三维多芯片组件

电子元件与材料990213

电子元件与材料

ELECTRONIC

COMPONENTS&MATERIALS

1999年第2期No.21999

三维多芯片组件

张 经 国　杨 邦 朝

摘要：三维多芯片组件系统集成技术具有组装密度、组装效率及性能更高，系统功能更多等优点，是实现电子装备系统集成的有效途径及关键技术。介绍了3D MCM主要结构（埋置型、有源基板型及叠层型）的特点，并对一些应用实例作了说明。

关键词：三维　多芯片组件　系统集成

分类号：TN45

The 3D MCM's.

Zhang Jingguo

(The 43rd Institute, China Ministry of Information Industry, Hefei　230031)，Yang Bangcao (University of Electronic Science and Technology,Chengdu　610054) ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS (China), Vol.18, No.2, p. 28 - 30 (Apr.

1999). In Chinese.

3D MCM's are characterized with its higher integration density and efficiency, higher performances, more functions, etc. It is the important technology for and an efficient approach to the systematic integration of modern electronic equipment. The main structures are introduced and some practical applications are illustrated. (3 refs.)

Key words　3D, MCM's, systematic integration

电子系统（整机）目前的主要发展趋势是小型、高性能、多功能、高可靠及低成本，因而对系统集成的要求也越来越迫切。实现系统集成的技术途径主要有两个：一是半导体单片集成技术，二是MCM技术。前者通过晶片规模的集成技术（WSI），将高性能数字集成电路（含存储器、微处理器、图像和信号处理器等）和模拟集成电路（含各种放大器、变换器等），集成为单片集成系统；后者通过三维多芯片组件（3D MCM或MCM-V）技术，实现WSI的功能。

实现单片系统集成的关键在于细线和大晶片工艺技术，单片系统集成的设计和多层布线、微机械加工以及各工艺的兼容技术。0.25～0.30 μm的大晶片IC生产线于1998年在SAMSUNG、NEC、IBM三家公司首先诞生，标志着单片系统集成时代的来临。美国Be11实验室利用电子束加工技术使IC线宽降至0.08 μm。台湾最近也成功地开发出0.25 μm晶片技术，可使随机存储器的容量提高到256 Mbit。单片系统集成技术已有较大进展，但是由于工艺难度及成本价格等原因，该技术一直未能在生产中得以广泛应用。据预测，3D file:///E|/qk/dzyjycl/dzyj99/dzyj9902/990213.htm（第 1／6 页）2010-3-22 18:40:35