

反相

反相

反相

D/A

D/A

Rc

图二

D0 D1 D2 D3 D4 D5D6 Vc

Vb

D7 A/D

得的交直流放大系数，反向击穿电压和反向饱和电流和各项参数的输入输出曲线。

1.2.3 显示部分

该部分由LCD 液晶显示器锁存器和稳压器组成。由单片机输入处理后的信号进入锁存器，最后在LCD 上显示出来所要求的测试参数和曲线。LCD 具有低压微功耗，显示信息量大（像素很小）等特点。因此更容易驱动和显示较清晰地曲线图。设计框图如图三所示：

锁存器

LCD 显示器

稳压器

+3.3V v

图四

A/D

单片机

数据处理

电子开关

A/D

LCD 显示

图三

2硬件部分

2.1部分模块电路

为了完成本次设计的要求，我们制作了三个电路板，包括测试电路板，单片机小系统板，LCD显示电路板。

2.1.1测试电路模块

测试电路板由数控电源、三极管、放大器构成。该放大电路分别又由两个TL084放大电路和两个TL082放大电路组成。

2.1.2单片机小系统模块

单片机小系统板由单片机模块，A/D模块，D/A模块，电源模块，按键及复位模块和电子开关构成。

三极管的识别检测教学方案计划设计

《三极管的识别和检测》 教 学 设 计

江苏省靖江中等专业学校 教学设计思想 对于高职院校五年制大专电子专业的学生来讲，《电子产品的装配与调试》是一门理论与实践紧密结合的课程。这门功课是学生通向就业之路的大门，也是电子类学生必须掌握的一门专业技能课。 《电子产品的装配与调试》在专业学习中占据了比较重要的地位，但是它也是很多学生学习的难点。传统的授课方式无法满足学生的学习需要，实践性强是这门功课最显著的特点，因此，如何改变传统教学模式，围绕教、学、做为一体，项目式、一体化教学一直是我们探索和实践的方向。下面我通过三极管的识别和检测这一教学章节的具体教学实践，具体阐述我的教学思想和方案。 教学思想：采用项目引领，任务驱动的模式，通过任务驱动和教师引导让学生自主学习动手参与。 一、以“情境聚焦”激发学习兴趣 学生的学习兴趣是学生学习的动力，也是学好一门功课的基础。对于一门比较枯燥的专业课来讲，如何激发学生的学习兴趣至关重要。在设计这节课的教学环节时，所

有任务的提出都采用“情境聚焦”的方式，例如：由音乐门铃引出三极管，由实物、图片引出认识三极管。通过我们日常生活中常见的现象引出课题，同时在授课过程中多采用多媒体教学手段，以播放视频、动画等方式让学生集中注意力，这样就可以把学生的学习兴趣激发出来，让他们带着热情去了解枯燥的知识点。 二、以“项目总结”梳理学习要点 这节课的教学过程总共提出了三个学习任务及拓展任务，在每个教学环节结束，我都会根据学生看一看、听一听和做一做等学习步骤得出的结论进一步进行总结和归纳，形成学习要点。学生要做的就是掌握这些知识点并把这些知识点应用到具体的实践操作中去。 三、以“思考实践”巩固学习效果 做中学，教中做，教、做、学一体式本堂课的主要教学特点。课堂中，老师把大量的教学内容用提问的方式给出，引发学生思考，引导他们自己寻求答案，而老师只需要把他们的答案进行系统的总结归纳。学习效果的巩固则依靠操作过程来完成，真正使学生做到融学于做。 教学方案

常用高清行管和大功率三极管主要参数表

常用高清行管和大功率三极管主要参数表 2010-03-02 10:33:54 阅读78 评论0 字号：大中小 高清彩电行管损坏的原因及代换 现在，大屏幕彩色电视大都是数字高清，原来50Hz的场扫描频率接近人眼感知频闪的临界点，所以高清电视都是提高扫描频率来提高图像的清晰度，即将场扫描提高到100Hz或是60Hz逐行，这样就会使行扫描的频率提高一倍，自然行输出管的开关速度和功耗都会随之增加，普通的行输出管已经不能胜任，要采用性能更好的大功率三极管。目前采用的行管有：C5144、C5244、J6920、C5858、C5905等，这些行输出管的耐压都在1500V以上，电流多大于20A，但是由于其功耗比较大，损坏率还是比较高。归纳起来，其损坏的原因一般有以下六种。 1. 行激励不足 如果行激励不足，行管不能迅速截止与饱和，导致行管内阻变大，将造成行输出电路的功耗增加，引起行输出管发烫，一旦超过行管功耗的极限值，便会使行管烧坏。 在海信高清电视中，行振荡方波信号是由数字变频解码板输出，经过一对三极管2SC1815、2SA1015放大后，送到行激励管的基极。这两个三极管工作在大电流开关状态，故障率相对较高，损坏后就会造成行激励不足，损坏行输出管，对比可以用示波器测量行管基极的波形来确定。另外，行管基极的限流电阻阻值一般为Ω，与行管的发射极串联，再与行激励变压器并联，若是阻值增大有可能用普通万用表测不出来。我们曾经修过多例次电阻增值到2Ω以上而导致开机几分钟后行管损坏的故障，且损坏行管的比例较大。 2. 行逆程电压过高 在行逆程期间，偏转线圈会对逆程电容充电，逆程电容容量大小决定充电的时间。容量越小，充电时间越短，充电电压越高，因而会产生很高的反峰脉冲电压。所以，当行一旦超过行管的耐压值，就会出现屡烧行管的结果。我们在测量逆程电容时，一般是测量电容的直流参数，而一些ESR等交流参数无法测量，所以最好是代换较可靠。 3. 行偏转线圈或行输出变压器局部短路造成行负责过重 常见场输出集成电路击穿导致行偏转线圈或行输出变压器绝缘性能下降，产生局部短路、行输出逆程电容漏电等。如果保护电路性能不完善，则会引起行管过流损坏。海信高清电视由于电源保护措施比较完善，所以这种情况不多见，表现出来的现象是行一开机就停。 4. 电源电压升高 电源电压升高会导致行逆程电压升高。现在的高清电视电源一般都是模块化的，电源设计比较合理，保护功能全，不像以前的老式电源电路，电源电压升高造成击穿行管的故障相对比较少。 5. 行管的型号和参数不对 这种情况在专业的厂家售后一般不会出现，但是作为个体维修或是业余维修就可能遇到。高清电视行管的功率大、频率高，最好用同型号行管代换。有的行管发射结没有并联电阻，如果采用普通行管，发射结并联电阻的阻值比较小，会造成基极驱动电流小，激励不足，行电流过大（正常高清行电流在500mA~600mA）而再次损坏。更换行管后测量行电流，如果原行推动变压器次级并联有缓冲电阻的，可将电阻阻值增大，甚至拿掉；如果行管发射极串联有负反馈电阻或是基极有限流电阻的，可减小该电阻阻值，再次测量行电流，如果行电流减小就适当改变这两个电阻的阻值。 6. 其他 像阻尼二极管开路、高压打火、显像管内部跳火、行信号反馈电路有故障、更换后的行管

各三极管参数大全

HIT5609 NPN 三极管 △主要用途： 主要用于开关、音频放大，适用于应急灯、电动玩具等电子产品。（与HIT5610 互补） △极限值（TA=25℃） △电参数（Ta=25℃） 参数符号测试条件最小值典型值最大值单位 集电极漏电流 I CBO V CB=25V,I E=0 100 nA 发射极漏电流 I EBO V BE=5V,I C=0 100 nA 基极漏电流 I CEO V CE=20V,I B=0 5 μA 集电极、发射极击穿电压 BV CEO I C=10mA,I B=0 20 V 发射极、基极击穿电压 BV EBO I E=1mA,I C=0 6 V 集电极、基极击穿电压 BV CBO I C=100μA,I E=0 25 V 集电极、发射极饱和压降 V CE(sat) I C=0.8A,I B=0.08A 0.5 V 基极、发射极饱和压降 V BE(on) V CE=2V,I C=0.5A 1.0 V 直流电流增益 H FE1 V CE=2V,I C=0.5A 120 240 H FE2 V CE=2V,I C=1mA 105 H FE3 V CE=2V,I C=10mA 110 脉冲方式测试：PW≤300μs;占空比≤2% 实际分如档： B C1 C2 120-160 160-200 200-240 脚位排列与快捷三星 相同 TO-92 1. 发射极 E 2. 集电极 C 3. 基极 B 参数符号标称值单位 集电极、基极击穿电压 V CBO 25 V 集电极、发射极击穿电压 V CEO 20 V 发射极、基极击穿电压 V EBO 5 V 集电极电流 I C 1.5 A 集电极功率 P C 2 W 结温 T J 150 ℃ 贮存温 T STG -55-150 ℃ 名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管 D633 28 NPN 音频功放开关100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大 30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8550

S9013三极管

9013三极管 三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。s9013 NPN三极管主要用途：作为音频放大和收音机1W推挽输出。 1型号对比 s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极b基极c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c，s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。用下面这个引脚图(管脚图)表示： 三极管引脚图 9013三极管[1] e b c 当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。 非9014,9013系列三极管管脚识别方法： (a) 判定基极。用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。

三极管参数查询表共24页文档

三极管参数查询表 名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管D633 28 NPN 音频功放 100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大 30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用 60V 0.8A 0.5W 25／200NS 2N2369 4A NPN 开关 40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用 60V 0.6A 0.4W 26／70NS 2N3055 12 NPN 功率放大 100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开 450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放 160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用 60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用 40V 0.2A 2N2222A 21铁 NPN 高频放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁 NPN 音频功放 100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放 60V 50A 300W

实验二极管和三极管的识别与检测实验报告

实验 二极管和三极管的识别与检测 一、实验目的 1.熟悉晶体二极管、三极管的外形及引脚识别方法。 2.熟悉半导体二极管和三极管的类别、型号及主要性能参数。 3.掌握用万用表判别二极管和三极管的极性及其性能的好坏。 二、实验仪器 1.万用表 2.不同规格、类型的半导体二极管和三极管若干。 三、实验步骤及内容 1.利用万用表测试晶体二极管 （1）鉴别正负极性 机械万用表及其欧姆档的内部等效电路如图所示。 图中E 为表内电源，r 为等效内阻，I 为被测回路中的实际电流。由图可见，黑表笔接表内电源的正端，红表笔接表内电源的负端。将万用表欧姆档的量程拨到100?R 或K R 1?档，并将两表笔分别接到二极管的两端如图所示，即红表笔接二极管的负极，而黑表笔接二极管的正极，则二极管处于正向偏置状态，因而呈现出低电阻，此时万用表指示的电阻通常小于几千欧。反之，若将红表笔接二极管的正极，而黑表笔接二极管的负极，则二极管被反向偏置，此时万用表指示的电阻值将达几百千欧。 电阻小电阻大 （2）测试性能 将万用表的黑表笔接二极管正极，红表笔接二极管负极，可测得二极管的正向电阻，此电阻值一般在几千欧以下为好。通常要求二极管的正向电阻愈小愈好。将红表笔接二极管正极，黑表笔接二极管负极，可测出反向电阻。一般要求二极管的反向电阻应大于二百千欧以上。 若反向电阻太小，则二极管失去单向导电作用。如果正、反向电阻都为无穷大，表明管子已断路；反之，二者都为零，表明管子短路。 2.利用万用表测试小功率晶体三极管 （1）判定基极和管子类型 由于基极与发射极、基极与集电极之间，分别是两个PN 结，而PN 结的反向电阻值很大，正向电阻值很小，因此，可用万用表的100?R 或K R 1?档进行测试。先将黑表笔接晶体管的某一极，然后将红表笔先后接其余两个极，若两次测得的电阻都很小，则黑表笔接的为NPN 型管子基极，如图所示，若测得电阻都很大，则黑表笔所接的是PNP 型管子的基极。若两次测得的阻值为一大一小，则黑表笔所接的电极不是三极管的基极，应另接一个电极重新测量，以便确定管子的基极。

三极管的主要参数

三极管的主要参数 1、直流参数 (1)集电极一基极反向饱和电流Icbo,发射极开路(Ie=0)时,基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb 时的集电极反向电流,它只与温度有关,在一定温度下是个常数,所以称为集电极一基极的反向饱和电流.良好的三极管,Icbo很小,小功率锗管的Icbo约为1~10微安,大功率锗管的Icbo可达数毫安,而硅管的Icbo则非常小,是毫微安级. (2)集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流)基极开路(Ib=0)时,集电极和发射极之间加上规定反向电 压Vce时的集电极电流.Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极大,它们是衡量管子热稳定性的重要参数,其值越小,性能越稳定,小功率锗管的Iceo比硅管大. (3)发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时,在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的 电流,它实际上是发射结的反向饱和电流. (4)直流电流放大系数β1(或hEF) 这是指共发射接法,没有交流信号输入时,集电极输出的直流电流与 基极输入的直流电流的比值,即: β1=Ic/Ib 2、交流参数 (1)交流电流放大系数β(或hfe) 这是指共发射极接法,集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流 的变化量△Ib之比,即: β= △Ic/△Ib 一般晶体管的β大约在10-200之间,如果β太小,电流放大作用差,如果β太大,电流放大作用虽然大,但性能往往不稳定. (2)共基极交流放大系数α(或hfb) 这是指共基接法时,集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的 变化量△Ie之比,即: α=△Ic/△Ie 因为△Ic<△Ie,故α<1.高频三极管的α>0.90就可以使用 α与β之间的关系: α= β/(1+β) β= α/(1-α)≈1/(1-α) (3)截止频率fβ、fα当β下降到低频时0.707倍的频率,就是共发射极的截止频率fβ;当α下降到低频 时的0.707倍的频率,就是共基极的截止频率fαo fβ、fα是表明管子频率特性的重要参数,它们之间的关系为: fβ≈(1-α)fα (4)特征频率fT因为频率f上升时,β就下降,当β下降到1时,对应的fT是全面地反映晶体管的高频放 大性能的重要参数. 3、极限参数 (1)集电极最大允许电流ICM 当集电极电流Ic增加到某一数值,引起β值下降到额定值的2/3或1/2, 这时的Ic值称为ICM.所以当Ic超过ICM时,虽然不致使管子损坏,但β值显著下降,影响放大质量. (2)集电极----基极击穿电压BVCBO 当发射极开路时,集电结的反向击穿电压称为BVEBO. (3)发射极-----基极反向击穿电压BVEBO 当集电极开路时,发射结的反向击穿电压称为BVEBO. (4)集电极-----发射极击穿电压BVCEO 当基极开路时,加在集电极和发射极之间的最大允许电压,使用 时如果Vce>BVceo,管子就会被击穿.

晶体管测试仪使用说明

晶体管测试仪使用说明 输入电压：直流6.8V-12V 工作电流30mA左右，输入7.5V直流电压时实测 ●晶体管测试仪控制 测试仪由一个旋转编码器开关控制，旋转编码器开关一共可以有4种操作，短按、长按、左旋、右旋。 在关机状态下短按一次，就能打开电源，开始测试。 在一次测试完成后，如果没有检测到器件。长按开关或者左右旋转开关可以进入功能菜单，进入功能菜单后，左旋或者右旋开关可以在菜单项上下选择，要进入某一个功能项，则短按一次开关。当需要从某个功能里退出时，则长按开关。 ●测试器件 测试仪一共有3个测试点，TP1、TP2、TP3。这三个测试点在测试座里的分布如下：

在测试座的右边是贴片元件的测试位置，上面分别有数字1,2,3,各代表TP1、TP2、TP3 测试只有2个引脚的元件时，引脚不分测试顺序，2个引脚任意选择2个测试点，3个脚的器件引脚分别放到三个测试点中，不分顺序。经过测试后，测试仪自动识别出元件的引脚名称、所在的测试点，并显示在屏幕上。 测试只有2个脚的元件时，如果使用的是TP1和TP3两个测试点，则测试完成后自动进入连续测试模式，这样可以连续的同步测量TP1和TP3上的元件，不用再按开关。如果使用的是“TP1和TP2”或者“TP2和TP3”测试，则只测试一次。要再一次测试则按一次开关。 测试电容器前，先给电容器放电，再插入测试座测量，否则有可能损坏测试仪的单片机。 ●校准 测试仪校准是用于消除自身元器件的误差，使得最后的测试结果更加精确。校准分为快速校准和全功能校准。 快速校准的操作方法：用导线将三个测试点TP1、TP2、TP3短接，然后按下测试按钮，同时注意观察屏幕。屏幕颜色会变成黑底白字，在出现提示信息”Selftest mode..? ”后，按一下测试按钮，就进入到快速校准过程；如果在出现提示信息“Selftest mode..?”后，2秒钟内没有按键，则进行一次正常的测试过程，最后显示出短接TP1、TP2、TP3三个测试点导线的电阻值。进入快速校准过程后，屏幕上会出现一些数据，不用管他。等待直到屏幕上出现闪烁的字符串“isolate Probes!”后，去掉短接TP1、TP2、TP3的导线。直到屏幕出现字符串“Test End”后，快速校准完成。首次校准时，使用全功能校准方式。 全功能校准需要从功能菜单里进入，还需要另外准备一个220nf的电容器。全功能校准执行更加全面的校准过程，会花费更长的时间。进入功能菜单后，旋转测试按钮来到菜单项“Selftest”,然后按下测试按钮就进入全功能校准过程，屏幕上首先冒出闪烁的字符串“short Probes!”, 这时和快速校准一样，用导线把三个测试点短接，等待校准过程进行，在屏幕冒出闪烁的字符串“isolate Probes!”时，去掉短接在三个测试点的导线，继续等待校准过程进行，在屏幕冒出字符串“1-||-3 > 100nf”时，把准备好的220nf电容器安装在测试点TP1和TP3上。等待直到屏幕提示“Test End”,全功能校准过程完成。 ●功能菜单 Switch off 关机。 Transistor 晶体管测试，也即是开机后的默认功能。 Frequency 测量频率。长按测试按钮可以退出频率测量功能。频率测量范围从1Hz到1MHz以上，当被测频率低于25KHz时，显示周期。 f-Generator 方波发生器，有多档方波频率可选，左旋或右旋测试按钮切换不同的方波频率，长按测试按钮退出方波发生器。 10-bit PWM 脉冲信号发生器，左旋或右旋测试按钮调节脉冲的占空比，从1% - 99%。长按测试按钮退出脉冲信号发生器。 C+ESR@TP1:3 电容在线测量功能，可以从TP1和TP3引出两根导线，对2uF-50mF 电容器在线测量其电容值和ESR，注意测试前被测电容需完全放电，如果是在线测量，电容所在的电路需完全断电后才能进行。 1- - 3 电阻连续测量方式，不断测试安装在TP1和TP3上的电阻值，电感值。被测电阻小于2100欧姆时才会测量其电感，电感测量范围从0.01mH-20H .长按测试按钮退出。

常用三极管技术参数列表

常用三极管技术参数列表 1 名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管2 D633 28 NPN 音频功放开关 100V 7A 40W 达林顿 3 9013 21 NPN 低频放大 50V 9012 4 9014 21 NPN 低噪放大 50V 150HMZ 9015 5 9015 21 PNP 低噪放大 50V 150MHZ 9014 6 9018 21 NPN 高频放大 30V 1000MHZ 7 8050 21 NPN 高频放大 40V 1W 100MHZ 8550 8 8550 21 PNP 高频放大 40V 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用 60V 25／200NS 9 10 2N2369 4A NPN 开关 40V 800MHZ 11 2N2907 4A NPN 通用 60V 26／70NS 2N3055 12 NPN 功率放大 100V 15A 115W MJ2955 12 13 2N3440 6 NPN 视放开关 450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 14 2N3773 12 NPN 音频功放开关 160V 16A 50W 15 2N3904 21E NPN 通用 60V 16 2N2906 21C PNP 通用 40V 17 2N2222A 21铁 NPN 高频放大 75V 300MHZ 2N6718 21铁 NPN 音频功放开关 100V 2A 2W 18 19 2N5401 21 PNP 视频放大 160V 100MHZ 2N5551 20 2N5551 21 NPN 视频放大 160V 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放开关 60V 50A 300W 21 22 2N6277 12 NPN 功放开关 180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放大 50V 9013 23 24 2N6678 12 NPN 音频功放开关 650V 15A 175W 15MHZ 25 9012 贴片 PNP 低频放大 50V 9013 26 3DA87A 6 NPN 视频放大 100V 1W 27 3DG6B 6 NPN 通用 20V 150MHZ 28 3DG6C 6 NPN 通用 25V 250MHZ 3DG6D 6 NPN 通用 30V 150MHZ 29 30 MPSA42 21E NPN 电话视频放大 300V MPSA92 31 MPSA92 21E PNP 电话视频放大 300V MPSA42 MPS2222A 21 NPN 高频放大 75V 300MHZ 32 33 9013 贴片 NPN 低频放大 50V 9012 34 3DK2B 7 NPN 开关 30V 35 3DD15D 12 NPN 电源开关 300V 5A 50W 36 3DD102C 12 NPN 电源开关 300V 5A 50W 37 3522V 5V稳压管 38 A634 28E PNP 音频功放开关 40V 2A 10W 39 A708 6 PNP 音频开关 80V 40 A715C 29 PNP 音频功放开关 35V 10W 160MHZ 41 A733 21 PNP 通用 50V 180MHZ A741 4 PNP 开关 20V 70／120NS 42 43 A781 39B PNP 开关 20V 80／160NS

三极管的主要参数

三极管的主要参数 三极管的参数反映了三极管各种性能的指标，是分析三极管电路和选用三极管的依据。 一、电流放大系数 1．共发射极电流放大系数 （1）共发射极直流电流放大系数，它表示三极管在共射极连接时，某工作点处直流电流IC与IB的比值，当忽略ICBO时 （2）共发射极交流电流放大系数β它表示三极管共射极连接、且UCE恒定时，集电极电流变化量ΔIC与基极电流变化量ΔI B之比，即 管子的β值大小时，放大作用差；β值太大时，工作性能不稳定。因此，一般选用β为30～80的管子。 2．共基极电流放大系数 共基极直流电流放大系数它表示三极管在共基极连接时，某工作点处IC 与IE的比值。在忽略ICBO的情况下 （2）共基极交流电流放大系数α，它表示三极管作共基极连接时，在UCB 恒定的情况下，IC和IE的变化量之比，即： 通常在ICBO很小时，与β，与α相差很小，因此，实际使用中经常混用而不加区别。 二、极间反向电流 1．集-基反向饱和电流ICBO ICBO是指发射极开路，在集电极与基极之间加上一定的反向电压时，所对应的反向电流。它是少子的漂移电流。在一定温度下，ICBO 是一个常量。随着温度的升高ICBO将增大，它是三极管工作不稳定的主要因素。在相同环境温度下，硅管的ICBO比锗管的ICBO小得多。

2．穿透电流ICEO ICEO是指基极开路，集电极与发射极之间加一定反向电压时的集电极电流。ICEO与ICBO的关系为： ICEO = ICBO＋ICBO＝（1＋）ICBO GS0125 该电流好象从集电极直通发射极一样，故称为穿透电流。ICEO和ICBO一样，也是衡量三极管热稳定性的重要参数。 三、频率参数 频率参数是反映三极管电流放大能力与工作频率关系的参数，表征三极管的频率适用范围。 1．共射极截止频率fβ 三极管的β值是频率的函数，中频段β=βo几乎与频率无关，但是随着频率的增高，β值下降。当β值下降到中频段βO1／ 倍时，所对应的频率，称为共射极截止频率，用fβ表示。 2．特征频率fT 当三极管的β值下降到β＝1时所对应的频率，称为特征频率。在fβ～fT的范围内，β值与f几乎成线性关系，f越高，β越小，当工作频率f＞fT，时，三极管便失去了放大能力。 四、极限参数 1．最大允许集电极耗散功率PCM PCM 是指三极管集电结受热而引起晶体管参数的变化不超过所规定的允许值时，集电极耗散的最大功率。当实际功耗Pc大于PCM时，不仅使管子的参数发生变化，甚至还会烧坏管子。PCM可由下式计算： PCM ＝ICUCE GS0126 当已知管子的PCM 时，利用上式可以在输出特性曲线上画出PCM 曲线。 2．最大允许集电极电流ICM 当IC很大时，β值逐渐下降。一般规定在β值下降到额定值的2／3（或1／2）时所对应的集电极电流为ICM当IC＞ICM时，β值已减小到不实用的程度，且有烧毁管子的可能。

晶体管测试仪简介

开始/测试按键 SMD 器件测试座电容放电电阻外接表笔座 DC 电源接口 LCD 显示屏 开始/测试按键小元件放置区插件元件测试座 一. 产品概述 本仪表是一款针对于电子爱好者、开发者、电子维修及生产工厂研发的小仪器。可测直插式器件,也可测试贴片器件，可测各种二极管、三极管、可控硅、MOS管；能判断器件类型、引脚的极性、输出HFE、阀电压，场效应管的结电容，可测电容和电阻等。 二. 注意事项 ● 在测试电容前,请务必先进行放电,否则有可能损坏仪表。 ● 使用适配器供电时，请使用DC 9V -12V(含9V,12V)电压范围的适配器。● 本仪表不会对电池进行充电，当电池电量低于6V 时,请更换电池。 三. 技术指标 电阻：0Ω-50MΩ 分辨率： 0.01Ω电容：25pF-100mF 分辨率：1pF 电感：0.01mH-20H 分辨率：0.01mH 测量电容ESR 的分辨率: 0.01Ω 四. 使用方法 a. 按“开机/测试”可以实现开机和一次测试的功能，多次测量可重复按此键；测完后20秒无操作自动关机。 b. 本仪表提供贴片、插件和外置表笔三种测量方式，每种方式的1，2，3脚都是相同的对应关系。 c. 放置器件无需区分管脚顺序，测量完成后屏幕会显每个管脚对应的器件功能。 d. 仪表背面印有电解电容对应的ESR 典型值参照表，该表仅供参考，请以各生产厂家公布的数据为准。 五. 校准 短接1，2，3 测试点，按“开机/测试”按键，屏幕提示是否进入校准，在2秒内此按“开机/测试”按键确认，进入校准。之后屏幕提示断开1， 2，3 测试点，断开后继续，直到提示校准结束。 POWER/TEST SMD Devices Socket Capacitor Discharge Resistor Probe Socket DC IN LCD Screen POWER/TEST Small Devices Container Plug-in Devices Socket 1. Product Description This Meter is a small tool design for Engineer, Electronic Maintenance and Factory. It’s very easy to test plug-in and SMD devices, also can test di?erent kinds of Diodes, Triodes, Thyristors, MOSFET; able to analysis the device type, the polarity of the pin, the output HFE, the valve voltage, the junction capacitance of the FET. 2. Cautions ● Before testing the capacitor, be sure to discharge it, otherwise it may damage the internal circuit.● If using DC supply , please choose DC 9V -12V adapter(including 9V and 12V).● When the battery power is under 6V, please replace a new one . 3. Measuring parameters Resistor : 0Ω-50MΩ Resolution : 0.01ΩCapacitor: 25pF-100mF Resolution : 1pF Inductor: 0.01mH-20H Resolution : 0.01mH Capacitor ESR measuring resolution : 0.01Ω 4. Instructions a. Push "POWER/TEST" to power on and start a test, multiple measurements can be repeated by this key; auto power o? 20 seconds after measurement. b. Provide three kinds of socket, each socket pin1, pin2 and pin3 are connected. c. There 's a table "Typical ESR value of Electrolytic Capacitor" at the back, it’s for guide only, these are typical value for standard grade Electrolytic capacitor at room temperature. 5. Calibration Short the test pin 1,2,3 together, and push "POWER/TEST" button, then the screen prompts to enter Calibration, push the button again whin 2 seconds to con?rm. Few seconds latter the screen prompts to release pin 1,2,3, release them and wait for calibration ?nish. 晶体管测试仪

三极管参数代换表-三极管参数大全

三极管参数代换表三极管参数大全 型号耐压(V) 电流(A) 功率(W) 型号耐压(V) 电流(A) 功率(W) B857 70V 4A 40W BU2508A 1500V 8A 125W BU2508AF 1500V 8A 45W BU2508DF 1500V 8A 45W BU2520AF 1500V 10A 45W BU2520AX 1500V 10A 45W BU2520DF 1500V 10A 45W BU2520DX 1500V 10A 45W BU2522AF 1500V 10A 45W BU2522AX 1500V 10A 45W BU2522DF 1500V 10A 45W BU2522DX 1500V 10A 45W BU2525AF 1500V 12A 45W BU2525AX 1500V 12A 45W BU2527AF 1500V 12A 45W BU2527AX 1500V 12A 45W BU2532AL 1500V 15A 150W BU2532AW 1500V 16A 125W BU2725DX 1700V 12A 45W BU406 400V 5A 60W BU4522AF 1500V 10A 45W BU4522AX 1500V 10A 45W BU4523AF 1500V 11A 45W BU4523AX 1500V 11A 45W BU4525AF 1500V 12A 45W BU4525DF 1500V 12A 45W BU4530AL 1500V 16A 125W BU4530AW 1500V 16A 125W BUH1015 1500V 14A 70W BUH315D 1500V 6A 44W BUT11A 1000V 5A 100W C3039 500V 7A 50W C3886A 1500V 8A 50W C3996 1500V 15A 180W C3997 1500V 20A 250W C3998 1500V 25A 250W c4242 450V 7A 40W C4288A 1600V 12A 200W C4532 1700V 10A 200W C4634 1500V 0.01A 2W C4686A 1500V 50mA 10W C4762 1500V 7A 50W C4769 1500V 7A 60W C4891 1500V 15A 75W C4897 1500V 20A 150W C4924 1500V 10A 70W C5027 1100V 50W C5039 800V 5A 30W C5045 1600V 15A 75W C5047 1600V 25A 25W C5048 1500V 12A 50W C5086 1500V 10A 50W C5088 1500V 8A 60W C5129 1500V 10A 50W C5142 1500V 20A 200W C5144 1700V 20A 200W C5148 1500V 8A 50W C5149 1500V 8A 50W C5243 1700V 15A 200W C5243 1700V 15A 200W C5244 1500V 20A 200W C5244A 1600V 20A 200W C5250 1500V 8A 50W C5251 1500V 12A 50W C5252 1500V 15A 50W C5294 1500V 20A 120W C5296 1500V 8A 60W C5297 1500V 8A 60W C5301 1500V 20A 120W C5302 1500V 15A 75W C5331 1500V 15A 180W C5386 1500V 7A 50W C5387 1500V 10A 50W C5404 1500V 9A 50W C5404 1500V 9A 50W C5406 1500V 14A 100W

三极管参数大全 型号 功能 代换.

三极管参数大全 名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管 D633 28 NPN 音频功放开关100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用60V 0.8A 0.5W 25／200NS 2N2369 4A NPN 开关40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用60V 0.6A 0.4W 26／70NS 2N3055 12 NPN 功率放大100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开关450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放开关160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用40V 0.2A 2N2222A 21铁NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁NPN 音频功放开关100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放开关60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开关180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功放开关650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 3DA87A 6 NPN 视频放大100V 0.1A 1W

三极管知识点的总结.docx

晶体三极管

晶体三极管 一．教学要求： 1 ．了解三极管的基本构造、特点、符号、型号、分类等： 1 ．前 1 、 2 个属 2 ．理解三极管电流放大作用的实质和特性曲线及主要参数：于知识方面 3 ．掌握三极管的识别和简单测试方法：的要求 2．最后 1 个属 于技能方面 的要求二．教学重点、难点分析： 1．教学重点是三极管的三个工作区域及其特点、三极管的电流放大 作用： 2．教学难点是三极管的伏-安特性 3．技能要求是掌握三极管的识别与简单测试： 三．教具： 1．晶体三极管： 2．万用表： 3．晶体管特性测试仪、双踪示波器：

四．教学过程： （一）：复习提问，引入新课： 提问3-4位 学生回答1．二极管具有哪些特性？ 2．常用的电子元器件有哪些？ （二）：新课教学： 一：三极管的结构、符号和类型： 1．结构：利用课件进行 C(集电极）C(集电极）讲解，然后总结归纳。 集电区集电区 集电结 P 集电结 N b（基极）集区b（基极）集区 P N N发射结P发射结 发射区发射区e（发射极）e（发射极）NPN型PNP型 总结：三极管的结构为：三区+ 两结 + 三电极： 三区：指发射区、基区、集电区 两结：指发射结、集电结： 三电极：指发射极、基极、集电极： 2．符号： C C B B E E NPN型PNP型

3．三极管具有放大作用的内部条件（结构特点）： 发射区很厚，掺杂浓度最高； 基区很薄，掺杂浓度最小； 集电区很厚，掺杂浓度比较高。 4．三极管的型号及其意义：发给不同规格 的三极管让学生 判别。 区别代号（用大字母表示） 半导体的序号（用数字表示） 半导体的类型（用字母表示） 半导体的材料（用字母表示） 电极数目 二：三极管的电流放大作用：用双踪示波三极管具有放大作用，必须同时满足内部条件和外部条件，内部条件器演示输入信号一般由生产厂家保证。和输出信号的差1．三极管放大的外部条件：别，加强学生的发射结正偏；感性认识，然后 集电结反偏。再进行分析。 2．三极管的电流分配关系：I e I b I c 3．三极管电流放大作用的实质： “以小控大”——以基极小电流I b控制集电极大电流I c。因 此：双极型三极管属于“电流控制器件”。 三．三极管的连接方式： 1 ．共发射极： 2 ．共集电极：3．共基极： 三张图进行 比较，注意它们输出端输出端输入端输出端 输入端输入端 之间的特点四．三极管的伏安特性曲线 （一）输入特性曲线：

半导体三极管β值与范围测量仪设计报告

课 程 设 计 课题名称：半导体三极管β值及围测量仪完成人： 班级： 学号： 时间：

（一）设计容及要求 1. 设计容：制作一个自动测量NPN型硅三极管β值的显示测试仪。 2. 设计要求： 1）对被测NPN型三极管值分三档 2）β值的围分别为80～120及120～160，160～200对应的分档编号分别是1、2、3；待测三极管为空时显示0，超过200显示4。 3）用数码管显示β值的档次 4）发挥部分：用三个数码管显示β的大小，分别显示个位、十位和百位。显示围为0-199；响应时间不超过2秒，显示器显示读数清晰， 注意避免出现“叠加现象”。 （二）电路设计 电路设计整体框图 （三）实验器件 示波器1台 万用表1台 直流稳压电源1台 模拟实验装置1台 数字试验箱1台 四运放LM324 555定时器 三极管 二极管、稳压管 电位器、电阻器、电容器 CD4532、CD4511 数码管 （四）参数计算及元器件选择 1)微电流源（图1） ,微电流 ,

于V 1,以使三极管工作在合适的状态。 取待测管的b I 值为A μ40，即A =μ40R I ，根据公式：R V V I BE CC R 1 -= 得出： R BE CC I V V R 1 1-= ，Ω=A ===K R I V V V V R BE CC 5.3571,40,7.0,151得：μ，最终输出 电压为b b I R I V ββ04.080== 图一 微电流源 2)电压比较器（图2）： 将取样信号同时加到具有不同基准电压的比较电路输入端进行比较，对应某一定值，只有相应的一个比较电路输出为高电平，则其余比较器输出为低电平。 由于被测量的物理量要分五档（即 值分别为<80、80～120、120～160、160～200 及>200，对应的分档编号分别是0、1、2、3、4）。需要四个基准电压，于是有四个滑动变阻器产生四个不同的基准电压，再用四个运算放大器组成的比较电路，将取样信号同时加到具有不同基准电压的比较电路输入端进行比较，对应某一定值，相应的一个比较电路输出为高电平，其余比较器输出为低电平。从上而下分别为：4档、3档、2档、1档。