意法半导体IGBT说明书

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September 2004

STGF7NB60SL

N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220FP

PowerMESH? IGBT

Table 1: General Features

s POLYSILICON GATE VOLTAGE DRIVEN

s LOW THRESHOLD VOLTAGE s LOW ON-VOLTAGE DROP s LOW GATE CHARGE

s

HIGH CURRENT CAPABILITY

DESCRIPTION

Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the Pow-erMESH ? IGBTs, with outstanding performances.The suffix “S” identifies a family optimized achieve minimum on-voltage drop for low frequency appli-cations (<1kHz).APPLICATIONS s LIGHT DIMMER s STATIC RELAYS

Table 2: Order Codes

TYPE V CES V CE(sat) (Max) @25°C I C

@100°C

STGF7NB60SL

600 V

< 1.6 V

7 A

SALES TYPE MARKING PACKAGE PACKAGING

STGF7NB60SL

GF7NB60SL

TO-220FP

TUBE

Rev.3

STGF7NB60SL

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Table 3: Absolute Maximum ratings

(1)Pulse width limited by max. junction temperature.

Table 4: Thermal Data

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T CASE =25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)Table 5: Off

Table 6: On

Symbol Parameter

Value Symbol V CES Collector-Emitter Voltage (V GS = 0)600V V ECR Reverse Battery Protection 20V V GE Gate-Emitter Voltage

± 20V I C Collector Current (continuous) at 25°C 15A I C Collector Current (continuous) at 100°C 7A I CM (1)Collector Current (pulsed)20A P TOT Total Dissipation at T C = 25°C 25W Derating Factor

0.2W/°C V ISO Insulation Withstand Voltage A.C.2500V T stg Storage Temperature

– 55 to 150

°C

T j

Operating Junction Temperature

Rthj-case Thermal Resistance Junction-case Max 5°C/W Rthj-amb

Thermal Resistance Junction-ambient Max

62.5

°C/W

Symbol Parameter

Test Conditions

Min.Typ.

Max.

Unit V BR(CES)Collectro-Emitter Breakdown Voltage

I C = 250 μA, V GE = 0600V V BR(ECS)Emitter-Collector Breakdown Voltage

I C = 1mA, V GE = 020

V

I CES

Collector-Emitter Leakage Current (V CE = 0)V GE = Max Rating Tc=25°C Tc=125°C

10100μA μA I GES

Gate-Emitter Leakage Current (V CE = 0)

V GE = ± 20 V , V CE = 0

±100

nA

Symbol Parameter

Test Conditions Min.Typ.

Max.Unit V GE(th)Gate Threshold Voltage V CE = V GE , I C = 250 μA 1.2

2.4V V CE(SAT)

Collector-Emitter Saturation Voltage

V GE =4.5 V, I C = 7A, Tj= 25°C V GE =4.5 V, I C = 7A, Tj= 125°C

1.21.1 1.6

V V

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STGF7NB60SL

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CONTINUED)Table 7: Dynamic

Table 8: Switching On

Table 9: Switching Off

(**)Turn-off losses include also the tail of the collector current.

Symbol Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.Max.

Unit g fs Forward Transconductance V CE = 15 V , I C = 7 A

5S C ies C oes C res Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance

V CE = 25V, f = 1 MHz, V GE = 0

8006010pF pF pF Q g Q ge Q gc Total Gate Charge Gate-Emitter Charge Gate-Collector Charge V CE = 480V, I C = 7 A,V GE = 5V

(see Figure 20)

162.58.5

22nC nC nC I CL Turn-Off SOA Minimum Current

V clamp = 480 V , Tj = 125°C R G = 1 K ?, V GE =5V

20

A tscw

Short Circuit Withstand Time

V ce = 0.5 V BR(CES), V GE =5V , Tj = 125°C , R G = 1K ?

14

μs

Symbol Parameter

Test Conditions

Min.

Typ.Max.

Unit t d(on)t r Turn-on Delay Time Current Rise Time V CC = 480 V, I C = 7 A R G =1K ? , V GE = 5 V

(see Figure 18)

1.10.25μs μs (di/dt)on E on Turn-on Current Slope Turn-on Switching Losses

V CC = 480 V, I C = 7 A R G =1K ? V GE = 5 V,Tj = 125°C

452.7A/μs mJ Symbol Parameter

Test Conditions

Min.Typ.Max.Unit t c Cross-over Time V cc = 480 V, I C = 7 A, R GE = 1K ? , V GE = 5 V (see Figure 18)

2.7μs t r (V off )Off Voltage Rise Time 1.6μs t d (off )Delay Time 5.2μs t f Current Fall Time 1.1μs

E off (**)Turn-off Switching Loss 4.1m J

t c Cross-over Time V cc = 480 V, I C = 7 A, R GE = 1K ? , V GE = 5 V Tj = 125 °C (see Figure 18)

4.4μs t r (V off )Off Voltage Rise Time 2.4μs t d (off )Delay Time 6.4μs t f Fall Time

1.7μs

E off (**)

Turn-off Switching Loss

7.1

m J

STGF7NB60SL

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Figure 3: Output Characteristics

Figure 6: Transfer Characteristics

STGF7NB60SL

Figure 9: Gate Thereshold vs Temperature

Figure 12: Normalized Breakdown Voltage vs

age

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STGF7NB60SL

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Figure 15: Total Switching Losses vs Collector

Figure 17: Turn-Off SOA

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STGF7NB60SL

Figure 18: Test Circuit for Inductive Load Switching

Figure 19: Switching Waveforms

Figure 20: Gate Charge Test Circuit

STGF7NB60SL

Table 10: Revision History

Date Revision Description of Changes 04-June-20042Stylesheet update. No content change

02-Sep-20043Datasheet updated, see table1

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STGF7NB60SL Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, STMicroelectronics assumes no responsibility for the consequences of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from its use. No license is granted

by implication or otherwise under any patent or patent rights of STMicroelectronics. Specifications mentioned in this publication are subject to change without notice. This publication supersedes and replaces all information previously supplied. STMicroelectronics products are not

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使用及维护说明书(电子版)

电动推杆安装、使用、维护说明书 北京金达凯诺传动设备有限公司 前言 本说明书与产品密不可分，内含有关推杆正确安装，使用以及维护的基本知识。 对于未按照技术目录上的说明对推杆进行的不正确操作而导致的直接或间接后果金达凯诺公司不承担任何责任。 不按照说明书的说明进行使用维护操作违反保修的条款，由此而引发的可能的人员伤亡或产品的损坏，金达凯诺公司不承担任何责任。 在产品选形以及产品设计过程中，金达凯诺公司以及它制定的代理商随时为您服务，并为你正确应用推杆提供所有的技术支持。 金达凯诺公司有权在不做任何通知的情况下，对产品及说明书进行完善和修改。 ?安装前详细阅读操作说明书 ?遵守相关的安全指示说明，说明如下： 总论 电动推杆是将电能转换为机械能，由电动机的旋转运动转换为直线推拉运动的一种电动执行机构。其工作情况类同于广泛应用的液压、气动执行机构。 电动推杆结构紧凑，性能可靠，体积小，重量轻，噪音低，安装调试、使用维修方便，还可以加装手动机构，便于安装调试。

电动推杆具有额定推力过载保护装置和行程调节机构。用户可在额定行程范围内任意调节工作行程。 一、电动推杆的形式 金达凯诺公司为用户提供了如下形式电动推杆 1、FD系列小型电动推杆 2、DL系列电动推杆 3、DG系列重型电动推杆 二、电动推杆的选择 1、电动推杆结构形式的选择 根据用户使用设备具体结构，由用户自行确定，或与厂商办事处协商。 2、电动推杆安装形式的选择 根据用户使用设备具体结构，由用户自行确定，或与厂商办事处协商。 3、电动推杆额定推力的选择 根据用户使用设备具体结构，由用户自行确定，或与厂商办事处协商。 4、电动推杆额定行程的选择 根据用户使用设备具体结构，由用户自行确定，或与厂商办事处协商。 5、电动推杆额定速度的选择 根据用户使用设备具体结构，由用户自行确定，或与厂商办事处协商。 三、电动推杆电器原理及接线图 1、接线盒中的接线 ——三相电机的接线方式参见厂家接线盒中的标示决定三角形或星形接法。检查运转方向，如果不对，调换V1和W1的接线。 ——单相电机的接线方式参见厂家接线盒中的标示决定接法方式。检查运转方向，如果不对，调换V1和W1的接线。 ——制动电机的接线方式参见厂家接线盒中的标示决定接法方式，或咨询金达凯诺技术部门。 2、电气线路的连接 下图为三相电机、单相电机和直流电机的电气线路连接：（参见图004、005、006） 三相交流电机的电气线路连接、单相交流电机的电气线路连接、直流电机的电气线路连接

半导体技术期末复习

半导体技术期末复习集团文件发布号：（9816-UATWW-MWUB-WUNN-INNUL-DQQTY-

1.20世纪上半叶对半导体产业发展做出贡献的4种不同产业。P2 答：真空管电子学、无线电通信、机械制表机、固体物理 2.列出5个集成时代，指出每个时代的时间段，并给出每个时代每个芯片上的元件数。P4 小规模集成电路 20世纪60年代前期 2-50个芯片 中规模集成电路 20世纪60年代到70年代前期 20-5000个芯片 大规模集成电路 20世纪70年代前期到70年代后期 5000-100000个芯片 超大规模集成电路20世纪70年代后期到80年代后期个芯片 甚大规模集成电路 20世纪90年代后期至今大于1000000个芯片 3.列出提高微芯片制造技术相关的三个重要趋势，简要描述每个趋势。P8 1、提高芯片性能:提高速度和降低功耗。1）、器件做的越小，芯片上的器件就越多，芯片的速度就提高；2）、使用材料，通过芯片表面的电路和器件来提高电信号的传输。 2、提高芯片可靠性 3、降低芯片成本 原因：根本原因是得益于CD尺存的减小；半导体产品市场的大幅度增长。 4.什么是芯片的关键尺寸？这种尺寸为何重要？P9 芯片的物理尺寸特征被称为特征尺寸，最小的特征尺寸称为关键尺寸。

将CD作为定义制造复杂性水平的标准，也就是如果你拥有在硅片上制造某种CD的能力，那你就能加工其他所有特征尺寸，由于这些尺寸更大，因此更容易生产。例如，如果芯片上的最小尺寸是0.18um，那么这个尺寸就是CD。半导体产业使用“技术节点”这一术语描述在硅片制造中使用的可应用CD . 5.什么是摩尔定律？它预测了什么？这个定律正确吗？P10 1964年摩尔预言在一块芯片上的晶体管数大约每隔一年翻一番（后来在1975年被修正为预计每18个月翻一番）。摩尔定律惊人的准确！ 6.以B掺入Si中为例，说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和P型半导体。 在硅晶体中掺入硼，硼是Ⅲ族元素，硼替代原有硅原子位置，由于Ⅲ族元素最外层只有3个价电子，与周围硅原子产生共价键时，产生一个空穴，而本身接受一个电子称为带负电的离子，通常我们称这种杂质为受主杂质。这种半导体主要依靠受主提供的空穴导电，这种依靠空穴导电的半导体称为p型半导体。 7.以As掺入Ge中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和N 型半导体。 在As中掺入Ge ， Ge 是V族元素杂质， Ge杂质会替代原来硅原子的位置，与周围的硅原子形成共价键，多余的一个电子便成了能够导电的自由电子，本身变成带正电的离子，通常我们称这种杂质为施主杂质。这种半导体依靠施主提供的电子导电，这种依靠电子导电的半导体称为n型半导体。

意法半导体(ST)

ROM，提高了产品制造的灵活性，缩短了从设计到制造的准备时间，同时90nm 技术还提高了成本效益。 新的ST21F系列产品使卡制造商能够对飞速变化的手机市场需求做出快速的注重成本效益的反应，然后在制造工序的智能卡个性化阶段自定义应用程序，用一个产品解决多家移动通信网络运营商(MNOs)的要求。因为与一个特定的运营商无关，所以新产品降低了供应链的风险和复杂性。 ST21F384的内核是一个8/16位CPU，线性寻址宽度16MB，典型工作频率21MHz。芯片内置7KB用户RAM存储器，以及128字节页面的384KB闪存，耐擦写能力与早期安全微控制器的EEPROM存储器相当。电流消耗完全符合2G和3G的电源规格，达到了(U)SIM的应用要求。该微控制器含有一个硬件DES (数据加密标准)加速器和用户可以访问的CRC (循环冗余代码)计算模块。 如果采用了这个闪存安全型微控制器，卡制造商将能够缩短在整个制造工序中从设计到投产的准备时间，验证卡上的操作系统（OS）和向运营商提供样片所需的时间会更短。因为可以库存没有编程的空白芯片，所以新产品还有助于缩短产品的量产周期，同时还会大幅度缩短操作功能升级和实现新的MNO要求所需的周期。 由于应用程序保存在闪存内，卡制造商无需再支付ROM掩模成本；此外，因为只需实现最终客户需要的功能，而不必设计一个标准解决方案，应用软件本身可以写得更小。ST的片上闪存装载器提供一个成本低廉的操作系统装载功能。 ST21F384的样片现已上市，定于2007年12月量产。ST的封装能力在业界堪称独一无二，其智能卡IC有两种封装形式：切割过的晶片和先进微型模块，其中模块的集成度和安全性都非常出色。 ST21F384产品分为切割过的晶片或没切割过的晶片，模块封装分为6触点（D17）和8触点（D95）两个规格，符合欧洲RoHS环保标准，触点排列符合ISO 7816-2标准。订购100000颗晶片，每颗0.45美元。

TBS安装调试、使用、维护说明书

粗煤泥分选机安装调试操作与维护说明书 湖南长欣矿业工程技术有限公司

目录 前言---------------------------------------------------------------1 工作原理---------------------------------------------------------2 基本结构组成及作用------------------------------------------4 安装---------------------------------------------------------------8 调试---------------------------------------------------------------12 运行---------------------------------------------------------------15 启动/停车/待机------------------------------------------------16 维护与故障排除------------------------------------------------17 备件---------------------------------------------------------------19 操作规程、维护及保养---------------------------------------20 现场安装注意事项和要求------------------------------------21 附图

微机五防系统使用及维护说明

目录 WFBX系统使用说明 (2) 系统启动 (2) 预演模拟 (3) 预演开票 (4) 传票及存票、调票及执行票操作 (6) 系统退出 (7) WFBX系统维护说明 (7) 图形编辑 (7) 参数设置 (8) 规则库编写 (10) 操作术语维护 (10) 用户管理 (12) 锁具维护 (13) 系统重装步骤 (15)

WFBX系统使用说明 系统启动 方法一：开启五防机，五防系统即随机启动。 方法二：在桌面快捷图标中找到“五防系统”快捷方式，鼠标双击即可运行五防系统。 方法三：进入“我的电脑”，依次进入C:\Fjnt\bin\ ，找到FjFace.exe 程序鼠标双击即可运行五防系统。 进入五防系统后，界面如下： 挂牌操作： 系统启动或开票预演时，均可使用挂牌功能，即用鼠标右击选择挂牌菜单，选择需挂牌的选项。其中前四个可以直接选，其他的在其他菜单中选择。

预演模拟 方法一：进入五防系统界面后，从系统菜单栏“五防操作”下拉条选项中选中“开始预演”，进入预演选项框，依次选择两个不同人名(一个操作员，一个监护员)并分别输入密码后即可 开始预演模拟操作。 方法二：进入五防系统界面后，点击快捷工具栏 中的图标，依次选择两个不同人名(一个操作员，一个监护员)并分别输入密码后即可开 始预演模拟操作。 方法三：进入五防系统界面后，鼠标右键在图形界面空白处点击，出现右键快捷菜单，选择操作票预演→开始预演，依次选择两个不同人名(一个操作员，一个监护员)并分别输入密码 后即可开始预演模拟操作。

注意：进入预演模拟前，全图设备一定不能处于人工强制对位状态，否则系统将不允许进入模拟开票状态。所以在此之前，请检查快捷工具栏 中的图标未处于凹下去的状态，确保其在凸起状态，保证全图的自动刷新。 进入开票预演的界面如下： 预演开票 方法一：将鼠标置于要进入预演的设备上，待鼠标呈现手形图状后，鼠标右键点击出现快捷菜单，选择“五防操作→五防合（分）”，操作票窗口上即会出该操作票项。 方法二：将鼠标置于要进入预演的设备上，待鼠标呈现手形图状后，鼠标左键点击相应设备，操作票窗口上即会出该操作票项。 附注：对于系统中本站使用到的常用快捷工具栏作用说明如下：

半导体器件参数(精)

《党政领导干部选拔任用工作条例》知识测试题（二） 姓名：单位： 职务：得分： 一、填空题（每题1分，共20分）： 1、《党政领导干部选拔任用工作条例》于年月发布。 2、《党政领导干部选拔任用工作条例》是我们党规范选拔任用干部工作的一个重要法规，内容极为丰富，共有章条。 3、干部的四化是指革命化、知识化、年轻化、专业化。 4、，按照干部管理权限履行选拔任用党政领导干部的职责，负责《条例》的组织实施。 5、党政领导班子成员一般应当从后备干部中选拔。 6、民主推荐部门领导，本部门人数较少的，可以由全体人员参加。 7、党政机关部分专业性较强的领导职务实行聘任制△I称微分电阻 RBB---8、政协领导成员候选人的推荐和协商提名，按照RE---政协章程和有关规定办理。 Rs(rs----串联电阻 Rth----热阻 结到环境的热阻

动态电阻 本机关单位或本系统 r δ---衰减电阻 r(th--- Ta---环境温度 Tc---壳温 td---延迟时间 、对决定任用的干部，由党委（党组）指定专人同本人 tg---电路换向关断时间 12 Tj---和不同领导职务的职责要求，全面考察其德能勤绩廉toff---。 tr---上升时间13、民主推荐包括反向恢复时间 ts---存储时间和温度补偿二极管的贮成温度 p---发光峰值波长 △λ η---

15、考察中了解到的考察对象的表现情况，一般由考察组向VB---反向峰值击穿电压 Vc---整流输入电压 VB2B1---基极间电压 VBE10---发射极与第一基极反向电压 VEB---饱和压降 VFM---最大正向压降（正向峰值电压） 、正向压降（正向直流电压） △政府、断态重复峰值电压 VGT---门极触发电压 VGD---17、人民代表大会的临时党组织、人大常委会党组和人大常委会组成人员及人大代表中的党员，应当认真贯彻党委推荐意见 VGRM---门极反向峰值电压，带头（AV 履行职责交流输入电压 最大输出平均电压

意法半导体基于Cortex-M3的STM32L微控制器开始供货

意法半导体基于Cortex-M3的STM32L微控制器开始供 货 意法半导体今天宣布开始向主要客户提供STM32L 系列微控制器样片，STM32L 系列产品是业界首款来自全球十大半导体供应商之一的超低功耗 ARM Cortex-M3 微控制器。STM32L 系列产品采用意法半导体独有的两大节能技术：130nm 专用低泄漏电流制造工艺和优化的节能架构，提供业界领先的节 能性能。全新STM32L 系列产品属于意法半导体的EnergyLite 超低功耗产品平台，设计人员能够优化终端产品的性能、功能和电池使用寿命，达到相关的 能效标准，如环保型设计目标。意法半导体微控制器产品部总经理Michel Buffa 表示：“在全球半导体公司提供的产品中，STM32L 系列产品实现最佳的 功耗性能比。STM32L 将会成为消费电子、工业应用、医疗仪器或能源计量表 等市场上低功耗应用设计的首选微控制器。”除极高能效外，STM32L 还具备提高数据安全性，促进系统安全操作的诸多安全功能，包括灵活的欠压复位、片 上闪存支持纠错码（ECC）、存储器保护单元（MPU）和JTAG 熔断器。这些 功能被推荐用于所有的需要安全产品特性和高度安全的代码及用户数据管理的 应用。片上集成的USB 2.0 Full Speed 支持模块使STM32L 还能支持移动外设。此外，STM32L 系列微控制器内置的LCD 驱动器，可轻松实现更低廉、更小的应用设计。STM32 系列的产品阵容非常强大，目前拥有超过135 款产品，全系列产品的引脚、软件和外设相互兼容，应用灵活性达到最高水平。作为 STM32 系列的新成员，STM32L 在32MHz 频率下的处理性能达到33DMIPS （最大值），片上闪存密度范围从64KB 到128KB。STM32L 系列样片已经开始交付给主要客户测试。STM32L151 内置64KB 闪存，采用LQFP48 封装；STM32L152 内置128KB 闪存，采用LQFP100 封装。将于2010 年第四季度量

起亚狮跑使用维护说明书

起亚狮跑使用维护说明书

我们希望您能在驾驶中获得最大的乐趣，本车主手册可以在很多方面向您提供帮助。因此我们强烈建议您务必详细阅读本手册全部内容，尤其要认真阅读手册中的所有警告及注意事项，以最小化伤亡机率。 本手册中文字配合图片的补助说明有助于您更好的了解您的车辆，通读本手册，了解车辆的特性、重要安全信息及不同路况下的驾驶要领。在目录中，您可以看到整本手册的相关章节分配，您可以从中找到需要的资料。 章：本手册由八个章节加一个索引组成，每章开始时都附有简单的目录，便于您查找所需要的内容。 您会在本手册中看到很多警告、注意及参考标志。这些标志有助于提高人身及车辆安全。请认真阅读并遵守这些警告、注意及参考标志中提到的内容。

与这种车型的其它汽车一样，汽车操作不正确可能导致车辆失控、发生意外事故及翻车。 特殊的设计特性(较高离地间隙及轮距等)使本车辆相对于其它车型而言重心较高。换句话说，本车型的设计使它不能以与传统2轮驱动车辆同样的速度转弯。要避免急转弯或突然动作。再次强调，汽车操作不正确可能导致车辆失控、发生

意外事故或翻车。因此，请务必详细阅读本说明书第五章的“铺砌路面驾驶”与“野外驾驶”指南。并不需要专门“磨合”。但在最初的1,000公里内遵守下述建议，有利于车辆的性能发挥、经济运行并能延长使用寿命。 1 不要使发动机高速空转。 2 不论车速快慢都不要维持同一车速太久。处于磨合期的车辆，最好能经历各种发动机转速，以便充分磨合发动机。 3 除非是紧急情况，否则请尽量避免紧急制动，让制动装置正常地起作用。 4 避免节气门全开起动。

1．车门闭锁／开锁按钮 2．电动门窗开关 3．室外后视镜控制开关(如有配备) 4．发动机盖释放杆 5．仪表盘照明(如有配备) 6．牵引力控制系统(如有配备) 7．4WD LOCK按钮(如有配备) 8．方向盘倾斜

意法半导体发布迄今性能最强的电视系统芯片

意法半导体发布迄今性能最强的电视系统芯片 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商、全球领先的数字 电视及机顶盒芯片提供商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)将在2012 中国国际广播电视信息网络展览会(CCBN)上展出Newman 电视系统芯片(System-on-Chip，SoC)系列的首款产品。新系列产品是意法半导体的业界领先的电视广播互联网服务多功能电视平台的一部分。代号为Newman Ultra 的新产品FLI7680 拥有市场上无与伦比的性能，亦代表了智能电视(Smart TV)系统芯片技术水平的一次巨大飞跃。 随着高价值内容不断演进，除第一代电视广播宽带上网综合服务外，电 视还需要支持全新的增值服务和产业生态系统，例如Google TV。Newman Ultra 系统架构具有市场领先的性能，让电视应用程序具有令人惊喜的反应速度，同时拥有极其出色的视频解码功能，远超市场同类产品。有了这款芯片，消费 者只需通过一台智能电视机即可播放多种视频源，运行大量应用软件。 意法半导体WAVE 产品部总经理Luigi Mantellassi 表示：随着智能电视的概念正在快速演进，对处理性能、功能集成度、设计灵活性和数据安全的要 求不断提高。凭借我们在全球市场的领先地位和机顶盒软件开发能力，Newman Ultra 系统芯片让我们的客户能够扩大品牌价值，研制一个集传统电视广播、视频点播(Video on Demand，VOD)、游戏以及社交网络于一体的终极娱乐平台。 在优化平板电视技术的同时，Newman Ultra 还将继续使用Faroudja 品牌的音视频处理创新技术，为消费者带来无与伦比的视听盛宴。从大屏幕投影影院，到4Kx2K 3D 大屏幕，Faroudja 仍然是市场公认的高品质标杆。

国际半导体技术发展路线图

国际半导体技术发展路线图 为了回答如何保持半导体产业按照摩尔定律继续发展的问题，国际上主要的半导体协会共同组织制定了国际半导体技术发展路线图 ITRS《International technology roadmap for semiconductors》它为半导体产业界提供了被工业界广泛认同的；对未来十年内研发需求的最佳预测以及可能的解决方案，它对整个半导体茶叶需要开发什么样的技术起到了一个导向作用。 国际半导体技术发展路线图 一、半导体产业生态环境 半导体产业诞生于上世纪70年代，当时主要受两大因素驱动：一是为计算机行业提供更符合成本效益的存储器；二是为满足企业开发具备特定功能的新产品而快速生产的专用集成电路。 到了80年代，系统规范牢牢地掌握在系统集成商手中。存储器件每3年更新一次半导体技术，并随即被逻辑器件制造商采用。 在90年代，逻辑器件集成电路制造商加速引进新技术，以每2年一代的速度更新，紧跟在内存厂商之后。技术进步和产品性能增强之间不寻常的强相关性，使得相当一部分系统性能和利润的控制权转至集成

电路（IC）制造商中。他们利用这种力量的新平衡，使整个半导体行业收入在此期间年均增速达到17%。 21世纪的前十年，半导体行业全新的生态环境已经形成： 一是每2年更新一代的半导体技术，导致集成电路和数以百万计的晶体管得以高效率、低成本地生产，从而在一个芯片上或同一封装中，可以以较低的成本整合极为复杂的系统。此外，封装技术的进步使得我们可以在同一封装中放置多个芯片。这类器件被定义为系统级芯片（system on chip，SOC）和系统级封装（system in package， SIP）。 二是集成电路晶圆代工商能够重新以非常有吸引力的成本提供“新一代专用集成电路”，这催生出一个非常有利可图的行业——集成电路设计。 三是集成电路高端设备的进步带动了相邻技术领域的发展，大大降低了平板显示器、微机电系统传感器、无线电设备和无源器件等设备的成本。在此条件下，系统集成商再次控制了系统设计和产品集成。 四是互联网应用和移动智能终端的崛起，带动了光纤电缆的广泛部署和多种无线技术的发展，实现前所未有的全球移动互联。这个生态系统创造了“物联网”这一新兴的市场，而创新的产品制造商、电信公司、数据和信息分销商以及内容提供商正在争夺该市场的主导权。

各公司待遇

这里所说的待遇全部为税前，另外，年薪不是简单的*12，因为有年终奖。而互联网公司的待遇package，都是包含了年终奖的。 以下待遇无特别说明，默认都是硕士，本科的话会特别说明，关注软件的多一些，硬件ic 等行业希望大家继续补充。 1 华为 研发、服务、销售多数岗位本科9k~12k, 硕士10~13k 客户经理不分本硕11~14k 法务硕士12~15k 行政本科6k 但是华为三五年后还是很给力的，这也是华为薪资的策略，好处给那些想长远在华为发展的人，只是一开始三年比较难熬，连续三年考评b+以上（a,b+,b,c,d），那就功成名就了，不过一c败三年…… 2 中兴号称硕士7300，其实是5300的基本工资加上1200的浮动绩效工资加上400补助再加上公司帮你交的400的公积金，注意这400公积金的概念！一切缴费基数是5300，换句话说，华为要是和中兴这样计算工资，北京华为的工资比北京中兴高了1000都不止！西安华为也比中兴高六七百，中兴实习期80%。 3 中兴移动中兴子公司固定工资6800，餐补350，通信费200 其他没了，夏季有高温补贴350一个月，深圳和南京 4 阿里巴巴，阿里今年全国只招150个精英，15k*15，秒杀国内各公司，另外有30w 无息借款，一年内买房买车买老婆，阿里帮你实现梦想，唉，只怪自己没学计算机 5 中电28所双211硕士为起点普通211硕士：税前10w到15w 11所牛逼高校（清华北大北航浙大复旦上交南京东南武大华科西交）：15w-20w 博士18w起薪牛逼高校：25w-30w 博士一次性住房补贴10w5 航天科工二院总体设计部硕士15w起 6 苏州记忆科技硕士12w 包含了公积金和餐补的有一次性安家费3000 苏州那边全是电子芯片ic企业，感觉苏州在下一盘很大很大的棋，已经下的差不多了，苏州昆山已有号称八百里电子长廊 7 北京704所航天火箭税前8w--10w 无奖金签三年双人间住一年后两年自己找 8 北京17所税前10w起 9 深圳宏电硕士6k，待遇太低 10 威盛北京硕士9k*14 武汉和上海不详 11 宇龙酷派实习：研发北京深圳研究生八千本科4k5 西安研究生6400 本科5800 转正硕士北京深圳9000 西安8000 本科转正不详

次氯酸钠加药装置使用维护说明书

次氯酸钠加药装置使用维护说明书宜兴市华电环保设备有限公司

目录 catalog 1.设备名称及型号 Device name and type 2.用途及适用范围 Application and sphere of application 3.技术参数、结构形式及工作原理 Tech data, structural style and principle of work. 3.1、总体 main part 3.2、主要部件 major component 1 3.3、主要部件2 major component 2 4.设备的安装和调试 equipment installation and debugging 5.操作和使用 operation and use 6.维护保养与故障排除 maintaining and fault resolution 6.1设备的维护和保养equipment maintaining 6.1.1 日常维护和保养 maintenance overhaul 6.1.2 定期维护和保养 routine maintenance 7.2设备常见故障及处理办法equipment common fault and solution 7.2.1 机械元、部件常见故障common faults of mechanical element 7.2.2 电气元器件常见故障 common faults of electrical apparatus elements 7.2.3 液压元件常见故障 common faults of hydraulic element 8.附表 attachment 附表1 专用工具明细表 attachment 1 list for special purpose tools 附表2主要部件明细表 attachment 2 list for main parts 附表3备件、易损件明细表 attachment 3 list for spare parts and wearing parts

废气处理系统操作维护使用手册6

组合式生物除臭装置操作手册 第一章总述 1.1组合式生物除臭装置概况 国家环保局“九五一2010年科技发展框架”中明确提出要重点研究微生物工程处理技术以解决我国面临的许多环境问题。 生物工程在环境保护领域的应用研究已越来越深入，其中包括：高效的废物生物处理技术，污染事故的现场补救技术，污染事故现场修复技术及可降解材料的生物合成技术。 生物法净化废气技术是其中的一个方面。环境生物技术已成为一种经济效益和环境社会效益俱佳的，解决复杂环境污染问题的最有效的手段。 国家科委颁发的《中国技术政策》环境卷中，制定的环境技术政策是：采用符合我国国情和不同地区特点的先进技术，其中第7条是“积极开发高效废气净化新装备与材料，提高废气净化率，其中包括各类除尘设备和气态污染物的净化设备”。 该技术适用于石油化工，炼油，冶金，焦化，合成橡胶，合成纤维，合成塑料，农药，化肥，氯碱，硫酸，硝酸，涂料，染料，胶粘剂，溶剂，试剂，食品加工，感光材料和制药生产过程中产生的有机废气的净化处理。 针对中国神华煤制油有限公司煤直接液化项目污水处理场废气处理系统中臭气的组成成分复杂，有硫化氢、氨、挥发酚、烃等恶臭污染物，采用组合式生物除臭装置。 废气处理系统的作用是将污水处理场各种盖水池和设备内的废气收集处理后排入大气。含油污水调节罐、油水分离器、污油脱水罐、含油污水吸水池、油泥浮渣池、加压溶气气浮、涡凹气浮排出的废气主要含挥发烃、硫化和氨、其他排放点排出的废气主要含甲硫醇、硫化氢、苯系物等。A/O鼓风曝气池、加压溶气气浮、涡凹气浮所产废气主要来自鼓风曝气、气浮溶气和气浮装置诱导吸气，

废气气量大，污染物浓度较低；其他设施所产废气主要来自呼吸排气、挥发排气、气量小，污染物浓度高。 除臭设备的选型 1.2装置平面布置图（见附图） 1.3装置组成 ZH-14500组合式除臭装置为的系统组成如下： ·组合式除臭壳体，外行尺寸12800*3400*3800 （包括预处理段，硫生物处理段，烃生物处理段，离子氧处理段）·生物填料、填料支架及滤网、布气系统、除雾系统、喷淋增湿系统 ·仪表阀门（PH计、温度计、液位开关、流量计、电动阀等） ·耐腐蚀循环水泵、补水泵 ·循环液过滤装置 ·耐腐蚀风机 ·蒸汽加热保温系统及保温系统阀门配件 ·风管及管道附件 ·电气控制柜（含PLC、触摸频、电气设备控制回路） ·电控箱至设备的电缆 ·尾气排放系统 ·所有联接、固定附件、螺栓、螺母 ·质保期内备品备件及专用工具

先进半导体设备制造技术及趋势_图文(精)

先进半导体设备制造技术及趋势 张云王志越 中国电子科技集团公司第四十五研究所 摘要：本文首先介绍了国内外半导体设备市场，认为市场虽有起伏，但前景良好。从晶圆处理和封装的典型设备入手介绍了当前最先进半导体设备技术，之后总结出半导体设备技术发展的四大趋势

。 １国内外半导体设备市场 根据ＳＥＭＩ的研究，２００６年全球半导体设备市场为３８８．１亿美元，较２００５年增长１８％，主要原因是各地区投资皆有一定程度的成长，少则２０％（日本），多则２２９％（中国大陆），整体设备订单成长率则较２００５年成长５１％，比２００５年底预测值多出２８．４亿美元。 ＳＥＭＩ在ＳＥＭＩＣＯＮＪａｐａｎ展会上发布了年终版半导体资本设备共识预测（ＳＥＭＩＣａｐｉｔａｌＥｑｕｉｐｍｅｎｔＣｏｎ－ｓｅｎｓｕｓＦｏｒｅｃａｓｔ），预计２００７年全球半导体制造设备市场销售增长减缓为３％，达到４１６．８亿美元；２００８年全球半导体设备市场将出现衰退，下滑１．５％；而到２００９年及２０１０年恢 长６％达到３０６．１亿美元，封装设备领域增长１１％至２７．２亿美元，而测试设备领域预计将出现１５％下滑 了１２．４％。表二为按地区划分的市场销售额，包括往年的实际销售额和未来的预测。

虽然半导体设备市场有一定的起伏，但是很明显，市场的前景非常好，总体一直是稳中有升。中国大陆２００６年半导体设备销售额超过２３亿美元，比２００５年增长了７４．４％，中国大陆的市场销售额一直呈上升趋势，国内半导体设备具有非常诱人的市场前景。这和中国半导体产业的快速发展有着直接关系，中国的市场也越来越引起国际半导体设备厂商的重视，投资的力度会越来越大，对我们国内半 复增长，预计实现高个位数增速，至５４．７亿美元。表一为按设备类型２０１０年销售额达到４７９．９亿美元。 ＳＥＭＩ总裁兼ＣＥＯＳｔａｎｌｅｙＴ．Ｍｙｅｒｓ表示，２００７年半导体制造、封 划分的市场销售额，包括往年的实际销售额和未来的预测。 从区域市场分析，北美、日本及 下降装及测试设备销售情况略高于去年，欧洲半导体设备市场出现下滑，成为业界历史上销售额第二高的一年。ＳＥＭＩ成员将继续推进半导体制造设备的强势增长，预计到２０１０年市场销售额达到４８０亿美元。 从设备类型分析，占有最大份额的晶圆处理设备领域２００７年将增 幅度分别为８．９％、３．１％及１１．７％；而台湾和中国大陆销售增长幅度最大，分别为２８．９％和２３．８％，台湾地区销售额达到９４．２亿美元，有史以来第二次超过日本；南韩市场略微增长５．２％，其余地区市场也下降 ４０半导体行业

B牛头刨床使用维护说明书图文稿

B牛头刨床使用维护说 明书 文件管理序列号：[K8UY-K9IO69-O6M243-OL889-F88688]

B665牛头刨床使用维护规程 主要技术规范 最大冲程：6500mm 最小冲程：95mm 工作台最大横向行程：600mm 工作台在牛头每一往复内之横向送刀的限度：0.33～3.33 公厘机床变速种数：6 牛头往复次数的限度12.5～73次／分 电机功率：3.5KW 外形尺寸（长×宽×高）：2170×1450×1750 公厘本机重量：1850公斤 （一）设备交接班使用规定 （1）倒班工作必须在本岗位上进行交接，二人以上操作一台设备，必须有专人负责交接。 （2）本岗位工作的交接班交班人必须认真填写交接记录，接班人按交班记录内容，检查、发现有差异之处，向班长汇报，确认后接班人将误差写人记录。

（3）交班人未交接班，经查后，由组长确认，其责任由交班人负责。 （4）接班人接班后，未查出问题，由接班人员负责。 （5）对设备进行革新改进时必须经有关部门批准后方可进行。 （6）非机床操作人，未经有关人员批准，不得擅自动用。 （二）操作方法及工作前的准备 （1）操作人必须熟悉本机床的结构性能和操作方法，经考试合格后发给操作证方可工 作。 （2）工作前交机床外露部分擦净，各润滑部按润滑“五定”加好油，检查各储油箱是否在油标线上。 （3）检查机床周围是否有障碍物。 （4）检查设备外露电气线路有无破损，发现问题及时找电工检查处理。（5）机床滑枕行程不得小于本机床最小允许可范围内使用，加工短工件时，每隔4小时加油一次，随时检查导轨磨损情况。 （6）调整冲程后必须紧牢拉杆和偏心调整后取下搬子。 （7）工作台上升或下降后先紧好松紧再调整好托架。 （三）操作顺序

意法ST系列芯片型号

ST(意法半导体)提供全系列具备各种外设的稳定型8位单片机以及高性能32位ARM芯片。ST系列单片机的8位ST6系列一直以来都是面向简单强劲的成本敏感型应用的安全并受到广泛欢迎的选择，其中包括家庭应用、数字消费类设备和电机控制。ST6器件采用16引脚到28引脚封装，内部集成了1到4KB的OTP(一次性可编程)或ROM存储器。 ST62E系列单片机： ST62E01, ST62E01C, ST62E01CF1, ST62E10, ST62E18, ST62E18C, ST62E18CF1, ST62E20, ST62E20B, ST62E20C, ST62E20CF1, ST62E25, ST62E25C, ST62E25CF1, ST62E28CF1, ST62E28C6, ST62E30B, ST62E30BF1, ST62E32BF1, ST62E40BG1, ST62E42BG1, ST62E46BG1, ST62E60B, ST62E60C, ST62E62CF1, ST62E62B, ST62E62C, ST62E65B, ST62E65C, ST62E65CF1, ST62E80B, ST62E80BG1, ST62E85BG1； ST62T系列单片机： ST62T00, ST62T01, ST62T03, ST62T08, ST62T09, ST62T10, ST62T15, ST62T18, ST62T20, ST62T25, ST62T28, ST62T30, ST62T32, ST62T40, ST62T42, ST62T46, ST62T52, ST62T53, ST62T55, ST62T60, ST62T62, ST62T63, ST62T65, ST62T80, ST62T85； ST62系列单片机：ST6200C, ST6201C, ST6203C, ST6210C, ST6220C, ST6225C, ST6260C, ST6262C, ST6265C； ST63E系列：ST63E73 …… ST7系列单片机解密： ST7FOXF1, ST7FOXK1, ST7FOXK2, ST7FOXA0； ST7LITE0, ST7LITE2, ST7LITE49K2, ST7LITE39F2, ST7LITE30F2, ST7LITE35F2, ST7LITE49M, ST7LITE1xB, ST7LITEU09, ST7LITEU05, ST7LITEUS5, ST7LITEUS2； ST72260G, ST72262G, ST72264G, ST72321, ST7232A, ST72321B, ST72321M, ST72325, ST72323, ST72323L, ST72340, ST72344, ST72345, ST72324B, ST72324BL, ST72361, ST72521B, ST72561, ST7260, ST7263B, ST7265, ST7267R8, ST7267C8, ST72681, ST72682； ST72C216 ST7LCRE4U1, ST7LCRDIE6, ST7SCR1R4, ST7SCR1E4； ST7GEME4, ST7LNB0V2Y0, ST72F521, ST72F324L； ST7LNB1Y0, ST7MC1, ST7MC2, ST7DALIF2, ST7SUPERLITE； ST10系列单片机解密： 新ST10闪存系列：ST10F271Z1, ST10F272Z2, ST10F273Z4, ST10F276Z5； ST10传统闪存系列：ST10F168S, ST10F269, ST10F269Z1, ST10F269Z2； ST10 ROMless 系列：ST10R172L, ST10R272L, ST10R167-Q； STR7系列ARM芯片解密： STR750F：STR755FV2, STR755FV1, STR755FV0, STR755FR2, STR755FR1, STR755FR0, STR752FR2, STR752FR1, STR752FR0, STR751FR2, STR751FR1, STR751FR0, STR750FV2, STR750FV1, STR750FV0； STR71x：STR715FR0, STR712FR2, STR712FR0, STR711FR2, STR712FR1, STR711FR1, STR711FR0, STR710RZ, STR710FZ2, STR710FZ1； STR73xF：STR736FV2, STR736FV1, STR736FV0, STR735FZ2, STR735FZ1, STR731FV2, STR731FV1, STR731FV0, STR730FZ2, STR730FZ1； STR9系列ARM芯片解密： STR91xFA：STR912FAZ44, STR912FAZ42, STR912FA W44, STR912FA W42, STR911FA W44, STR911FA W42, STR911FAM44, STR911FAM42, STR910FAZ32, STR910FA W32, STR910FAM32；

反渗透设备操作维护使用说明书

反渗透设备操作维护使 用说明书 -CAL-FENGHAI-(2020YEAR-YICAI)_JINGBIAN

反渗透装置说明书淄博汇邦环境工程有限公司

设备的安装条件 一、本系统内所有设备均由供方按规范要求安装及调试，需方需提供安装条 件并帮助大件设备的吊装及就位。 二、本系统内所有设备均无需基础预埋件，地面、排水沟、电源、水源均需 在设备进入前由需方按图纸要求完成 三、机房地面应硬化处理，地面及排水沟的排水坡度应符合要求，不存水。 排水沟上表面铺设防腐蓖子（盖板）。设备安装部位的基础承重能力不低于15T/m2。 四、机房净高度应不低于米，窗的面积与数量应便于通风及采光。 机房内应设有取暖及降温设施，冬季室内温度不低于15℃，夏季室内温度不高于35℃。 五、电源及水源由需方按设备平面布置图要求接至室内指定位置。进水管的 通径为D N80，进水压力应大于；电源为三相五线制，由需方接至控制室配电盘，配电容量不低于45K W。从控制室配电盘到系统内各用电设备之间的电缆电线由供方负责。

第二章设计依据及主要技术参数 一、主要技术参数： ①产水量：≧15m3/h②设计水温：17℃ ③水利用率：≧75%④消耗功率：≦≤40kw ⑤产水水质指标符合中华人民共和国2005版中国药典纯化水标准 二、主要设计依据: ①原水水质：软化水产水； ②设计内容：双级反渗透装置，P H调节装置及纯水后处理系统。 ③工程界线：从精滤器进水口至微滤器出水口。 三、执行标准： ①反渗透系统的设计符合美国海德能公司《反渗透系统设计导则》。 ②产水水质符合《中华人民共和国药典2005年版纯化水水质标准》。 ③所供设备及器材符合制药行业G M P验证规范要求。 ④预处理部分符合《J B/T2932-1999水处理设备技术条件》 ⑤进口设备的制造工艺和材料，符合美国机械工程师协会（A S M E）和 美国材料试验学会（A S T M）工业法规涉及的标准和相当标准。 四、系统对外界的要求： ①供配电：本系统用电设备供电方式为380/220V AC（三线五相制），其配 电容量不低于45k w。接地、防雷应遵循国家有关规定及规 范。 ②进水管:进入车间的原水管管径为D N80，在供水量为20m3/h时的供水 压力不低于。

对半导体技术、微电子技术、集成电路技术三者的浅略认识

对半导体技术、微电子技术、集成电路技术三者的浅略认识 一、半导体技术、微电子技术、集成电路技术三者的联系与区别 我们首先从三者的概念或定义上来分别了解一下这三种技术。 半导体技术就是以半导体为材料，制作成组件及集成电路的技术。在电子信息方面，绝大多数的电子组件都是以硅为基材做成的，因此电子产业又称为半导体产业。半导体技术最大的应用便是集成电路，它们被用来发挥各式各样的控制功能，犹如人体中的大脑与神经。 微电子技术是随着集成电路，尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术，是建立在以集成电路为核心的各种半导体器件基础上的高新电子技术，为微电子学中的各项工艺技术的总和。 集成电路技术，在电子学中是一种把电路小型化的技术。采用一定的工艺，把一个电路中所需的各种电子元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。（以上三者概念均来源于网络）这般看来，三者概念上互相交叉，却也略有区别。依我这个初次接触这三个名词、对电子信息几乎一窍不通的大一新生来看，半导体技术是其他二者技术的基础，因为半导体是承载整个电子信息的基石，不管是微电子还是集成电路，便是以半导体为材料才可以建造、发展。而微电子技术，个人感觉比较广泛，甚至集成电路技术可以包含在微电子技术里。除此之外，诸如小型元件，如纳米级电子元件制造技术，都可以归为微电子技术。而集成电路技术概念上比较狭窄，单单只把电路小型化、集成化技术，上面列举的小型元件制造，便不能归为集成电路技术，但可以归为微电子技术。以上便是鄙人对三者概念上、应用上联系与区别的区区之见，如有错误之处还望谅解。 二、对集成电路技术的详细介绍 首先我们了解一下什么是集成电路。 集成电路是一种微型电子器件或部件。人们采用一定的工艺，把一个电路中所需的各种元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。 而简单来说，集成电路技术便是制造集成电路的技术方法。它涉及半导体器件物理、微电子学、电子学、无线电、光学以及信息学等学科领域的知识。 从产业分工角度，集成电路技术可以分为集成电路加工技术、集成电路测试封装技术以及集成电路设计技术等几方面。 1. 集成电路加工技术 集成电路加工技术主要是通过物理或化学手段在硅材料上生成半导体器件（比如场效应管）以及器件之间的物理互连。这些器件以及器件之间的互连构成的电路功能要符合系统设计要求。集成电路加工技术涉及的知识包括半导体器件物理、精密仪器、光学等领域，具体应用在工艺流程中，包括注入、掺杂、器件模型、工艺偏差模型、成品率分析以及工艺过程设计等。在近十几年的时间里，集成电路加工工艺水平一直按照摩尔（Moore）定律在快速发展。 2.集成电路测试、封装技术 集成电路测试包括完成在硅基上产生符合功能要求的电路后对裸片硅的功能和性能的