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最新常用晶体管查询手册

常用晶体管查询手册

常用晶体管查询手册4

3SK74 N-FET-DG 20V 25mA 0.2W | AC121 GE-P 20V 0.3A 0.9W

AC122 GE-P 30V 0.2A 0.225W | AC125 GE-P 32V 0.2A

AC126 GE-P 32V 0.2A 0.5W | AC127 GE-N 32V 0.5A

AC128 GE-P 32V 1A 1W | AC128/176K GE N/P PAIRED, COOLED

AC128K GE-P 32V 1A 1W | AC131 GE-P 30V 1A 0.75W

AC132 GE-P 32V 0.2A 0.5W | AC138 GE-P 32V 1.2A 0.22W 1.5MHz

AC141K GE-N 32V 1.2A 1W | AC151 GE-P 32V 0.2A 0.9W

AC153 GE-P 32V 2A 1W | AC153K GE-P 32V 2A 1W

AC176K GE-N 32V 1A 1W | AC180 GE-P 32V 1.5A 0.3W 1MHz

AC187 GE-N 25V 1A 1W | AC187/188K GE N/P PAIRED,COOLED

AC187K GE-N 25V 1A 1W COOLED | AC188 GE-P 25V 1A 1W

AC188K GE-P 25V 1A 1W | AD133 GE-P 50V 15A 36W

AD136 GE-P 40V 10A 11W | AD139 GE-P 32V 3.5A 13W

AD148 GE-P 32V 3.5A 13.5W | AD149 GE-P 50V 3.5A 27W

AD161 GE-N 32V 1A 6W | AD161/162 GE N/P 32V 1A 6W PAIRED

AD162 GE-P 32V 1A 6W | AD165 GE-N 25V 1A 6W

AD166 GE-P 60V 5A 27.5W | AF106 GE-P 25V 10mA 220MHz VHF

AF109R GE-P 20V 12mA 260MHz VHF | AF118 GE-P 70V 30mA 375mW 125MHz AF121 GE-P 25V 10mA 270MHz | AF125 GE-P 32V 10mA 75MHz

AF127 GE-P 32V 10mA 75MHz | AF139 GE-P 20V 10mA 550MHz

AF200 GE-P 25V 10mA 0.145W | AF201 GE-P 25V 10mA 0.145W

AF239S GE-P 15V 10mA 700MHz | AF279 GE-P 15V 10mA 60mW 780MHz AF279S GE-P 20V 10mA 0.6W | AF280 GE-P UHF MIXER 550MHz

AF306 GE-P 25V 15mA 60mW 500MHz | AF367 GE-P 153V 10mA UHF 800MHz AF379 GE-P UHF 1250MHz | AL102 GE-P 130V 6A 30W

AL112 GE-P 130V 6A 10W | ASY27 GE-P 25V 0.2A 0.15W

ASY77 GE-P 60V 1A 0.26W 500KHz | ASZ15 GE-P 100V 8A 30W

ASZ18 GE-P 100V 8A 30W | BC107B SI-N 50V 0.2A 0.3W 250MHz

BC107C SI-N 50V 0.2A 0.3W 250MHz | BC109B SI-N 30V 0.2A 0.3W 300MHz

BC109C SI-N 30V 0.2A 0.3W 150MHz | BC117 SI-N 120V 50mA 0.3W >60MHz BC119 SI-N 60V 1A 0.8W 10MHz | BC135 SI-N 45V 0.2W >200MHz

BC136 SI-N 60V 0.5A 0.3W >60MHz | BC139 SI-P 40V 0.5A 0.7W

BC141-10 SI-N 100V 1A 0.75W 50MHz | BC141-16 SI-N 100V 1A 0.75W 50MHz BC142 SI-N 80V 1A 0.8W | BC143 SI-P 60V 1A 0.7W AF/DRIVE

BC146 SI-N 20V 50mA 50mW 150MHz | BC161-16 SI-P 60V 1A 0.75W 50MHz

BC177A SI-P 50V 0.1A 0.3W 130MHz | BC177B SI-P 50V 0.1A 0.3W 130MHz

BC177C SI-P 50V 0.1A 0.3W 130MHz | BC190 SI-N 70V 0.1A 0.3W 250MHz

BC285 SI-N 120V 0.1A 0.36W 80MHz | BC300 SI-N 120V 0.5A 6W 120MHz

BC303 SI-P 85V 1A 6W 75MHz | BC313 SI-P 60V 1A 4W 50MHz

BC323 SI-N 100V 5A 0.8W 100MHz | BC327-16 SI-P 50V 0.8A 625mW 100MHz BC327-25 SI-P 50V 0.8A 625mW 100MHz | BC327-40 SI-P 50V 0.8A 625mW 100MHz

BC336 SI-P 25V 50mA 0.31W 50MHz | BC337-16 SI-N 50V 0.8A 625mW 150MHz BC337-25 SI-N 50V 0.8A 625mW 150MHz | BC337-40 SI-N 50V 0.8A 0.625W 150MHz BC368 SI-N 20V 1A 0.8W 100MHz | BC369 SI-P 20V 1A 0.8W

BC376 SI-P 25V 1A 0.625W 150MHz | BC393 SI-P 180V 10mA 40mW

BC441 SI-N 75V 2A 1W | BC448 SI-P 80V 0.3A 0.625W >100

BC449 SI-N 100V 0.3A 0.625W | BC450 SI-P 100V 0.3A 0.625W

BC451 SI-N 50V 0.1A 0.3W >150MHz | BC461 SI-P 75V 2A 1W

BC485 SI-N 45V 1A 0.625W 200MHz | BC487B SI-N 60V 1A 0.625W 200MHz

BC488 SI-P 60V 0.1A 625mW >135MHz | BC489 SI-N 80V 1A 0.625W 200MHz BC490 SI-P 80V 1A 0.625W 200MHz | BC516 P-DARL 40V 0.4A 0.625W

BC517 N-DARL 40V 0.4A 0.625W | BC538 SI-N 80V 1A 0.625W 100MHz

BC546A SI-N 80V 0.2A 0.5W | BC546B SI-N 80V 0.2A 0.5W

BC546C SI-N 80V 0.1A 0.5W | BC547A SI-N 50V 0.2A 0.5W

BC547B SI-N 50V 0.2A 0.5W 300MHz | BC547C SI-N 50V 0.2A 0.5W 300MHz

BC550B SI-N 50V 0.2A 0.5W | BC550C SI-N 50V 0.2A 0.5W

BC556A SI-P 60V 0.2A 0.5W | BC556B SI-P 80V 0.2A 0.5W

BC557A SI-P 50V 0.2A 0.5W | BC557B SI-P 50V 0.2A 0.5W

BC557C SI-P 50V 0.2A 0.5W | BC560B SI-P 50V 0.2A 0.5W

BC560C SI-P 50V 0.2A 0.5W | BC618 N-DARL 80V 1A 0.625W B>10

BC639 SI-N 80V 1A 0.8W 100MHz | BC640 SI-P 80V 1A 0.8W 130MHz

BC807-25 SI-P 50V 0.5A 0.25W 5B | BC807-40 SI-P 45V 0.5A 0.3W 100MHz

BC817-16 SI-N 50V 0.5A 0.25W 6A | BC817-25 SI-N 50V 0.5A 0.25W 6B

BC817-40 SI-N 50V 0.5A 0.25W 6C | BC828 SI-P 50V 0.8A 0.8W 100MHz

BC846B SI-N 80V 0.1A 0.25W 1B | BC847A SI-N 50V 0.1A 0.2W

BC847B SI-N 50V 0.1A 0.25W 1F | BC847BR SI-N 50V 0.1A 0.25W SMD

BC847C SI-N 50V 0,1A 0.25W 1G | BC849C SI-N 30V 0.1A 0.25W 2C

BC850C SI-N 45V 0.1A 0.25W 2G | BC856A SI-P 65V 0.1A 150MHz 3A

BC856B SI-P 65V 0.1A 150MHz 3B | BC857A SI-P 50V 0.1A 150MHz

BC857B SI-P 45V 0.1A 0.2W 3F | BC857BR SI-P 45V 0.1A 0.2W

BC857C SI-P 45V 0.1A 0.25W 3G | BC859B SI-P 30V 0.1A 0.25W 4B

BC860B SI-P 50V 0.1A 4F | BC860C SI-P 50V 0.1A 4G

BC868 SI-N 25V 1A 60MHz | BC869 SI-P 25V 1A 1W 60MHz

BC879 N-DARL 100V 1A 0.8W | BC880 P-DARL 100V 1A 0.8W

BCP68 SI-N 20V 1A 1.5W 60MHz | BCV27 N-DARL 40V 0.5A 0.25W B>1

BCX17 SI-P 50V 0.5A 100MHz T1 | BCX17R SI-P 50V 0.5A 100MHz T4

BCX19 SI-N 50V 0.5A 300mW 200MHz | BCX38B N-DARL 80V 0.8A 1W B>4000 BCX53 SI-P 100V 1A 50MHz | BCX56 SI-N 100V 1A 130MHz

BCY59 SI-N 45V 0.2A 1W 250MHz | BCY71 SI-P 45V 0.2A 0.35W

BCY72 SI-P 30V 0.2A 0.35W | BCY79 SI-P 45V 0.2A 1W 180MHz

BCY85 SI-N 100V 0.2A 0.3W | BD109 SI-N 60V 3A 15W

BD115 SI-N 245V 0.15A 0.8W | BD129 SI-N 400V 0.5A 17.5W

BD131 SI-N 70V 3A 15W >60MHz | BD132 SI-P 45V 3A 15W >60MHz

BD139 SI-N 80V 1.5A 12.5W 50MHz | BD139-16 SI-N 80V 1.5A 12.5W 50MHz

BD140 SI-P 80V 1.5A 12.5W 50MHz | BD140-16 SI-P 80V 1.5A 12.5W 50MHz

BD141 SI-N 140V 8A 117W | BD142 SI-N 50V 15A 117W

BD159 SI-N 375V 0.5A 20W | BD160 SI-N 250V 5A 25W

BD179 SI-N 80V 3A 30W | BD180 SI-P 80V 3A 30W >2MHz

BD183 SI-N 85V 15A 117W | BD201 SI-N 60V 8A 55W

BD201F SI-N 60V 8A 32W | BD204F SI-P 60/60V 8A 60W >7MHz

BD230 SI-N 100V 1.5A 12.5W | BD231 SI-P 100V 1.5A 12.5W

BD232 SI-N 300V 0.25A 7W | BD237 SI-N 100V 2A 25W 3MHz

BD238 SI-P 100V 2A 25W 3MHz | BD239C SI-N 100V 2A 30W 3MHz

BD240 SI-P 45V 2A 30W | BD240C SI-P 100V 2A 30W 3MHz

BD241C SI-N 100V 3A 40W 3MHz | BD241D SI-N 120V 3A 40W 3MHz

BD242C SI-P 100V 3A 40W 3MHz | BD243C SI-N 100V 6A 65W 3MHz

BD243F SI-N 200V 6A 65W 3MHz | BD244C SI-P 100V 6A 65W 3MHz

BD244F SI-P 200V 6A 65W 3MHz | BD250C SI-P 100V 25A 125W 3MHz BD277 SI-P 45V 7A 70W >10MHz | BD302 SI-P 60V 8A 55W >3MHz

BD303 SI-N 60V 8A 55W >3MHz | BD314 SI-P 80V 10A 150W

BD317 SI-N 100V 16A 200W 1MHz | BD318 SI-P 100V 16A 200W

BD329 SI-N 32V 3A 15W 130MHz | BD330 SI-P 32V 3A 15W

BD335 N-DARL 100V 6A 60W | BD336 P-DARL 100V 6A 60W

BD337 N-DARL+D 120V 6A 60W >10MHz | BD362 SI-P 32V 3A 15W

BD371B SI-N 60V 1,5A 2,5W | BD385 SI-N 60V 1A 10W >250MHz

BD387 SI-N 80V 1A 10W >250MHz | BD410 SI-N 500V 1A 20W

BD411 N-DARL 50V 2A 10W B>25K | BD441 SI-N 80V 4A 36W 3MHz

BD442 SI-P 80V 4A 36W 3MHz | BD515 SI-N 45V 2A 10W 160MHz

BD537 SI-N 80V 8A 50W | BD538 SI-P 80V 4A 50W >3MHz

BD539 SI-N 40V 5A 45W | BD543C SI-N 100V 8A 70W 3MHz

BD545 SI-N 40V 15A 85W 3MHz | BD637 SI-N 100V 2A 3OW >3MHz

BD638 SI-P 100V 2A 30W >3MHz | BD648 P-DARL 80V 8A 62,5W

BD651 N-DARL 120V 8A 62.5W | BD652 P-DARL 120V 8A 62.5W

BD679A N-DARL+D 80V 4A 40W | BD680A P-DARL+D 80V 4A 40W

BD681 N-DARL+D 100V 4A 40W B>75 | BD682 P-DARL+D 100V 4A 40W BD683 N-DARL 120V 4A 40W | BD684 P-DARL 120V 4A 40W

BD711 SI-N 100V 12A 75W | BD712 SI-P 100V 12A 75W POWER

BD722 SI-P 80V 4A 36W >3MHz | BD743C SI-N 110V 15A 90W >5MHz BD744C SI-P 110V 15A 90W 5MHz | BD750 SI-P 100V 20A 200W

BD751 SI-N 100V 20A 200W | BD791 SI-N 100V 4A 15W

BD792 SI-P 100V 4A 15W | BD801 SI-N 100V 8A 65W >3MHz

BD829 SI-N 100V 1A 8W | BD830 SI-P 100V 1A 8W 75MHz

BD839 SI-N 45V 1.5A 10W 125MHz | BD843 SI-N 100V 1.5A 10W >150MHz BD877 N-DARL 80V 1A 9W 200MHz | BD879 N-DARL 100V 1A 9W 200MHz BD880 P-DARL 100V 1A 200MHz | BD901 N-DARL+D 100V 8A 70W

BD902 P-DARL 100V 8A 70W | BD911 SI-N 100V 15A 90W

BD912 SI-P 100V 15A 90W | BD939F SI-N 120V 3A 19W 3MHz

BD941 SI-N 140V 3A 30W 3MHz | BD942 SI-P 140V 3A 30W 3MHz

BD943 SI-N 22V 5A 40W 3MHz | BD948 SI-P 45V 5A 40W 3MHz

BD951 SI-N 80V 5A 40W >3MHz | BD956 SI-P 120V 5A 40W 3MHz

BDT61 N-DARL+D 60V 4A 50W >10MHz | BDT61C N-DARL+D 120V 4A 50W >10MHz BDT61F N-DARL+D 60V 4A | BDT62C P-DARL 120V 10A 90W B>1K

BDT63C N-DARL 120V 10A 90W B>1K | BDT64C P-DARL 120V 12A 125W B>1K BDT65C N-DARL 120V 12A 125W B>1K | BDT85A SI-N 100V 15A 125W 20MHz

BDT86A SI-P 100V 15A 125W 20MHz | BDT87 SI-N 120V 15A 125W 10MHz

BDT88 SI-P 120V 12A 117W | BDT95A SI-N 100V 10A 90W 4MHz

BDT96A SI-P 100V 10A 90W 4MHz | BDV64C P-DARL+D 120V 20A 125W B>

BDV65B N-DARL+D 100V 20A 125W B> | BDV65C N-DARL+D 120V 20A 125W B> BDV66C P-DARL+D 120V 16A 200W 7MHz | BDV66D P-DARL+D 160V 16A 200W BDW22C SI-P 100V 10A 90W >3MHz | BDW23C N-DARL+D 100V 6A 50W

BDW42 N-DARL 100V 15A 85W B>1K | BDW46 P-DARL 80V 15A 85W B>1K

BDW47 P-DARL 100V 15A 85W B>1K | BDW51C SI-N 100V 15A 125W >3MHz BDW83C N-DARL 100V 15A 150W | BDW83D N-DARL+D 120V 15A 150W

BDW84C P-DARL 100V 15A 150W | BDW84D P-DARL+D 120V 15A 150W >1 BDW93CF N-DARL 100V 12A 40W ISOLA | BDW94C P-DARL 100V 12A 80W

BDX11 SI-N 160V 10A 117W >0.8MHz | BDX16A SI-P 140V 3A 25W 800KHz

BDX20 SI-P 160V 10A 117W >4MHz | BDX32 SI-N 1700V 4A 40W

BDX33C N-DARL 100V 10A 70W | BDX34C P-DARL 100V 10A 70W

BDX37 SI-N 80V 5A 15W 350ns | BDX44 N-DARL+D 90V 1A 5W 1.5us

BDX47 P-DARL 90V 1A 5W | BDX50 SI-N 160V 16A 150W >800KH

BDX53C N-DARL 100V 6A 60W B=500 | BDX53F N-DARL 160V 6A 60W B=500

BDX54C P-DARL 100V 6A 60W B=500 | BDX54F P-DARL 160V 6A 60W B=500

BDX62C P-DARL 120V 8A 90W | BDX63C N-DARL 140V 8A 90W

BDX64C P-DARL 120V 12A 117W B>1K | BDX65C N-DARL 120V 12A 117W

BDX66C P-DARL 120V 16A 150W | BDX66C P-DARL 120V 16A 150W

BDX67C N-DARL 120V 16A 150W | BDX71 SI-N 70V 10A 75W >0.8MHz

BDX75 SI-N 45V 16A 75W >0.8MHz | BDX77 SI-N 100V 8A 60W >7MHz

BDX87C N-DARL 100V 12A 120W | BDX88C P-DARL 100V 12A 120W

BDX94 SI-P 80V 8A 90W >4MHz | BDX95 SI-N 100V 8A 90W >4MHz

BDX96 SI-P 100V 8A 90W >4MHz | BDY20 SI-N 100V 15A 117W 1MHz

BDY29 SI-N 100V 30A 220W POWER | BDY56 SI-N 180V 15A 115W >10MHz

BDY58 SI-N 160V 25A 175W | BDY73 SI-N 100V 15A 115W >8KHz

BDY83B SI-P 50V 4A 36W 3MHz | BDY90 SI-N 120V 10A 60W 0.35us

BF115 SI-N 50V 30mA 0.15W | BF120 SI-N 220V 50mA 0.3W

BF125 SI-N AM/FM V/M/O/ZF450MHz | BF152 SI-N 30V 0.2W 800MHz VHF-

BF155 SI-N 40V 20mA 600MHz | BF161 SI-N 50V 20mA 550MHz

BF163 SI-N 40V 20mW 600MHz | BF164 SI-N 40V 0.2W 600MHz

BF166 SI-N 40V 20MA 0.175W 500MHz | BF173 SI-N 40V 25mA 0.23W 600MHz

BF180 SI-N 30V 20mA 675MHz .15W | BF182 SI-N 25V 20mA 650MHz

BF184 SI-N 20V 30mA 260MHz | BF186 SI-N 190V 0.06A 0.8W 120MHz

BF189 SI-N 30V 25mA 270MHz | BF195 SI-N 30V 30mA 200MHz .22W

BF199 SI-N 40V 25mA 0.3W 550MHz | BF200 SI-N 30V 20mA 0.15W 500MHz

BF224 SI-N 45V 50mA 0.25W 450MHz | BF240 SI-N 40V 25mA 0.25W 400MHz

BF244A N-FET 30V 25mA 0.3W | BF244C N-FET 30V 25mA 0.3W

BF245A N-FET 30V 25mA 0.3W | BF245B N-FET 30V 25mA 0.3W

BF245C N-FET 30V 0.1A 0.3W 170MC | BF246C N-FET 25V 25mA 0.25W

BF247B N-FET 25V 25mA 0.25W | BF247C N-FET 25V 25mA 0.25W

BF253 SI-N 30V 30mA 150MHz | BF254 SI-N 30V 30mA 260MHz .22W

BF255 SI-N 20V 30mA 200MHz .22W | BF256A N-FET 30V 7mA Vgs<7.5

BF256B N-FET 30V 13mA | BF256C N-FET 30V 10mA 0.25W

BF259 SI-N 300V 0.1A 0.8W 90MHz | BF259S SI-N 300V 0.1A 0.8W 90MHz

BF271 SI-N 40V 30mA 240mW 1GHz | BF299 SI-N 300V 0.1A 0.625W

BF316 SI-P UHF-M/O 550..660MHz | BF324 SI-P 30V 25mA 450MHz .25W

BF339 SI-P VHF-V/M/O 500MHz | BF343 SI-P 35V 35mA >80MHz .25W

BF357 SI-N 30V 0.05A 1.6GHz | BF362 SI-N UHF-V 800MHz

BF370 SI-N 40V 0.1A 0.5W >500MHz | BF377 SI-N 15V 25mA 1.3GHz

BF393 SI-N 300V 0.5A 0.65W | BF410B N-FET 20V 0.7mA

BF410C N-FET 20V 12mA AMPLIF | BF411 SI-N 110V 0.05A 0.3W

BF417 SI-N 300V 0.2A 6W 50MHz | BF418 SI-P 300V 0.2A 6W 50MHz

BF419 SI-N 300V 0.1A 6W | BF420 SI-N 300V 0.1A 0.83W

BF421 SI-P 300V 0.1A 0.83W | BF424 SI-P 30V 25mA 300MHz

BF435 SI-P 160V 0.2A 0.625W 80MHz | BF440 SI-P 40V 25mA 250MHz

BF441B SI-P 40V 25mA 250MHz | BF450 SI-P 40V 25mA 375MHz .25W

BF455 AM/FM-V/M/O 400MHz | BF459 SI-N 300V 0.1A 10W 90MHz

BF462 SI-N 350V 0.5A 10W 45MHz | BF471 SI-N 300V 0.1A 2W 60MHz

BF472 SI-P 300V 30mA 2W 60MHz | BF479 SI-P 30V 50mA .16W 1.4GHz

BF487 SI-N 400V 0.05A 0.83W | BF493 SI-P 300V 0.5A 0.625W

BF494 SI-N 20V 30mA 260MHz | BF495C SI-N 30V 30mA 200MHz 0.3W

BF496 SI-N 30V 20mA 0.3W 550MHz | BF506 SI-P 40V 30mA 0.3W 550MHz BF507 SI-N 30V 20mA 0.5W >750MHz | BF509 SI-P 40V 30mA 0.3W 750MHz BF516 SI-P 35V 20mA 850MHz | BF569 SI-P 40V 30mA 280mW 850MHz BF585 SI-N 350V 0.05A 5W 70MHz | BF587 SI-N 400V 0.05A 5W >70MHz

BF622 SI-N 250V 0.1A 2W | BF679 SI-P 40V 30mA .16W 880MHz

BF680 SI-P 40V 30mA .16W 750MHz | BF689 SI-N 15V 25mA 0.2W 1GHz

BF689K SI-N 25V 25mA 0.36W 0.2GHz | BF758 SI-N 300V 0.5A 2W

BF759 SI-N 350V 0.5A 10W VID-PO | BF763 SI-N 15V 25mA 0.36W 1.8GHz

BF770A SI-N 15V 0.05A 5.5 GHZ | BF791 SI-P 300V 0.1A 5W

BF799 SI-N 30V 35mA 280mW 800MHz | BF819 SI-N 250V 0.1A 1.2W

BF820 SI-N 300V 25mA >60MHz | BF821 SI-P 300V 25mA 0.31W

BF840 SI-N 40V 25mA 0.28W 380MHz | BF844 SI-N 450V 0.3A 625mW >50MHz BF859 SI-N 300V 0.1A 2.5W | BF871 SI-N 300V 0.1A 1.8W

BF872 SI-P 300V 0.1A 1.6W 60MHz | BF881 SI-N 400V 0.03A >60MHz

BF883S SI-N 275V 0.05A 7W >60MHz | BF891 SI-P 400V 30mA <60MHz

BF910 N-FET-DG 20V 50mA 0.33W | BF926 SI-P 20V 25mA 350MHz 17dB

BF939 SI-P 30V 220mA 750MHz .25 | BF959 SI-N 20V 0.1A 1.1GHz

BF960 N-FET-DG 20V 25mA .8GHz 1 | BF961 N-FET-DG 20V 30mA .2GHz 2

BF964 N-FET-DG 20V 30mA .2GHz 2 | BF966 N-FET-DG 20V 30mA .8GHz 1

BF966S N-FET-DG 20V 30mA .2W .8GHz | BF967 SI-P 30V 20mA 900MHz .16W BF968 SI-P UHF TRANS. 1100MHz | BF970 SI-P 35V 30mA 0.3W 1GHz

BF979 SI-P 20V 50mA 0.3W 1.75GHz | BF980A N-FET-DG 18V 30mA UHF

BF981 N-FET-DG 20V 20mA VHF | BF982 N-FET-DG 20V 40mA 200MHz BF989 N-FET 20V 30mA 0.2W | BF990A N-FET-DG 18V 30mA 0.2W

BF991 N-FET-DG 20V 20mA UHF | BF992 N-FET 20V 40mA 0.2W

BF994S N-FET-DG 20V 30mA 200MHz | BF996S N-FET-DG 20V 30mA 800MHz BF998 N-FET-DG 12V 30mA 800MHz | BF999 N-FET 20V 30MA 0.2W 300MHz BFG135 SI-N 25V 0.15A 1W BIPOLAR | BFG198 SI-N 20V 0.1A 1W 8GHZ

BFG65 SI-N 10V 50mA 0.3W 8GHz | BFG94 SI-N 15V 60mA 0.7W BIPOLA BFG96 SI-N 20V 75mA 0.7W 800MHz | BFG97 SI-N 20V 0.1A 0.5W BIPOLA BFQ10 N-FET 30V 30mA 250mW | BFQ162 SI-N 20V 0.5A 3W 1GHz

BFQ232 SI-N 100V 0.3A 1GHz | BFQ232A SI-N 115V 0.3A 800MHz

BFQ235A SI-N 115V 0.3A 3W 800MHz | BFQ252 SI-P 100V 0.3A 3W

BFQ252A SI-P 115V 0.3A 800MHz | BFQ255 SI-P 100V 0.3A 3W 1GHz

BFQ255A SI-P 115V 0.3A 3W 800MHz | BFQ262 SI-P 100V 0.4A 5W 1GHz BFQ262A SI-P 115V 0.4A 5W 800MHz | BFQ33C SI-N 7V 20mA 0.14W 12.5GHz BFQ34 SI-N 18V 0.15A 2.7W 4GHz | BFQ43 SI-N 18V 1.2A 4W 175MHz 1 BFQ65 SI-N 10V 50mA 0.3W 8GHz 8 | BFQ68 SI-N 18V 0.3A 4.5W 4GHz BFR29 N-FET 30V 10mA Up<4V | BFR35AP SI-N 12V 30mA 4.9GHz 14dB BFR36 SI-N 40V 200mA 0.8W 1.3GHz | BFR37 SI-N 30V 50mA 0.25W 1.4GHz BFR38 SI-P 40V 20mA 0.2W 1GHz | BFR39 SI-N 90V 1A 0.8W >100MHz BFR40 SI-N 70V 1A 0.8W >100MHz | BFR79 SI-P 90V 1A 0.8W >100MHz BFR84 N-FET-DG 20V 50MA 0.3W | BFR90 SI-N 15V 30mA 5GHz 19.5dB BFR90A SI-N 15V 30mA 5.5GHz 16dB | BFR91 SI-N 12V 50mA 5GHz 18dB BFR91A SI-N 12V 50mA 6GHz 14dB | BFR92 SI-N 15V 30mA 5GHz 19.5dB BFR92A SI-N 15V 30mA 5.5GHz 16dB | BFR92R SI-N 15V 30mA 5GHz REVERS BFR93A SI-N 15V 50mA 6GHz 14dB | BFR95 SI-N 25V 0.15A 1.5W 3.5GHz BFR96 SI-N 15V 75mA 5GHz 16dB | BFR96S SI-N 15V 0.1A 5.5GHz 11dB BFS17 SI-N 15V 25mA 1GHz E1 | BFS19 SI-N 30V 30mA 260MHz

BFS20 SI-N 30V 25mA 450MHz G1 | BFS22A SI-N 3V 0.75A 4W 175MHz BFS23A SI-N 36V 0.5A 4.5W 500MHz | BFT25 SI-N 8V 6.5mA 50mW 500NHz BFT43 , SI-N 125/100V 1A 0.8W | BFT45 SI-P 250V 0.5A 0.75W 70MHz BFT66 SI-N 15V 30mA 4.5GHz 12dB | BFT79 SI-P 90V 1A 0.8W >100MHz BFT95 SI-P UHF 15V 25mA 3.6-5GHz | BFW10 N-FET 30V 20mA AMPL.

BFW11 N-FET 30V 10mA AMPL. | BFW12 N-FET 30V 5mA AMPL.

BFW16A SI-N 25V 0.3A 1.5W 1.2GHz | BFW17A SI-N 25V 0.3A 1.5W 1.1GHz BFW30 SI-N 10V 0.1A 0.25W 1.6GHz | BFW43 SI-P 150V 0.1A 0.4W 150MHz BFW44 SI-P 150V 0.1A 0.7W 50MHz | BFW92 SI-N 15V 50mA 0.3W 1.6GHz BFW92A SI-N 15V 25mA 3.2GHz 13dB | BFX34 SI-N 60V 5A 0.87W

BFX37 SI-P 90V 0.1A 0.36W 70MHz | BFX38 SI-P 55V 1A 0.8W B>85

BFX40 SI-P 75V 1A 0.8W B>85 | BFX48 SI-P 30V 0.1A 0.36W

BFX55 SI-N 60V 0.4A 2.2W 700MHz | BFX85 SI-N 100V 1A 0.8W

BFX89 SI-N 15V 50mA 0.2W 1.3GHz | BFY39 SI-N 45V 0.1A 0.3W 150MHz

ULN2003L达林顿晶体管阵列数据手册

ULN2003 L I NEAR I NTEGRATED CI RCUI T HIGH VOLTAGE AND HIGH CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY DESCRIPTION The ULN2003is a monolithic high voltage and high current Darlington transistor arrays.It consists of seven NPN darlington pairs that features high-voltage outputs with common-cathode clamp diode for switching inductive loads.The collector-current rating of a single darlington pair is 500mA.The darlington pairs may be parrlleled for higher current capability.Applications include relay drivers,hammer drivers,lampdrivers,display drivers(LED gas discharge),line drivers,and logic buffers. The ULN2003has a 2.7k ?series base resistor for each darlington pair for operation directly with TTL or 5V CMOS devices. FEATURES *500mA rated collector current(Single output)*High-voltage outputs:50V *Inputs compatibale with various types of logic.*Relay driver application DIP-16 1B 2B 3B 4B 5B 6B 7B E 1C 2C 3C 4C 5C 6C 7C COM C

S9013三极管

9013三极管三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。s9013 NPN三极管主要用途：作为音频放大和收音机1W推挽输出。 1型号对比 s9014,s9013，s9015，s9012，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极b基极c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c，s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。用下面这个引脚图(管脚图)表示：三极管引脚图 9013三极管[1] e b c 当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。非9014,9013系列三极管管脚识别方法： (a) 判定基极。用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。

《常用晶体管手册》word版

我的晶体管手册我的晶体管手册晶体管型号 Vcbo Icm Pcm 放大特征类型封装推荐使用* 晶体管型号 Vcbo Icm Pcm 放大特征类型 13001 1300V* 1A 高速开关NPN_TO92 日光灯镇流器、袖珍手机充电器13002 1300V* 2A 高速开关NPN_TO126日光灯镇流器、袖珍手机充电器13005 1300V* 5A 高速开关NPN_TO220日光灯镇流器、袖珍手机充电器 9011 50V 0.03A 0.4W * 150MHZ NPN 9012 * 50V 0.5A 0.6W * 80MHz* PNP 与9013互补9013 * 50V 0.5A 0.6W * 80MHz* NPN 与9012互补9014 * 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ NPN 与9015互补9 015 * 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ PNP 与9014互补9018 * 30V 0.05A 0.4W * 1G NPN 超高频晶体管型号 Vcbo Icm Pcm 放大特征类型 2N2222 60V 0.8A 0.5W 45 * NPN 2N2369 40V 0.5A 0.3W * 800MHZ NPN 2N2907 60V 0.6A 0.4W 200 * NPN 2N3055 100V 15A 115W * * NPN 2N3440 450V 1A 1W * * NPN 2N3773 160V 16A 150W * * NPN 2N5400 * 140V 0.6A 0.625W 60~250 100MHz PNP 高耐压、线性，与2N5550互补2N5401 * 160V 0.6 A 0.6W 80~250 100MHZ PNP 高耐压、线性，与2N5551互补2N5550 * 140V 0.6A 0.625W 60~250 1 00MHz NPN 高耐压、线性，与2N5400互补2N5551 * 160V 0.6A 0.6W 80~250 100MHZ NPN 高耐压、线性，与2N5401互补2N5685 60V 50A 300W * * NPN 2N6277 180V 50A 300W * * NPN 2N6678 650V 15A 175W * * NPN 晶体管型号 Vcbo Icm Pcm 放大特征类型 2SA1009 350V 2A 15W * * PNP 2SA1012Y 60V 5A 25W * * PNP 2SA1013R * 160V 1A 0.9W * 50 PNP 彩电场扫描、音频输出2SA1015R 50V 0.15A 0.4W 70-40 80MHz PNP 低频、低噪声，与2SC1815互补2SA1018 150V 0.07A 0.75W * * PNP 2SA1020 50V 2A 0.9W * * PNP 2SA1123 150V 0.05A 0.75W * * PNP 2SA1162 50V 0.15A 0.15W * * PNP 2SA1175H 50V 0.1A 0.3W * * PNP 2SA1216 180V 17A 200W * * PNP 2SA1265 140V 10A 30W * * PNP

详解晶体管

二极管(Diode)
一、基本概念：
晶体二极管为一个由 p 型半导体和 n 型半导体形成的 p-n 结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于 p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流 0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n 结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。p-n 结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
二、二极管的符号

二极管(Diode)
三、二极管的导电特性：
二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。正向特性在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门坎电压”，又称“死区电压”，锗管约为 0.1V，硅管约为 0.5V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为 0.3V，硅管约为 0.7V），称为二极管的“正向压降”。反向特性在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方这种状态称为二向导电特性，极管的击穿。

世界晶体管手册共23页

世界晶体管手册全系列三极管应用参数名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管D633 28 NPN 音频功放开关100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用60V 0.8A 0.5W 25/200NS 2N2369 4A NPN 开关40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用60V 0.6A 0.4W 26/70NS 2N3055 12 NPN 功率放大100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开关450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放开关160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用40V 0.2A 2N2222A 21铁NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁NPN 音频功放开关100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401

器件原理-双极型晶体管特性的测量与分析

《微电子器件原理》双极型晶体管特性的测量与分析实验指导书通信工程学院微电子实验室二00 八年九月

双极型晶体管特性的测量与分析实验要求 1．弄清双极型晶体管主要参数的物理意义和使用图示仪的基本方法。 2．测试样品为3DK4DJ，弄清这两类器件的类型和引脚。 3．测量该晶体管的输出特性曲线，在V 为10V、第六级曲线处求电流放大倍数 CE (直流)。用转移特性曲线再次测量这两个参数，将两次结果进β(交流)、H FE 行对比。 4．测量晶体管的极限参数BVebo、BVceo、BVcbo。 5. 将测试结果和测试条件列表表示并与标准参数进行比较,看看所测的器件是否合格。一前言双极晶体管是最重要的分立器件，是双极集成电路的基础，其特性的测量与分析是基本的实验技能。通常用半导体管特性图示仪来完成这一工作。半导体管特性图示仪是能直接显示半导体各种特性曲线和直接读出被测管各项参数的测试仪器。它还能显示和测量多种半导体和集成电路的特性和参数，具有显示直观，读测简便和使用灵活等优点。要测定共射晶体管的输出特性，其基本测试原理电路如图1-1所示，测试时用逐点测试的方法把一条条的曲线描绘出来如图1-2。如果用半导体管特性图示仪，则可以把这组曲线直接显示出来。图1-1 共射晶体管接法图1-2 共射晶体管输出特性曲线半导体管特性图示仪既能较全面地检测半导体管的各种参数，又能显示半导体管的特征曲线。具有价格便宜，性能稳定等优点，是检测半导体管特性和参数的常用仪器。本实验要求：（1）了解XJ4810半导体管特性图示仪的基本原理方框图及每部分的作用。（2）了解被测管各项参数的定义及读测方法。（3）掌握晶体管特性常见缺陷及其产生原因。

常用晶体管型号

[电子基础知识延伸]三极管数据手册名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管 D633 28 NPN 音频功放开关100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用60V 0.8A 0.5W 25／200NS 2N2369 4A NPN 开关40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用60V 0.6A 0.4W 26／70NS 2N3055 12 NPN 功率放大100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开关450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放开关160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用40V 0.2A 2N2222A 21铁NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁NPN 音频功放开关100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放开关60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开关180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功放开关650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片PNP 低频放大50V 0.5A 0.625W 9013 3DA87A 6 NPN 视频放大100V 0.1A 1W 3DG6B 6 NPN 通用20V 0.02A 0.1W 150MHZ 3DG6C 6 NPN 通用25V 0.02A 0.1W 250MHZ 3DG6D 6 NPN 通用30V 0.02A 0.1W 150MHZ MPSA42 21E NPN 电话视频放大300V 0.5A 0.625W MPSA92 MPSA92 21E PNP 电话视频放大300V 0.5A 0.625W MPSA42 MPS2222A 21 NPN 高频放大75V 0.6A 0.625W 300MHZ 9013 贴片NPN 低频放大50V 0.5A 0.625W 9012 3DK2B 7 NPN 开关30V 0.03A 0.2W 3DD15D 12 NPN 电源开关300V 5A 50W 3DD102C 12 NPN 电源开关300V 5A 50W 3522V 5V稳压管 A634 28E PNP 音频功放开关40V 2A 10W A708 6 PNP 音频开关80V 0.7A 0.8W A715C 29 PNP 音频功放开关35V 2.5A 10W 160MHZ A733 21 PNP 通用50V 0.1A 180MHZ A741 4 PNP 开关20V 0.1A 70／120NS

三极管型号判断

一、晶体三极管的命名方法及型号字母意义晶体三极管的命名方法见图5-18，型号字母意义见表5-6 二、晶体三极管的种类晶体三极管主要有NPN 型和PNP型两大类,一般我们可以从晶体管上标出的型号来识别。详见表5－6。晶体三极管的种类划分如下。 ①按设计结构分为 : 点接触型、面接触型。 ②按工作频率分为 : 高频管、低频管、开关管。 ③按功率大小分为 : 大功率、中功率、小功率。 ④从封装形式分为 : 金属封装、塑料封装。三、三极管的主要参数一般情况晶体管的参数可分为直流参数、交流参数、极限参数三大类。 ①直流参数 : 集电极 -基极反向电流 I CBO。此值越小说明晶体管温度稳定性越好。一般小功率管约10μA左右,硅晶体管更小。集电极－发射极反向电流I CEO, 也称穿透电流。此值越小说明晶体管稳定性越好。过大说明这个晶体管不宜使用。 ②极限参数:晶体管的极限参数有: 集电极最大允许电流I CM；集电极最大允许耗散功率I CM；集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO。 ③晶体管的电流放大系数:晶体管的直流放大系数和交流放大系数近似相等,在实际使用时一般不再区分,都用β表示,也可用h FE表示。为了能直观地表明三极管的放大倍数 , 常在三极管的外壳上标注不同的色标。锗、硅开关管 , 高、低频小功率管 , 硅低频大功率管所用的色标标志如表 2-9-6 所示。表5-7 部分三极管β值色标表示 ④特性频率f T：晶体三极管的β值随工作频率的升高而下降,三极管的特性频率f

是当β下降到 1 时的频率值。也就是说 , 在这个频率下的三极管,己失去放大能力,因为晶体管的工作频率必须小于晶体管特性频率的一半以下。四、常用晶体三极管的外形识别 ①小功率晶体三极管外形电极识别:对于小功率晶体三极管来说,有金属外壳和塑料外壳封装两种,如图5-25 所示。图5-25小功率晶体三极管电极识别 ②大功率晶体三极管外形电极识别:对于大功率晶体三极管,外形一般分为F型，G 型两种,如图5-26(a) 所示。F型管从外形上只能看到两个电极。将管脚底面朝上,两个电极管脚置于左侧,上面为e极,下为b极,底座为C极。G型管的三个电极的分布如图5-26(b) 所示。

晶体管_工作原理_输出

实验二晶体管测试一、实验目的： 1．熟悉晶体二极管、晶体管晶体管和场效应管的主要参数。 2．学习使用万用电表测量晶体管的方法。 3．学习使用专用仪器测量晶体管的方法。二、实验原理：（一）晶体管的主要参数：晶体管的主要参数分为三类：直流参数、交流参数和极限参数。其中极限参数由生产厂规定，可以在器件特性手册查到，直接使用。其它晶体管参数虽然在手册上也给出，但由于半导体器件的参数具有较大的离散性，手册所载参数只能是统计大批量器件后得到的平均值或范围，而不是每个器件的实际参数值。因为使用晶体管时必须知道每个管子的质量好坏和某些重要参数值，所以，测量晶体管是必须具备的技术。下面结合本次实验内容，简介晶体管的主要参数。 1．晶体二极管主要参数：使用晶体二极管时需要了解以下参数：（1）大整流电流I F ：二极管长期运行时允许通过的大正向平均电流，由手册查得。（2）正向压降V D ：二极管正向偏置，流过电流为大整流电流时的正向压降值，可用电压表或晶体管图示仪测得。（3）晶体管大反向工作电压V R ：二极管使用时允许施加的大反向电压。可用电压表或晶体管特性图示仪测得反向击穿电压V(BR) 后，取其1∕2即是。（4）反向电流I R：二极管未击穿时的反向电流值。可用电流表测得。（5）高工作频率f M ：一般条件下较难测得，可使用特性手册提供的参数。（6）特性曲线：二极管特性曲线可以直观地显示二极管的特性。由晶体管特性图示仪测得。 2．稳压二极管主要参数：稳压二极管正常工作时，是处在反向击穿状态。稳压二极管的参数主要有以下几项：（1）稳定电压V Z：稳压管中的电流为规定电流时，稳压管两端的电压值。手册虽然给出了每种型号稳压二极管的稳定电压值，但此值的离散性较大，所以手册所给只能是一个范围。此值必须测定后才能使用稳压二极管。可用万用电表或晶体管特性图示仪测量。（2）稳定电流I Z：稳压管正常工作时的电流值，参数手册中给出。使用晶体管特性图示仪测量此项参数比较方便，可直接观察到晶体管稳压管有较好稳压效果时对应的电流值，便是此值。

三极管数据手册

名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管 D633 28 NPN 音频功放开关 100V 7A 40W 达林顿 9013 21 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9012 9014 21 NPN 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150HMZ 9015 9015 21 PNP 低噪放大 50V 0.1A 0.4W 150MHZ 9014 9018 21 NPN 高频放大 30V 0.05A 0.4W 1000MHZ 8050 21 NPN 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8550 8550 21 PNP 高频放大 40V 1.5A 1W 100MHZ 8050 2N2222 21 NPN 通用 60V 0.8A 0.5W 25／200NS 2N2369 4A NPN 开关 40V 0.5A 0.3W 800MHZ 2N2907 4A NPN 通用 60V 0.6A 0.4W 26／70NS 2N3055 12 NPN 功率放大 100V 15A 115W MJ2955 2N3440 6 NPN 视放开关 450V 1A 1W 15MHZ 2N6609 2N3773 12 NPN 音频功放开关 160V 16A 50W 2N3904 21E NPN 通用 60V 0.2A 2N2906 21C PNP 通用 40V 0.2A 2N2222A 21铁 NPN 高频放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ 2N6718 21铁 NPN 音频功放开关 100V 2A 2W 2N5401 21 PNP 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5551 2N5551 21 NPN 视频放大 160V 0.6A 0.625W 100MHZ 2N5401 2N5685 12 NPN 音频功放开关 60V 50A 300W 2N6277 12 NPN 功放开关 180V 50A 250W 9012 21 PNP 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9013 2N6678 12 NPN 音频功放开关 650V 15A 175W 15MHZ 9012 贴片 PNP 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9013 3DA87A 6 NPN 视频放大 100V 0.1A 1W 3DG6B 6 NPN 通用 20V 0.02A 0.1W 150MHZ 3DG6C 6 NPN 通用 25V 0.02A 0.1W 250MHZ 3DG6D 6 NPN 通用 30V 0.02A 0.1W 150MHZ MPSA42 21E NPN 电话视频放大 300V 0.5A 0.625W MPSA92 MPSA92 21E PNP 电话视频放大 300V 0.5A 0.625W MPSA42 MPS2222A 21 NPN 高频放大 75V 0.6A 0.625W 300MHZ 9013 贴片 NPN 低频放大 50V 0.5A 0.625W 9012 3DK2B 7 NPN 开关 30V 0.03A 0.2W 3DD15D 12 NPN 电源开关 300V 5A 50W 3DD102C 12 NPN 电源开关 300V 5A 50W 3522V 5V稳压管 A634 28E PNP 音频功放开关 40V 2A 10W A708 6 PNP 音频开关 80V 0.7A 0.8W A715C 29 PNP 音频功放开关 35V 2.5A 10W 160MHZ A733 21 PNP 通用 50V 0.1A 180MHZ A741 4 PNP 开关 20V 0.1A 70／120NS A781 39B PNP 开关 20V 0.2A 80／160NS A928 ECB PNP 通用 20V 1A 0.25W

自制GM328晶体管测试仪用户手册

自制GM328晶体管测试仪用户手册电源：晶体管测试仪可由6.8V –12V 直流供电。这可以通过一个9V 的层叠电池来实现。两个3.7V 锂离子电池串联。或AC 适配器。通电时，直流9V 电流约为30mA 。控制：晶体管测试仪由“带开关的旋转脉冲编码器”控制，或由“RPEWS”短接，该元件有四种工作方式，短时间按下旋钮，按住，左右旋转旋钮。当晶体管测试仪通电时。短时间按下RPEWS 将打开晶体管测试仪，并开始测试。晶体管测试仪将在测试结束时等待用户输入。在测试结束时，在自动关闭之前。长时间按下RPEWS 或左右旋转，将进入功能菜单。在“功能”菜单中，左栏中的“>”用于索引所选菜单项。要进入特定功能，只需单击RPEWS 。在特定功能内，按住旋钮将退出并返回功能菜单。测试：晶体管测试仪有三个测试点（TP1、TP2、TP3），在测试插座内，三个测试点的配置如下。在测试插座的右侧是SMT 测试板，也有编号来识别每个脚位。当测试两个引线组件（电阻、电容、电感）时，两个引线可以选择任意两个测试点。如果选择了TP1和TP3，测试完成后，测试将进入“系列测试模式”。否则，通过短时间按下RPEWS 重新开始测试。注意：在将电容器连接到测试仪之前，在打开之前，务必对电容器放电！否则，检测仪可能损坏。在MCU 的端口上只有一点保护。

如果您尝试测试安装在电路中的组件，则需要格外小心。无论哪种情况，设备都应断开电源，您应该确定，设备中没有剩余电压。自检和校准：通过将三个测试点连接在一起并推动RPEWS，可以准备自检，测试仪LCD的颜色将变为白色字体和黑色背景。提示字符串“Selftest mode….”“，要开始自检，必须在2秒内再次按下RPEWS，否则测试仪将继续进行正常测量。现在开始自检，检测仪将提示您下一步。等待一段时间，直到提示字符串“isolate Probes（隔离探针）！“此时拆下三个测试点的连接。检测仪将等待，直到测试到断开。然后测试人员继续自检过程。如果这是第一次使用自检（晶体管测试仪是自己从头组装的）。测试仪将很快提示字符串“1-||-3 > 100nf”，在最后一个校准任务中，需要一个容量在100nF和20μF之间的电容器，连接到1号和3号脚。在显示此文本之前，应连接电容器。使用该电容器，模拟比较器的偏移电压将得到补偿，以便更好地测量电容值。特别提示：使用通常，测试仪在每次启动时都会显示蓄电池电压。如果电压低于极限值，后面会显示警告。电池电压低。如果您使用可充电的9V电池，应尽快更换电池或充电。测得的电源电压将显示在第二行，持续1秒，“VCC=X.XXV”。它不能反复出现。电容器应在测量前放电，否则按下启动按钮可能损坏测试仪。如果您尝试在组装状态下测量部件，设备应与电源断开。此外，应确保设备中没有残留电压。每个电子设备内部都有电容器！如果你想测量小电阻值，您应该记住插头和电缆的电阻。插头的质量和状况很重要，也是测量电缆电阻的重要依据。电容器ESR测量同样有效。对于连接不良的电缆，ESR值为0.02Ω可增至0.61Ω。你不应该期望测量结果有很好的准确性，尤其是ESR测量和电感测量结果不太准确。有问题的组件：你应该记住解释测量结果，晶体管测试仪的电路是为小信号半导体设计的。在正常测量条件下，测量电流只能达到约6 mA。功率半导体通过对结容量值的识别和测量，往往会因剩余电流而产生故障。测试仪通常不能为功率晶闸管或可控硅提供足够的点火电流或保持电流。因此晶闸管可以被检测为NPN晶体管或二极管。此外，还可能检测到未知的晶闸管或三联体。另一个问题是用集成电阻识别半导体。因此，由于内置42Ω电阻并联，无法检测到BU508D晶体管的基极-发射极二极管。因此晶体管的功能也不能测试。功率达林顿晶体管也存在检测问题。我们可以发现内部基极-发射极电阻，这使得很难用较小的测量电流识别元件。 PNP和NPN晶体管的测量：对于正常测量，晶体管的三个针脚可以任何顺序连接到晶体管测试仪的测量输入端。按下RPEWS后，测试仪在第1行显示类型（NPN或PNP），集电极-发射极路径的可能集成保护二极管和插脚顺序。二极管符号以正确的极性显示。第2行显示了电流放大系数（hfe=…）和基极-发射极阈值电压。你应该知道，测试仪可以用两个不同的电路测量放大系数，即共发射极和共集电极电路（发射极跟随器）。液晶屏上只显示较高的结果。对于锗晶体管，通常测量集电极截止电流Iceo（基极电流较小）或集电极剩余电流Iceo（基极保持在发射极水平）。 JFET和D-MOS晶体管的测量：由于JFET型晶体管的结构是对称的，其源极和漏极是不可区别的。通常，该晶体管的一个参数是栅极与源极处于同一水平的晶体管的电流。这个电流经常高于这个电流，用680Ω电阻晶体管测试仪的测量电路可以达到。因此，680Ω电阻与电源相连。因此，栅极随电流的增大而产生负偏压。测试仪报告该电路的源电流以及栅极的偏压。所以不同的模型是不同的。用同样的方法测量d-mos晶体管（耗尽型）。对于增强型MOS晶体管（p-e-mos或n-e-mos），在栅极容量值很小的情况下，测量栅极阈值电压（vth）更困难。你可以得到一个更好的电压值，如果你将一个电容器与栅极/源并联，其值为nF。对于p-e-mos，栅

二极管及其应用(DOC)

++++++++++++++++++++++++++++第一章二极管及其应用教学重点 1．了解二极管的伏安特性和主要参数。 2．了解硅稳压二极管、变容二极管、发光二极管、光电二极管等各种二极管的外形特征、功能和应用。 3．能用万用表检测二极管。 4．掌握单相半波、桥式全波整流电路的组成、性能特点和电路估算。 5．了解电容滤波电路的工作原理和估算。教学难点 1．PN结的单向导电特性。 2．整流电路和滤波电路的工作原理。学时分配

1.1 二极管 1.1.1 半导体的奇妙特性导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体，如硅、锗等，其导电能力受多种因素影响。热敏特性——温度升高，导电能力明显增强。光敏特性——光照越强，导电性能越好。掺杂特性——掺入杂质后会改善导电性。 1.1.2 二极管结构与电路图形符号通过实物认识各类二极管动画：PN 结的形成 1.1.3 二极管的单向导电特性做一做：二极管的单向导电特性 1．二极管的单向导电特性（1）加正向电压二极管导通（2）加反向电压二极管截止 2．二极管特性曲线二极管两端的电压、电流变化的关系曲线，即二极管的伏安特性曲线。演示实验：利用晶体管特性图示仪测出二极管伏安特性曲线正极＋ VD 正极＋负极－

（1）正向特性正向电压较小，这个区域常称为正向特性的“死区”。一般硅二极管的“死区”电压约为0.5V，锗二极管约为0.2V。正向电压超过“死区”电压后，电流随电压按指数规律增长。此时，两端电压降基本保持不变，硅二极管约为0.7V，锗二极管约为0.3V。（2）反向特性二极管加反向电压，此时流过二极管的反向电流称为漏电流。当加到二极管两端的反向电压超过某一规定数值时，反向电流突然急剧增大，这种现象称为反向击穿现象，该反向电压称为反向击穿电压，用U（BR）表示。实际应用时，普通二极管应避免工作在击穿范围，否则会因电流过大而损坏管子失去单向导电性。 1.1.4二极管的使用常识 1．二极管的型号国产二极管的型号命名规定由五部分组成（部分二极管无第五部分），国外产品依各国标准而确定。 2．二极管的主要参数（1）最大整流电流I FM （2）反向饱和电流I R （3）最高反向工作电压U RM （4）最高工作频率f M 例：利用二极管的单向导电性和导通后两端电压基本不变的特点，可以构成限幅（削波）电路来限制输出电压的幅度。图（a）所示为一单向限幅电路。

晶体管基础知识

晶体管特性与运用以下所写，个人知识，因为都是简写的，所以不太复杂。希望能看懂！非转载复制。希望大家能给个鼓励，谢谢。在说二极管前，我们先要了解下P型半导体和N型半导体。因为待会三极管会用到 1.P型半导体是在纯净的半导体硅或锗中掺入硼，铝等三价元素。它的特点是：空穴数量多，自由电子数量少，参与导电的主要是带正电荷的空穴，所以我们叫它空穴半导体。 2.N型半导体是在纯净半导体硅或锗中掺入微量的磷，砷等五价元素形成的，它的特点与P型相反，是自由电子数量多，空穴数量少，参与导电的主要是带负电荷的自由电子，所以又称电子半导体。下面就开始讲述二极管 1.结构与特性二极管材料一般都是锗.硅。现代一般都运用硅。区分的话很简单，用万用表两头测两脚电阻，记录下来，然后万用表两头再反向测两脚电阻，如果相差很大，那么就是硅了。二极管在电气图中是用三角形表示的，图。箭头一端是正极，另一端是负极，文字符号是V。它的结构采用的是掺杂工艺，使半导体一边形成P型，一边N型，在PN交界面会形成一个具有特殊的电性能薄层，称为PN结。从P区引出的电极是正，反之是负。 2.二极管有导电特性，而且是单向导电，这个一定要铭记，单向导电。利用这点，我们便能判断二极管好坏。用我的方法来说，就是当你检测二极管时，假定你第一次测电阻为1，那么反向测量时，电阻会高出那么一点点，那么二极管就有问题了，如果电阻是无穷大的，那么就说明，二极管正常。 3.型号区别每一种二极管都有一个型号，按照国家标准规定，国产二极管的型号由五部分组成。 1. 第一部分是2 表示是二极管 2. 第二部分是拼音字母，表示管子的材料，A为N型锗管，B为P型锗管；C为N 型硅管，D为P型硅管。 3. 第三部分是用拼音字母表示管子的类型，P为普通，Z为整流二极管，K为开关， W为稳压。 4. 第四部分用数字表示器件的序号，序号不同的二极管特性不同 5. 第五部分用拼音字母表示规格号，序号不同，规格号不同的二极管特性差别不大，只是某个参数有所不同而已目前市面上常见的是国外的晶体管，如1N4001 第一个1表示是一个PN结的二极管，第二部分N表示美国电子工业协会的，后面的就是序列号，序列号数字越大，产品越新。而日本的二极管型号以1S开头，后面的数字不用我说了，和美国的一样。二极管参数很重要，它有额定工作电流，最高反向电压，反向饱和电流，最高工作频率，如果维修需要用到，最好有一本晶体管手册。

晶体管特性的鉴别与测试

二晶体管特性的鉴别与测试一．实验目的 1、掌握用万用表粗略鉴别晶体管性能的方法。 2、进一步熟悉晶体管参数和特性曲线的物理意义。二、实验预习要求 1、复习晶体管的基本特性。 2、根据晶体管特性拟出测试电路和方案。三、实验原理晶体管性能的优劣，可以从它的特性曲线或一些参数上加以判别。本次实验主要介绍采用简易的仪器设备鉴别晶体管性能的方法，即用万用表粗测晶体管的性能和用逐点法测管子的特性曲线。 1、利用万用表测试晶体二极管（1）鉴别正负极性万用表欧姆档的内部电路可以用图2.2.1（b)所示电路等效，由图可见，黑棒为正极性，红棒为负极性。将万用表选在R*100档，两棒接到二极管两端如图2.2.1（a），若表针指在几千欧以下的阻值，则接黑棒一端为二极管的正极，二极管正向导通；反之，如果表针指很大（几百千欧）的阻值，则接红棒的那一端为正极。（2）鉴别性能将万用表的黑棒接二极管正极，红棒接二极管负极，测得二极管的正向电阻。一般在几千欧下为好，要求正向电阻愈小愈好。将红棒接二极管的正极，黑棒接二极管负极，可测出反向电阻。一般应大200千欧以上。若反向电阻太小，二极管失去单向导点作用。如果正反向电阻都为无穷大，表明管子已断路；反之，二者都为零表明管子短路。

2，利用万用表测试小功率晶体三极管晶体三极管的结构犹如“背靠背”两个二极管，如图，2.2.2 所示。测试时用R*100或*1K档。（1）判断基极b和管子的类型用万用表的红棒接晶体管的某一极，黑棒依次接其它两个极，若两次测得电阻都很小（在几百K欧以下），则红棒的为PNP型管子的基极b；若量得电阻都很大（在几百千欧以上），则红棒所接的是NPN型管子的基极b。若两次量得的阻值为一大小，应换一个极再试量。（2）确定发射极e和集电极c