当前位置：文档库 › 太阳能级多晶硅料等级标准

太阳能级多晶硅料等级标准

ICS

H 82

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布中国国家标准化管理委员会

前言

本标准是为适应我国光伏产业日益发展的需要，在修改采用SEMI 16-1296《硅多晶规范》标准的基础上，结合我国硅多晶硅生产、试验、使用的实际情况而制定的。本标准的制定能满足市场及用户对太阳能级多晶硅的质量要求。

本标准考虑了目前市场上的大部分多晶硅料，包括：硅粉、碳头料、棒状料、块状料、颗粒料等，根据不同种类的硅多晶加工、生产太阳能电池其转换率情况，将太阳能级硅多晶纯度指标分为三级。与SEMI 16-1296相比增加了基体金属杂质内容。

本标准的术语与相关标准协调一致。

本标准由中国有色金属工业协会提出。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。

本标准起草单位：洛阳中硅高科技有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司。

本标准主要起草人：杨玉安、袁金满、孙世龙、汪义川。

太阳能级多晶硅

1 范围

本标准规定了太阳能级硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、运输及贮存。

本标准适用于以三氯氢硅或四氯化硅为原料，生产的棒状多晶硅、粒状状多晶硅、包括块状多晶硅、碳头料和生产过程中的硅粉，以及采用物理提纯法提纯生产的多晶硅。产品主要用于太阳能级单晶硅棒和多晶硅锭的生产。

2 规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T 1552 硅、锗单晶电阻率测试直排四探针法

GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

GB/T 4059 硅多晶气氛区熔磷检验法

GB/T 4060 硅多晶真空区熔基硼检验法

GB/T 1558 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB/T 1558 测定硅晶体中代位碳含量红外吸收方法

GB/T ××××-200× 硅多晶中基体金属杂质化学分析电感耦合等离子体质谱法

GB/T 14264 半导体材料术语

ASTM F1389-00 光致荧光光谱测单晶硅中Ⅲ-Ⅴ族杂质

ASTM F1724-01 利用原子吸收光谱测量多晶硅表面金属杂质

3 要求

3.1 分类

产品按外型分为块状、粒状、粉状和棒状多晶硅，根据纯度的差别分为3级。

3.2 牌号

硅多晶牌号表示为：

SOGPSi—□—□

阿拉伯数字表示硅多晶等级

字母I表示棒状，N表示块状、G表示粒状、P表示粉状

表示太阳能级硅多晶

3.3 技术要求

3.3.1 棒状、块状硅

太阳能级棒状、块状多晶硅的纯度及相关技术要求应符合表1的规定。

表1

3.3.2 粉状多晶硅

粉状多晶硅的纯度及相关技术要求应符合表2的规定。

表2

3.3.3 碳头料

碳头料中的碳去除干净，可以用作太阳能铸锭和拉棒。其技术要求同表1太阳能级块状和棒状多晶硅纯度要求中的2级品。

3.3.4 粉状料

粉状料可以太阳能铸锭，其技术要求应符合表2中2级品的规定。

3.4 尺寸范围

3.4.1 破碎的块状硅多晶具有无规则的形状和随机尺寸分布，其线性尺寸最小为6mm，最大为100mm。

3.4.2 块状多晶硅的尺寸分布范围为：

a) 6～25mm的最多占重量的15%；

b) 25～50mm的占重量的15%~35%；

c) 50～100mm的最少占重量的65%。

3.4.3 棒状多晶硅的直径、长度尺寸由供需双方商定。其直径允许偏差为10%。

3.5 结构及表面质量

3.5.1 块状、棒状硅多晶结构应致密。

3.5.2 多晶硅免洗或经过表面清洗，都应使其达到直接使用要求。所有多晶硅的外观应无色班、变色，无可见的污染物和氧化的外表面。

3.5.3 粒状硅的直径为1-3mm，无肉眼可见异物。

3.5.4 碳头料的碳要去除干净，不能有残留。

3.5.5 粉状多晶硅要求无肉眼可见异物。

4 测试方法

4.1 纯度及相关技术要求检验方法：

4.1.1 多晶硅导电类型检验按GB/T 1550测试。

4.1.2 多晶硅N型电阻率检验按GB/T 1550测试。

4.1.3 多晶硅P型电阻率检验按GB/T 1550测试。

4.1.4 N型少数载流子寿命测量按GB/T 1550测试。

4.1.5 多晶硅中氧浓度测量按GB/T 1558测试。

4.1.6 多晶硅中碳浓度测量按GB/T 1558测试。

4.1.7 多晶硅断面夹层检验按GB/T 4061测试。

4.1.8 多晶硅中基体金属杂质按GB/T××××-200×测试。

4.1.9 多晶硅中的B、P 含量按照ASTM F1389-00测试。

4.1.10 多晶硅表面金属杂质按照 ASTM F1724-01测试。

4.2 尺寸检验方法：

棒状硅多晶的尺寸用游标卡尺测量，块状硅多晶的尺寸分布范围用过筛检验，或由供需双方商定的方法检验（如单块重量法）；粒状多晶硅尺寸分布可用过筛检验。

4.3 粉状多晶硅、碳头料由供需双方商定检验。

4.4 多晶硅的表面质量用肉眼检查。

5 检验规则

5.1 检查和验收

5.1.1 产品应有供方质量监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准规定，并填写产品质量证明书。

5.1.2 需方可对收到的产品进行检验。若检验结果与本标准规定不符时，应在收到产品之日起一个月内向供方提出，由供需双方协商解决。

5.2 组批

产品应成批提交验收，每批应有同一牌号、具有相同标称纯度和特性，以类似工艺条件生产并可追溯生产条件的硅多晶或同一反应炉次的硅多晶组成。

5.3 检验项目

每批产品应进行N型电阻率、P型电阻率、少数载流子寿命、氧碳浓度、结构、表面质量和尺寸的检验，基体金属杂质进行抽检或由供需双方协商。

5.4 取样与制样

5.4.1 供方取样、制样时，对棒状硅多晶N型电阻率、P型电阻率、制样应按GB4059、GB4060 、GB4061进行，铸造块状硅多晶应在具有代表性的部位参照GB4059、GB4060取样、制样。

5.4.2 仲裁抽样方案由供需双方商定，取样部位和制样按

6.4.1进行。

5.5 检验结果判定

5.5.1 多晶硅的纯度由N型电阻率、P型电阻率、氧碳浓度判定，少数载流子寿命和基体金属杂质属参考项目。

5.5.2 在判定项目中若检验结果有一项不合格，则加倍取样对该不合格的项目进行重复试验。若重复试验仍不合格，则该批产品为不合格或降级使用。

6 包装、标志、运输及贮存

6.1 包装

硅多晶免洗或经过一定方式洗净、干燥后，装入洁净的聚乙烯包装袋内，密封，然后再将包装袋装入包装箱或包装桶内。块状硅多晶包装规格为每袋净重为5000g±25g或10000g±50g。棒状硅多晶每根单独包装，并用箱子固定、封状。包装时应防止聚乙烯包装袋破损，以避免产品外来沾污，并按最佳方法提供良好保护。

6.2 标志

包装箱（桶）外应标有“小心轻放”及“防腐、防潮”字样或标志，并标明：

a）需方名称；

b）产品名称、牌号；

c）产品数量、净重；

d）供方名称

6.3 质量证明书

每批产品应附有质量证明书，注明：

a）供方名称；

b）产品名称及牌号；

c）产品批号；

d）产品毛重、净重；

e）各项检验结果及检验部门印记；

f）本标准编号；

g）出厂日期。

6.4 运输

产品在运输过程中应轻装轻卸，勿压勿挤，并采取防震措施。

6.5 贮存

产品应贮存在清洁、干燥环境中。

太阳能光伏电池标准_IEC_61427-2005(中文版)

国际标准IEC61427 第2版 2005.5 光伏太阳能系统（PVES）储能二次电池和电池组 ―――一般要求和试验方法

目录前言 1．适用范围 2．标准性参考文献 3．术语和定义 4．使用条件 4．1光伏能源系统 4．2二次电池和电池组 4．3通用运行条件 5．一般要求 5．1机械耐受性 5．2充电效率 5.3深放电保护 5．4标记 5．5安全 5．6文件 6．功能特性 7．通用试验条件 7．1测量仪表精度 7．2测试样品的准备和维护 8．试验方法 8．1容量实验 8．2循环耐久试验 8．3荷电保持试验 8．4光伏用途循环耐久试验（极端条件）9．试验的推荐采用 9．1型式试验 9．2验收试验

前言 1）国际电工技术委员会（International Electrotechnical Commission――IEC）是一个全球性的、包括所有国家的电工技术委员会（IEC国家委员会）的标准化组织。 IEC的目的是推进所有电气和电子领域有关标准化方面的国际合作。为此目的，除了其它的活动之外，IEC出版国际标准、技术规范、技术报告、公开可获得的规范和指导（下称IEC出版物）。出版物的准备都是委托各技术委员会进行；任何IEC 国家委员会对于所涉及的出版物感兴趣都可以参加准备工作。在出版物的准备过程中，与IEC有联系的国际的、政府的和非政府组织也可以参加。IEC与国际标准化组织（International Organization for Standardization---ISO）按照两个组织一致同意的条件密切合作。 2）IEC对于技术问题所作出的结论和决议都尽可能地代表了相关问题国际上的一致意见，因为每一个技术委员会都有来自所有感兴趣的IEC国家委员会的代表。 3）IEC出版物的形式为国际上推荐采用，而且在这个意义上也已被IEC各国家委员会所接受。尽管已经尽力做到IEC出版物的技术内容准确无误，但IEC不能对其使用的方式或最终用户的误解负责。 4）为了促进国际上的一致性，所有IEC国家委员会都承诺在其国家的或地区的出版物中尽最大可能的明确使用IEC出版物。IEC出版物和国家的或地区的出版物之间的任何差异都需要在后者的出版物中予以明确标明。 5）IEC不提供其认可的程序，也不对任何声称符合IEC出版物的设备负责。 6）所有用户都应确保他们所持有的是最新版本。 7）对于由于使用或信任本出版物或其它IEC出版物所导致的任何人身伤害、财产损失或其它任何性质的损害――不论是直接的还是间接地――或者其它的费用（包括法律费用）和开销，都与IEC或其经理、雇员、服务人员或代理――包括个体的专家和技术委员会以及IEC国家委员会的委员无关。 8）注意该出版物引用的参见标准。对于正确使用本出版物，使用这些参见出版物是必须的。 9）注意本出版物的某些内容可能是专利权的标的。IEC没有责任标明任何或所有这些专利权。 IEC61427标准由IEC21技术委员会――二次电池和电池组――准备。该第2版取代了1999年公布的第一版。该版本包括了一些技术方面的修改。第二版在该文件第一版本的基础上重新组织，在使用条件、一般要求、功能特性、通用试验条件、试验方法以及试验的推荐采用等方面更加清晰，目的是让最终用户更容易理解。试验方法在两种不同的技术――铅酸和镍镉――方面都给予了详细清楚地解释。该标准的内容以下述文件为基础：关于该标准的批准投票详细情况可以在上表中示出的投票报告中去查找。该出版物的起草根据ISO/IEC Directive Part2进行。

多晶硅太阳能电池

摘要在全球气候变暖、人类生态环境恶化、常规能源短缺并造成环境污染的形势下，可持续发展战略普遍被世界各国接受。光伏能源以其具有充分的清洁性、绝对的安全性、资源的相对广泛性和充足性、长寿命以及免维护性等其它常规能源所不具备的优点，被认为是二十一世纪最重要的新能源。由于不可再生能源的减少和环境污染的双重压力，使得光伏产业迅猛发展；太阳电池的发展也日新月异。太阳能电池的发展历程，详细介绍了多晶硅太阳能电池的各种工艺，多晶硅太阳能电池的结构、特点，以及多晶硅的制备方法，并展望了多晶硅太阳能电池的研究趋势。关键词：多晶硅太阳能电池发展趋势

目录绪言 (3) 一.太阳能电池概述 (4) 1.1太阳能电池简介 (4) 1.2太阳能电池原理 (4) 1.3太阳能电池材料 (5) 二.多晶硅太阳电池的制造 (6) 三.多晶硅生产工艺分析 (7) 3.1不同硅原子种类太阳能电池商业化的比较 (7) 3.2多晶硅太阳能电池生产工艺分析 (8) 3.3多晶硅太阳能电池影响因素分析 (8) 四.多晶硅电池应用前景分析 (9) 参考文献 (10)

绪言鉴于常规能源供给的有限性和环保压力的增加, 世界上许多国家掀起了开发和利用新能源的热潮。在新能源中, 特别引人瞩目的是不断地倾注于地球的永久性能源——太阳能。太阳能是一种干净、清洁、无污染、取之不尽用之不竭的自然能源,将太阳能转换为电能是大规模利用太阳能的重要技术基础, 世界各国都很重视。利用太阳能有许多优点，光伏发电将为人类提供主要的能源，但目前来讲，要使太阳能发电具有较大的市场，被广大的消费者接受，提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本应该是我们追求的最大目标，从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。多晶硅，这种原本主要用作电子芯片领域的原材料，在中国成为各地争上的产业,虽然在2008年曾因金融危机的影响，但是作为一种新型的产业其具有极强的生命力。中国电子材料行业协会给国家发改委的一份行业报告显示，到2009年6月底，我国已有19家企业多晶硅项目投产，产能规模达到3万吨/年，另有10多家企业在建，扩建多晶硅项目，总规划产能预计到2010年将超过10万吨。而2008年我国多晶硅的总需求量才17000吨。这些产能若全能兑现，将超过全球需求量的2倍以上。

多晶硅的三大生产工艺之比较

多晶硅的三大生产工艺之比较从西门子法到改良西门子法的演进是一个从开环到闭环的过程。 1955年，德国西门子开发出以氢气(H2)还原高纯度三氯氢硅(SiHCl3)，在加热到1100℃左右的硅芯(也称“硅棒”)上沉积多晶硅的生产工艺;1957年，这种多晶硅生产工艺开始应用于工业化生产，被外界称为“西门子法”。由于西门子法生产多晶硅存在转化率低，副产品排放污染严重(例如四氯化硅SiCl4)的主要问题，升级版的改良西门子法被有针对性地推出。改良西门子法即在西门子法的基础上增加了尾气回收和四氯化硅氢化工艺，实现了生产过程的闭路循环，既可以避免剧毒副产品直接排放污染环境，又实现了原料的循环利用、大大降低了生产成本(针对单次转化率低)。因此，改良西门子法又被称为“闭环西门子法”。改良西门子法一直是多晶硅生产最主要的工艺方法，目前全世界有超过85%的多晶硅是采用改良西门子法生产的。过去很长一段时间改良西门子法主要用来生产半导体行业电子级多晶硅(纯度在99.9999999%～99.999999999%，即9N～11N的多晶硅);光伏市场兴起之后，太阳能级多晶硅(对纯度的要求低于电子级)的产量迅速上升并大大超过了电子级多晶硅，改良西门法也成为太阳能级多晶硅最主要的生产方法。 2.改良西门子法生产多晶硅的工艺流程 (改良西门子法工艺流程示意图) 改良西门子法是一种化学方法，首先利用冶金硅(纯度要求在99.5%以上)与氯化氢(HCl)合成产生便于提纯的三氯氢硅气体(SiHCl3，下文简称TCS)，然后将TCS精馏提纯，最后通过还原反应和化学气相沉积(CVD)将高纯度的TCS转化为高纯度的多晶硅。在TCS还原为多晶硅的过程中，会有大量的剧毒副产品四氯化硅(SiCl4，下文简称STC)生成。改良西门子法通过尾气回收系统将还原反应的尾气回收、分离后，把回收的STC送到氢化反应环节将其转化为TCS，并与尾气中分离出来的TCS一起送入精馏提纯系统循环利用，尾气中分离出来的氢气被送回还原炉，氯化氢被送回TCS合成装置，均实现了闭路循环利用。这是改良西门子法和传统西门子法最大的区别。

多晶硅块检验标准

多晶硅锭/块质量检验规范编制：审核：批准：

年月日发布年月日正式实施目录一. 适用范围二. 引用标准三. 检验项目四. 检验工具五. 实施细则 1. 硅锭/块电性能检测 2. 多晶硅块阴影检验 3. 硅块电性能阴影判定 4. 多晶硅块外观尺寸检验附表1：硅锭/块性能检验标准附表2：硅块外观尺寸检验标准

一.适用范围本细则规定了多晶硅锭/块的电性能/阴影杂质/外观尺寸的检验项目、测量器具、检测方法、操作步骤、判定依据，适用于正常生产的多晶硅锭/硅块的质量检验。二.引用标准《硅锭内控标准》《Q/BYL02太阳能级多晶硅片》《硅片切割工艺文件》三.检验项目电阻率、少子寿命、导电类型、氧/碳含量、外观、几何尺寸、硅块杂质/隐形裂纹四.检验工具四探针电阻率测试仪、导电类型测试仪、少子寿命测试仪、红外阴影扫描测试仪、游标卡尺（0.02mm精度）、万能角度尺、钢板尺五.实施细则 1. 硅锭/块电性能检测 1.1 硅块测试取样及测试面的选取 16块规格的硅块每锭抽测A块、B块和F块三块，25块规格的硅锭每锭抽测A块、B块、G块、M块四块，若“测量样块”表面无法测试时可选用对称位置的其他硅块代替。（测量样块表面手感平整无明显“锯痕”、“台阶”等现象，测试时保证测试平面与少子寿命测试仪测试头无摩擦，防止损伤“测试头”，测试过程中“测试头”与测试平面距离(2±1mm)基本保持一致）。通常选择“测量样块”的第2或3面（硅块上箭头所指方向为第1面，顺时针依次为2、3、4面）。若A块第2或3面质量不符合测试要求，则选取D块第3、4面或M 块第1、2面或P块第1、4面其中一面进行测试；B、G、F、M样块的测量出现质量不符合测试要求的情况可按以上A块测量方式测量；并在记录中注明。

(完整版)光伏发电站设计规范GB50797-2012

将若干个光伏组件在机械和电气上按一定方式组装在一起并且有固定的支撑结构而构成的直流发电单元。又称光伏阵列。 2.1.5 光伏发电系统 photovoltaic（PV）power generation system 利用太阳电池的光生伏特效应，将太阳辐射能直接转换成电能的发电系统。 2.1.6 光伏发电站 photovoltaic（PV）power station 以光伏发电系统为主，包含各类建（构）筑物及检修、维护、生活等辅助设施在内的发电站。 2.1.7辐射式连接 radial connection 各个光伏发电单元分别用断路器与发电站母线连接。 2.1.8 “T”接式连接 tapped connection 若干个光伏发电单元并联后通过一台断路器与光伏发电站母线连接。 2.1.9跟踪系统 tracking system 通过支架系统的旋转对太阳入射方向进行实时跟踪，从而使光伏方阵受光面接收尽量多的太阳辐照量，以增加发电量的系统。 2.1.10单轴跟踪系统 single-axis tracking system 绕一维轴旋转，使得光伏组件受光面在一维方向尽可能垂直于太阳光的入射角的跟踪系统。 2.1.11双轴跟踪系统 double-axis tracking system 绕二维轴旋转，使得光伏组件受光面始终垂直于太阳光的入射角的跟踪系统。 2.1.12集电线路 collector line 在分散逆变、集中并网的光伏发电系统中，将各个光伏组件串输出的电能，经汇流箱汇流至逆变器，并通过逆变器输出端汇集到发电母线的直流和交

光伏规范标准图纸

（一）村级光伏电站组件排布图纸根据现场图片进行设计 1

2 村集体光伏电站效果图1 村集体光伏电站效果图2

3 村集体光伏电站效果图3 （二）、详细说明项目概述本项目叶集区南依大别山，北连淮北平原，西临史河，东部丘陵，境内河流纵横，塘堰星罗棋布，林竹繁茂。全区共有森林面积71800亩，其中，孙岗乡28000亩，三元乡7400亩，平岗办事处30000亩，镇区办事处6400亩，本区树种以意扬、国外松、杉木为主，经济林有板栗、桃、枣、水蜜桃等。属于北亚热带向暖温带转换的过渡带，季风显著，四季分明，气候温和，雨量充沛，光照充足，无霜期长。全年日照小时，平均气温，梅雨季节一般在6-7月间。全区年平均日照时数为小时，日照百分率为%左右，属于太阳能利用条件中等的地区。除

梅雨季节外，太阳能资源具备利用的稳定性。本项目参考METEONORM 7 数据库中的数据进行太阳能资源分析，统计了 1991~2010 年累年各月的水平面总辐射值和15°斜面总辐射值，详见下表。月份水平面辐射（kWh/m2）一月63 二月75 三月91 四月120 五月143 六月133 七月154 八月135 九月115 十月95 十一月71 十二月61 合计1253 （行业标准Q XT-89-2008）制定的太阳能资源丰根据《太阳能资源评估方法》富程度等级划分，本项目站址所在地为资源丰富地区。光伏电站根据现场安装状况进行组件及逆变器的配置，本村级光伏电站配备4个50KW的组串式逆变器，经逆变后进入一个交流配电箱，最终并入国家电网。 4

分布式光伏电站原理图5

多晶硅太阳能电池片的合成绪论

多晶硅太阳能电池片的合成绪论 1.1概述目前，传统的燃料能源正在不断衰减，同时传统能源对环境也带来一定的危害且日益加剧，并且全世界的能源供应还没有完全普及。所以全世界都在关注可再生能源方面，希望可再生能源能够广泛应用于生产和生活中。这之中太阳能以其自身的优势得到人们广泛的关注。太阳能是一种重要的可再生能源，是取之不尽、用之不竭的新能源，并且它无污染、价格低，是人类能够重复利用的能源。在各国政府和政策的扶持下，光伏产业得到快速有利的发展。 1.2太阳能电池的分类及优缺点太阳能电池有很多种，往大的方面可分为无机太阳能电池、有机太阳能电池、光化学太阳能电池；无机太阳能电池又可分为多晶硅太阳能电池、单晶硅太阳能电池、薄膜太阳能电池。而有机聚合物太阳能电池作为一种新型太阳能电池，其以有机聚合物半导体作为实现光电转换的一种活性材料。[i]与无机太阳能电池相比较，它的优点有以下几点：（1）生产过程简单，制作时消耗能量少（2）环保性好，其构成成分均为容易处理的材料（3）适应性强，高温和弱光条件下的优异（4）可制成半透明器件，柔性器件等等形式灵活多样的器件（5）有机物来源广泛，效率提升潜力大（6）具有很好的发展和应用前景，是目前新能源的主要研究方向之一。同样，有机太阳能电池存在以下缺点：（1）载流子迁移率低；（2）能量转换效率有待提高；（3）使用寿命短，易损坏；（4）目前为主无法实现大规模商业化；（5）转化效率较低，难于大规模并网发电。[ii] 最大效率染料敏化纳米晶电池也仅能达到10%左右。无机太阳能电池生产技术也较为成熟，目前为止，太阳能电池片的生产还是以无机多晶硅电池片为主。本文也主要研究无机多晶硅电池的生产工艺。图和表应该各自编号，取名

单晶硅太阳电池检验标准

单晶硅太阳电池检验标准……………………………… EVA检验标准…………………………………………… 钢化玻璃检验标准……………………………………… TPT检验标准…………………………………………… 铝型材检验标准………………………………………… 涂锡焊带检验标准……………………………………… 双组分有机硅导热灌封胶检验标准…………………… 有机硅橡胶密封剂检验标准…………………………… 组件质量检测标准……………………………………… EVA检验标准晶体硅太阳电池囊封材料是EVA，它乙烯与醋酸乙烯脂的共聚物，化学式结构如下（CH2—CH2）—（CH—CH2） | O | O — O — CH2 EVA是一种热融胶粘剂，常温下无粘性而具抗粘性，以便操作，经过一定条件热压便发生熔融粘接与交联固化，并变的完全透明，长期的实践证明：它在太阳电池封装与户外使用均获得相当满意的效果。固化后的EVA能承受大气变化且具有弹性，它将晶体硅片组“上盖下垫”，将硅晶片组包封，并和上层保护材料玻璃，下层保护材料TPT（聚氟乙烯复合膜），利用真空层压技术粘合为一体。另一方面，它和玻璃粘合后能提高玻璃的透光率，起着增透的作用，并对太阳电池组件的输出有增益作用。 EVA厚度在0.4mm～0.6mm之间，表面平整，厚度均匀，内含交联剂，能在150℃固化温度下交联，采用挤压成型工艺形成稳定胶层。 EVA主要有两种：①快速固化②常规固化，不同的EVA层压过程有所不同采用加有抗紫外剂、抗氧化剂和固化剂的厚度为0.4mm的EVA膜层作为太阳电池的密封剂，使它和玻璃、TPT之间密封粘接。用于封装硅太阳能电池组件的EVA，主要根据透光性能和耐侯性能进行选择。 1. 原理 EVA具有优良的柔韧性，耐冲击性，弹性，光学透明性，低温绕曲性，黏着性，耐环境应力开裂性，耐侯性，耐化学药品性，热密封性。 EVA的性能主要取决于分子量（用熔融指数MI表示）和醋酸乙烯脂（以VA表示）的含量。当MI一定时，VA的弹性，柔软性，粘结性，相溶性和透明性提高，VA的含量降低，则接近聚乙烯的性能。当VA含量一定时，MI降低则软化点下降，而加工性和表面光泽改善，

光伏发电站设计规范(GB 50797-2012)

光伏发电站设计规范（GB 50797-2012） 1总则 1.0.1为了进一步贯彻落实国家有关法律、法规和政策，充分利用太阳能资源，优化国家能源结构，建立安全的能源供应体系，推广光伏发电技术的应用，规范光伏发电站设计行为，促进光伏发电站建设健康、有序发展，制定本规范。 1.0.2本规范适用于新建、扩建或改建的并网光伏发电站和l00kWp及以上的独立光伏发电站。 1.0.3并网光伏发电站建设应进行接入电网技术方案的可行性研究。 1.0.4光伏发电站设计除符合本规范外，尚应符合国家现行有关标准的规定。 2术语和符号 2.1术语 2.1.1光伏组件 PV module 具有封装及内部联结的、能单独提供直流电输出的、最小不可分割的太阳电池组合装置。又称太阳电池组件（solar cell module） 2.1.2光伏组件串 photovoltaic modules string 在光伏发电系统中，将若干个光伏组件串联后，形成具有一定直流电输出的电路单元。 2.1.3光伏发电单元 photovoltaic（PV）power unit 光伏发电站中，以一定数量的光伏组件串，通过直流汇流箱汇集，经逆变器逆变与隔离升压变压器升压成符合电网频率和电压要求的电源。又称单元发电模块。 2.1.4光伏方阵 PV array 将若干个光伏组件在机械和电气上按一定方式组装在一起并且有固定的支撑结构而构成的直流发电单元。又称光伏阵列。 2.1.5 光伏发电系统 photovoltaic（PV）power generation system 利用太阳电池的光生伏特效应，将太阳辐射能直接转换成电能的发电系统。 2.1.6 光伏发电站 photovoltaic（PV）power station 以光伏发电系统为主，包含各类建（构）筑物及检修、维护、生活等辅助设施在内的发电站。 2.1.7辐射式连接 radial connection 各个光伏发电单元分别用断路器与发电站母线连接。 2.1.8 “T”接式连接 tapped connection 若干个光伏发电单元并联后通过一台断路器与光伏发电站母线连接。 2.1.9跟踪系统 tracking system

单晶硅、多晶硅、非晶硅、薄膜太阳能电池地工作原理及区别1

单晶硅、多晶硅、非晶硅、薄膜太阳能电池的工作原理及区别硅太阳能电池的外形及基本结构如图1。其中基本材料为P型单晶硅，厚度为0.3—0.5mm左右。上表面为N+型区，构成一个PN＋结。顶区表面有栅状金属电极，硅片背面为金属底电极。上下电极分别与N＋区和P区形成欧姆接触，整个上表面还均匀覆盖着减反射膜。当入发射光照在电池表面时，光子穿过减反射膜进入硅中，能量大于硅禁带宽度的光子在N+区，PN＋结空间电荷区和P区中激发出光生电子——空穴对。各区中的光生载流子如果在复合前能越过耗尽区，就对发光电压作出贡献。光生电子留于N＋区，光生空穴留于P区，在PN＋结的两侧形成正负电荷的积累，产生光生电压，此为光生伏打效应。当光伏电池两端接一负载后，光电池就从P区经负载流至N＋区，负载中就有功率输出。太阳能电池各区对不同波长光的敏感型是不同的。靠近顶区湿产生阳光电流对短波长的紫光（或紫外光）敏感，约占总光源电流的5－10％（随N＋区厚度而变），PN＋结空间电荷的光生电流对可见光敏感，约占5 ％左右。电池基体域

产生的光电流对红外光敏感，占80－90％，是光生电流的主要组成部分。 2.单晶硅太阳能电池单晶硅太阳能电池是当前开发得最快的一种太阳能电池，它的构成和生产工艺已定型，产品已广泛用于宇宙空间和地面设施。这种太阳能电池以高纯的单晶硅棒为原料，纯度要求99.999％。为了降低生产成本，现在地面应用的太阳能电池等采用太阳能级的单晶硅棒，材料性能指标有所放宽。有的也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料，经过复拉制成太阳能电池专用的单晶硅棒。将单晶硅棒切成片，一般片厚约0.3毫米。硅片经过成形、抛磨、清洗等工序，制成待加工的原料硅片。加工太阳能电池片，首先要在硅片上掺杂和扩散，一般掺杂物为微量的硼、磷、锑等。扩散是在石英管制成的高温扩散炉中进行。这样就在硅片上形成PN结。然后采用丝网印刷法，将配好的银浆印在硅片上做成栅线，经过烧结，同时制成背电极，并在有栅线的面涂覆减反射源，以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉，至此，单晶硅太阳能电池的单体片就制成了。单体片经过抽查检验，即可按所需要的规格组装成太阳能电池组件（太阳能电池板），用串联和并联的方法构成一定的输出电压和电流，最后用框架和封装材料进行封装。用户根据系统设计，可

多晶硅太阳能电池生产工艺.docx

太阳能电池光电转换原理主要是利用太阳光射入太阳能电池后产生电子电洞对，利用P-N 接面的电场将电子电洞对分离,利用上下电极将这些电子电洞引出，从而产生电流。整个生产流程以多晶硅切片为原料，制成多晶硅太阳能电池芯片。处理工艺主要有多晶硅切片清洗、磷扩散、氧化层去除、抗反射膜沉积、电极网印、烧结、镭射切割、测试分类包装等。生产工艺主要分为以下过程： ⑴ 表面处理（多晶硅片清洗、制绒）与单晶硅绒面制备采用碱液和异丙醇腐蚀工艺不同，多晶硅绒面制备采用氢氟酸和硝酸配成的腐蚀液对多晶硅体表面进行腐蚀。一定浓度的强酸液对硅表面进行晶体的各相异性腐蚀，使得硅表面成为无数个小“金字塔”组成的凹凸表面，也就是所谓的“绒面”，以增加了光的反射吸收，提高电池的短路电流和转换效率。从电镜的检测结果看，小“金字塔”的底边平均约为10um 。主要反应式为： 32234HNO 4NO +3SiO +2H O Si +???→↑氢氟酸 2262SiO 62H O HF H SiF +→+ 这个过程在硅片表面形成一层均匀的反射层（制绒），作为制备P-N 结衬底。处理后对硅片进行碱洗、酸洗、纯水洗，此过程在封闭的酸蚀刻机中进行。碱洗是为了清洗掉硅片未完全反应的表面腐蚀层，因为混酸中HF 比例不能太高，否则腐蚀速度会比较慢，其反应式为：2232SiO +2KOH K SiO +H O →。之后再经过酸洗中和表面的碱液，使表面的杂质清理干净，形成纯净的绒面多晶硅片。酸蚀刻机内设置了一定数量的清洗槽，各股废液及废水均能单独收集。此过程中的废酸液（L 1，主要成分为废硝酸、氢氟酸和H 2SiF 6）、废碱液（L 2，主要成分为废KOH 、K 2SiO 3）、废酸液（L 3，主要成分为废氢氟酸以及盐酸）均能单独收集，酸碱洗后均由少量纯水洗涤，纯水预洗废液（S 1、S 2、S 3）和两级纯水漂洗废水（W 1），收集后排入厂区污水预处理设施，处理达标后通过专管接入清流县市政污水管网。此过程中使用的硝酸、氢氟酸均有一定的挥发性，产生的酸性废气（G 1-1、G 1-2），经设备出气口进管道收集系统，经厂房顶的碱水喷淋系统处理达标后排放。G 1-2与后序PECVD 工序产生的G 5（硅烃、氨气）合并收集后经过两级水吸收处理后经排气筒排放。

太阳能光伏标准

太阳能光伏标准 IEC_61646-1996 Thin-film terrestrial photovoltaic (PV) modules IEC_61730-1_(2004-10) Photovoltaic (PV) module safety qualification –Part 1 Requirements for construction IEC_61730-2_(2004-10)Photovoltaic (PV) module safety qualification –Part 2 R equirements for testing GB 2297-1989 太阳光伏能源系统术语 GB 11009-1989 太阳电池光谱响应测试方法 GB 11011-1989 非晶硅太阳电池电性能测试的一般规定 GB 12632-1990 单晶硅太阳电池总规范 GBT2296-2001太阳电池型号命名方法-2001 GBT14009－92太阳电池组件参数测量方法 GBT18210-2000晶体硅光伏（PV）方阵I－V特性的现场测量 GBT18911－2002地面用薄膜光伏组件设计鉴定和定型 GBT 5586-1998 电触头材料基本性能试验方法 GBT 6495.1-1996 光伏器件第1部分：光伏电流-电压特性的测量 GBT 6495.2-1996 光伏器件第2部分：标准太阳电池的要求 GBT 6495.3-1996光伏器件第3部分：地面用光伏器件的测量原理及标准光谱辐照度数据 GBT 6495.4-1996 光伏器件第4部分：晶体硅光伏器件的I-V实测特性的温度和辐照度修正方法 GBT 6495.5-1996 光伏器件第5部分：用开路电压法确定光伏(PV)器件的等效电池温度(ECT) GBT 14008-1992 海上用太阳电池组件总规范 GBT 19064-2003家用太阳能光伏电源系统技术条件和试验方法 GB-T 6497-1986地面用太阳电池标定的一般规定 GB-T 9535-1998地面用晶体硅光伏组件设定鉴定和定型 GB-T 18479-2001 地面用光伏（PV）发电系统概述和导则

太阳能级硅材料

太阳能级硅材料什么是太阳能级硅材料太阳能级硅材料是纯度为6个9以上的高纯硅材料,即纯度为99.9999％以上的硅材料。太阳能级硅如何制造在半导体工业上主要有Siemens和流化床FBR(FludizedBedRactor)来制备高纯多晶硅材料,Siemens采用高纯SiHCl3作为原料,而FBR是采用SiH4为原料。对于太阳能级多晶硅,在过去的80年代里,包括BayerAG,Siemens和Wacker等公司在内花费了相当大的努力开发太阳能级多晶硅,但是由于产量和纯度不能满足高效太阳电池的需要,与传统的电池生产技术相比并没有降低电池组件的成本,从而未能实现工业化。目前,有以下太阳能级多晶硅的制备工艺将

会在未来的几年有所突破。WackerChemie 公司采用高纯SiHCl3和流化床过程来制备粒状高纯多晶硅。2003试验的产量为200吨/年,到2006年可达到年产600吨,其目标是每公斤多晶硅价格低于25美元/公斤,这种太阳能级多晶硅只用来供给光伏产业,由于纯度的原因,不能够应用与半导体工业。Tokuyama也采用SiHCl3为原料,并采用高温、高速沉积过程将多晶硅沉积到衬底上,预计将在2006年计划生产；德国的SolarWorldandDegussa联合宣布采用SiH4热分解方法,在加热的硅圆柱体上得到太阳能级多晶硅；挪威的REC和美国的ASiMi将SiH4和Siemens方法制备高纯多晶硅的工艺改进,来制备太阳级多晶硅,产量预计2000吨/年；此外,日本的KawasakiSteel公司通过将冶金级硅提纯来制备太阳级硅,目前还处在试验工厂阶段,进行大规模生产的主要因素是多晶硅的纯度和材料的生产成本价格；美国的CrystalSystems采用热交换炉法提纯冶金级硅,将冶金级硅的难以提纯的B、P杂质

太阳能多晶硅片来料检验标准

（盖章）文件分发明细受文部门份数受文部门份数受文部门份数受文部门份数文件制修订记录修订日期文件版本修订摘要拟定审批

（盖章） 1.0目的:规范硅片的来料检验过程,使采购的硅片质量符合公司规定要求和标准。 2.0范围：适用于公司所有的晶体硅片来料检验。 3.0内容： 5.1 IQC收到仓库提供的“入库单”后，按照入库单上的来料信息进行抽样检查。 5.2抽样方案：抽样量按照国标GB/T2828.1-2012标准，正常检验一次抽样方案，一般检验水平Ⅱ。 5.3抽样接收标准及检验程序： 5.3.1抽样接受标准为AQL=1.0,若不良品（机碎除外）超标则按不合格处理（《不合格品控制程序》），不再进行重复抽检。 5.3.2抽取样品及与硅片接触的任何操作过程中，均需要戴上乳胶防护手套。 5.4 检验项目及检验标准序号检验项目/ 检验步骤抽样方案检验工具检验方法及判定标准注意事项图标 1 检验外箱包装外观质量全数检查 (Ac=00，Re=1) 目视要求堆放整齐，外包装箱及托盘无损坏、变形、脏污等不良现象。发现异常时，应拍照取证，并立即报告，以便及时通知供应商 2 核对到货单信息与外箱标识信息的一致性全数检查 (Ac=00，Re=1) 目视要求到货单上显示的硅片型号、规格，数量与外箱标识一致发现异常时，应拍照取证，并立即报告，以便及时通知供应商 3 抽取样品GB/T2828.1正常检验一次性抽样方案，一般检验水平Ⅱ 目视 (1)记录所抽样盒子上显示的晶体编号,将晶体编号写在《硅片检验记录表》 (2)在抽样的盒子中抽取检测样片到指定泡沫盒中. (3)抽取的样品放置在规定的泡沫盒中，注：抽取样品时，要检验该盒硅片边缘部分是否有缺觉、硅晶脱落及开箱碎片等明显的不良 (4)抽取样品后，在对应硅片的外箱标签处写上该抽样数量，以便核对硅片数量 (1)刀片使用过程中注意事项，防止划伤 (2)刀片伸出长度小于1cm，放置划破内包装，损伤硅片 (3)取完硅片后，盖上盒盖，注意盒盖内没有异物及盒内硅片的整齐度，避免硅片破裂

太阳能光伏电池标准 IEC 61427-2005(中文版)

国际标准 IEC 61427 第2版 2005.5 光伏太阳能系统（PVES）储能二次电池和电池组 ―――一般要求和试验方法

目录前言 1．适用范围 2．标准性参考文献 3．术语和定义 4．使用条件 4．1 光伏能源系统 4．2 二次电池和电池组 4．3 通用运行条件 5．一般要求 5．1 机械耐受性 5．2 充电效率 5.3 深放电保护 5．4 标记 5．5 安全 5．6 文件 6．功能特性 7．通用试验条件 7．1 测量仪表精度 7．2 测试样品的准备和维护 8．试验方法 8．1 容量实验 8．2 循环耐久试验 8．3 荷电保持试验 8．4 光伏用途循环耐久试验（极端条件）9．试验的推荐采用 9．1 型式试验 9．2 验收试验

前言 1）国际电工技术委员会（International Electrotechnical Commission――IEC）是一个全球性的、包括所有国家的电工技术委员会（IEC国家委员会）的标准化组织。 IEC的目的是推进所有电气和电子领域有关标准化方面的国际合作。为此目的，除了其它的活动之外，IEC出版国际标准、技术规范、技术报告、公开可获得的规范和指导（下称IEC出版物）。出版物的准备都是委托各技术委员会进行；任何IEC 国家委员会对于所涉及的出版物感兴趣都可以参加准备工作。在出版物的准备过程中，与IEC有联系的国际的、政府的和非政府组织也可以参加。IEC与国际标准化组织（International Organization for Standardization ---ISO）按照两个组织一致同意的条件密切合作。 2）IEC对于技术问题所作出的结论和决议都尽可能地代表了相关问题国际上的一致意见，因为每一个技术委员会都有来自所有感兴趣的IEC国家委员会的代表。 3）IEC出版物的形式为国际上推荐采用，而且在这个意义上也已被IEC各国家委员会所接受。尽管已经尽力做到IEC出版物的技术内容准确无误，但IEC不能对其使用的方式或最终用户的误解负责。 4）为了促进国际上的一致性，所有IEC国家委员会都承诺在其国家的或地区的出版物中尽最大可能的明确使用IEC出版物。IEC出版物和国家的或地区的出版物之间的任何差异都需要在后者的出版物中予以明确标明。 5）IEC不提供其认可的程序，也不对任何声称符合IEC出版物的设备负责。 6）所有用户都应确保他们所持有的是最新版本。 7）对于由于使用或信任本出版物或其它IEC出版物所导致的任何人身伤害、财产损失或其它任何性质的损害――不论是直接的还是间接地――或者其它的费用（包括法律费用）和开销，都与IEC或其经理、雇员、服务人员或代理――包括个体的专家和技术委员会以及IEC国家委员会的委员无关。 8）注意该出版物引用的参见标准。对于正确使用本出版物，使用这些参见出版物是必须的。 9）注意本出版物的某些内容可能是专利权的标的。IEC没有责任标明任何或所有这些专利权。 IEC 61427 标准由IEC 21 技术委员会――二次电池和电池组――准备。该第2版取代了1999年公布的第一版。该版本包括了一些技术方面的修改。第二版在该文件第一版本的基础上重新组织，在使用条件、一般要求、功能特性、通用试验条件、试验方法以及试验的推荐采用等方面更加清晰，目的是让最终用户更容易理解。试验方法在两种不同的技术――铅酸和镍镉――方面都给予了详细清楚地解释。该标准的内容以下述文件为基础：关于该标准的批准投票详细情况可以在上表中示出的投票报告中去查找。该出版物的起草根据ISO/IEC Directive Part 2 进行。

2019年多晶硅太阳能电池片企业发展战略和经营计划

2019年多晶硅太阳能电池片企业发展战略和经营计划 2019年4月

目录一、行业发展趋势 (3) 1、宏观经济层面 (3) 2、行业环境层面 (3) 二、公司发展战略 (4) 三、公司经营计划 (5) 1、强化内控管理 (5) 2、加快技改进程 (5) 3、稳定现有客户资源，拓展优质新客户 (5) 4、推进品牌战略，提升企业形象 (6) 四、风险因素 (6) 1、客户集中风险 (6) 2、委外加工模式的风险 (6) 3、产品价格波动的风险 (7) 4、产业政策变动风险 (7) 5、竞争加剧的风险 (8) 6、资金压力及融资风险 (9)

一、行业发展趋势 1、宏观经济层面根据《国家应对气候变化规划（2014-2020年）》，我国规划到2020年非化石能源占一次能源消费的比重达到15%左右；根据《中美气候变化联合声明》，中国计划2030年左右二氧化碳排放达到峰值且将努力早日达峰，并计划到2030年非化石能源占一次能源消费比重提高到20%左右。国家对于未来中长期的能源规划非常清晰。现阶段，各项非化石能源对应的2020年和2030年发电量目标总和低于《中美气候变化联合声明》中的要求，考虑到风电和光伏的建设周期相对较短，因此用于填补发电量缺口的可能性较大。与风电相比，光伏发电更清洁，更有优势。以2020年为例，非化石能源发电量测算缺口659亿千瓦时，如果全部用光伏填补缺口相当于光伏并网从 100GW增加到155GW。由此可见，光伏发电的发展空间仍相当可观，电站运营的未来发展十分有前景。 2、行业环境层面国内光伏电站运营商的竞争处于“一超多强”的格局，央企国电投独占鳌头，其后国企、民企群雄并起。由于电站运营属于资本密集型行业，进入壁垒较高，企业不但需要有雄厚的资金实力，还需要有持续的项目开发能力，因此大型国企的竞争优势较强。但民营企业依靠自身灵活多变的机制，强大的执行力，以及通过资本市场融资平台，

太阳能级多晶硅

太阳能级多晶硅能耗高、污染重，让多晶硅生产企业深受诟病。在低碳经济成为世界潮流的时候，我国多晶硅生产企业面临更大压力。近年来，针对太阳能级多晶硅的质量要求发展起来一种新工艺——冶金法。冶金法制备多晶硅以廉价的工业硅为原料，采用冶金技术提纯而成，工艺路线短，能耗仅为改良西门子法的20%左右，因此被认为是最有可能生产价格低廉的制造太阳能级多晶硅新技术。为推广和不断完善冶金法生产多晶硅工艺，冶金法太阳能多晶硅产业技术创新战略联盟于2009年9月底在宁夏银川成立。新规定催生新技术为了落实国务院关于抑制包括多晶硅在内的部分行业产能过剩和低水平重复建设精神，国家发改委针对国内普遍采用的改良西门子法制备太阳能级多晶硅技术明确了技术门槛：多晶硅项目规模必须大于3000吨／年，占地面积小于6公顷／千吨多晶硅，还原尾气中四氯化硅、氯化氢、氢气回收利用率不低于98.5%、99%、99%；引导、支持多晶硅企业以多种方式实现多晶硅—电厂—化工厂联营，支持节能环保太阳能级多晶硅技术开发，降低生产成本。到2011年前，淘汰综合电耗大于200千瓦时／千克的多晶硅产能。冶金法太阳能多晶硅产业技术创新战略联盟秘书长、中国产学研合作促进会新材料专业委员会副理事长李义春介绍，当前，我国大多数多晶硅生产企业采用的是西门子法。虽然国外的改良西门子法已经发展成熟，但一直为几家大公司所垄断，对我国进行技术封锁。我国一些小企业采用拼凑的设备和技术生产，能耗和污染得不到有效控制，产品质量和成本均不具备优势。赛迪公司顾问开发区咨询中心咨询师江华明确表示，我们应集中科技资源，共同研发制定中国多晶硅产业的总体布局、技术路线、工艺方法、环保和综合利用方案等，除获得成熟西门子法生产多晶硅的工艺外，加大力度对流化床法、冶金法等多晶硅生产工艺进行开发研究，并针对不同市场，形成多种工艺技术既相互竞争又各自针对合适目标协调发展的技术格局。李义春介绍，国内外现有的多晶硅厂绝大部分采用改良西门子法生产多晶硅。用该工艺生产的多晶硅纯度较高，通常能达到9N以上，甚至10N、11N，这样才能保证电子材料的功能。但是该技术存在成本高、能耗高、投资大以及流程复杂的问题。目前发展迅猛的光伏产业，对多晶硅材料的要求没有那么高，一般纯度达到6N－7N就可以了。“但是没有这样的硅片，企业就把高端的电子用多晶硅材料掺杂，降低品质后，才能用于光伏发电。因此，应该有专门用于光伏发电的硅片生产技术。”李义春说。基于此，业内开始积极研究适合太阳能级多晶硅的低成本制造技术和方法。新技术的优势

光伏工业国家标准和行业标准汇总

光伏工业国家标准和行业标准汇总太阳能电池 GB2297－89 太阳能光伏能源系统术语； GB2296－2001 太阳能电池型号命名方法； GB12632－90 单晶硅太阳能电池总规范； GB6497－1986 地面用太阳能电池标定的一般规定； GB6495－86 地面用太阳能电池电性能测试方法； IEEE 1262-1995 光伏组件的测试认证规范; GB/T 14007-92 陆地用太阳能电池组件总规范; GB/T 14009－92 太阳能电池组件参数测量方法; GB 9535 陆地用太阳能电池组件环境试验方法; GB/T 14008-92 海上用太阳能电池组件总规范; GB11011－89 非晶硅太阳能电池性能测试的一般规定； GB/T6495.1－1996 光伏器件第1部分：光伏电流－电压特性的测量； GB/T6495.2－1996 光伏器件第2部分：标准太阳能电池的要求； GB/T6495.3－1996 光伏器件第3部分：地面用光伏器件的测量原理及标准光谱辐照度数据； GB/T6495.4－1996 晶体硅光伏器件的I－V实测特性的温度和辐照度修正方法 SJ/T11127-1997 光伏（PV）发电系统过电压保护—导则 GB/T9535-1998 地面用晶体硅光伏组件设计鉴定和定型 GB/T18210-2000 晶体硅光伏（PV）方阵I-V特性的现场测量 GB/T18479-2001 地面用光伏（PV）发电系统概述和导则 GB/T19064-2003 家用太阳能光伏电源系统技术条件和试验方法配套产品光伏系统专用控制器和逆变器的地方标准 DB62/T 517－1997 家用太阳能光伏电源――甘肃省地方标准； DB63/245－1996 TDZ系列太阳能光伏户用直流电源――青海省地方标准。与光伏系统相关的蓄电池国家标准 GB 13337.1-91 《固定型防酸式铅酸蓄电池技术条件》; GB 5008.1-85 《起动用铅酸蓄电池技术要求和试验方法》; GB 9368-88 《镉镍碱性蓄电池》; YD/T 799-1996 《通信用阀控式密封铅酸蓄电池技术要求和检验方法》; GB/T14162-93 《产品质量监督计数抽样程序及抽样表》； JIC8707－1992 《阴极吸收式密封固定型铅蓄电池标准》；沪G/G1107－90 《免维护全密封铅酸蓄电池》； SJ/T 10417-93 《6V、12V小型密封铅蓄电池》；

电子级多晶硅的生产工艺

目录摘要........................................................1. 1引言. (1) 2 多晶硅技术的特殊性及我国的差距 (1) 2.1 多晶硅技术的特殊性 (1) 3 主要的多晶硅生产技术选择 (2) 3.1 SiCl 4 法 (2) 3.2 SiH 2Cl 2 法 (3) 3.3 SiH 4 法 (3) 3.4 SiHCl 3 法 (4) 4 电子级多晶硅流程 (5) 4.1 第一代SiHCl 3 的生产流程 (5) 4.2 第二代多晶硅的生产流程 (7)

4.3 第三代多晶硅生产流程 (8) 5 流床反应器和自由空间反应器 (10) 6 结论 (11) 7致谢 (11) 参考文献 (12)

电子级多晶硅的生产工艺摘要:就建设1000t电子级多晶硅厂的技术进行了探讨。对三氯氢硅法、四氯化硅法、二氯二氢硅法和硅烷法生产的多晶硅质量、安全性、运输和存贮的可行性、有用沉积比、沉积速率、一次转换率、生长温度、电耗和价格进行了对比;对还原或热分解使用的反应器即钟罩式反应器、流床反应器和自由空间反应器也进行了比较。介绍了用三氯氢硅钟罩式反应器法生产多晶硅三代流程。第三代多晶硅流程适于1000t/a级的电子级多晶硅生产。关键词多晶硅;三氯氢硅法;硅烷法;流程;生产 1.引言：根据电子级多晶硅的需求,世界及中国电子级多晶硅的生产能力,市场竞争形势,多晶硅的体纯度和表面纯度以及生产成本。提出了占领市场必须具备的质量标准,能源消耗和材料消耗指标以及最终生产成本。本文将进一步讨论目前电子级多晶硅的各种关键技术和这些技术对比,从而提出在建设我国1000t电子级多晶硅工厂的技术建议。 2 多晶硅技术的特殊性及我国的差距 2.1 多晶硅技术的特殊性电子级多晶硅的发展经历了将近50年的历程。各国都在十分保密的情况下发展各自的技术。国外有人说参观一个多晶硅工厂甚至比参观一个核工厂还要难,可见其保密性之严。电子级多晶硅的特点是高纯和量大,其纯度已达很高级别:受主杂质的原子分数仅为5×10-11,施主杂质的原子分数为15×10-11(国外的习惯表示法分别为50ppt和150ppt)。其生产能力于1965年达30t/a,1988年上升到5500t/a,2000年已达到26000t/a,这在凝聚态物质中是首屈一指的。生产如此大