意法半导体( ST )低成本低功耗 GPS 方案—— STA2051

意法半导体(ST)

ROM，提高了产品制造的灵活性，缩短了从设计到制造的准备时间，同时90nm 技术还提高了成本效益。 新的ST21F系列产品使卡制造商能够对飞速变化的手机市场需求做出快速的注重成本效益的反应，然后在制造工序的智能卡个性化阶段自定义应用程序，用一个产品解决多家移动通信网络运营商(MNOs)的要求。因为与一个特定的运营商无关，所以新产品降低了供应链的风险和复杂性。 ST21F384的内核是一个8/16位CPU，线性寻址宽度16MB，典型工作频率21MHz。芯片内置7KB用户RAM存储器，以及128字节页面的384KB闪存，耐擦写能力与早期安全微控制器的EEPROM存储器相当。电流消耗完全符合2G和3G的电源规格，达到了(U)SIM的应用要求。该微控制器含有一个硬件DES (数据加密标准)加速器和用户可以访问的CRC (循环冗余代码)计算模块。 如果采用了这个闪存安全型微控制器，卡制造商将能够缩短在整个制造工序中从设计到投产的准备时间，验证卡上的操作系统（OS）和向运营商提供样片所需的时间会更短。因为可以库存没有编程的空白芯片，所以新产品还有助于缩短产品的量产周期，同时还会大幅度缩短操作功能升级和实现新的MNO要求所需的周期。 由于应用程序保存在闪存内，卡制造商无需再支付ROM掩模成本；此外，因为只需实现最终客户需要的功能，而不必设计一个标准解决方案，应用软件本身可以写得更小。ST的片上闪存装载器提供一个成本低廉的操作系统装载功能。 ST21F384的样片现已上市，定于2007年12月量产。ST的封装能力在业界堪称独一无二，其智能卡IC有两种封装形式：切割过的晶片和先进微型模块，其中模块的集成度和安全性都非常出色。 ST21F384产品分为切割过的晶片或没切割过的晶片，模块封装分为6触点（D17）和8触点（D95）两个规格，符合欧洲RoHS环保标准，触点排列符合ISO 7816-2标准。订购100000颗晶片，每颗0.45美元。

意法半导体基于Cortex-M3的STM32L微控制器开始供货

意法半导体基于Cortex-M3的STM32L微控制器开始供 货 意法半导体今天宣布开始向主要客户提供STM32L 系列微控制器样片，STM32L 系列产品是业界首款来自全球十大半导体供应商之一的超低功耗 ARM Cortex-M3 微控制器。STM32L 系列产品采用意法半导体独有的两大节能技术：130nm 专用低泄漏电流制造工艺和优化的节能架构，提供业界领先的节 能性能。全新STM32L 系列产品属于意法半导体的EnergyLite 超低功耗产品平台，设计人员能够优化终端产品的性能、功能和电池使用寿命，达到相关的 能效标准，如环保型设计目标。意法半导体微控制器产品部总经理Michel Buffa 表示：“在全球半导体公司提供的产品中，STM32L 系列产品实现最佳的 功耗性能比。STM32L 将会成为消费电子、工业应用、医疗仪器或能源计量表 等市场上低功耗应用设计的首选微控制器。”除极高能效外，STM32L 还具备提高数据安全性，促进系统安全操作的诸多安全功能，包括灵活的欠压复位、片 上闪存支持纠错码（ECC）、存储器保护单元（MPU）和JTAG 熔断器。这些 功能被推荐用于所有的需要安全产品特性和高度安全的代码及用户数据管理的 应用。片上集成的USB 2.0 Full Speed 支持模块使STM32L 还能支持移动外设。此外，STM32L 系列微控制器内置的LCD 驱动器，可轻松实现更低廉、更小的应用设计。STM32 系列的产品阵容非常强大，目前拥有超过135 款产品，全系列产品的引脚、软件和外设相互兼容，应用灵活性达到最高水平。作为 STM32 系列的新成员，STM32L 在32MHz 频率下的处理性能达到33DMIPS （最大值），片上闪存密度范围从64KB 到128KB。STM32L 系列样片已经开始交付给主要客户测试。STM32L151 内置64KB 闪存，采用LQFP48 封装；STM32L152 内置128KB 闪存，采用LQFP100 封装。将于2010 年第四季度量

意法半导体发布迄今性能最强的电视系统芯片

意法半导体发布迄今性能最强的电视系统芯片 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商、全球领先的数字 电视及机顶盒芯片提供商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)将在2012 中国国际广播电视信息网络展览会(CCBN)上展出Newman 电视系统芯片(System-on-Chip，SoC)系列的首款产品。新系列产品是意法半导体的业界领先的电视广播互联网服务多功能电视平台的一部分。代号为Newman Ultra 的新产品FLI7680 拥有市场上无与伦比的性能，亦代表了智能电视(Smart TV)系统芯片技术水平的一次巨大飞跃。 随着高价值内容不断演进，除第一代电视广播宽带上网综合服务外，电 视还需要支持全新的增值服务和产业生态系统，例如Google TV。Newman Ultra 系统架构具有市场领先的性能，让电视应用程序具有令人惊喜的反应速度，同时拥有极其出色的视频解码功能，远超市场同类产品。有了这款芯片，消费 者只需通过一台智能电视机即可播放多种视频源，运行大量应用软件。 意法半导体WAVE 产品部总经理Luigi Mantellassi 表示：随着智能电视的概念正在快速演进，对处理性能、功能集成度、设计灵活性和数据安全的要 求不断提高。凭借我们在全球市场的领先地位和机顶盒软件开发能力，Newman Ultra 系统芯片让我们的客户能够扩大品牌价值，研制一个集传统电视广播、视频点播(Video on Demand，VOD)、游戏以及社交网络于一体的终极娱乐平台。 在优化平板电视技术的同时，Newman Ultra 还将继续使用Faroudja 品牌的音视频处理创新技术，为消费者带来无与伦比的视听盛宴。从大屏幕投影影院，到4Kx2K 3D 大屏幕，Faroudja 仍然是市场公认的高品质标杆。

半导体材料的发展现状与趋势

半导体材料与器件发展趋势总结 材料是人类社会发展的物质基础与先导。每一种重大新材料的发现和应用都把人类支配自然的能力提高到一个全新的高度。材料已成为人类发晨的里程碑。本世纪中期单晶硅材料和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研究成功，导致了电子工业大革命。使微电子技术和计算机技术得到飞速发展。从20世纪70年代的初期，石英光纤材料和光学纤维的研制成功，以及GaAs等Ⅲ-Ⅴ族化合物的材料的研制成功与半导体激光器的发明，使光纤通信成为可能，目前光纤已四通八达。我们知道，每一束光纤，可以传输成千上万甚至上百万路电话，这与激光器的发明以及石英光纤材料、光纤技术的发展是密不可分的。超晶格概念的提出MBE、MOCVD先进生长技术发展和完善以及超品格量子阱材料包括一维量子线、零维量子点材料的研制成功。彻底改变了光电器件的设计思想。使半导体器件的设计与制造从过去的杂质工程发展到能带工程。出现了以“电学特性和光学特性的剪裁”为特征的新范畴，使人类跨入到以量子效应为基础和低维结构为特征的固态量子器件和电路的新时代，并极有可能触发新的技术革命。半导体微电子和光电子材料已成为21世纪信息社会的二大支柱高技术产业的基础材料。它的发展对高速计算、大容量信息通信、存储、处理、电子对抗、武器装备的微型化与智能化和国民经济的发展以及国家的安全等都具有非常重要的意义。 一、几种重要的半导体材料的发展现状与趋势 1.硅单晶材料 硅单晶材料是现代半导体器件、集成电路和微电子工业的基础。目前微电子的器件和电路，其中有90％到95％都是用硅材料来制作的。那么随着硅单晶材料的进一步发展，还存在着一些问题亟待解决。硅单晶材料是从石英的坩埚里面拉出来的，它用石墨作为加热器。所以，来自石英里的二氧化硅中氧以及加热器的碳的污染，使硅材料里面包含着大量的过饱和氧和碳杂质。过饱和氧的污染，随着硅单晶直径的增大，长度的加长，它的分布也变得不均匀；这就是说材料的均匀性就会遇到问题。杂质和缺陷分布的不均匀，会使硅材料在进一步提高电路集成度应用的时候遇到困难。特别是过饱和的氧，在器件和电路的制作过程中，它要发生沉淀，沉淀时的体积要增大，会导致缺陷产生，这将直接影响器件和电路的性能。因此，为了克服这个困难，满足超大规模集成电路的集成度的进一步提高，人们不得不采用硅外延片，就是说在硅的衬底上外延生长的硅薄膜。这样，可以有效地避免氧和碳等杂质的污染，同时也会提高材料的纯度以及掺杂的均匀性。利用外延方法，还可以获得界面非常陡、过渡区非常窄的结，这样对功率器件的研制和集成电路集成度进一步提高都是非常有好处的。这种材料现在的研究现状是6英寸的硅外延片已用于工业的生产，8英寸的硅外延片，也正在从实验室走向工业生产；更大直径的外延设备也正在研制过程中。 除此之外，还有一些大功率器件，一些抗辐照的器件和电路等，也需要高纯区熔硅单晶。区熔硅单晶与直拉硅单晶拉制条件是不一样的，它在生长时，不与石英容器接触，材料的纯度可以很高；利用这种材料，采用中子掺杂的办法，制成N或P型材料，用于大功率器件及电路的研制，特别是在空间用的抗辐照器件和电路方面，它有着很好的应用前景。当然还有以硅材料为基础的SOI材料，也就是半导体/氧化物/绝缘体之意，这种材料在空间得到了广泛的应用。总之，从提高集成电路的成品率，降低成本来看的话，增大硅单晶的直径，仍然是一个大趋势；因为，只有材料的直径增大，电路的成本才会下降。我们知道硅技术有个摩尔定律，每隔18个月它的集成度就翻一番，它的价格就掉一半，价格下降是同硅的直径的增大密切相关的。在一个大圆片上跟一个小圆片上，工艺加工条件相同，但出的芯片数量则不同；所以说，增大硅的直径，仍然是硅单晶材料发展的一个大趋势。那我们从提高硅的

各公司待遇

这里所说的待遇全部为税前，另外，年薪不是简单的*12，因为有年终奖。而互联网公司的待遇package，都是包含了年终奖的。 以下待遇无特别说明，默认都是硕士，本科的话会特别说明，关注软件的多一些，硬件ic 等行业希望大家继续补充。 1 华为 研发、服务、销售多数岗位本科9k~12k, 硕士10~13k 客户经理不分本硕11~14k 法务硕士12~15k 行政本科6k 但是华为三五年后还是很给力的，这也是华为薪资的策略，好处给那些想长远在华为发展的人，只是一开始三年比较难熬，连续三年考评b+以上（a,b+,b,c,d），那就功成名就了，不过一c败三年…… 2 中兴号称硕士7300，其实是5300的基本工资加上1200的浮动绩效工资加上400补助再加上公司帮你交的400的公积金，注意这400公积金的概念！一切缴费基数是5300，换句话说，华为要是和中兴这样计算工资，北京华为的工资比北京中兴高了1000都不止！西安华为也比中兴高六七百，中兴实习期80%。 3 中兴移动中兴子公司固定工资6800，餐补350，通信费200 其他没了，夏季有高温补贴350一个月，深圳和南京 4 阿里巴巴，阿里今年全国只招150个精英，15k*15，秒杀国内各公司，另外有30w 无息借款，一年内买房买车买老婆，阿里帮你实现梦想，唉，只怪自己没学计算机 5 中电28所双211硕士为起点普通211硕士：税前10w到15w 11所牛逼高校（清华北大北航浙大复旦上交南京东南武大华科西交）：15w-20w 博士18w起薪牛逼高校：25w-30w 博士一次性住房补贴10w5 航天科工二院总体设计部硕士15w起 6 苏州记忆科技硕士12w 包含了公积金和餐补的有一次性安家费3000 苏州那边全是电子芯片ic企业，感觉苏州在下一盘很大很大的棋，已经下的差不多了，苏州昆山已有号称八百里电子长廊 7 北京704所航天火箭税前8w--10w 无奖金签三年双人间住一年后两年自己找 8 北京17所税前10w起 9 深圳宏电硕士6k，待遇太低 10 威盛北京硕士9k*14 武汉和上海不详 11 宇龙酷派实习：研发北京深圳研究生八千本科4k5 西安研究生6400 本科5800 转正硕士北京深圳9000 西安8000 本科转正不详

半导体材料的发展现状与趋势

半导体材料的发展现状与趋势

半导体材料与器件发展趋势总结 材料是人类社会发展的物质基础与先导。每一种重大新材料的发现和应用都把人类支配自然的能力提高到一个全新的高度。材料已成为人类发晨的里程碑。本世纪中期单晶硅材料和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研究成功，导致了电子工业大革命。使微电子技术和计算机技术得到飞速发展。从20世纪70年代的初期，石英光纤材料和光学纤维的研制成功，以及GaAs 等Ⅲ-Ⅴ族化合物的材料的研制成功与半导体激光器的发明，使光纤通信成为可能，目前光纤已四通八达。我们知道，每一束光纤，可以传输成千上万甚至上百万路电话，这与激光器的发明以及石英光纤材料、光纤技术的发展是密不可分的。超晶格概念的提出MBE、MOCVD先进生长技术发展和完善以及超品格量子阱材料包括一维量子线、零维量子点材料的研制成功。彻底改变了光电器件的设计思想。使半导体器件的设计与制造从过去的杂质工程发展到能带工程。出现了以“电学特性和光学特性的剪裁”为特征的新范畴，使人类跨入到以量子效应为基础和低维结构

的制作过程中，它要发生沉淀，沉淀时的体积要增大，会导致缺陷产生，这将直接影响器件和电路的性能。因此，为了克服这个困难，满足超大规模集成电路的集成度的进一步提高，人们不得不采用硅外延片，就是说在硅的衬底上外延生长的硅薄膜。这样，可以有效地避免氧和碳等杂质的污染，同时也会提高材料的纯度以及掺杂的均匀性。利用外延方法，还可以获得界面非常陡、过渡区非常窄的结，这样对功率器件的研制和集成电路集成度进一步提高都是非常有好处的。这种材料现在的研究现状是6英寸的硅外延片已用于工业的生产，8英寸的硅外延片，也正在从实验室走向工业生产；更大直径的外延设备也正在研制过程中。 除此之外，还有一些大功率器件，一些抗辐照的器件和电路等，也需要高纯区熔硅单晶。区熔硅单晶与直拉硅单晶拉制条件是不一样的，它在生长时，不与石英容器接触，材料的纯度可以很高；利用这种材料，采用中子掺杂的办法，制成N或P型材料，用于大功率器件及电路的研制，特别是在空间用的抗辐照器件和电路方面，

意法ST系列芯片型号

ST(意法半导体)提供全系列具备各种外设的稳定型8位单片机以及高性能32位ARM芯片。ST系列单片机的8位ST6系列一直以来都是面向简单强劲的成本敏感型应用的安全并受到广泛欢迎的选择，其中包括家庭应用、数字消费类设备和电机控制。ST6器件采用16引脚到28引脚封装，内部集成了1到4KB的OTP(一次性可编程)或ROM存储器。 ST62E系列单片机： ST62E01, ST62E01C, ST62E01CF1, ST62E10, ST62E18, ST62E18C, ST62E18CF1, ST62E20, ST62E20B, ST62E20C, ST62E20CF1, ST62E25, ST62E25C, ST62E25CF1, ST62E28CF1, ST62E28C6, ST62E30B, ST62E30BF1, ST62E32BF1, ST62E40BG1, ST62E42BG1, ST62E46BG1, ST62E60B, ST62E60C, ST62E62CF1, ST62E62B, ST62E62C, ST62E65B, ST62E65C, ST62E65CF1, ST62E80B, ST62E80BG1, ST62E85BG1； ST62T系列单片机： ST62T00, ST62T01, ST62T03, ST62T08, ST62T09, ST62T10, ST62T15, ST62T18, ST62T20, ST62T25, ST62T28, ST62T30, ST62T32, ST62T40, ST62T42, ST62T46, ST62T52, ST62T53, ST62T55, ST62T60, ST62T62, ST62T63, ST62T65, ST62T80, ST62T85； ST62系列单片机：ST6200C, ST6201C, ST6203C, ST6210C, ST6220C, ST6225C, ST6260C, ST6262C, ST6265C； ST63E系列：ST63E73 …… ST7系列单片机解密： ST7FOXF1, ST7FOXK1, ST7FOXK2, ST7FOXA0； ST7LITE0, ST7LITE2, ST7LITE49K2, ST7LITE39F2, ST7LITE30F2, ST7LITE35F2, ST7LITE49M, ST7LITE1xB, ST7LITEU09, ST7LITEU05, ST7LITEUS5, ST7LITEUS2； ST72260G, ST72262G, ST72264G, ST72321, ST7232A, ST72321B, ST72321M, ST72325, ST72323, ST72323L, ST72340, ST72344, ST72345, ST72324B, ST72324BL, ST72361, ST72521B, ST72561, ST7260, ST7263B, ST7265, ST7267R8, ST7267C8, ST72681, ST72682； ST72C216 ST7LCRE4U1, ST7LCRDIE6, ST7SCR1R4, ST7SCR1E4； ST7GEME4, ST7LNB0V2Y0, ST72F521, ST72F324L； ST7LNB1Y0, ST7MC1, ST7MC2, ST7DALIF2, ST7SUPERLITE； ST10系列单片机解密： 新ST10闪存系列：ST10F271Z1, ST10F272Z2, ST10F273Z4, ST10F276Z5； ST10传统闪存系列：ST10F168S, ST10F269, ST10F269Z1, ST10F269Z2； ST10 ROMless 系列：ST10R172L, ST10R272L, ST10R167-Q； STR7系列ARM芯片解密： STR750F：STR755FV2, STR755FV1, STR755FV0, STR755FR2, STR755FR1, STR755FR0, STR752FR2, STR752FR1, STR752FR0, STR751FR2, STR751FR1, STR751FR0, STR750FV2, STR750FV1, STR750FV0； STR71x：STR715FR0, STR712FR2, STR712FR0, STR711FR2, STR712FR1, STR711FR1, STR711FR0, STR710RZ, STR710FZ2, STR710FZ1； STR73xF：STR736FV2, STR736FV1, STR736FV0, STR735FZ2, STR735FZ1, STR731FV2, STR731FV1, STR731FV0, STR730FZ2, STR730FZ1； STR9系列ARM芯片解密： STR91xFA：STR912FAZ44, STR912FAZ42, STR912FA W44, STR912FA W42, STR911FA W44, STR911FA W42, STR911FAM44, STR911FAM42, STR910FAZ32, STR910FA W32, STR910FAM32；

(新)半导体材料发展现状及趋势 李霄 1111044081

序号：3 半导体材料的发展现状及趋势 姓名：李霄 学号：1111044081 班级：电科1103 科目：微电子设计导论 二〇一三年12 月23 日

半导体材料的发展进展近况及趋向 引言：随着全球科技的飞速发展成长，半导体材料在科技进展中的首要性毋庸置疑，半导体的发展进展历史很短，但半导体材料彻底改变了我们的生活，从半导体材料的发展历程、半导体材料的特性、半导体材料的种类、半导体材料的制备、半导体材料的发展。从中我们可以感悟到半导体材料的重要性 关键词：半导体、半导体材料。 一、半导体材料的进展历程 20世纪50年代，锗在半导体产业中占主导位置，但锗半导体器件的耐高温和辐射性能机能较差，到20世纪60年代后期逐步被硅材料代替。用硅制作的半导体器件，耐高温和抗辐射机能较好，非常适合制作大功率器件。因而，硅已经成为运用最多的一种半导体材料，现在的集成电路多半是用硅材料制作的。二是化合物半导体，它是由两种或者两种以上的元素化合而成的半导体材料。它的种类不少，主要的有砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、锑化铟(InSb)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、硫化镉(CdS)等。此中砷化镓是除了硅以外研讨最深切、运用最普遍的半导体材料。氮化镓可以与氮化铟（Eg＝1.9eV）、氮化铝（Eg＝6.2eV）构成合金InGaN、AlGaN，如许可以调制禁带宽度，进而调理发光管、激光管等的波长。三是非晶半导体。上面介绍的都是拥有晶格构造的半导体材料，在这些材料中原子布列拥有对称性和周期性。但是，一些不拥有长程有序的无定形固体也拥有显著的半导体特征。非晶半导体的种类繁多，大体上也可按晶态物质的归类方式来分类。从现在}研讨的深度来看，很有适用价值的非晶半导体材料首推氢化非晶硅（α－SiH）及其合金材料（α－SiC:H、α－SiN:H），可以用于低本钱太阳能电池和静电光敏感材料。非晶Se（α－Se）、硫系玻璃及氧化物玻璃等非晶半导体在传感器、开关电路及信息存储方面也有普遍的运用远景。四是有机半导体，比方芳香族有机化合物就拥有典范的半导体特征。有机半导体的电导特征研讨可能对于生物体内的基础物理历程研究起着重大推进作用，是半导体研讨的一个热点领域，此中有机发光二极管（OLED）的研讨尤为受到人们的看重。 二、半导体材料的特性 半导体材料是常温下导电性介于导电材料以及绝缘材料之间的一类功效材

ST意法半导体代理

意法半导体-万联芯城全国供应，电子元器件采购网，就找万联芯城，万联芯城专售原装进口现货电子元器件，与国内外原厂达成深度合作，坐拥三千平方米现代化仓库，解决终端生产研发物料问题，专为客户节省采购成本。 点击进入万联芯城 意法半导体代理_ST代理是一家法国 - 意大利跨国电子和半导体制 造商，总部位于瑞士日内瓦。它通常被称为意法半导体代理_ST代

理，它是欧洲大的基于收入的半导体芯片制造商。虽然意法半导体代理_ST代理公司总部和EMEA地区总部设在日内瓦，但控股公司意法半导体代理_ST代理 N.V.在荷兰阿姆斯特丹注册。 意法半导体代理_ST代理的美国总部位于德克萨斯州的Coppell。亚太地区总部位于新加坡，日本和韩国业务总部位于东京。大中华区的公司总部位于上海。 意法半导体代理_ST代理成立于1987年，由意大利的半导体公司SGS Microelettronica（SocietàGeneraleSemiconduttori）和法国Thomson的半导体部门Thomson Semiconducteurs合并而成。在合并时，意法半导体代理_ST代理被称为SGS-THOMSON，但在Thomson SA 作为所有者撤回后于1998年5月取得现在的名称-意法半导体代理 _ST代理。 SGS Microelettronica和Thomson Semiconducteurs都是历史悠久的半导体公司。 SGS Microelettronica始于1972年，此前两家公司合并： ATES（Aquila Tubi e Semiconduttori），一家真空管和半导体制造商，总部位于阿布鲁兹市的拉奎拉市，于1961年更名为Azienda

意法半导体公司产品导购手册

意法半导体 意法半导体 （ ST ）公司成立于 1987 年，是意大利 SGS 半导体公司和法国汤姆逊半导体合并后的新企业，公司总部设在瑞士日内瓦。公司创立目标是在亚微米时代挤身于世界一流的半导体公司之列。新公司采纳并实施一个锐意进取的公司发展战略，将大量的资金投入到产品技术的研发活动中，与业绩优异的客户和享誉全球的学术机构建立战略联盟，在主要的经济地区建立集研发、制造和销售于一体的业务网络，力争成为世界上生产效率最高的制造公司之一。 ST 是世界上最大的半导体公司之一， 2006 年净营业收入 98.5 亿美元。 ST 还是多个领域的市场领导者，例如：据初步的工业数据显示， ST 是世界第五大半导体公司，模拟产品、模拟专用集成电路（ AASIC ）和模拟专用标准产品（ ASSP ）的销售额居市场领先水平。 ST 是第一大手机相机模块供应商和第二大分立器件供应商，第三大 NOR 闪存供应商，在汽车电子、工业用产品和无线应用领域，市场排名居第三。 ST 同时是全球第一大的机顶盒和电源管理芯片制造商。在中国市场上， ST 是 2005 年第三大半导体供应商。 相关产品 ?S T7单片机 ?S TM8单片机 ?S TM32单片机 ?I GBT ?功率放大器

?L DO ST7单片机 ST7系列单片机的内核是一个8位CPU，CPU中具有6个内部寄存器。ST7系列单片机内部集成低电压检测器（LVD）、看门狗、高抗干扰的电磁兼容电路。通过编程可实现读/写保护、多种低功耗模式等，片上外设包括10位多通道A/D转换器、SCI、SPI、I2C、USB和CAN接口，还有各种8位和16位带PWM功能的定时器。 它的复位和时钟电路可以不用任何外部组件，内部的低电压检测器和一个完整的1% RC振荡器就能确保充分安全地启动单片机工作，从而是其应用成本降至最低。 ST7系列单片机都建立在一个满足通用工业标准的8位CPU之上，具有增强的指令集。ST7系列的闪存具有可逐字节在线编程和在应用中编程的功能。ST7系列单片机有等待、慢速、暂停、掉电等多种低功耗工作模式。 ST7单片机最新报价 产品型号产品描述价格($) ST72F60K1U1TR MCU 8BIT LS USB 4KB FLASH 40-QFN 0.776 ST72F60K1U1TR MCU 8BIT LS USB 4KB FLASH 40-QFN 1.903 ST7FLITES5Y0M6 MCU 8BIT 1K FLASH 16SOIC 1.452 ST72F60E1M1 MCU 8BIT LS USB 4KB FLASH 24SOIC 1.848 ST72F63BD6U1TR MCU 8BIT LS USB 32KB FLSH 40-QFN 2.213 ST72F63BD6U1TR MCU 8BIT LS USB 32KB FLSH 40-QFN 3.967 ST7FLIT19BY1B6 IC MCU 8BIT 4K FLASH 16DIP 2.555 ST7FLIT19BF1M6 IC MCU 8BIT 4K FLASH 20SOIC 2.705 ST7FLIT19BF1B6 IC MCU 8BIT 4K FLASH 20DIP 2.553 ST7FLITE15F1M6 MCU 8BIT 4K FLASH 20SOIC 2.477 ST7FLITE20F2B6 IC MCU 8BIT 8K FLASH 20DIP 3.103 ST7FLITE19F1M6 IC MCU 8BIT 4K 20-SOIC 3.19 ST72F324LJ2T5 IC MCU 8BIT 8K FLASH 44-LQFP 2.652 ST7FLITE25F2B6 IC MCU 8BIT 8K FLASH 20DIP 2.867 ST72F324BJ2T6 IC MCU 8BIT 8K FLASH 44-LQFP 2.918

意法半导体(ST)新的32位系列Cortex-M3内核微控制器重塑MCU市场

意法半导体（ST)新的32位系列Cortex-M3内核微控制器重塑MCU 市场 --STM32 MCU系列大幅度提高了嵌入式系统的性价比和功耗水准 中国，2007年6月11日--世界领先的半导体制造厂商意法半导体（纽约证券交易所：STM）今天推出一个新的32位微控制器系列产品，新产品所用微处理器是ARM公司为要求高性能（1.25 Dhrystone MIPS/MHz）、低成本、低功耗的嵌入式应用专门设计的ARM ?Cortex?-M3内核。STM32系列产品得益于Cortex-M3在架构上进行的多项改进，包括提升性能的同时又提高了代码密度的Thumb-2指令集和大幅度提高中断响应的紧耦合嵌套向量中断控制器，所有新功能都同时具有业界最优的功耗水平。ST是Cortex-M3内核开发项目的一个主要合作方，现在是第一个推出基于这个内核的主要微控制器厂商。 以实现出色的性能和能效为设计目标，同时保留开放工业标准的ARM架构和开发环境的优点，STM32系列产品按性能又分成两个不同的系列：STM32F103“增强型”系列和 STM32F101“基本型”系列。增强型系列时钟频率达到72MHz，是同类产品中性能最高的产品；基本型时钟频率为36MHz，以16位产品的价格得到比16位产品大幅提升的性能，是16位产品用户的最佳选择。两个系列都内置32K到128K的闪存，不同的是SRAM的最大容量和外设接口的组合。时钟频率72MHz时，从闪存执行代码，STM32功耗仅36mA，是32位市场上功耗最低的产品，相当于0.5mA/MHz。

Cortex-M3内核主打存储器和处理器的尺寸对产品成本影响极大的各种应用市场，是针对这些市场的低成本需求，专门开发设计的微处理器内核。Cortex-M3内核增强了芯片上集成的各种功能，包括把中断之间延迟降到6个CPU周期的嵌套向量中断控制器、允许在每一个写操作中修改单个数据位的独立位操作、分支指令预测、单周期乘法、硬件除法和高效的 Thumb 2指令集，这些改良技术使Cortex-M3内核具有优异的性能、代码密度、实时性和低功耗。 STM32采用2.0到3.6V电源，当复位电路工作时，在待机模式下最低功耗2μA，因此最适合电池供电的应用设备。其它省电功能包括一个集成的实时时钟、一个专用的32kHz振荡器和四种功率模式，其中实时时钟含有一个电池操作专用引脚。 “直到现在，16位和32位的设计工程师还要面对很多困难的选择，例如，他们必须在性能、成本、功耗等因素之间做出折衷和取舍，决定使用业界标准还是使用某一公司独有的平台，”ST微控制器产品部总经理Jim Nicholas表示，“通过消除这些需要折衷的因素，STM32走在了融合16位和32位微控制器市场的前列。” 在性能方面，STM32系列的处理速度比同级别的基于ARM7TDMI的产品快30%，换句话说，如果处理性能相同，STM32产品功耗比同级别产品低75%。同样地，使用新内核的Thumb 2指令集，设计人员可以把代码容量降低45%，几乎把应用软件所需内存容量降低了一半。此外，根据Dhrystones和其它性能测试结果，STM32的性能比最好的16位架构至少高出一倍。 新产品提供多达128KB的嵌入式闪存、20KB的RAM和丰富的外设接口，包括两个12位模数转换器（1微秒的转换时间）、三个USART、两个SPI（18MHz主/从控制器）、两个I2C、三个16位定时器（每个定时器有4个输入捕获模块/4个输出比较器/4个PWM控制器），以及一个专门为电机控制向量驱动应用设计的内嵌死区时间控制器的6-PWM定时器、USB、CAN和7个DMA通道。内置复位电路包括上电复位、掉电复位和电压监控器，以及一个可用作主时钟的高精度工厂校准的8MHz阻容振荡器、一个使用外部晶振的4-16MHz振荡器和两个看门狗。因为集成度如此之高，除一个电源外，LQFP100封装产品的最小系统只需要7个电容器。 除工业可编程逻辑控制器（PLC）、家电、工业及家用安全设备、消防和暖气通风空调系统等传统应用，智能卡和生物测定等消费电子/PC应用外，新的STM32系列还特别适合侧重低功耗的设备，如血糖和血脂监测设备。 “融低功耗、易用性和低成本于一身的STM32系列克服了现有的阻碍32位微控制器推广应用的全部问题，”Nicholas表示，“我们相信STM32将满足每一个设计人员的期望。未来的STM32系列产品将扩充已有的功能选项，达到512KB闪存和64KB SRAM以及更多的功能。” STM32系列产品配有成套的ST和第三方的开发工具。ST提供一个评估板、USB开发工具包和一个免费的软件库。Hitex、IAR、Keil和Raisonance不久将在经过验证的基于ARM 内核的工具解决方案的基础上推出入门级开发工具。目前，Hitex、IAR、Keil、Raisonance 和Rowley的工具链支持STM32。

院士讲材料——半导体材料的发展现状与趋势汇总

主持人： 观众朋友，欢迎您来到CETV学术报告厅，最近美国的一家公司生产出一千兆的芯片，它是超微技术发展史上的一个分水岭，个人电脑业的发展，也将步入一个新的历史阶段，对整个信息业来说，它的意义不亚于飞行速度突破音速的极限，当然整个技术上的突破，也要依赖于以硅材料为基础的大规模集成电路的进一步微型化，50年代以来，随着半导体材料的发现与晶体管的发明，以硅为主的半导体材料，成为整个信息社会的支柱，成为微电子、光电子等高技术产业的核心与基础，这个情况，将会持续到下个世纪的中叶，当然，面对更大信息量的需求，硅电子技术也有它的极限，将会出现新的、替补性的半导体材料。关于半导体材料的发展现状与发展趋势，请您收看中国科学院王占国院士的学术报告。 王占国： 材料已经成为人类历史发展的里程碑，从本世纪的中期开始，硅材料的发现和硅晶体管的发明以及五十年代初期的以硅为基的集成电路的发展，导致了电子工业大革命。今天，因特网、计算机的到户，这与微电子技术的发展是密不可分的，也就是说以硅为基础的微电子技术的发展，彻底地改变了世界的政治、经济的格局，也改变着整个世界军事对抗的形式，同时也深刻影响着人们的生活方式。今天如果没有了计算机，没有了网络，没有了通信，世界会是什么样子，那是可想而知的。从20世纪70年代的初期，石英光纤材料和光学纤维的研制成功，以及GaAs 等Ⅲ-Ⅴ族化合物的材料的研制成功与半导体激光器的发明，使光纤通信成为可能，目前光纤已四通八达。我们知道，每一束光纤，可以传输成千上万甚至上百万路电话，这与激光器的发明以及石英光纤材料、光纤技术的发展是密不可分的。 70年代超晶格概念的提出，新的生长设备，像分子束外延和金属有机化合物化学汽相淀积等技术的发展，以及超晶格、量子阱材料的研制成功，使半导体材料和器件的设计思想发生了彻底的改变。就硅基材料的器件和电路而言，它是靠P型与N型掺杂和PN结技术来制备二极管、晶体管和集成电路的。然而基于超晶格、量子阱材料的器件和电路的性质，则不依赖于杂质行为，而是由能带工程设计决定的。也就是说，材料和器件的光学与电学性质，可以通过能带的设计来实现。设计思想从杂质工程发展到能带工程，以及建立在超晶格、量子阱等半导体微结构材料基础上的新型量子器件，极有可能引发新的技术革命。从微电子技术短短50年的发展历史来看，半导体材料的发展对高速计算、大容量信息通信、存储、处理、电子对抗、武器装备的微型化与智能化和国民经济的发展以及国家的安全等都具有非常重要的意义。 现在，我来讲一讲几种重要的半导体材料的发展现状与趋势。我们首先来介绍硅单晶材料。硅单晶材料是现代半导体器件、集成电路和微电子工业的基础。目前微电子的器件和电路，其中有90％到95％都是用硅材料来制作的。根据预测，到2000年底，它的规模将达到60多亿平方英寸，整个硅单晶材料的产量将达到1万吨以上。目前，8英寸的硅片，已大规模地应用于集成电路的生产。到2000年底，或者稍晚一点，这个预计可能会与现在的情况稍微有点不同，有可能完成由8英寸到12英寸的过渡。预计到2007年前后，18英寸的硅片将投入生产。我们知道，直径18英寸相当于45厘米，一个长1米的晶锭就有几百公斤重。那么随着硅单晶材料的进一步发展，是不是存在着一些问题亟待解决呢？我们知道硅单晶材料是从石英的坩埚里面拉出来的，它用石墨作为加热器。所以，来自石英里的二氧化硅中氧以及加热器的碳的污染，使硅材料里面包含着大量的过饱和氧和碳杂质。过饱和氧的污染，随着硅单晶直径的增大，长度的加长，它的分布也变得不均匀；这就是说材料的均匀性就会遇到问题。杂质和缺陷分布的不均匀，会使硅材料在进一步提高电路集成度应用的时候遇到困难。特别是过饱和的氧，在器件和电路的制作过程中，它要发生沉淀，沉淀时的体积要增大，会导致缺陷产生，这将直接影响器件和电路的性能。因此，为了克服这个困难，满足超大规模集成电路的集成度的进一步提高，人们不得不采用硅外延片，就是说在硅的衬底上外延生长的硅薄膜。这样，可以有效地避免氧和碳等杂质的污染，同时也会提高材料的纯度以及掺杂的均匀性。利用外延方法，还可以获得界面非常陡、过渡区非常窄的结，这样对功率器件的研制和集成电路集成度进一步提高都是非常有好处的。这种材料现在的研究现状是6英寸的硅外延片已用于工业的生产，8英寸的硅外延片，也正在从实验室走向工业生产；更大直径的外延设备也正在研制过程中。 除此之外，还有一些大功率器件，一些抗辐照的器件和电路等，也需要高纯区熔硅单晶。区熔硅单晶与直拉硅单晶拉制条件是不一样的，它在生长时，不与石英容器接触，材料的纯度可以很高；利用这种材料，采用中子掺杂

意法半导体公司介绍

ST Microelectronics (ST,意法半导体)公司介绍STMicroelectronics（ST,意法半导体,ST Microelectronics)是全球最大 的半导体公司之一，法意半导体是世界第一大专用模拟芯片和电源转换 芯片制造商，世界第一大工业半导体和机顶盒芯片供应商，而且在分立器 件、手机相机模块和车用集成电路领域居世界前列。意法半导体(ST Microelectronics)是业内半导体产品线最广的厂商之一，从分立二极管与 晶体管到复杂的片上系统（SoC）器件，再到包括参考设计、应用软件、制造工具与规范的完整的平台解决方案，其主要产品类型有3000多种。意法半导体是各工业领域的主要供应商，拥有多种的先进技术、知识产权（IP）资源与世界级制造工艺，拥有13,000位研究人员和19,000项专利。 历史 意法半导体集团在1987年6月由意大利的Società Generale Semiconduttori (SGS) Microelettronica与法国汤姆逊(Thomson)公司的半导体分部Thomson Semiconducteurs两家半导体公司合并而成，该公司自1998年5月汤姆逊撤股后由SGS-THOMSON更名为意法半导体(STMicroelectronics)。 SGS Microelettronica与Thomson Semiconducteurs均是创立已久的半导体公司： * SGS Microelettronica从前名为SGS-ATES (Aquila Tubi E Semiconduttori)，通过Aziende Tecnica ed Elettronica del Sud(于1963年创立)与Società Generale Semiconduttori(于1957年由Adriano Olivetti创立)于1972年的合并组成。

中国半导体材料行业市场调研报告

2011-2015年中国半导体材料行业市场调 研及投资前景预测报告 半导体材料是指电阻率在10-3~108Ωcm，介于金属和绝缘体之间的材料。半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要基础材料，支撑着通信、计算机、信息家电与网络技术等电子信息产业的发展。电子信息产业规模最大的是美国。近几年来，中国电子信息产品以举世瞩目的速度发展，半导体材料及应用已成为衡量一个国家经济发展、科技进步和国防实力的重要标志。 中国报告网发布的《2011-2015年中国半导体材料行业市场调研及投资前景预测报告》共十六章。首先介绍了半导体材料相关概述、中国半导体材料市场运行环境等，接着分析了中国半导体材料市场发展的现状，然后介绍了中国半导体材料重点区域市场运行形势。随后，报告对中国半导体材料重点企业经营状况分析，最后分析了中国半导体材料行业发展趋势与投资预测。您若想对半导体材料产业有个系统的了解或者想投资半导体材料行业，本报告是您不可或缺的重要工具。 本研究报告数据主要采用国家统计数据，海关总署，问卷调查数据，商务部采集数据等数据库。其中宏观经济数据主要来自国家统计局，部分行业统计数据主要来自国家统计局及市场调研数据，企业数据主要来自于国统计局规模企业统计数据库及证券交易所等，价格数据主要来自于各类市场监测数据库。 第一章半导体材料行业发展概述 第一节半导体材料的概述 一、半导体材料的定义 二、半导体材料的分类 三、半导体材料的特点 四、化合物半导体材料介绍 第二节半导体材料特性和制备 一、半导体材料特性和参数 二、半导体材料制备

第三节产业链结构及发展阶段分析 一、半导体材料行业的产业链结构 二、半导体材料行业发展阶段分析 三、行业所处周期分析 第二章全球半导体材料行业发展分析 第一节世界总体市场概况 一、全球半导体材料的进展分析 二、全球半导体材料市场发展现状 三、第二代半导体材料砷化镓发展概况 四、第三代半导体材料GaN发展概况 第二节世界半导体材料行业发展分析 一、2010年世界半导体材料行业发展分析 二、2011年世界半导体材料行业发展分析 三、2011年半导体材料行业国外市场竞争分析 第三节主要国家或地区半导体材料行业发展分析 一、美国半导体材料行业分析 二、日本半导体材料行业分析 三、德国半导体材料行业分析 四、法国半导体材料行业分析 五、韩国半导体材料行业分析 六、台湾半导体材料行业分析 第三章我国半导体材料行业发展分析 第一节2010年中国半导体材料行业发展状况 一、2010年半导体材料行业发展状况分析 二、2010年中国半导体材料行业发展动态 三、2010年半导体材料行业经营业绩分析 四、2010年我国半导体材料行业发展热点 第二节2011年半导体材料行业发展机遇和挑战分析一、2011年半导体材料行业发展机遇分析

意法半导体ST大中国区新总部在上海正式启用

意法半导体（ST）大中国区新总部在上海正式启用 意法半导体（ST）大中国区新总部在上海正式启用 世界最大半导体公司之一的意法半导体今天宣布大中国区中国区（中国大陆、香港和台湾）新总部新总部在上海正式启用。新总部大楼位于上海闵行区紫竹科学园区，意法半导体意法半导体公司首席运营官Alain Dutheil 和公司副总裁兼大中国区总经理柯明远主持启用典礼，上海市及闵行区政府领导、意大利驻华总领事Massimo Roscigno先生和法国驻华总领事Jacques Torregrossa先生应邀参加典礼。? ST大中国区新总部根据长远发展目标规划，办公面积大约20000平方米，能够满足未来员工人数增长的需要，办公人数可以从今天的近400人增加到最多1200人，这反映ST在中国这个世界最重要的市场上进一步加强影响力的决心。新总部大厦除了在大中国区现有的功能，最主要的工作重心将集中在产品技术研发业务，为大中国区及世界范围内的ST客户研制创新的解决方案。? “大中国区在我们的全球销售收入中所占比例已经接近30%，而且将会在我们的未来收入增长中发挥更大的作用。ST已经成为国内半导体产业生态系统中的一个活跃且负有社会责任的企业，我们目前拥有数百名充满活力、富有创造力的工程师，今后几年我们还计划再招聘数百名高素质的技术人员，”ST公司副总裁兼大中国区总经理柯明远（Bob Krysiak）表示，“上海研发团队将会完全融入享誉业界的ST全球研发组织，为研发最先进的技术和在全球具有重要意义的解决方案做出贡献。”?

目前在大中国区的所有员工中，研发人员与工程师占大约二分之一。他们为各种电子应用领域的国内客户开发创新产品提供技术支持，或者在技术能力中心能力中心（Competence Center），硅设计人员与应用工程师合作为国际合作伙伴和客户开发创新的解决方案。ST在上海目前设有两个技术能力中心，一个以全球数字电视软件为主要业务，另一个则致力于多领域创新应用开发。截至目前，ST大中国区硅设计团队已经为国内和国际客户开发了60多种新产品。? “自1984年在北京成立ST在中国的第一家办事处以来，我们一直在加大在这个地区的投资力度，例如，我们在上海新落成的大中国区总部研发中心、正在深圳建设的第二家封装测试厂，以及正在与高等院校合作创立的重要项目，”意法半导体首席运营官Alain Dutheil表示，“我们为公司在中国取得的成就而感到骄傲，坚持“在中国创新，为中国创芯”的原则，为中国信息产业连续增长而做出的贡献，让我们精神振奋。”? ST于大中国区新总部大楼一层设有产品演示厅，展示公司最新研发成果。在演示厅可以看到ST大中国区的IC设计中心和技术能力中心开发的应用方案，这些应用包括为发展中国家开发的电动自行车（eBike）、机器人、智能福娃、“绿色”节能型空调，很多都是基于STM32微控制器芯片进行开发设计的。多种电源控制与功率管理解决方案，ST积极响应绿色节能的倡议，特别提出的解决方案。各种先进的家庭娱乐系统产品，整合了ST 与新收购子公司Genesis的前后端技术，为中国电视用户提供从图像获取到显示的完美画质体验。此外，一辆演示车模则展示最先进的车用安全系统、动力总成、车载娱乐及导航系统。?