微电子工艺习题总结(DOC)
1. What is a wafer? What is a substrate? What is a die?
什么是硅片，什么是衬底，什么是芯片
答：硅片是指由单晶硅切成的薄片；芯片也称为管芯（单数和复数芯片或集成电路）；硅圆片通常称为衬底。
2. List the three major trends associated with improvement in microchip fabrication technology, and give a short description of each trend.
列出提高微芯片制造技术相关的三个重要趋势，简要描述每个趋势
答:提高芯片性能:器件做得越小，在芯片上放置得越紧密，芯片的速度就会提高。
提高芯片可靠性：芯片可靠性致力于趋于芯片寿命的功能的能力。为提高器件的可靠性，不间断地分析制造工艺。
降低芯片成本：半导体微芯片的价格一直持续下降。
3. What is the chip critical dimension (CD)? Why is this dimension important?
什么是芯片的关键尺寸，这种尺寸为何重要
答：芯片的关键尺寸（CD）是指硅片上的最小特征尺寸；
因为我们将CD作为定义制造复杂性水平的标准，也就是如果你拥有在硅片某种CD的能力，那你就能加工其他所有特征尺寸，由于这些尺寸更大，因此更容易产生。
4. Describe scaling and its importance in chip design.
描述按比例缩小以及在芯片设计中的重要性
答：按比例缩小：芯片上的器件尺寸相应缩小是按比例进行的
重要性：为了优电学性能，多有尺寸必须同时减小或按比例缩小。
5. What is Moore's law and what does it predict?
什么是摩尔定律，它预测了什么
答：摩尔定律：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数，月每隔18个月便会增加1倍，性能也将提升1倍。
预言在一块芯片上的晶体管数大约每隔一年翻一番。
第二章
6. What is the advantage of gallium arsenide over silicon?
砷化镓相对于硅的优点是什么
答：优点：具有比硅更高的电子迁移率；减小寄生电容和信号损耗的特性；集成电路的速度比硅电路更快；材料的电阻率更大。
7. What is the primary disadvantage of gallium arsenide over silicon?
砷化镓相对于硅的主要缺点是什么
答：主要缺点：缺乏天然氧化物；材料的脆性；成本比硅高10倍；有剧毒性在设备，工艺和废物清除设施中特别控制。
8. What is an active component? Give two examples of this type of component.
什么是无源元件，举出两个无源元件的例子
答：有源器件：在不需要外加电源的条件下，就可以显示其特性的电子元件。
例子：电阻，电容。
9. What are some notable characteristics of bipolar technology? What is biggest drawback to bipolar technology?
双极技术有什么显著特征，双极技术的最大缺陷是什么
答：显著特征：高速，耐久性和功率控制能力。
最大缺陷：功耗高。
10. What are the benefits of the field-effect transistor (FET)?
场效应管有什么优点
答：低电压和低功耗。
11. What are the two basic types of FETs? What is the major difference between them?
FET的两种基本类型是什么，他们之间的主要区别是什么
答：类型：结型（JFET）和金属-氧化物型（MOSFET）半导体。
区别：MOSFET作为场效应管晶体输入端的栅极由一层薄介质与晶体管的其他两极绝缘。JFET的栅极实际上同晶体管其他电极形成物理的pn结。
12. What are the two categories of MOSFETs? How are they distinguishable from one another? MOSFET有哪两种类型，他们怎样区分
答：类型：nMOS（n沟道）和pMOS（p沟道）
区分方法：可有各自器件的多数载流来区别。
13. What two IC technologies are used in BiCMOS?
BiCMOS使用了哪两种集成电路技术
答：采用了CMOS和双极技术
14. What could a digital/analog (D/A) converter chip
be used for? What could an analog/digital (A/D) chip be used for?
数模转换器芯片能用做什么，模数转换器芯片能用做什么
答：数/模转化器芯片可用来提供用做电子机械设备的控制模拟驱动信号。
模/数转换器芯片可用来测量模拟驱动信号的输出。
15. Explain the difference between an enhancement-mode transistor and depletion-mode transistor with regards to their standby condition.
解释增强型晶体管和耗尽型晶体管使用情况的区别
答：增强型晶体管很好地工作于数字陆机应用中，只需要单极的输入信号控制场效应晶体管。
耗尽型被已经存在的闭合沟道部分开启。输入电压可以在一个方向变化以提高流过沟道的电流，或者在相反方向降低流过的沟道电流。如果栅极的输入电压在反向更大地提高，耗
尽型晶体管将会断开。
第四章
16. Why is it necessary to have monocrystal silicon for wafer fabrication?
为什么要用单晶进行硅片制造
答：半导体芯片加工需要纯净的单晶硅结构，这是因为单胞重复的单晶结构能够提供制作工艺和器件特性所需要的电学和机械性质。糟糕的晶体结构和缺陷导致微缺陷的形成。
17.Which crystal plane orientation is most common MOS? Which is most common for bipolar? MOS器件中用的最多的是哪种方向晶向，双极型用的最多的是哪几种
答：MOS ：(100)面的硅片；双极型：（111）面的硅片
18.Define crystal growth. What is the CZ method for crystal growth?
定义晶体生长，什么是CZ单晶生长法
答：晶体生长：是把半导体级硅的多晶硅块转换成一块大的单晶硅。
CZ单晶生长法：是熔化了的半导体级硅液体变为有正确晶向并且被掺杂成n型或p型的固体硅锭。
19. List seven wafer quality requirements for a silicon wafer.
列举硅片的七种质量要求
答：物理尺寸；平整度；微粗糙度；氧含量；晶体缺陷；颗粒；体电阻率
20. What is an epitaxial layer, and why is it used on wafers?
什么是外延层，为什么在硅片上使用它
答：在某种情况下，需要硅片有非常纯的与衬底有相同晶体结构的硅表面，还要保持对杂质类型和浓度的控制，这要通过在硅表面沉积一个外延层来达到。
原因是外延层在优化pn结的击穿电压的同时降低了集电极电阻，在适中的电流强度下提高了器件速度。外延在CMOS集成电路中变得重要起来，因为随着器件尺寸不断缩小它将闩锁效应降到最低。外延层通常是没有玷污的。
第八章
21、What is plasma? Why is RF energy used in plasma?
什么是等离子体，为什么要在等离子体中使用RF能量
答：等离子是一种中性，高能量，离子化的气体，包含中性原子或分子，带电离子和自由电子。
RF能量的使用可以产生一个高功效的等离子体。
第九章
22、List the six distinct production areas in a wafer fab and give a short description of each area.列出芯片厂中6个不同的生产区域并对每一个区域做简单的描述
答：扩散：扩散区一般认为是进行高温工艺及薄膜沉积的区域。
光刻：使用黄色莹光管照明使得光刻区与芯片厂中的其他各个区明显不同。
刻蚀：是在硅片上没有光刻胶保护的地方留下永久的图形。
离子注入：采用高电压和磁场来控制并加速离子。
薄膜生长：主要负责生产各个步骤当中的介质层与金属层的沉积。
抛光：为了使硅片表面平坦化，是通过将硅片表面突出的部分减薄到下凹部分的高度实现。
23、Identify the three production areas where photoresistcoated wafers can be found.
确定有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域
答：光刻区，刻蚀区和离子注入区
24、What is the purpose of the etch process? Name the most common tools used in this area?
刻蚀工艺的目的是什么，这个区中最常用的设备是什么
答：目的：硅片上没有光刻胶保护的地方留下永久的图形。
常用设备：等离子刻蚀机，等离子体去胶机和湿法清洗设备。
25、What are the reasons for the thermal anneal process after ion implantation?
离子注入后进行退火工艺的原因是什么
答：可使裸露的硅片表面生长一层新的阻挡氧化层；高温使得杂质向硅中移动；可使注入引入的损伤得到修复；使杂质原子与硅原子间的共价键被激活，使得杂质原子成为晶格结构中的一部分。
26、What is shallow trench isolation (STI)? What process did it replace?
什么是浅槽隔离（STI），它取代了什么工艺
答：浅槽隔离（STI）是在衬底制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺。
取代了局域氧化工艺（LOCOS）
第十章
27、What is the difference between a grown and a deposited oxide layer?
生长氧化层和淀积氧化层间的区别是什么
答：在升温环境里，通过外部供给高纯氧气使之与硅衬底反应，可以在硅片上得到一层热生长的氧化层；沉积的氧化层可以通过外部供给氧气和硅源，使它们在腔体中反应，从而在硅片表面形成一层薄膜。
28、Describe the field oxide layer, and state its range of thickness.
描述场氧化层及其厚度范围
答：场氧化层：抑制金属层的电荷堆积的厚氧化层
范围：2500~12000 * 10^-10（A上面一个圈）之间
29、Why is the gate oxide thermally grown?
为什么删氧要用热生长
答：因为栅氧与其下的Si具有高质量和稳定性的特点，栅氧一般通过热生长获得。
30、List six applications for thermal oxides in wafer fabrication and give a purpose for each application.
列出热氧化物的硅片制造的六种用途，并给出各种用途的目的
答：金属层间绝缘阻挡层：用做金属连线间的保护层。
注入屏蔽氧化层：用于减小注入够到和损伤。
势氧化层：做氧化硅缓冲层以减小应力。
掺杂阻挡层：作为掺杂或注入杂质到硅片中的掩蔽材料。
阻挡氧化层：保护有源器件和硅免受后续工艺的影响。
栅氧化层：用做MOS晶体管栅和源漏之间的介质。
31. If an oxide layer is thermally growri to be 2,000 A thick,how much silicon is consumed?
如果热生长氧化层厚度为2000A，那么Si消耗多少
答：920A（每生长1000A的氧化物，就有460A的硅被消耗）
32. List the four types of oxide charges Si/Si02 interface.
列出Si/Si02 界面处的4种氧化物电荷
答：正的电荷。负的电荷。界面陷阱电荷。可移动氧化物电荷
33. Give two advantages to using chloijinated agents during
oxidation.
举出氧化工艺中掺氯的两个优点
答：优点：可以中和界面处的电荷堆积；能使氧化速率提高10%到15%。
34、What effect does doping have on oxide growth?
掺杂对氧化物生长的影响是什么
答：重掺杂的硅要比轻掺杂的氧化速率快。
35、Explain the effect from crystal orientation on oxide growth.
解释晶体晶向对氧化物生长的影响
答：线性氧化物速率依赖于晶向的原因是（111）面的硅原子密度比（100）面的大。因此，在线性阶段，（111）硅单晶的氧化速率将比（100）稍快，但是（111）的电荷堆积更多。
36、Pressure has what effect on oxide growth?
压力对氧化物生长的影响是什么
答：生长速率随着压力增大而增大。高压强迫使氧原子更快地穿越正在生长的氧化层，这对线性和抛物线速率系数的增加很重要。这就允许降低温度但仍保持不变的氧化速率，或者在相同温度下获得更快的氧化生长。氧化生长的经验法则表明，每增加一个大气压的压力，相当于炉体温度降低30摄氏度。
37、What are the five components in a vertical furnace system?
立式炉系统的五部分
答：工艺腔，硅片传输系统，气体分配系统，尾气系统，温腔系统
38What is a rapid thermal processor (RTP)? What are six advantages it has over the conventional furnace?
什么是快速热处理，相比于系统炉其6大优点是什么
答：快速热处理是在非常短的时间内，将单个硅片加热至400~1300摄氏度范围内的一种方法。
优点：减小热预算。硅中杂质运动最小。减小玷污，这归功于冷壁加热。由于较小的腔体体积，可以达到清洁的气氛。更短的加工时间。加大热梯度。
38Describe how an RTP heats a wafer. Is an RTP typically a hot wall or cold wall heating system 描述RTP如何对单个硅片加热，RTP是热壁系统还是冷壁系统
答：
是冷壁系统
第十一章
39、List and describe the three stages of thin film growth.
列举并描述薄膜生长的三个阶段
答：第一步是晶核形成：成束的稳定小晶核形成，这一步发生在起初少量原子或分子反应物结合起来，形成附着在硅片表面的分离的小膜层的时候。晶核直接形成于硅片表面，是薄膜进一步生长的基础；第二步是聚集成束，也称为岛生长。这些随机方向的岛束依照表面的迁移率和束密度来生长。岛束不断生长，直到第三步即形成连续的膜，这些岛束汇聚合并形成固态的薄层并延伸铺满衬底表面。
40、List the five major techniques for deposition.
列出沉积的5种主要技术
答：化学气相淀积（cvd）电镀物理气相淀积（pvd或溅射）蒸发旋涂方法
41、Explain APCVD. What is the principal disadvantage with APCVD Si02, using silane as a source?
解释APCVD，使用APCVD SiO2的主要问题是什么，是用硅烷作为反应源吗
答：常压化学气相淀积；传统上这些膜通常作为层间介质（ILD），保护覆盖物或者表面平坦化；不是使用硅烷作为反应源
42、What CVD tool is used to deposit the polysilicon gate material? List six reasons why polysilicon is used as a gate electrode
沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具，列举多晶硅作为栅电极的6个原因
答：采用LPCVD工具；1.通过掺杂可得到特定的电阻；2.和二氧化硅优良的界面特性；3和后续高温工艺的兼容性；4.比金属电极更高的可靠性；5.在陡峭的结构上淀积的均匀性；6。实现栅的自对准工艺。
43、State six advantages to using plasma during CVD.
CVD过程中采用等离子体的优点有哪些
答：1.更高的工艺温度（250-450℃）；2.对高的深宽比间隙有好的填充能力(用高密度等离子体)；3.淀积的膜对硅片有优良的粘附能力；4.高的淀积速率；5.少的针孔和空洞，因而有高的膜密度；6.工艺温度低因而应用广泛。
44、Explain what HDPCVD is. What are its main benefits in advanced ICs?
解释HDPCVD，它在IC中有什么优势
答：高密度等离子体化学气相淀积；HDPCVD在IC中的优势是有良好的间隙能力，并可以在300-400℃较低的淀积温度下，制备出能够填充高深宽比间隙的膜。
45、Describe the effect wafer biasing has on HDPCVD directionality.
描述硅片偏置对HDPCVD方向性的影响
答：使HDPCVD能够淀积得到的膜可以填充深宽比为3:1到4:1甚至更高的间隙
46. Explain simultaneous deposition and etching for HDPCVD. What is the value for the typical dep-etch ratio?
解释HDPCVD中同步沉积和刻蚀。典型深宽比的值是什么
答：它是采用材料填充高深宽比的间隙并且无空洞形成的基础。 3:1
47、What are LOCOS and STI（写中英文全称）? Why has STI replaced LOCOS for advanced ICs? List the processing steps for STI.
什么是LOCOS和STI（写中英文全称），为什么在高级IC中STI取代了LOCOS，列举STI的工艺步骤
答：LOCOS:硅的局部氧化隔离 local oxidation of silicon
STI：浅槽隔离 shallow trench isolation
原因：1.更有效的器件隔离的需要，尤其是对DRAM器件而言
2.对晶体管隔离而言，表面积显著减小。
3.超强的闩锁保护能力。
4.对沟道没有侵蚀。
5.与CMP的兼容
步骤：阻挡层和线性氧化层
第十三章
48、Describe the difference between a reticle and a photomask.
描述投影掩膜版和光掩膜版的区别
答：投影掩膜版它包括了要在硅片上重复生成的图形。这种图形可能仅包含一个管芯，也可能是几个
光掩膜版通常称为掩膜版，包含了对于整个硅片来说确定一工艺层所需的完整管芯阵列。
49、Explain the difference between negative and positive lithography.
解释负性和正性光刻的区别
答：负性光刻把掩膜版上图形相反的图形复制到硅片表面，正性光刻把与掩膜版上相同的图形复制到硅片上。主要区别是所用光刻胶的种类不同
50、Describe a clear-field mask and a dark-field mask
解释亮场掩膜版和暗场掩膜版
答：如果一个掩膜版，其石英板上大部分被铬覆盖，它就指的是暗场掩膜版。亮场掩膜版有大面积的透明的石英，而只有很细的铬图形。
51、List the eight steps of photolithography, and give a short explanation of each step.
列出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解释。
答：1气相成底膜：第一步是清洗、脱水和硅片表面成底膜处理。2旋转涂胶：完成底膜后，硅片要立即采用旋转涂膜的方法涂上液相光刻胶材料。3软烘：光刻胶被涂到硅片表面后，必须要经过软烘去除光刻胶中的溶剂。4对准和曝光：掩膜版与涂了胶的硅片上的正确位置对准。5曝光后烘焙：对于深紫外（duv）光刻胶在100℃到110℃的热板上进行曝光后烘焙是必要的。6显影：光刻胶上的可溶解区域被化学显影剂溶解，将可见的岛或者窗口图形留在硅片表面。7坚膜烘焙：显影后的热烘指的就是坚膜烘焙，提高光刻胶对硅片表面的粘附性。8显影后检查：一旦光刻胶在硅片上形成图形，就要进行检查以确定光刻胶图形的质量
52、Give two purposes of a photoresist in wafer fabrication.
给出硅片制造中光刻胶的两种目的
答：1.将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中。2.在后续工艺中保护下面的材料。
53、List and describe the two major types of photoresist.
列出并描述两种主要的光刻胶
答：负性光刻胶和正性光刻胶。负性光刻胶是负相的掩膜图形形成在光刻胶上、正相掩膜图形出现在光刻胶上
54、What is the resolution limit of negative resist? Which resist is used for submicron lithography?
什么是负胶分辨率的限制，哪种胶应用在亚微米光刻胶中。
答：由于显影时的变形和膨胀，负性光刻胶通常只有2μm的分辨率。正性光刻胶
55.List and describe the four components to an i-line resist.
列出并描述I线光刻胶的4种成分。
答：1.树脂。光刻胶树脂是一种惰性的聚合物基质，用于把光刻胶中的不同材料聚在一起的粘合剂2.感光剂。是光刻胶材料中的光敏成分，它对光形成的辐射能会发生反应3.溶剂。使光刻胶保持液体状态，直到它被涂在硅片衬底上4.添加剂：是专用化学品，用来控制和改变光刻胶材料的特定化学性质或光刻胶材料的光响应特性
56、What are two disadvantages of a negative photoresist?
负胶的两大缺点是什么。
答：在显影时曝光区域由溶剂引起的泡胀；曝光时光刻胶可与氮气反应从而抑制其交联
57、What does resist thickness vary with?
光刻胶厚度随什么变化
答：粘度越高转速越低，光刻胶就越厚
58、State the four reasons for soft bake.
陈述软烘的4个原因
答：1.将硅片上覆盖的光刻胶溶剂去除；2。增强光刻胶的粘附性以便在显影时光刻胶可以很好地粘附；3.缓和在旋转过程中光刻胶胶膜内产生的应力。4.防止光刻胶粘在设备上
第十四章
59、Describe the relationship between light exposure wavelength and image resolution.
描述曝光波长和图像分辨率的关系
答：较短的波长可以获得光刻胶上较小尺寸的分辨率
60、List and describe the two UV exposure sources used in optical lithography.
列出并描述光刻中使用的两种UV曝光光源
答：汞灯和准分子激光
61、What happens to resist sidewalls if there is excessive resist light absorbance?
如果光刻胶对光的吸收过多侧墙会怎样
答：如果光刻胶的吸收过多，光刻胶底部接收的光强度就会比顶部的少很多，会导致图形侧墙倾斜。
62、What excimer laser is used as a 248 nm light source? As a 193 nm light source?
哪种激光器用做248nm的光源，193nm的光源是什么
答：通常用于深紫外光刻胶的准分子激光器是波长为248nm氟化氪（KrF）激光器，193nm 的氟化氪激光器大概是作为曝光源的准分子激光器
63、What is a typical dose exposure latitude for a DUV resist?
典型的DUV光刻胶曝光剂量的宽容度是多少
答：深紫外光刻胶的曝光宽容度是剂量变化范围在1%左右
64、What lens material is used at the DUV exposure wavelength?
DUV波长曝光时使用哪种透镜材料
答：一种合适的透镜材料是熔融石英，他是深紫外波长范围内的较少的光吸收，氟化钙正在作为一种可能的候选透镜材料
65、Explain how lens compaction occurs and what problem it creates.
解释透镜压缩是怎么发生的，它产生了什么问题
答：透镜压缩是透镜材料结构上的重新排列导致透镜材料增密，压缩发生在透镜材料中，包括熔融石英它可以增加激光束穿过区域的透镜材料的折射率，这将导致图像质量的损失
66、What is numerical aperture (NA)? State its formula, including the approximate formula.
什么是数值孔径（NA），陈述它的公式，包括近似公式
答：透镜收集衍射光的能力被称做透镜的数值孔径，NA=(n)t透镜的半径除以透镜的焦长
67、State the formula for resolution. What three lithography parameters affect resolution?
陈述分辨率公式。影响光刻分辨率的三个参数
答：R=K*入/NA
1，波长入 2，数值孔径NA 3，工艺因子K
68、List and explain the two primary problems of light reflection from the wafer surface.
列出并解释硅片表面反射引起的最主要的两个问题
答：两种主要的光反射问题是反射切口和反射驻波，在刻蚀形成的垂直侧墙表面，反射光到不需要曝光的光刻胶中就会形成反射切口，光刻中一个光波反射和干涉的例子是驻波现
象驻波本质上降低了光刻胶成像的分辨率
69、What happens to resolution if the light wavelength decreases? If NA goes up?
如果光波长减小分辨率会有什么变化，如果NA增加了呢
答：光波长减小分辨率提高，】。如果NA增加分辨率提高
70、Calculate the resolution of a scanner if X = 248 nm,NA = 0.65, and k = 0.6.
计算扫描光刻机的分辨率，假设波长是248nm, NA=0.65, K是0.6
答：0.6*248/0.65=228.9 R=K*入/ＮＡ
71、Write the equation to calculate DOF.
写出计算焦深的公试
答：DOF=入/（2*NA）2
72、What happens to depth of focus as resolution inreases?
当分辨率增加时焦深会发生什么变化
答：焦深减小
72、What material is used to make a reticle? What opaque material is patterned on a reticle?
使用什么材料制作投影掩膜板，投影掩膜板上形成图形的不透明材料是什么
答：最主要的是用于亚微米光刻的投影掩膜版衬底材料是熔融石英。不透明材料是一薄层铬
第十五章
74、Explain resist selectivity and whether it should be high or low.
解释光刻胶选择比，要求的比例是高还是低
答：显影也应具有选择性，高的显影选择性比意味着显影液与曝光的光刻胶反应得快。
要求比例低
75、Why is a post-develop inspection performed?
为什么要进行显影后检查
答：为了查找光刻胶中成形图形的缺陷，鉴别并除去有缺陷的硅片，用来检查光刻工艺的好坏，为光学光刻工艺生产人员提供用于纠正的信息
７６光学光刻技术的改进有哪些方面？
答：1.减小紫外线光源波长； 2.提高光学光刻工具的数值孔径； 3.化学放大深紫外光刻胶； 4.分辨率提高技术； 5.硅片平坦化； 6.光学光刻设备的先进性。
77、List four alternative lithography methods under evaluation for next-generation lithography. 列举下一代光刻技术中4种正在研发的光刻技术
答：1.极紫外光刻技术（EUV）2.离子束投影光刻技术（IPL）3.角度限制投影电子束光刻技术（SCALPEL）4.X射线光刻技术
第十六章
78、What is the goal of etching?
刻蚀的目的是什么
答：目的是为涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形
79、List the three major material categories for dry etch.
列出按材料分类的三种主要干法刻蚀
答：金属刻蚀、介质刻蚀、硅刻蚀
80、Describe isotropic and anisotropic etch profiles and what are the desirable and undesirable aspects of each profile.
描述各同向性和各向异性刻蚀剖面，以及在每一种剖面中哪一种是希望的哪一种是不希望的
答：各向同性的刻蚀剖面在所有方向上以相同的刻蚀速率进行刻蚀，这将带来不希望的线宽损失。各向异性的刻蚀剖面即刻蚀只在垂直于硅片表面的方向进行，只有很少的横向刻蚀。希望剖蚀面是各向异性的。
81.Is a dry etch profile isotropic, anisotropic or both? What about a wet etch profile?
干法刻蚀的剖面是各同向性，各向异性的还是两者都有，湿法腐蚀的剖面是怎样的
答：两者都有。详情请见表16.1
82.Does dry etching have good or poor selectivity?
干法刻蚀有高的或低的选择比
答：干法刻蚀通常不能提供对下一层材料足够高的刻蚀选择比
83、List the advantages of dry etch over wet etch. What are the disadvantages of dry etch?
列举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点，干法刻蚀的不足之处是什么
答：优点：1.刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁剖面控制
2.好的CD控制。
3.最小的光刻胶脱落或粘附问题
4.好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性
5.较低的化学制品使用和处理费用。
缺点：对下层材料的差的刻蚀选择比、等离子体带来的器件损伤和昂贵的设备
84、一个成功的干法刻蚀要求是哪些方面？List six requirements for successful dry etch.
列出在干法刻蚀中发生刻蚀反应的六种方法
答：1.对不需要刻蚀的材料的高选择比
2.获得可接受的产能的刻蚀速率
3.好的侧壁剖面控制
4.好的片内均匀性
5.低的器件损伤
6.宽的工艺制造窗口
85、What gas chemistries are used for silicon dioxide, aluminum, silicon and photoresist?
二氧化硅，铝，硅和光刻胶刻蚀分别使用什么化学气体来实现干法刻蚀
答：刻蚀硅采用的化学气体为CF4/O2和CL2.刻蚀二氧化硅采用的化学气体为CHF3.
刻蚀铝采用的化学气体为CL2和BCL2.刻蚀光刻胶采用的化学气体为O2.
86、Describe the tungsten etchback process.
描述平板反应器
答：首先在层间介质二氧化硅中刻出通孔窗口，然后再覆盖有TiN阻挡层的通孔窗口中淀积W，最后进行干法等离子体反刻刻蚀掉多余的钨覆盖层，制作出填满钨的通孔。
87、What gas chemistries are usually used for etching polysilicon and why has these chemistries replaced fluorine chemistries?
哪种化学气体通常用来刻蚀多晶硅，为什么这种化学气体替代了氟基化学气体
答：氯气、溴气、氯/溴气
原因：因为氟基气体的刻蚀是各向同性的并且对光刻胶的选择比一般，为了避免击掉下一层的氧化物材料，所以选用轰击离子能量更低的化学气体。
88. Give three requirements for polysilicon gate etch.
列出并阐述刻蚀多晶硅的三个步骤
答：1.对下层栅氧化层具有高的选择比
2.非常好的均匀性和可重复性。
3.高度的各向异性
第十七章
89、列举用于硅片制造的5种常用掺杂。
答：离子注入，热扩散，硅浆料，丝网印刷，激光
90、离子注入通常在什么工艺之后？
答：光刻。
91、列举离子注人优于扩散的7点。
答：1.精确控制杂质含量。
2.很好的杂质均匀性。
3.对杂质穿透深度有很好的控制。
4.产生单一离子束。
5.低温工艺。
6.注入的离子能穿过薄膜。
7.无固溶度极限。
92，离子注入的主要缺点是什么？如何克服？
答：1、高能杂质离子轰击硅原子将对晶体结构产生损伤。（高温退火进行修复）。
2、注入设备的复杂性。（被注入机对剂量和深度的控制能力及整体工艺的灵活性弥补）。
93、列举离子注入设备的5个主要子系统。
答：1.离子源
2.引出电极和离子分析器
3.加速管
4.扫描系统
5.工艺室
94.描述沟道效应。列举并简要解释控制沟道效应的三种机制。
答：当注入离子未与硅原子碰撞减速，而是穿透了晶格间隙时，就发生了沟道效应。
三种机制：
1.倾斜硅片：它把硅片相对于离子束运动方向倾斜一个角度，保证了杂质离子进入硅中很短距离内就会发生碰撞。
2.掩蔽氧化层：注入前在硅片表面生长或淀积一薄层氧化层，并在注入之后去除。注入离子通过这样一层非晶氧化层后进入硅片，它们的方向将是随机的，因此可以减小沟道效应。
3.预非晶化：用电不活泼粒子，使单晶硅预非晶化，在注入前进行，用以损坏硅表面一薄层的单晶结构。随后的离子将注入非晶结构的硅，产生很小的沟道效应。
第十二章
95、列出并讨论引入铜金属化的五大优点。
答：1.电阻率的减小。
2.减小了功耗。
3.更高的集成密度。
4.良好的抗电迁徙性能。
5.更少的工艺步骤
96、什么是阻挡层金肩？阻挡层材料的基本特性是什么？哪种金属常被用做阻挡层金属? 答：阻挡金属层是淀积金属或金属塞，用以阻止上下的材料互相混合。
特性：1.有很好的阻挡扩散特性，结果分界面两边材料的扩散率在烧结温度时很低。
2.高电导率具有很低的欧姆接触电阻。
3.在半导体和金属之间有很好的附着。
4.抗电迁徙。
5.在很薄并且高温下具有很好的稳定性。
6.抗侵蚀和氧化。
钛（Ti）、钨（W）、钽（Ta）、钼（Mo）、钴（Co）、铂（Pt）、钛钨（TiW）、氮化钛（TiN）。
97、为溅射做一个简短的解释，并描述它的工作方式？溅射适合于合金淀积吗？溅射淀积的优点是什么？
答：溅射是物理气相淀积形式之一，是一种薄膜淀积技术。
工作方式：在溅射过程中，高能粒子撞击具有高纯度的靶材料固体平板，按物理过程撞击出原子。这些被撞击出的原子穿过真空，最后淀积在硅片上。
优点：1.具有淀积并保持复杂合金原组分的能力。
2.能够淀积高温熔化和难溶金属。
3.能够在直径为200毫米或更大的硅片上控制淀积均匀薄膜。
4.具有多腔集成设备，能够在淀积金属前清除硅片表面沾污和本身的氧化层。
98、缩写中文含义：
APCVD：常压化学气相淀积 HDPCVD：高密度等离子体化学气相淀积LPCVD：低压化学气相淀积 PECVD：等离子体增强化学气相淀积PVD：物理气相淀积 BJT：双极型晶体管
CD：关键尺寸 CMOS：互补金属氧化物半导体
CMP：化学机械平坦化 MIC：可动离子玷污
ILD：层间介质 MBE：分子束外延
SOI:绝缘体上硅 DUV：深紫外光
MOCVD：金属有机化学气相淀积 BSG：硼硅玻璃
PSG：磷硅玻璃 BPSG：硼磷硅玻璃
RTP：快速热处理器 RTA：快速热退火
IC：集成电路 LOCOS：硅局部氧化隔离法
STI:浅沟槽隔离 LI：局部互连
VLSI：超大规模集成电路 CA：化学放大（胶）
FIB：聚焦离子束 ARC：抗反射涂层
ASIC：专用集成电路 RIE：反应离子刻蚀
FIB：聚焦离子束 EUV：极紫外线
LDD：轻掺杂漏
材料成型技术基础试题答案
《材料成形技术基础》考试样题答题页 （本卷共10页） 、判断题（每题分，共分，正确的画“O ”，错误的打“X ”） 、选择题（每空1分，共38分） 三、填空（每空0.5分，共26分） 1.( 化学成分) ( 浇注条件) ( 铸型性质) 2.( 浇注温度) 3.( 复杂) ( 广) 4.( 大) 5.( 补缩) ( 控制凝固顺序)6.( 球铁) ( 2 17% ) 7.( 缺口敏感性) ( 工艺)8.( 冷却速度) ( 化学成分) 9.( 低) 10.( 稀土镁合金)11.( 非加工)12.( 起模斜度) ( 没有) 13.( 非铁) ( 简单)14.( 再结晶)15.( 变形抗力) 16.( 再结晶) ( 纤维组织)17.( 敷料) ( 锻件公差) 18.( 飞边槽)19.( 工艺万能性)20.( 三) ( 二） 21.( -二二) ( 三)22.( 再结晶退火)23.( 三） 24.( -二二)25.( 拉) ( 压)26.( 化学成分) ( 脱P、S、O )27.( 作为电极) ( 填充金属)28.( 碱性) 29.( 成本) ( 清理)30.( 润湿能力)31.( 形成熔池) （达到咼塑性状态) ( 使钎料熔化)32.( 低氢型药皮) ( 直流专用)
Ct 230 图5 四、综合题（20分） 1、绘制图5的铸造工艺图（6分） ? 2J0 环O' 4 “ei吋 纯 2、绘制图6的自由锻件图，并按顺序选择自由锻基本工序（6 分）。 O O 2 令 i 1 q―1 孔U 400 圈6 3、请修改图7?图10的焊接结构，并写出修改原因。 自由锻基本工序： 拔长、局部镦粗、拔长 图7手弧焊钢板焊接结构（2 分）图8手弧焊不同厚度钢板结构（2 分） 修改原因：避免焊缝交叉修改原因：避免应力集中（平滑过 度）
微电子工艺习题总结(DOC)
1. What is a wafer? What is a substrate? What is a die? 什么是硅片，什么是衬底，什么是芯片 答：硅片是指由单晶硅切成的薄片；芯片也称为管芯（单数和复数芯片或集成电路）；硅圆片通常称为衬底。 2. List the three major trends associated with improvement in microchip fabrication technology, and give a short description of each trend. 列出提高微芯片制造技术相关的三个重要趋势，简要描述每个趋势 答:提高芯片性能:器件做得越小，在芯片上放置得越紧密，芯片的速度就会提高。 提高芯片可靠性：芯片可靠性致力于趋于芯片寿命的功能的能力。为提高器件的可靠性，不间断地分析制造工艺。 降低芯片成本：半导体微芯片的价格一直持续下降。 3. What is the chip critical dimension (CD)? Why is this dimension important? 什么是芯片的关键尺寸，这种尺寸为何重要 答：芯片的关键尺寸（CD）是指硅片上的最小特征尺寸； 因为我们将CD作为定义制造复杂性水平的标准，也就是如果你拥有在硅片某种CD的能力，那你就能加工其他所有特征尺寸，由于这些尺寸更大，因此更容易产生。 4. Describe scaling and its importance in chip design. 描述按比例缩小以及在芯片设计中的重要性 答：按比例缩小：芯片上的器件尺寸相应缩小是按比例进行的 重要性：为了优电学性能，多有尺寸必须同时减小或按比例缩小。 5. What is Moore's law and what does it predict? 什么是摩尔定律，它预测了什么 答：摩尔定律：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数，月每隔18个月便会增加1倍，性能也将提升1倍。 预言在一块芯片上的晶体管数大约每隔一年翻一番。 第二章 6. What is the advantage of gallium arsenide over silicon? 砷化镓相对于硅的优点是什么 答：优点：具有比硅更高的电子迁移率；减小寄生电容和信号损耗的特性；集成电路的速度比硅电路更快；材料的电阻率更大。 7. What is the primary disadvantage of gallium arsenide over silicon? 砷化镓相对于硅的主要缺点是什么 答：主要缺点：缺乏天然氧化物；材料的脆性；成本比硅高10倍；有剧毒性在设备，工艺和废物清除设施中特别控制。
电子工艺实习报告
理工大学 电子工艺实习报告院系：汽车与机械工程学院 专业：车辆工程 班级：09—02 ：闫先威 学号：8 时间：2010年3 月7~11 日 地点：综合试验楼C508 指导老师：少俊、廖晓科
一、实习项目 基本技能训练 二、实习目的 ●掌握常用电子元件的识别方法 ●掌握基本测量工具的使用 ●掌握基本的电子工艺焊接技能三、实习容
四、注意事项 学生在练习时要注意节约材料，不可浪费。要爱惜使用器材，不可故意毁损器材。 五、小结 今天是第一天实习，上午九点来到实习厂地，心里怀着忐忑的心情。老师是一个姓廖的先生，感觉凶巴巴的。大家一开始就被震住了，他让我们自己试着焊电路板。自己手忙脚乱，一塌糊涂。幸亏自己的电路板并没损坏。只是用的焊锡多了点。老师给评了个良减。我感觉自己需要多加学习，多问多看，才能掌握这门实验课程。
一、实习项目 直流稳压电源电路安装 二、实习目的 ●了解直流稳压电源电路的工作原理 ●熟悉电路中主要电器元件三端稳压器的作用及结构 ●掌握电子电路焊接工艺中的基本技能 三、工作原理 图一、直流稳压电源电路 四、工作过程 ●直流稳压电源电路由变压—整流—滤波—稳压输出四部分组成。 ●三端稳压器7805是由输入端、输出端和公共端组成的集成块。其中 78为产品系列代号，05为输出电压值。 ●如图一所示：J1处是交流输入，其值大约为9V，其后由四个整流二 极管(4007)组成的单相桥式全波整流电路进行整流，再经电容滤波，最后由三端稳压器7805输出+5V直流电压，其中电阻(R3)为限流电
阻；发光二极管(D5)为电源指示灯。 五、实习所需元件 ●整流二极管IN4007 四只 ●三端稳压器7805 一只 ●电解电容1000μF/16V 一只 470μF/16V 一只 ●瓷介电容0.1μF 二只 ●电阻470Ω一个 ●发光二极管LED 一个 ●接线柱一个 ●印刷电路板一块 六、注意事项 ●整流二极管IN4007的负极(灰色)与电路板上相应位置对应。 ●三端稳压器7805从左到右分别为输入端(+)、接地端(-)、输出端(+)。 ●电解电容和发光二极管都有极性：元件长脚接高电位端(+)。 七、小结 试焊后，老师给我们了真玩意——电路板，今天的任务是做电路板的心脏，电源部分。虽然焊的时候还是笨手笨脚的。但感觉自己有很大进步。可焊锡的用量一直不熬掌握。当发光二极管发亮时，我的第一步完成了。好戏在后头。
材料成形工艺基础
《材料成形工艺基础》自学指导书 一、课程名称：材料成形工艺基础 二、自学学时：50课时 三、教材名称：《材料成形工艺基础》柳秉毅编 四、参考资料：材料成形技术基础陶冶主编机械工业出版社 五、课程简介：《材料成形工艺基础》是材料成型及控制工程专业的主干课程之一，其任务是阐明液态成型、塑性成型和焊接形成等成型技术在内的内在基本规律和物质本质，揭示材料成型过程中影响产品性能的因素及缺陷产生的机理。 六、考核方式：闭卷考试 七、自学内容指导： 绪论第1章金属材料的力学性能 一、本章内容概述： 绪论：1.材料成形工艺的发展历史2.材料成形加工在国民经济中的地位 3.材料成形工艺基础课程的内容 4.本课程的学习要求与学习方法。 第一章：1）铸造成形基本原理；2）塑性成形基本原理； 3）焊接成形基本原理 二、自学学时安排：8学时 三、知识点： 1.合金的铸造性能 2.合金的收缩性； 3.铸件的缩孔和缩松 2合金的充型能力是指液态合金充满铸型型腔，获得尺；3影响合金的充型能力的因素1）合金的流动性2）浇；4合金的收缩概念液态合金从浇注温度逐渐冷却、凝固；5铸造内应力分热应力和机械应力；6顺序凝固，是使铸件按递增的温度梯度方向从一个部；7顺序凝固可以有效地防止缩孔和宏观缩松，主要适用；8缩孔和缩松的防止方法：顺序凝固 四、难点：
1）强度、刚度、弹性及塑性 2）硬度、冲击韧性、断裂韧度、疲劳。 五、课后思考题与习题：P40 1.1 区分以下名词的含义: 逐层凝固与顺序凝固糊状凝固与同时凝固 液态收缩与凝固收缩缩孔与缩松 答：逐层凝固：纯金属和共晶成分的合金是在恒温下结晶的，铸件凝固时其凝固区宽度接近于零，随着温度的下降，液相区不断减小，固相区不断增大而向中心推进，直至到达铸件中心。顺序凝固：是指在铸件上建立一个从远离冒口的部分到冒口之间逐渐递增的温度梯度，从而实现由远离冒口处向冒口方向顺序地凝固，即远离冒口的部位先凝固，靠近冒口的部位后凝固，冒口本身最后凝固。 糊状凝固：如果合金的结晶温度范围很宽，或者铸件断面上温度梯度较小，则在凝固的某段时间内，其固相和液相并存的凝固区会贯穿铸件的整个断面。 同时凝固：是指采取一定的工艺措施，尽量减小铸件各部分之间的温度差，使铸件的各部分几乎同时进行凝固。 液态收缩：从浇注温度冷却至凝固开始温度(液相线温度)期间发生的收缩。凝固收缩：从凝固开始温度到凝固终了温度(固相线温度)期间发生的收缩。 铸件在凝固过程中，由于合金的液态收缩和凝固收缩所造成的体积缩减，如果未能获得补充(称为补缩)，则会在铸件最后凝固的部位形成孔洞。大而集中的孔洞称为缩孔，细小而分散的孔洞称为缩松。 1.3拟生产一批小型铸铁件，力学性能要求不高，但壁厚较薄，试分析如何提高合金液的充型能力。 答：1）尽可量提高浇注温度。由于壁厚较薄，铸铁可取1450左右2）增大充型压力（即增大推动力）。3）选用蓄热能力强的材料作铸型。4）提高铸型温度。5）选用发气量小而排气能力强的铸型。 1.4冒口补缩的原理是什么? 冷铁是否可以补缩? 冷铁的作用与冒口有何不同? 答：在铸件厚壁处和热节部位（即铸件上热量集中，内接圆直径较大的部位）设置冒
材料成形技术基础(问答题答案整理)
第二章铸造成形 问答题： 合金的流动性（充型能力）取决于哪些因素？提高液态金属充型能力一般采用哪些方法？答：因素及提高的方法： （1）金属的流动性：尽量采用共晶成分的合金或结晶温度范围较小的合金，提高金属液的品质； （2）铸型性质：较小铸型与金属液的温差； （3）浇注条件：合理确定浇注温度、浇注速度和充型压头，合理设置浇注系统； （4）铸件结构：改进不合理的浇注结构。 影响合金收缩的因素有哪些？ 答：金属自身的化学成分，结晶温度，金属相变，外界阻力（铸型表面的摩擦阻力、热阻力、机械阻力） 分别说出铸造应力有哪几类？ 答：（1）热应力（由于壁厚不均、冷却速度不同、收缩量不同） （2）相变应力（固态相变、比容变化） （3）机械阻碍应力 铸件成分偏析分为几类？产生的原因是什么？ 答：铸件成分偏析的分类：（1）微观偏析 晶内偏析：产生于具有结晶温度范围能形成固溶体的合金内。（因为不平衡结晶） 晶界偏析：（原因：(两个晶粒相对生长，相互接近、相遇；(晶界位置与晶粒生长方向平行。）（2）宏观偏析 正偏析（因为铸型强烈地定向散热，在进行凝固的合金内形成一个温度梯度） 逆偏析 产生偏析的原因：结晶速度大于溶质扩散的速度 铸件气孔有哪几种？ 答：侵入气孔、析出气孔、反应气孔 如何区分铸件裂纹的性质（热裂纹和冷裂纹）？ 答：热裂纹：裂缝短，缝隙宽，形状曲折，缝内呈氧化颜色 冷裂纹：裂纹细小，呈连续直线状，缝内有金属光泽或轻微氧化色。 七：什么是封闭式浇注系统？什么是开放式浇注系统？他们各组元横截面尺寸的关系如何？答：封闭式浇注系统：从浇口杯底孔到内浇道的截面逐渐减小，阻流截面在直浇道下口的浇注系统。(ΣF内<ΣF横
电子工艺实训报告
电子工艺实训报告 一、实习目的： 通过一个星期的电子实习，使我对电子元件及收音机的装机与调试有一定的感性和理性理解，打好了日后学习电子技术课的入门基础。同时实习使我获得了收音机的实际生产知识和装配技能，培养了我理论联系实际的水平，提升了我分析问题和解决问题的水平，增强了独立工作的水平。最主要的是培养了我与其他同学的团队合作、共同探讨、共同前进的精神。具体如下： 1.熟悉手工焊锡的常用工具的使用及其维护与修理。 2.基本掌握手工电烙铁的焊接技术，能够独立的完成简单电子产品的安装与焊接。熟悉电子产品的安装工艺的生产流程。 3.熟悉印制电路板设计的步骤和方法，熟悉手工制作印制电板的工艺流程，能够根据电路原理图，元器件实物设计并制作印制电路板。 4.熟悉常用电子器件的类别、型号、规格、性能及其使用范围，能查阅相关的电子器件图书。 5.能够准确识别和选用常用的电子器件，并且能够熟练使用普通万用表和数字万用表。 6.了解电子产品的焊接、调试与维修方法。 二、实习时间：2020-5-26～2020-5-30 三、实习地点：烟台职业学院电子实验室 四、指导老师：杨老师、李老师 五、实习内容： 1讲解焊接的操作方法和注意事项;
2练习焊接 3分发与清点元件。 4讲解收音机的工作原理及其分类; 5讲解收音机元器件的类别、型号、使用范围和方法以及如何准确 选择元器件。 6讲解如何使用工具测试元器件 7组装、焊接与调试收音机。 8将焊接产品交给老师评分，收拾桌面，打扫卫生。 六、对焊接实习的感受： 在一周的实习过程中最挑战我动手水平的一项训练就是焊接。焊 接是金属加工的基本方法之一。其基本操作“五步法”：准备施焊， 加热焊件，熔化焊料，移开焊锡，移开烙铁(又“三步法”)看似容易，实则需要长时间练习才能掌握。刚开始的焊点只能用“丑不忍睹”这 四个字来形容，但焊接考核逼迫我们用仅仅一天的时间完成考核目标， 能够说是必须要有质的飞跃。于是我耐下心思，戒骄戒躁，慢慢来。 在持续挑战自我的过程中，我拿着烙铁的手不抖了，送焊锡的手基本 能掌握用量了，焊接技术日趋成熟。当我终于能用最短时间完成一个 合格焊点时，对焊接的恐惧早已消散，取而代之的是对自己动手水平 的信心。在这个过程当中深深的感觉到，看似简单的，实际上可能并 非如此。在对焊接实习的过程中我学到了很多以前我不知道的东西， 比如，像实习前我只知道有电烙铁，不知道它还有好多种类，有单用 式、两用式、调温式、恒温式、直热式、感应式、内热式和外热式， 种类这么多。还有就是在挂锡以前不能用松香去擦拭电烙铁，这样会 加快它的腐蚀并且减少空气污染，等等。但是我也遇到了很多不明白 的地方，1.为什么要对焊接物实行挂锡，是为了防止氧化吗，只要我 将被焊接元件的表面清洗干净不就能够了吗，不明白;2.待电烙铁加热完全后，到底是先涂助焊剂还是先挂锡，我采用后者，有人采用前者。
材料成型工艺基础部分复习题答案
材料成型工艺基础（第三版）部分课后习题答案 第一章 ⑵.合金流动性决定于那些因素？合金流动性不好对铸件品质有何影响？ 答：①合金的流动性是指合金本身在液态下的流动能力。决定于合金的化学成分、结晶特性、粘度、凝固温度围、浇注温度、浇注压力、金属型导热能力。 ②合金流动性不好铸件易产生浇不到、冷隔等缺陷，也是引起铸件气孔、夹渣、縮孔缺陷的间接原因。 ⑷.何谓合金的收縮？影响合金收縮的因素有哪些？ 答：①合金在浇注、凝固直至冷却至室温的过程中体积和尺寸縮减的现象，称为收縮。 ②影响合金收縮的因素：化学成分、浇注温度、铸件结构和铸型条件。 ⑹.何谓同时凝则和定向凝则？ 答：①同时凝则：将浇道开在薄壁处，在远离浇道的厚壁处出放置冷铁，薄壁处因被高温金属液加热而凝固缓慢，厚壁出则因被冷铁激冷而凝固加快，从而达到同时凝固。 ②定向凝则：在铸件可能出现縮孔的厚大部位安放冒口，使铸件远离冒口的部位最先凝固，靠近冒口的部位后凝固，冒口本身最后凝固。 第二章 ⑴.试从石墨的存在和影响分析灰铸铁的力学性能和其他性能特征。 答：石墨在灰铸铁中以片状形式存在，易引起应力集中。石墨数量越多，形态愈粗大、分布愈不均匀，对金属基体的割裂就愈严重。灰铸铁的抗拉强度低、塑性差，但有良好的吸震性、减摩性和低的缺口敏感性，且易于铸造和切削加工。石墨化不充分易产生白口，铸铁硬、脆，难以切削加工；石墨化过分，则形成粗大的石墨，铸铁的力学性能降低。 ⑵.影响铸铁中石墨化过程的主要因素是什么？相同化学成分的铸铁件的力学性能是否相同？ 答：①主要因素：化学成分和冷却速度。 ②铸铁件的化学成分相同时铸铁的壁厚不同，其组织和性能也不同。在厚壁处冷却速度较慢，铸件易获得铁素体基体和粗大的石墨片，力学性能较差；而在薄壁处，冷却速度较快，铸件易获得硬而脆的白口组织或麻口组织。 ⑸.什么是孕育铸铁？它与普通灰铸铁有何区别？如何获得孕育铸铁？ 答：①经孕育处理后的灰铸铁称为孕育铸铁。 ②孕育铸铁的强度、硬度显著提高，冷却速度对其组织和性能的影响小，因此铸件上厚大截面的性能较均匀；但铸铁塑性、韧性仍然很低。 ③原理：先熔炼出相当于白口或麻口组织的低碳、硅含量的高温铁液，然后向铁液中冲入少量细状或粉末状的孕育剂，孕育剂在铁液中形成大量弥散的石墨结晶核心，使石墨化骤然增强，从而得到细化晶粒珠光体和分布均匀的细片状石墨组织。 ⑻.为什么普通灰铸铁热处理效果没球墨铸铁好？普通灰铸铁常用热处理方法有哪些？目的是什 么？ 答：①普通灰铸铁组织中粗大的石墨片对基体的破坏作用不能依靠热处理来消除或改进；而球墨铸铁的热处理可以改善其金属基体，以获得所需的组织和性能，故球墨铸铁性能好。 ②普通灰铸铁常用的热处理方法：时效处理，目的是消除应力，防止加工后变形；软化退火，目的是消除白口、降低硬度、改善切削加工性能。 第三章 ⑴．为什么制造蜡模多采用糊状蜡料加压成形，而较少采用蜡液浇铸成形？为什么脱蜡时水温不应达到沸点？ 答：蜡模材料可用石蜡、硬脂酸等配成，在常用的蜡料中，石蜡和硬脂酸各占50%，其熔点为50℃~60℃，高熔点蜡料可加入塑料，制模时，将蜡料熔为糊状，目的除了使温度均匀外，对含填充料的蜡料还有防止沉淀的作用。
集成电路工艺认识实习报告
集成电路工艺认识实习报告 1.专题一MEMS（微机电系统）工艺认识 1.1 重庆大学微系统研究中心概况 重庆微光机电工程技术研究中心依托于重庆大学，主要合作单位有中国电子科技集团公司第二十四研究所等。中心主要从事MEMS设计、研发及加工关键技 术研究、产业化转化和人才培养。 中心建立了面向西南地区的“MEMS器件及系统设计开发联合开放实验室，拥有国际先进的MEMS和CMOS电路设计及模拟软件，MEMS传感器及微型分析仪 器的组装和测试设备。 1.2主要研究成果 真空微电子压力传感器、集成真空微电子触觉传感器、射频微机械无源元件、硅微低电压生化分析系统、折衍混合集成微小型光谱分析仪器、全集成硅微二维加速度传感器、集成硅微机械光压力传感器、硅微加速度阵列传感器、硅微力平衡电容式加速度传感器、反射式混合集成微型光谱分析系统、微型振动式发电机系统、真空微电子加速度传感器 1.3微系统中心主要设备简介 1.3.1. 反应离子刻蚀机 1.3.2双面光刻机 1.3.3. 键合机 1.3.4. 探针台
1.3.5. 等离子去胶机 1.3.6. 旋转冲洗甩干机 1.3.7. 氧化／扩散炉 1.3.8. 低压化学气相淀积系统 1.3.9. 台阶仪 1.3.10. 光学三维形貌测试仪 1.3.11. 膜厚测试仪 1.3.1 2. 感应耦合等离子体（ICP）刻蚀机
1.3.13. 箱式真空镀膜机 1.3.14. 槽式兆声清洗机 1.3.15.射频等离子体系统 1.4MEMS的主要特点 体积小，重量轻，材料省，能耗低；完整的MEMS一般是由微动力源、微致动器、微传感器组成，智能化程度高，集成度高；MEMS整体惯性小，固有频率高，响应快，易于信号实时处理；由于采用光刻、LIGA等新工艺，易于批量生产，成本低；MEMS可以达到人手难于达到的小空间和人类不能进入的高温，放射等恶劣环境，靠MEMS的自律能力和对微机械群的遥控，可以完成宏观机械难于完成的任务。 1.5MEMS器件的应用 1.5.1 工业自动控制领域 应用MEMS器件对“温度、压力、流量”三大参数的检测与控制，目前普遍采用有微压力、微流量和微测温器件 1.5.2生物医学领域 微型血压计、神经系统检测、细胞组织探针和生物医学检测，并证实MEMS器件具有再生某些神经细胞组织的功能。
焊接电子工艺实习报告
焊接电子工艺实习报告 ----WORD文档，下载后可编辑修改---- 下面是小编收集整理的范本，欢迎您借鉴参考阅读和下载，侵删。您的努力学习是为了更美好的未来！ 焊接电子工艺实习报告篇一一、课程设计目的 1.了解电话机的基本知识，通过具体的电路图，初步掌握焊接技术，简单电路元器件装配，对故障的诊断和排除以及对电话机原理工作的一般原理。 2.熟悉电子装焊工艺的基本知识和原理，掌握焊接技术并装焊一台电话机。 3.了解安全用电知识，学习安全操作要领，培养严谨的工作作风，养好良好的工作习惯，培养正确的劳动观与人生观，也培养团队意识和集体主义精神。 二、课程设计内容 1.元器件的识别 对于此次电话机装配中所用到的所有元器件，如色环电阻、二极管、稳压管、三极管、瓷片电容、涤纶电容、电解电容、变压器、单片机及其他各种所用到的器件都应该能很好的识别。 2.元器件的插装 元器件在焊接前，需要对其进行正确的插装，这一点是十分重要的，它关系到我们电话机组装成败与否。对于器件的插装，要求我们能在正确识别元器件的基础上，认真，小心，对照元器件清单表，不漏插，不错插。 3.元器件的焊接 在进行元器件的焊接前，要求我们首先掌握正确的焊接工艺，这就需要我们在掌握焊接理论的前提下，进行大量的焊接练习。焊接时，要做到快、准、稳。 4.电话机的测试 在完成了电话机的焊接以后，我们并不能急着进行整机的装配，还要先对其进行测试，以便确定我们的电话机是否符合要求，对于发现的问题，要认真的寻找原因，并加以改正。 5.整机装配 装好电话机剩下的零件，接受检验。 三、课程设计(收音机或电话机)原理，元件认知电话是通信中实现声能与电
(完整word版)材料成型工艺基础习题及答案
1.铸件在冷却过程中，若其固态收缩受到阻碍，铸件内部即将产生内应力。按内应力的产生原因，可分为应力和应力两种。 2.常用的特种铸造方法 有：、、、、和 等。 3.压力加工是使金属在外力作用下产生而获得毛 坯或零件的方法。 4.常用的焊接方法有、和 三大类。 5.影响充型能力的重要因素有、和 等。 6.压力加工的基本生产方式 有、、、、和等。 7.热应力的分布规律是：厚壁受应力，薄壁受 应力。 8.提高金属变形的温度，是改善金属可锻性的有效措施。但温度过高，必将产生、、和严重氧化等缺陷。所以应该严格 控制锻造温度。 9.板料分离工序中，使坯料按封闭的轮廓分离的工序称为； 使板料沿不封闭的轮廓分离的工序称为。 10.拉深件常见的缺陷是和。 11.板料冲压的基本工序分为和。前者指冲裁工序，后者包括、、和。 12.为防止弯裂，弯曲时应尽可能使弯曲造成的拉应力与坯料的纤维 方向。 13.拉深系数越，表明拉深时材料的变形程度越大。 14.将平板毛坯变成开口空心零件的工序称为。 15.熔焊时，焊接接头是由、、和 组成。其中和是焊接接头中最薄弱区域。 16.常用的塑性成形方法 有：、、、、 等。 16.电阻焊是利用电流通过焊件及接触处所产生的电阻热，将焊件局 部加热到塑性或融化状态，然后在压力作用下形成焊接接头的焊接方法。电阻焊分为焊、焊和焊三种型式。
其中适合于无气密性要求的焊件；适合于焊接有气密性要求的焊件；只适合于搭接接头；只适合于对接接头。 1.灰口铸铁的流动性好于铸钢。（） 2.为了实现顺序凝固，可在铸件上某些厚大部位增设冷铁，对铸件进行补缩。（） 3. 热应力使铸件的厚壁受拉伸，薄壁受压缩。（） 4.缩孔是液态合金在冷凝过程中，其收缩所缩减的容积得不到补足，在铸件内部形成的孔洞。（） 5.熔模铸造时，由于铸型没有分型面，故可生产出形状复杂的铸件。（） 6.为便于造型时起出模型，铸件上应设计有结构斜度即拔模斜度。（） 7.合金的液态收缩是铸件产生裂纹、变形的主要原因。（） 8.在板料多次拉深时，拉深系数的取值应一次比一次小，即 m1>m2>m3…>mn。（） 9.金属冷变形后，其强度、硬度、塑性、韧性均比变形前大为提高。（） 10.提高金属变形时的温度，是改善金属可锻性的有效措施。因此，在保证金属不熔化的前提下，金属的始锻温度越高越好。（）11.锻造只能改变金属坯料的形状而不能改变金属的力学性能。 （） 12.由于低合金结构钢的合金含量不高，均具有较好的可焊性，故焊前无需预热。（） 13.钢中的碳是对可焊性影响最大的因素，随着含碳量的增加，可焊性变好。（） 14.用交流弧焊机焊接时，焊件接正极，焊条接负极的正接法常用于
晶体加工工艺总结
晶体加工工艺总结（德清华瑞光学） 晶体加工 1、方解石：光轴面抛光后不能用白胶布保护，必需用黑胶布。光轴面B=Ⅲ，用玻璃盘细磨，细磨光圈半个左右。抛光：用绸布（真丝布）绑在抛光好的平玻璃板上，一定要平，然后用704粘合剂均匀地涂在绸布上，未干时放在平玻璃板上轻轻磨一下，然后等完全干透。 2、白宝石、红宝石：要求B=Ⅳ，θ=1′，N=1，ΔN=1/2。一般用钢盘加研磨膏抛光，钢盘一定要改好。如果B要求较高，可用特殊胶盘。细磨一定要好。 3、磁光（旋光）晶体：YIG、GGG。细磨一定用碳化硼280#，20#，抛光先用宝石粉W2.5抛亮后，再用刚玉微粉W1.5抛，用水晶作垫子。 4、BBO，微潮，磨砂用302#、302.5#。在铁盘或玻璃盘上磨。抛光用CeO2可抛好。晶体易开裂，加工时及加工前后均应注意保持恒温。并要求选取无包裹的纯单晶加工，有方向要求。BBO晶体较软，易划伤，抛光面不可与任合物擦拭。BBO晶体易潮解，抛光后置于红外灯下烘干，然后置于密封干燥的容器中保存。 5、氟化钙（CaF2）B=Ⅲ，可用CeO2抛好。用302#、303#磨砂，用宝石粉抛亮后，改用钻石粉水溶液抛光圈和道子。用宝石粉W1抛光很快，然后用W0.5 抛光圈和道子。用聚胺树脂作抛光模范，也可用宝石粉抛亮后用氧化铬抛光，胶盘用软胶盘，工件最好抛高光圈，但不必高太多。 6、LBO材料硬度与K9相似，点胶上盘，如封蜡可用电烙铁直接封，研磨、抛光同K9玻璃相似，用CeO2抛光。 7、氟锂锶锂：软晶体、易坏，B=Ⅱ，上盘用红外灯慢慢加热。在清洗时不可多擦表面，否则易出道子。用氟化锂做保护片，W1.５刚玉粉抛亮后改用Ｗ０.５钻石微粉水溶液抛光。用CeO2抛光也可抛好。（５００目） 8、KTP晶体：硬度和ＺＦ相差不多，用ＺＦ做保护片，进行抛光。ＫＤ＊Ｐ、ＫＴ＊Ｐ，用软胶盘（一般用特殊配制的胶盘），也可用１＃（天较冷）２＃（天较热）号胶盘，抛光后用洗砂倒边。ＫＤ＊Ｐ易潮解、易碎，抛光时温度、湿度要求较高。 9、双４５°ＬＮ电光Ｑ开关：双４５°ＬＮ电光Ｑ开关是一种利用ＬＮ晶体作材料加工成的斜方棱镜，有六个加工面，其中四个面抛光，另两个面只须定向和研磨。在四个抛光面中，入射面、出射面为晶体Ｙ晶面。入射面、出射面的夹角为４５°±１′，电极面为Ｘ晶面，须镀金。加工时首先要确定Ｙ基准面，Ｘ、Ｙ晶面的衍射角为θ（１１０）＝１７°２４′和θ（３００）＝３１°１２′。上盘用石膏模固定，配盘材料用ＬＮ或与ＬＮ相似的Ｋ９玻璃。加工时入射面、出射面主要控制几何尺寸和平行度，技术要求：Ｎ＝１/４、Ｂ＝Ⅲ，θ≤１０〞。加工第一个４５°反射面主要控制角度和塔差，第二个４５°反射面除控制零件的长度外，还要控制光线经过四个抛光面反射后所反映出来的综合平行度。由于光线在晶体内部经过四次反射，因此测量综合平行度只是分划板读数的１／４n（n为ＬＮ折射率）通常要求θ≤１０〞。ＬＮ电光Ｑ开关的两个４５°反射面的粗糙程度的好坏与晶体抗激光损伤能力密切相关。ＬＮ属于铁电晶体，当抛光级剂选用不当时会出现抛不亮或返毛现象，可通过选高熔点的抛光剂或在溶液中加入ＨＣＬ或肥皂粉，如果仍不行须重新磨砂。 10、Mg2SiO4 (镁橄榄石)晶体，莫氏硬度为7，抛光较难。 1、用聚胺树脂硬胶盘加Ｗ3.５、Ｗ2.５宝石研磨膏抛光，大约要5~6小时，一天左右可抛亮。 2、抛亮厚用Ｗ０.５钻石微粉水溶液改光圈。低光圈较难改。 11、SeZn晶体，软晶体。磨砂用302#、302.5#在玻璃盘上，抛光用软胶盘，先用W1.
电子工艺实验报告
电子工艺实验报告 一、实验目的： （1）熟悉手工焊锡的常用工具的使用及其维护与修理。 （2）基本掌握手工电烙铁的焊接技术，能够独立的完成简单电子产品的安装与焊接。熟悉电子产品的安装工艺的生产流程，印制电路板设计的步骤和方法，手工制作印制电板的工艺流程，能够根据电路原理图，元器件实物。 （3）了解常用电子器件的类别、型号、规格、性能及其使用范围，能查阅有关的电子器件图书。 （4）能够选用常用的电子器件。了解电子产品的焊接、调试与维修方法。了解一般电子产品的生产调试过程，初步学习调试电子产品的方法。 抢答器焊接部分 二、实验步骤： （1）学习识别简单的电子元件与电子电路。 （2）学习并掌握抢答器的工作原理。 （3）学习焊接各种电子元器件的操作方法。 （4）按照图纸焊接元件。 实验原理图
焊接技巧及烙铁使用 （一）焊接机巧 1.焊前处理: 焊接前，应对元件引脚或电路板的焊接部位进行焊前处理。 ①、清除焊接部位的氧化层 可用断锯条制成小刀。刮去金属引线表面的氧化层，使引脚露出金属光泽。印刷电路板可用细纱纸将铜箔打光后，涂上一层松香酒精溶液。 ②、元件镀锡
在刮净的引线上镀锡。可将引线蘸一下松香酒精溶液后，将带锡的热烙铁头压在引线上，并转动引线。即可使引线均匀地镀上一层很薄的锡层。导线焊接前，应将绝缘外皮剥去，再经过上面两项处理，才能正式焊接。若是多股金属丝的导线，打光后应先拧在一起，然后再镀锡。 2.做好焊前处理之后，就可正式进行焊接。 ①、右手持电烙铁。左手用尖嘴钳或镊子夹持元件或导线。焊接前，电烙铁要充分预热。烙铁头刃面上要吃锡，即带上一定量焊锡。 ②、将烙铁头刃面紧贴在焊点处。电烙铁与水平面大约成60℃角。以便于熔化的锡从烙铁头上流到焊点上。烙铁头在焊点处停留的时间控制在2～3秒钟。 ③、抬开烙铁头。左手仍持元件不动。待焊点处的锡冷却凝固后，才可松开左手。 ④、用镊子转动引线，确认不松动，然后可用偏口钳剪去多余的引线。 3.焊接质量 焊接时，要保证每个焊点焊接牢固、接触良好。要保证焊接质量。 所示应是锡点光亮，圆滑而无毛刺，锡量适中。锡和被焊物融合牢固。不应有虚焊和假焊。 虚焊是焊点处只有少量锡焊住，造成接触不良，时通时断。假焊是指表面上好像焊住了，但实际上并没有焊上，有时用手一拔，引线就可以从焊点中拔出。
材料成型技术基础知识点总结
第一章铸造 1.铸造：将液态金属在重力或外力作用下充填到型腔中，待其凝固冷却后，获得所需形状和尺寸的毛坯或零件的方法。 2.充型：溶化合金填充铸型的过程。 3.充型能力：液态合金充满型腔，形成轮廓清晰、形状和尺寸符合要求的优质铸件的能力。 4.充型能力的影响因素： 金属液本身的流动能力（合金流动性） 浇注条件：浇注温度、充型压力 铸型条件：铸型蓄热能力、铸型温度、铸型中的气体、铸件结构 流动性是熔融金属的流动能力，是液态金属固有的属性。 5.影响合金流动性的因素： （1）合金种类：与合金的熔点、导热率、合金液的粘度等物理性能有关。 （2）化学成份：纯金属和共晶成分的合金流动性最好； （3）杂质与含气量：杂质增加粘度，流动性下降；含气量少，流动性好。 6.金属的凝固方式： ①逐层凝固方式 ②体积凝固方式或称“糊状凝固方式”。 ③中间凝固方式 7.收缩：液态合金在凝固和冷却过程中，体积和尺寸减小的现象称为合金的收缩。 收缩能使铸件产生缩孔、缩松、裂纹、变形和内应力等缺陷。 8.合金的收缩可分为三个阶段：液态收缩、凝固收缩和固态收缩。 液态收缩和凝固收缩，通常以体积收缩率表示。液态收缩和凝固收缩是铸件产生缩孔、缩松缺陷的基本原因。 合金的固态收缩，通常用线收缩率来表示。固态收缩是铸件产生内应力、裂纹和变形等缺陷的主要原因。 9.影响收缩的因素 （１）化学成分：碳素钢随含碳量增加，凝固收缩增加，而固态收缩略减。 （２）浇注温度：浇注温度愈高，过热度愈大，合金的液态收缩增加。 （３）铸件结构：铸型中的铸件冷却时，因形状和尺寸不同，各部分的冷却速度不同，结果对铸件收缩产生阻碍。 （4）铸型和型芯对铸件的收缩也产生机械阻力 10.缩孔及缩松：铸件凝固结束后常常在某些部位出现孔洞，按照孔洞的大小和分布可分为缩孔和缩松。大而集中的孔洞称为缩孔，细小而分散的孔洞称为缩松。 缩孔的形成：主要出现在金属在恒温或很窄温度范围内结晶，铸件壁呈逐层凝固方式的条件下。 缩松的形成：主要出现在呈糊状凝固方式的合金中或断面较大的铸件壁中，是被树枝状晶体分隔开的液体区难以得到补缩所致。 合金的液态收缩和凝固收缩越大，浇注温度越高，铸件的壁越厚，缩孔的容积就越大。 缩松大多分布在铸件中心轴线处、热节处、冒口根部、内浇口附近或缩孔下方。
微电子器件原理总结
三种管子的工作原理、符号、结构、电流电压方程、电导、跨导、频率 然后还有集边效应，二次击穿 双极型晶体管： 发射极电流集边效应： （1）定义：由于p-n 结电流与结电压的指数关系，发射结偏压越高，发射极边缘处的电流较中间部位的电流越大 （2）原因：基区体电阻的存在引起横向压降所造成的 （3）影响：增大了发射结边缘处的电流密度，使之更容易产生大注入效应或有效基区扩展效应，同时使发射结面积不能充分利用 （4）限制：限制发射区宽度，定义发射极中心到边缘处的横向压降为kT /q 时所对应的发射极条宽为发射极有效宽度，记为2S eff 。S eff 称为有效半宽度。 发射极有效长度 ： （1）定义：沿极条长度方向，电极端部至根部之间压降为kT/q 时所对应的发射极长度称为发射极有效长度 （2）作用：类似于基极电阻自偏压效应，但沿Z 方向，作用在结的发射区侧 二次击穿和安全工作区： （1）现象：当晶体管集电结反偏增加到一定值时，发生雪崩击穿，电流急剧上升。当集电结反偏继续升高，电流I c 增大到某—值后,cb 结上压降突然降低而I c 却继续上升，即出现负阻效应。 （2）分类： 基极正偏二次击穿（I b >0）、零偏二次击穿和（I b =0）、反偏二次击穿（I b <0）。 （3）过程：①在击穿或转折电压下产生电流不稳定性； ②从高电压区转至低电压区，即结上电压崩落，该击穿点的电阻急剧下降； ③低压大电流范围：此时半导体处于高温下，击穿点附近的半导体是本征型的； ④电流继续增大，击穿点熔化，造成永久性损坏。 （4）指标：在二次击穿触发时间t d 时间内，消耗在晶体管中的能量 ?=d t SB IVdt E 0 称为二次击穿触发能量（二次击 穿耐量）。晶体管的E SB （二次击穿触发功率P SB )越大，其抗二次击穿能力越强。 （5）改善措施： 1、电流集中二次击穿 ①由于晶体管内部出现电流局部集中，形成“过热点”，导致该处发生局部热击穿。
电子工艺实习报告总结
电子工艺实习报告总结 【篇一】 实习是每个大学生的一段经历，也是每个大学生的一个过渡时期，完成了实习，离你参加社会工作就不远了，也算是为正式参加工作做准备吧。我是电工电子专业的学生，在学校的安排下，我们一群学生在导师的带领下外出实习，这次的实习对我们的帮助很大，在实习的过程中我们学到了很多的东西。社会时代不断的发展，社会对技术人员的需求大量增加，要求也是有增无减。所以为了让我们在以后正式工作中会顺利一些，学校就安排我们外出实习来增长见识。在实习的过程中难免会犯一些错误，但是在老师的指导和同学们的鼓励下，我们克服了许多的困难，在实习中我所收获的不仅是理论知识，还有如何分析问题处理问题的能力和方法，在实习中我也知道了团结的力量才是的。在整个实习的过程中，先从简单的焊接，到最后复杂的组装，是我了解到了理论知识和实践操作都是不可缺少的，不管少了什么，都是无法成功的制作一台收音机的。 经过了这次的实习，我获得的心得体会是： 1、我对焊接技术有了全新的认识，也熟悉了焊接的方法和技巧。 2、我对电子技术有了更加直接的了解，对放大和整流电路也有了更全面的了解。 3、自己对问题的分析能力有了很大的进步。先开始只知道胡乱操作，犯了很多低级的错误，比如一开始居然把元件焊在了印制板的反面，先焊了集成块等等。但是通过这次实习，我的进步很大，最
起码不会犯些低级错误了。 4、增加了对社会的认识，拥有了一定的工作经验。纸上得来终觉浅，须知此事要躬行。这句话一点都没错，在书本上我们只学到理论知识，但是工作实践离我们有着一定的差距，但是通过这次的实习，我对电子专业更加的了解，我们将学校学到的理论知识运用到工作当中去，从中吸取经验，为我们以后的工作打下了基础。 5、在实习中，我知道团结合作的重要性。毕竟靠一个人的力量是有限的，只有团结合作才能发挥的力量。这次的实习让我的收获很大，首先谢谢学校安排的这次实习，还有指导老师的教导，同学们的鼓励。在以后的学习工作中，我会不断的努力，直到做到更好。【篇二】 通过一个星期的学习，我觉得自己在以下几个方面与有收获： 一对电子工艺的理论有了初步的系统了解。我们了解到了焊普通元件与电路元件的技巧、印制电路板图的设计制作与工艺流程、工作原理与组成元件的作用等。这些知识不仅在课堂上有效，对以后的电子工艺课的学习有很大的指导意义，在日常生活中更是有着现实意义。 二对自己的动手能力是个很大的锻炼。实习出真知，纵观古今，所有发明创造无一不是在实习中得到检验的。没有足够的动手能力，就奢谈在未来的科研尤其是实验研究中有所成就。在实习中，我锻炼了自己动手技巧，提高了自己解决问题的能力。比如做收音机组装与调试时，好几个焊盘的间距特别小，稍不留神，就焊在一起了，
材料成型工艺基础部分(中英文词汇对照)
材料成型工艺基础部分0 绪论 金属材料：metal material (MR) 高分子材料：high-molecular material 陶瓷材料：ceramic material 复合材料：composition material 成形工艺：formation technology 1 铸造 铸造工艺：casting technique 铸件：foundry goods （casting） 机器零件：machine part 毛坯：blank 力学性能：mechanical property 砂型铸造：sand casting process 型砂：foundry sand 1.1 铸件成形理论基础 合金：alloy 铸造性能：casting property 工艺性能：processing property 收缩性：constringency 偏析性：aliquation 氧化性：oxidizability
吸气性：inspiratory 铸件结构：casting structure 使用性能：service performance 浇不足：misrun 冷隔：cold shut 夹渣：cinder inclusion 粘砂：sand fusion 缺陷：flaw, defect, falling 流动性：flowing power 铸型：cast (foundry mold) 蓄热系数：thermal storage capacity 浇注：pouring 凝固：freezing 收缩性：constringency 逐层凝固：layer-by-layer freezing 糊状凝固：mushy freezing 结晶：crystal 缩孔：shrinkage void 缩松：shrinkage porosity 顺序凝固：progressive solidification 冷铁：iron chill 补缩：feeding
微电子加工工艺总结资料
1、分立器件和集成电路的区别 分立元件：每个芯片只含有一个器件；集成电路：每个芯片含有多个元件。 2、平面工艺的特点 平面工艺是由Hoerni于1960年提出的。在这项技术中，整个半导体表面先形成一层氧化层，再借助平板印刷技术，通过刻蚀去除部分氧化层，从而形成一个窗口。 P-N结形成的方法： ①合金结方法 A、接触加热：将一个p型小球放在一个n型半导体上，加热到小球熔融。 B、冷却：p型小球以合金的形式掺入半导体底片，冷却后，小球下面形成一个再分布结晶区，这样就得到了一个 pn结。 合金结的缺点：不能准确控制pn结的位置。 ②生长结方法 半导体单晶是由掺有某种杂质（例如P型）的半导体熔液中生长出来的。 生长结的缺点：不适宜大批量生产。 扩散结的形成方式 与合金结相似点： 表面表露在高浓度相反类型的杂质源之中 与合金结区别点： 不发生相变，杂质靠固态扩散进入半导体晶体内部 扩散结的优点 扩散结结深能够精确控制。 平面工艺制作二极管的基本流程： 衬底制备——氧化——一次光刻（刻扩散窗口）——硼预沉积——硼再沉积——二次光刻（刻引线孔）——蒸铝——三次光刻（反刻铝电极）——P-N结特性测试 3、微电子工艺的特点 高技术含量设备先进、技术先进。 高精度光刻图形的最小线条尺寸在亚微米量级，制备的介质薄膜厚度也在纳米量级，而精度更在上述尺度之上。 超纯指工艺材料方面，如衬底材料Si、Ge单晶纯度达11个9。 超净环境、操作者、工艺三个方面的超净，如 VLSI在100级超净室10级超净台中制作。 大批量、低成本图形转移技术使之得以实现。 高温多数关键工艺是在高温下实现，如：热氧化、扩散、退火。
材料成形工艺基础复习题
1.三种凝固方式（逐层、糊状、中间）及其影响因素（结晶温度范围、温度梯度） 2.合金的流动性及其影响因素（合金成分） a)为什么共晶合金的流动性好？ 3.合金的充型能力对铸件质量的影响（浇不足、冷隔） 4.影响充型能力的主要因素（合金的流动性、浇注条件、铸型条件） 5.合金收缩的三个阶段（液态、凝固、固态） 6.缩孔、缩松产生的原因、规律（逐层：缩孔；糊状：缩松；位置：最后凝固部位） 7.缩孔与缩松防止（定向凝固原则；措施：加冒口、冷铁） 8.铸造应力产生的原因和种类（热应力、机械应力或收缩应力） 9.热应力的分布规律（厚：拉；薄：压）及防止（同时凝固原则） 10.铸造残余应力产生的原因（热应力）及消除措施（时效处理） 11.铸件变形与裂纹产生的原因（故态收缩，残余应力） 12.变形防止办法（同时凝固；反变形；去应力退火） 13.热裂纹与冷裂纹的特征 第二节液态成形方法 1.常用手工造型方法（五种最基本的方法：整模、分模、活块、挖砂、三箱）的特点和应 用（重在应用） 2.机器造型：实现造型机械化的两个主要方面（紧砂、起模） 3.熔模铸造的原理（理解）、特点（理解）和应用。 a)为什么熔模铸件精度高，表面光洁？ b)为什么熔模铸造适合于形状复杂的铸件？ c)为什么熔模铸造适合于难于加工的合金铸件？ 4.金属型铸造的原理（理解）、特点（理解）和应用。 a)为什么金属型铸件精度高，表面光洁？ b)为什么金属型铸造更适合于非铁合金铸件的生产？ 5.压力铸造的原理（理解）、特点（理解）和应用。 6.低压铸造的原理（理解）、特点（理解）和应用。 7.离心铸造的原理（理解）、特点（理解）和应用。 第三节液态成形件的工艺设计 1.浇注位置的概念及其选择原则（重在理解和应用）